用于光通信的高速响应有机电致发光器件

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有机电致发光材料的研究进展及应用

有机电致发光材料的研究进展及应用材化1111班王蒙 1120213122摘要：简要论述有机电致发光设备的发光机理、器件结构及彩色显示方法，详细介绍有机电致发光材料的种类、组成、特点和研究近况，并对其用途和前景，尤其在军事领域的应用作了一定介绍。

另外还指出了有机电致发光在商业化过程中一些急待解决的问题。

关键词：有机发光材料，进展，应用。

正文：信息技术的持续快速发展对信息显示系统的性能，如亮度、对比度、色彩变化、分辨率、成本、能量消耗、质量和厚度等均提出了高的要求。

在已有的成熟显示技术中，电致发光显示设备能够满足上述性能要求，另外它还具有宽视角、较宽的工作温度范围和固有的强度等优点。

电致发光显示设备一般包括发光二极管(LED)、粉末磷设备、薄膜电致发光设备(TFEL)和厚介质电致发光设备等。

目前的信息显示市场上真正的参与者主要是TFEL和有机LED (OLED)。

OELD技术的发展时间并不很长，但发展速度较快。

近几年，随着市场对高质量、高可靠性、大信息量显示器件的需求日益增加，OLED技术更是得到了长足的发展，目前已有多种OLED产品投入市场。

1997年，日本Pioneer公司推出配备有绿色点阵OLED的车载音响，并建立了世界上第一条OELD生产线。

1998年，日本NEC、Pioneer公司各自研制出5英寸无源驱动全彩色四分之一显示绘图阵列(QVGA)有机发光显示器。

2000年，Motorola公司推出了有机显示屏手机。

2002年，Toshiba公司推出了17英寸的全彩色显示器。

清华大学与北京维信诺公司共同开发出国内首款多色OLED手机模块。

2003年，台湾奇美电子公司与IBM合作推出加英寸的OELD显示器。

2004年5月，日本精工爱普生公司研制成功的40英寸大屏幕OLED显示器以全彩、超薄、动态影像显示流畅的特点成为OELD显示市场上最大的亮点。

2006年，首尔半导体株式会社的子公司SeoulOptodeviceCo．Lid．以控股方式与美国SensorElectronicTechnology公司共同开发生产的世界唯一的短波长紫外发光二极管(UVEL D)产品已开始量产。

