第六章III-V族化合物半导体讲解
III-V族半导体材料
III-V族半导体III-V族化合物是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。
通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物，它们的成分化学比都是1:1。
砷化镉砷化镉是一种灰黑色的半导体材料，分子式为Cd3As2。
它的能隙有0.14eV，与其他半导体相比较窄。
砷化铝砷化铝（Aluminium arsenide）是一种半导体材料，它的晶格常数跟砷化镓类似。
砷化铝的晶系为等轴晶系，熔点是1740 °C，密度是3.76 g/cm?，而且它很容易潮解。
它的CAS 编号为22831-42-1。
碲化铋碲化铋是一种灰色的粉末，分子式为Bi2Te3。
碲化铋是个半导体材料，具有较好的导电性，但导热性较差。
虽然碲化铋的危险性低，但是如果大量的摄取也有致命的危险。
碳化硅碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。
制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。
最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。
发现Top 爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。
性质Top 碳化硅。
性质碳化硅至少有70种结晶型态。
α-碳化硅为最常见的一种同质异晶物，在高于2000°C高温下形成，具有六角晶系结晶构造（似纤维锌矿）。
β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石相似，则在低于2000 °C生成，结构如页面附图所示。
虽然在异相触媒担体的应用上，因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目，但直至今日，此型态尚未有商业上之应用。
因其3.2的比重及高的升华温度（约2700 °C），碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。
在任何已能达到的压力下，它都不会熔化，且具有相当低的化学活性。
元素半导体和化合物半导体
元素半导体和化合物半导体引言半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有电导率较低的特点。
根据其组成和性质的不同，半导体可以分为元素半导体和化合物半导体。
本文将分别介绍这两种类型的半导体。
一、元素半导体元素半导体是由单一元素构成的半导体材料，最常见的元素半导体是硅（Si）和锗（Ge）。
这两种元素都属于第四主族，具有四个价电子。
在晶体结构中，这些价电子形成共价键，使得电子在晶格中能够自由移动。
元素半导体的电导率通常较低，原因是在绝对零度时，晶体中的所有价电子都占据价带，没有自由电子。
但是，当元素半导体受到能量激发时，一部分价电子会跃迁到导带中，形成自由电子和空穴，从而增加了电导率。
元素半导体的电导率还可以通过掺杂来调控。
掺杂是向晶体中引入少量杂质，改变晶体中的电荷载流子浓度。
N型掺杂是向晶体中引入五价元素，如磷（P），使得晶体中形成多余的电子，增加了电导率。
P型掺杂是引入三价元素，如硼（B），使得晶体中形成多余的空穴，同样也会增加电导率。
二、化合物半导体化合物半导体是由两种或多种元素组成的半导体材料，最常见的化合物半导体是砷化镓（GaAs）和硒化锌（ZnSe）。
化合物半导体的晶体结构比较复杂，通常采用砷化镓这样的III-V族化合物或硒化锌这样的II-VI族化合物。
化合物半导体相对于元素半导体来说，具有更高的电导率和更好的电子迁移性能。
这是因为化合物半导体的晶格结构中，不同元素的电子云有较大的重叠，电子之间的相互作用更强，电子迁移更容易。
此外，化合物半导体的能带结构和禁带宽度也与元素半导体有所不同，使得化合物半导体在特定的应用中具有优势。
化合物半导体的掺杂方式与元素半导体类似，通过引入杂质改变载流子浓度，从而调控电导率。
不同的是，化合物半导体通常采用III 族和V族元素掺杂（如砷化镓中的硅掺杂）或II族和VI族元素掺杂（如硒化锌中的铝掺杂）。
总结元素半导体和化合物半导体是半导体材料的两种主要类型。
元素半导体由单一元素构成，如硅和锗，具有较低的电导率，可以通过掺杂来调控。
半导体材料学习资料：Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备及其特征
移动电话 近些年来移动电话飞速发展，年增长率达两三 倍。由于用户的增加和功能的扩大，就必须提高其使用的频 率。在较高的频率下，砷化镓器件与硅器件相比.具有使用 的电压低、功率效率高、噪声低等优点，而且频率愈高，两 种器件在上述性能方面的差距愈大。所以现在移动通信成了 砷化镓微波电路的最大用户。
GaN材料特点
① 宽带隙化合物半导体材料，有很高的禁带宽度（2.3 — 6.2eV)，可以覆盖红、黄、绿、蓝、紫和紫外光谱范围 ， 是到目前为止其它任何半导体材料都无法达到的
② 高频特性，可以达到300G Hz（硅为10G，砷化镓为80G） ③ 高温特性，在300℃正常工作（非常适用于航天、军事和
用砷化镓材料制作的器件频率响应好、速度快、工作温度 高，能满足集成光电子的需要。它是目前最重要的光电子材料 ，也是继硅材料之后最重要的微电子材料，它适合于制造高频 、高速的器件和电路。 已获应用的砷化镓器件: ①微波二极管，耿氏二极管、变容二极管等; ②微波晶体管:场效应晶体管(FET).高电子迁移率晶体管(HEMT) ，异质结双极型晶体管(HBT)等; ③集成电路:微波单片集成电路(MMIC )、超高速集成电路 (VHSIC)等; ④红外发光二极管:(IR LED); 可见光发光二极管(LED，作衬底 用); 激光二极管(LD);. ⑤光探测器; ⑥高效太阳电池; ⑦霍尔元件等
其它高温环境） ④ 电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好 ⑤ 耐酸、耐碱、耐腐蚀（可用于恶劣环境） ⑥ 高压特性（耐冲击，可靠性高） ⑦ 大功率（对通讯设备是非常渴望的）
GaN应用前景
化合物半导体权威解释
化合物半导体权威解释化合物半导体权威解释引言在科技发展的当今世界中，半导体技术无疑扮演着重要的角色，而其中又以化合物半导体备受瞩目。
化合物半导体是指由两个或多个元素组成的化合物，具备半导体特性。
本文将着重解释化合物半导体的概念、特性，以及其在科技领域的应用。
第一部分：化合物半导体的概念和特性1. 什么是化合物半导体？化合物半导体是由两个或多个元素通过化学反应形成的半导体材料。
与纯硅等单一元素半导体相比，化合物半导体由于其特殊的组合结构，具备一系列优越的性质。
2. 化合物半导体的特性2.1 带隙化合物半导体相较于单一元素半导体具有更大的能带隙。
能带隙指的是价带（valence band）和导带（conduction band）之间的能量差。
这使得化合物半导体能够在更广泛的光谱范围内吸收和发射光线，具备更高的光电转化效率。
2.2 良好的载流子迁移率化合物半导体因为其晶格结构和成分的差异，具备较高的载流子迁移率。
这意味着电子和空穴在化合物半导体中移动的速度更快，使得器件具备更高的工作效率和响应速度。
2.3 高饱和漂移速度饱和漂移速度是指在电场作用下，载流子达到饱和速度时的漂移速度。
化合物半导体由于其特殊的晶格结构和较大的能带隙，使得饱和漂移速度更高，从而在高频电子器件中具备更好的性能。
第二部分：化合物半导体的应用领域1. 太阳能电池化合物半导体因为其良好的光电转化效率和光吸收能力，成为太阳能电池领域的重要材料。
III-V族化合物半导体如氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）可以实现高效率的光电转化。
2. 光电子器件化合物半导体在光电子器件领域有广泛的应用，例如激光二极管、光电传感器和光纤通信等。
砷化镓和磷化铟是典型的化合物半导体材料，具备优异的光电性能，使得这些器件能够实现高效率的光传输和信号处理。
3. 高速晶体管化合物半导体晶体管因为其较高的饱和漂移速度，被广泛应用于高速和高频电子器件中。
砷化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）在通信和雷达系统中具备优异的性能，成为主流技术之一。
III-V族半导体材料
III-V族半导体III-V族化合物是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。
通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物，它们的成分化学比都是1:1。
砷化镉砷化镉是一种灰黑色的半导体材料，分子式为Cd3As2。
它的能隙有0.14eV，与其他半导体相比较窄。
砷化铝砷化铝（Aluminium arsenide）是一种半导体材料，它的晶格常数跟砷化镓类似。
砷化铝的晶系为等轴晶系，熔点是1740 °C，密度是3.76 g/cm?，而且它很容易潮解。
它的CAS 编号为22831-42-1。
碲化铋碲化铋是一种灰色的粉末，分子式为Bi2Te3。
碲化铋是个半导体材料，具有较好的导电性，但导热性较差。