硅基片上集成光子器件的关键科学问题

硅基片上集成光子器件的关键科学问题标题：揭秘硅基片上集成光子器件的关键科学问题导语：硅基片上集成光子器件作为一种前沿技术，具有巨大的应用潜力和广阔的市场前景。

然而，在实现其商业化应用之前，我们需要深入了解和解决其中的关键科学问题。

本文将从不同角度探讨硅基片上集成光子器件的关键科学问题，旨在为读者提供全面、深入、灵活的理解与认识。

一、硅基片上集成光子器件的背景和意义硅基片上集成光子器件是将光电子学与硅基半导体制造技术相结合的一种集成光子学技术。

相比传统的电子器件，光子器件具有更高的速度、更低的能耗和更大的带宽，能够实现高速通信、数据传输和信息处理。

硅基片上集成光子器件被视为下一代信息技术的重要方向。

然而，其商业化应用仍面临一系列挑战和科学问题。

二、关键科学问题一：光子器件与硅基片的兼容性硅基片上集成光子器件的核心要素之一是如何实现光子与硅基材料的高度兼容性。

硅基材料由于其晶格结构和光学特性的限制，对光的传播和控制存在一定的困难。

研究人员需要通过合理的设计和工艺优化，寻找解决硅基材料与光子器件兼容性问题的方法。

还需要探索新的材料，如氮化硅、氮化铟等，以提高硅基片上集成光子器件的性能和可靠性。

三、关键科学问题二：尺寸、损耗和耦合的平衡硅基片上集成光子器件的尺寸、损耗和耦合之间存在一种平衡关系。

较小的尺寸可以提高器件的集成度和功能密度，但可能导致更大的光损耗和较差的光耦合效率。

为了解决这个问题，研究人员需要综合考虑器件的设计、尺寸控制和制造工艺等因素，以实现尺寸、损耗和耦合的良好平衡。

通过优化光波导结构和采用微纳制造技术等手段，可以进一步减小尺寸和损耗，提高光耦合效率。

四、关键科学问题三：光子器件的非线性效应和光学调制硅基片上集成光子器件在应用中需要实现光的调制和控制，以实现信号传输和处理。

然而，硅基材料的非线性效应较小，难以实现高效的光学调制。

解决光子器件的非线性效应和光学调制问题是目前研究的热点之一。

650nm谐振腔发光二极管

650nm谐振腔发光二极管全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：650nm谐振腔发光二极管是一种非常重要的光电器件，具有广泛的应用领域。

本文将介绍650nm谐振腔发光二极管的基本原理、结构特点、工作原理、制作工艺以及应用领域等方面的知识，希望能够帮助读者更好地了解这种光电器件。

一、650nm谐振腔发光二极管的基本原理650nm谐振腔发光二极管是一种基于半导体材料的光电器件，其发光原理是通过在半导体材料中注入电流，使得材料的电子和空穴重新组合放出光子。

而650nm是指该二极管的发光波长为650纳米，属于红光波段。

在650nm谐振腔发光二极管中，一般采用的是具有高发光效率的半导体材料，通过在该材料中设置特定的结构，如谐振腔、磁振腔等，来提高光子的收集效率，从而实现高效的发光。