虽然碲化铋的危险性低，但是如果大量的摄取也有致命的危险。
碳化硅碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。
制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。
最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。
发现Top 爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。
性质Top 碳化硅。
性质碳化硅至少有70种结晶型态。
α-碳化硅为最常见的一种同质异晶物，在高于2000°C高温下形成，具有六角晶系结晶构造（似纤维锌矿）。
β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石相似，则在低于2000 °C生成，结构如页面附图所示。
虽然在异相触媒担体的应用上，因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目，但直至今日，此型态尚未有商业上之应用。
因其3.2的比重及高的升华温度（约2700 °C），碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。
在任何已能达到的压力下，它都不会熔化，且具有相当低的化学活性。
III—V族化合物半导体的能带结构解析
能带结构随组分x的不同而不同: 实验发现，当0≤x≤0.53时，其能带结构与砷化镓类似; 当 0.53≤x≤1时，其能带结构成磷化镓。
除了三元化合物外，人们更进一步制成由III-V族化合物构成 的四元化合物混合晶体。例如，在磷化铟衬底上可制备出四元化合 物，在GaAs衬底上制备出四元化合物，图1-28和1-29分别为和的禁 带宽度和晶格常数随组分x、y的变化关系(Ga1-xInxAs1-yPy) 。
L能量比布里渊区中心极小值高出0.29eV。
砷化镓价带也具有一个重空穴带 V1，一个轻空穴带V2和由于自旋-轨道 耦合分裂出来的第三个能带V3，重空 穴带极大值也稍许偏离布里渊区中心。
重空穴有效质量为0.45m0，轻空穴 有效质量为0.082m0，第三个能带裂距 为0.34eV。
室温下禁带宽度为1.变化，
实线为等禁带宽度线，虚线为等晶格常数线， 图中阴影部分表示在该组分内材料属于间接带隙半导体。
间接带隙半导体:导带和价带的极值处于不同的k空间，跳跃是间 接的。
间接跳跃过程除了发射光子还有声子。
问题：硅，锗，砷化镓是什么类型的半导体？
人们已利用混合晶体的禁带宽度随组分变化的特性制备发光
或激光器件。
光二极管(LED)，当x=0.38~0.40时，室温下禁带宽度在 1.84~1.94eV范围，其能带结构类似砷化镓，当导带电子与价带空 穴复合时可以发出波长在6400~6800A范围内的红光。
调节的x、y部分，以研制1.3~1.6μm红外光的所谓长波长激光 器是当前很活跃的研究领域。
什么是发光二极管（LED: light-emitting diode）
06章-Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
比Ge、Si等困难。到50年代末，科学工作者应用水平布里奇曼法
(HB)、温度梯度法(GF)和磁耦合提拉法生长出了GaAs、InP单晶，但
由于晶体太小不适于大规模的研究。
•
1962年Metz等人提出可以用液封直拉法(LEC)来制备化合物半导
体晶体，1965~1968年Mullin等人第一次用三氧化二硼(B2O3)做液封剂， 用LEC法生长了GaAs、InP等单晶材料，为以后生长大直径、高质量
（b）甲烷正四面体模型
•
另一种认为在闪锌矿型晶体结构中，除Ga-和As+
形成的共价键外，还有Ga3+和As3-形成的离子键，因
此Ⅲ-V族化合物的化学键属于混合型。
• 由于离子键作用，电子云的分布是不均匀的，它有向 V族移动的趋向，即产生极化现象。这样导致在V族 原子处出现负有效电荷，Ⅲ族原子处出现正有效电荷。
• 在室温下，电子处在主能谷中，因为在室温时电子从晶体那 里得到的能量只有0.025eV，很难跃迁到X处导带能谷中去。
• 电子在主能谷中有效质量较小(m=0.07m0)，迁移率大；而在 次能谷中，有效质量大(m=1.2m0)，迁移率小，但状态密度比 主能谷大。
•
当外电场超过一定值时，电子可由迁移率大的主能谷转移
• 红、橙、黄、绿、蓝、靛(青）、紫 • 红：780-630nm • 橙：630-590nm • 黄：590-550nm • 绿：(550-490nm), • 蓝：(490-440nm), • 紫：(440-380nm).
• 发光的颜色是由能隙决定的，通过控制GaP中的掺杂剂可 以使GaP发出不同的光。
6-2 砷化镓单晶的生长方法
• 本节要点： • 掌握III-V族化合物的平衡相图的分析方法 • 砷化镓单晶的生长方法：水平布里奇曼法
iii-v族化合物半导体器件太赫兹建模和电路验证
iii-v族化合物半导体器件太赫兹建模和电路验证文章标题：iii-v族化合物半导体器件在太赫兹建模和电路验证中的应用在当今科技发展的潮流下，半导体材料作为现代电子器件的关键组成部分，在各个领域都展现出了不可替代的地位。
其中，iii-v族化合物半导体材料因其优异的电学性能和光学特性，被广泛应用于太赫兹波段的器件和电路中。
本文将从深度和广度的角度，探讨iii-v族化合物半导体器件在太赫兹建模和电路验证中的重要应用，并共享个人观点和理解。
一、iii-v族化合物半导体材料简介iii-v族化合物半导体材料是指周期表中III族元素和V族元素组成的半导体材料，具有较高的电子迁移率和较大的击穿场强。
常见的iii-v族化合物包括氮化镓（GaN）、磷化铟（InP）等。
这些材料在太赫兹波段的应用中具有优异的性能，如高迁移率、宽禁带宽度等，因此在太赫兹器件中具有广泛的应用前景。
二、iii-v族化合物半导体器件的太赫兹建模在iii-v族化合物半导体器件的太赫兹建模中，为了准确地描述其电学性能和电磁特性，需要进行复杂的电磁场模拟和结构仿真。
这些模拟包括从微观到宏观的多尺度仿真，涉及到材料的能带结构、电子迁移率、缺陷态模型等方面。
通过建立有效的太赫兹模型，可以深入理解iii-v族化合物在太赫兹波段下的电磁响应特性，为后续的器件设计和优化提供重要的参考。
三、iii-v族化合物半导体器件的电路验证除了建模仿真外，iii-v族化合物半导体器件的电路验证也是至关重要的一环。
通过搭建太赫兹器件的电路原型，可以验证其在实际工作条件下的性能表现，包括频率响应、功率传输特性等。
电路验证还可以为器件的可靠性和稳定性提供充分的考量，为实际应用提供有力支撑。
总结回顾iii-v族化合物半导体器件在太赫兹建模和电路验证中的应用，不仅是当前研究的热点，更是未来太赫兹通信、太赫兹成像等领域的重要基础。
通过本文的分析，我们了解了该领域的基本概念和关键技术，也了解了其在实际应用中的重要性。
半导体材料课件GaAs单晶中杂质的控制、完整性
吉林大学电子科学与工程学院
半导体材料
6-3-3 砷化镓单晶中Si沾污的抑制
实验表明GaAs单晶中常有较多Si沾污，平均浓度在 1016～ 1017 cm-3左右。 Si沾污主要来源于GaAs熔体侵蚀石英舟 引起Si的沾污的主要化学反应 高温区
4Ga(l) + SiO2 (s) ↔ Si(s) + 2Ga2O(g)
受 主
中 性
两 性
中性施主
受
深能级
主
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6-3-1 GaAs中的杂质的性质
施主杂质 ¾ Ⅵ族元素（S,Se,Te）替代As,浅施主，N型掺杂剂 ¾ O在液相外延的GaAs中有浅施主，也有深施主能级 ¾ GaAs中有浅受主存在时，O施主起补偿作用-高阻
（半绝缘）的GaAs材料。
lg C S = 16 .82 + 0.2C0
（Sn）
LEC法中不能掺Si，引起B沾污
3Si + 2B2O3 ↔ 4B + 3SiO2
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半导体材料
掺杂量的计算与杂质均匀性
拉制GaAs单晶时，杂质在晶体中的分布状况与Si、 Ge大致类似。 LEC 中 ， 因 为 B2O3 抑 制 了 杂 质 的 挥 发 ， （ HB 密 闭，蒸发有限）所以杂质的分布只与分凝作用有 关—变速拉晶有利于获得电阻率均匀的晶体。 杂质扩散会进入B2O3中，B2O3起着使熔体内杂质 浓度缓慢变化的作用，对K<1，有利于杂质的纵 向均匀性的提高。
Eg=2.26eV
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半导体材料
等电子陷阱(isoelectronic trap)
等电子杂质指与点阵中被替代的原子处于周期表 中同一族的其他原子。例如 GaP中取代P位的N或 Bi原子。
半导体材料课件III-V族化合物半导体的特性 GaAs单晶的生长方法
高效太阳电池
霍尔元件
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GaAs在我们日常生活中的一些应用