650nm谐振腔发光二极管的结构一般包括：发光层、衬底、透镜、导电层等几个部分。

发光层是最为重要的部分，它是实现电子和空穴复合发光的地方，对光电器件的发光效率至关重要。

650nm谐振腔发光二极管还可以通过调整谐振腔的结构和形状，如增加反射镜、优化波导结构等方式来提高其发光效率和输出功率。

650nm谐振腔发光二极管的工作原理是通过在半导体材料中注入电流，产生正负载流子，使其在发光层中复合发光。

当电流通过半导体材料时，产生的正负载流子运动到发光层时，会在该层弛豫，产生光子。

通过调控电流大小和施加正反电压，可以实现650nm谐振腔发光二极管的发光控制。

当电流增大时，产生的光子数量也会随之增加，从而实现更高的发光功率。

650nm谐振腔发光二极管的制作工艺一般包括以下几个步骤：材料生长、器件加工、器件测试和封装等。

材料生长是决定器件发光效率和波长的关键步骤，通过在半导体材料中掺杂或外延生长来实现特定的发光效果。

在器件加工环节，需要利用光刻、腐蚀、电镀等技术对半导体材料进行精细加工，以实现谐振腔的制备和发光层的形成，最后进行器件测试和封装，使器件能够正常工作。

2023 半导体行业：AI算力系列之光通信用光芯片,受益流量增长和全球份额提升

1.5. 光芯片及组件：光模块中最大的成本项
9
图：中际旭创2016年1-8月光模块成本构成
人力及其他成本23%
光芯片及组件 50%
结构件 11%
100G光模块
100G FR4 QSFP28 100G LR4 QSFP28 100G ER4 QSFP28 100G FR1 QSFP28
FR4： 4*25G DFB；LR4： 4*25G DFB；ER4： 4*25G EML；FR1： 100G EML/硅光 CW 光源。
78
0.50
0.66
1.12
1.50
154.93
117.46
69.71
51.81
002281.SZ
光迅科技
225
5.67
6.35
7.35
8.31
39.64
35.44
30.61
27.06
688048.SH
长光华芯
154
1.15
1.25
2.24
3.42
133.51
123.05
68.59
45.04
300620.SZ
200G及以上速率光模块
200G FR4 QSFP-DD 400G DR4 QSFP-DD 400G FR4 QSFP-DD 2*200G FR4 OSFP
FR4： 4*50G DFB/EML；400G DR4： 4*100G EML/硅光 CW 光源；FR4： 4*100G EML。
AI算力系列之光通信用光芯片：受益流量增长和全球份额提升
光芯片重要性凸显及未来成长性：磷化铟光芯片及组件是光模块中最大的成本项，其性能直接决定光模块的传输速率，是光通信产业链的核心之一。根据Yole预测，磷化铟器件预计到2026年下游应用规模将达到约52亿美元， 20 -26年复合增长率为16%。国产化率低、成长空间广阔：国内厂商在2.5G及以下、 10G光芯片上具有一定优势，但25G光芯片的国产化率约20% ，25G 以上光芯片的国产化率仍较低约5%。生产工艺是核心壁垒：光芯片的制造成本中制造费用占比最高，良率决定各家能力。生产流程中，量子阱、光栅、光波导、镀膜等环节成为竞争关键。涉及上市公司：源杰科技（与电子团队联合覆盖）、仕佳光子、光迅科技、长光华芯、光库科技。风险提示：人才及技术更新风险；下游需求不达预期风险；竞争导致毛利率下降风险；潜在竞争的风险；全球化、国产替代不及预期；报告中引用22年业绩快报仅为上市公司初步核算数据，请以公司最终公告为准。

晶圆级Micro-LED_芯片检测技术研究进展

第 38 卷第 5 期2023 年 5 月Vol.38 No.5May 2023液晶与显示Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays晶圆级Micro-LED芯片检测技术研究进展苏昊1，李文豪1，李俊龙1，刘慧2，王堃1，张永爱1，3，周雄图1，3，吴朝兴1，3*，郭太良1，3*（1.福州大学物理与信息工程学院，福建福州 350108；2.福建江夏学院电子信息科学学院，福建福州 350108；3.中国福建光电信息科学与技术创新实验室，福建福州 350108）摘要：随着微型氮化镓（GaN）发光二极管（LED）制造工艺的不断进步，Micro-LED显示有望成为新一代显示技术并在近眼显示、大尺寸高清显示器件、柔性屏幕等领域大放异彩。

在Micro-LED显示众多技术环节中，晶圆级Micro-LED芯片的检测是实现坏点拦截，提升显示屏良品率、降低整机制造成本的关键环节。

针对大数量（百万数量级）、小尺寸（<50 μm）的晶圆级Micro-LED芯片阵列，现有的电学检测手段存在检测效率低、成本高等缺点。

因此，提高检测效率、提升检测准确度、降低检测成本是晶圆级Micro-LED检测技术的发展趋势。

本文首先介绍了晶圆级Micro-LED芯片检测时所需要检测的几个指标，其次详细介绍并分析了现有的或已经提出的检测手段，最后对晶圆级Micro-LED芯片检测技术进行总结并展望了未来技术发展方向。