遥 控 器 是 通 过 GaAs 发 出 的 红 外光把指令传给主机的。
家电上的红色、绿色指示灯是 以 GaAs 等 材 料 为 衬 底 做 成 的 发光二极管。
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CD， DVD，BD光盘是用以 GaAs为衬底制成的GaAlAs激 光二极管进行读出的。
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非凝聚体系p-T-x相图各投影图的含义
GaAs体系 p-T-x相图
¾G a - A s 的 T - x 图 ， 反 映 体 系sGaAs+l+g三相平衡时的 温度与xAs组成的关系。
质很不相同，把这种不对称性叫做极性
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极性（闪锌矿是非中心对称的）
[111]
Ⅲ
[111]
Ⅴ
表面A
Ⅲ
ⅤⅤ ⅢⅢ
Ⅴ
[1 1 1]
Ⅲ
Ⅴ
表面B
[1 1 1]
闪锌矿结构在[110]面上的投影 显示在[111]方向和[1 1 1] 方向的差别
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半导体材料
从垂直[111]方向看，GaAs是一系列由Ga原子和As 原子组成的双原子层，因此晶体在对称晶面上的性 质不同。如[111]和[111]是不同的。 III族：A原子，对应的{111}面称为A面 V族：B原子，对应的{111}面称为B面 ¾ A—B组成的双原子层称为电偶极层 ¾ A边和B边化学键，有效电荷不同，电学和化学性
直接3.4eV 间接2.26eV 直接 1.43eV 直接 0.73eV
06章-Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
•
•
sp3杂化轨道：由1个2s轨道和3个2p轨道杂化，形成能量、 形状完全相等的4个sp3杂化轨道
（a）碳的sp3杂化轨道；
（b）甲烷正四面体模型
•
另一种认为在闪锌矿型晶体结构中，除Ga-和As+
形成的共价键外，还有Ga3+和As3-形成的离子键，因
此Ⅲ-V族化合物的化学键属于混合型。
• 由于离子键作用，电子云的分布是不均匀的，它有向
• 除此以外， GaAs具有比Si大得多的电子迁移率，
这对提高晶体管的高频性能是有利的。
GaP的能带结构
• 参见课本图6-4磷化镓的能带结构图。在波 矢是空间的电子能量图上，价带顶与导带
底不处于相同的波矢k处，所以GaP是间接
跃迁型材料。 • 间接跃迁型材料要实现跃迁必须与晶格作 用，把部分动量交给晶格或从晶格取得一 部分动量，也就是要与声子作用，才能满 足动量守恒的要求，因而非直接跃迁发生 的几率是很小的 ( 约为直接跃迁的 l ／ 1000) ，
•
•
光波长（颜色）的控制
• 加入氮后，光子能量： • hν = Eg一(Ee)n一(Eh)n
Eg为禁带宽度 (Ee)n为氮等电子陷阱形成激子中电子的能级 (Eh)n为氮等电子陷阱形成激子中空穴的能级
• •
由上式计算出光子的频率和波长，从而确定光的颜色
当氮含量较高时，还会有氮-氮等电子陷阱，这种二个靠得 很近的氮原子形成的等电子陷阱对电子的束缚要大于一个氮原 子对电子的束缚，它也能吸引空穴形成激子。这种激子复合放 出光子的能量小于单个氮原子形成的激子复合所放出光子的能 量，即 hν = Eg一(Ee)nn一(Eh)nn < Eg一(Ee)n一(Eh)n • 这是造成光谱分布波峰向长波方向移动以及使波宽加大的原因
L10-化合物半导体材料精讲
eij
Eg Eex αB n me* μe mh*
e31=-0.61，e33=1.14，e13=-0.59
3.37 60 2.03 ＜106 0.24 200 0.59
μh
5～50
30
§10 化合物半导体材料
10.2 II-VI族化合物半导体
(2). ZnO材料的优点
ZnO与GaN有相同的晶体结构，相近的晶格常 数和禁带宽度。与之相比，ZnO还具有以下优 点：
压电常数（C/m2）
300K时的禁带宽度（eV） 激子结合能（meV） 激子Bohr半径（nm） 本征载流子浓度（cm-3） 电子有效质量（×m0） 300K下n型底阻ZnO的电子 Hall迁移率（cm2V-1s-1） 空穴有效质量（×m0） 2018/10/10 300K下p型底阻ZnO的电子 Hall迁移率（cm2V-1s-1）
38
§10 化合物半导体材料
10.2 II-VI族化合物半导体
研究人员均认为375nm附近的紫外峰其来源 于近带边的激子跃迁，其发光强度与薄膜的结晶 质量、化学配比有关。结晶质量好的薄膜发射紫 外光的强度高。 对于ZnO薄膜在可见光区的发光机理至今还 没有统一的说法，有的认为可见光来源于与结构 缺陷和杂质相关的深能级发射，其中所有的结构 缺陷都是来自薄膜生长过程中氧供给量不足，即 锌和氧的化学计量比失衡。
许多III-V族化合物半导体具有直接能带结构
2018/10/10 2
§10 化合物半导体材料
10.1 III-V族化合物半导体
2018/10/10
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§10 化合物半导体材料
10.1 III-V族化合物半导体
2018/10/10
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§10 化合物半导体材料
第六章 二元Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备及其特征
• 3. GaAs的最高工作温度450℃.硅:250℃ 锗:100℃
2.GaP的能带结构
• GaP间接跃迁型材料 发光效率比直接跃迁型材料低
三、III-V族化合物相图简介
（3）固液相之间的转变
①对化合物加热升高温度，到熔化前不发生其它的相变，熔化后的液相组分与固相化合物 的组分相同；反之，由III族元素和V族元素以1:1的比例（或各占50%原子百分比）熔 制的液相溶液凝固时，产生同组分的化合物固相。因此，为得到化合物晶体，便可先 制备组分为1:1的液相溶液，然后结晶。
• 当固熔体（合金）从均匀一致的液态溶液冷却成为固态晶体时 ，组元之间的的相互作用可分为三种类型：
1. 形成能以任何配比溶合的均匀一致的固溶体材料（即液态和固 态两组元都能以任意比例相互容积的材料，或固态两组元无限 互溶的材料）。其代表性的相图如图6-10（周永溶，P149，图 6-10）所示。例如Cu-Ni、Au-Pt、Ge-Si等。
二、二元间能形成化合物的相图
两组元在液态互相溶解，在固态形成化合物的相图。这类 化合物材料的特点是，在一定的温度下熔化，在熔化过程中，固 液两相的成分相同。大多数III-V族化合物都属此类，其代表性 的相图如图6-14（周永溶，P150，图6-14）所示。
图中，纵坐标表示温度，横坐标表示组元的组分（原子百分 比或重量百分比）。左边为纯A元素，右边为纯B元素，A和B二组 元当它们的组分比为x:y时，便便形成了化合物以AxBy表示。
三、III-V族化合物相图简介
Ⅲ—V族化合物半导体
Ⅲ—V族化合物半导体
杨英会
【期刊名称】《国外稀有金属动态》
【年(卷),期】1992(000)005
【总页数】2页(P23-24)
【作者】杨英会
【作者单位】无
【正文语种】中文
【中图分类】F746.42
【相关文献】
1.Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(8)砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(8) [J], 向贤碧;廖显伯
2.Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(3)砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(3) [J], 向贤碧;廖显伯
3.Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池的发展和应用系列讲座(4)砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(4) [J], 向贤碧;廖显伯
4.Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(5)砷化镓基系Ⅲ一Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(5) [J], 向贤碧;廖显伯
5.Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(6)砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(6) [J], 向贤碧;廖显伯
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