关键词：Micro-LED；缺陷检测；接触型检测；无接触检测中图分类号：TN364+.2；TN383+.1 文献标识码：A doi：10.37188/CJLCD.2022-0392Recent progress of wafer level Micro-LED chip inspection technology SU Hao1，LI Wen-hao1，LI Jun-long1，LIU Hui2，WANG Kun1，ZHANG Yong-ai1，3，ZHOU Xiong-tu1，3，WU Chao-xing1，3*，GUO Tai-liang1，3*（1. College of Physics and Information Engineering， Fuzhou University， Fuzhou 350108， China；2. College of Electronic Information Science， Fujian Jiangxia University， Fuzhou 350108， China；3. Fujian Science & Technology Innovation Laboratory for Optoelectronic Information of China，Fuzhou 350108， China）Abstract：With the continuous progress in the manufacturing process of gallium nitride （GaN）-based light-emitting diodes （LEDs）， Micro-LED display is considered as an emerging display technology， which has broad prospects for near-eye display， large-scale displays device， flexible display， and other fields. The inspection of wafer-level Micro-LED chips can improve the yield of the screens and reduce the manufacturing cost of displayers，which is one of the key technologies related to Micro-LED display.For the inspection 文章编号：1007-2780（2023）05-0582-13收稿日期：2022-11-24；修订日期：2022-12-16.基金项目：国家重点研发计划（No.2021YFB3600404）；闽都创新实验室自主部署项目（No.2020ZZ113）Supported by National Key Research and Development Program of China （No.2021YFB3600404）；FujianScience & Technology Innovation Laboratory for Optoelectronic Information of China （No.2020ZZ113）*通信联系人，E-mail：chaoxing_wu@；gtl_fzu@第 5 期苏昊，等：晶圆级Micro-LED芯片检测技术研究进展needs of large quantity （millions of orders）and small size （<50 μm）of wafer-level Micro-LED chip arrays， the existing electrical inspection technology has the disadvantages of low inspection efficiency and high cost.Therefore，Micro-LED chips inspection technology with improving inspection efficiency，improving inspection accuracy，and reducing inspection cost is the future development trend.In this paper，several indicators required for Micro-LED chip inspection are summarized.Then，the existing or proposed inspection methods are introduced and analyzed in detail.Finally，the future development of inspection technology is prospected.Key words： Micro-LED； defect inspection； contact inspection； non-contact inspection1 引言具有功耗低、寿命长、体积小、可靠性高等优点的氮化镓基微型发光二极管（Micro-LED）有望作为新一代高效光源［1-7］，应用于光通信、固态照明、显示技术等领域。

有机电致发光器件简介

空穴注入层通常由宽带隙半导体材料组成，如二氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4），这些材料能够有效地将正电荷注入到空穴传输层中。
空穴传输层
总结词
空穴传输层负责传输空穴到发光层。
详细描述
空穴传输层通常由有机材料组成，如多苯基小分子或聚合物，这些材料具有较高的空穴迁移率，能够有效地将空穴传输到发光层。
度的显示效果。
THANK YOU
多色与高分辨率有机电致发光器件研究进展
多色与高分辨率有机电致发光器件是未来发展的重要趋势之一，其研究进展主要集中在彩色显示和高分辨率显示两个
方面。
在彩色显示方面，研究者通过合成不同颜色的发光材料和精细的掺杂技术，实
现全色显示和多色动态显示。
在高分辨率显示方面，研究者采用高精度印刷和纳米光刻技术，制备高分辨率的像素电极和功能层，从而实现高清晰
照明应用
总结词
有机电致发光器件具有高效、环保、可弯曲等优点，在照明领域具有广阔的应用前景。
详细描述
有机电致发光器件的发光效率高，能够实现高效照明，同时其环保无汞的特性符合绿色照明的趋势。此外，有机电致发光器件还可以制成柔性照明产品，如柔性灯带、可折叠灯具等，具有广泛的应用场景。
生物成像与传感应用
热活化延迟荧光材料的发光寿命较长，且具有较高的发光效率，因此在有机电致发光器件中具有广阔的应用前景。
04
有机电致发光器件的应用
显示应用
总结词
有机电致发光器件在显示领域具有高对比度、宽色域、低能耗等优势，被广泛应用于电视、显示器、广告牌等显示设备。
VS
详细描述
有机电致发光器件通过电流激发有机材料，产生可见光，具有自发光的特性，无需背光源，因此可以实现高对比度和宽色域的显示效果。同时，有机电致发光器件的能耗较低，能够降低显示设备的运行成本和维护成本。

有机电致发光材料及器件导论精

1.电致发光（EL）：发光材料在电场作用下，受到电流和电场的激发而发光的现象，是一个将电能直接转化为光能的一种发光过程（非热转换即不是通过热辐射实现的）。

2. FED,PDP,LCD都存在问题，不能满足时代需求，所以研究更为高效的有机电致发光器件（OLED）。

OLED特点：材料选择有机物，高分子，因而选择范围宽；驱动电压低；发光亮度和发光效率高，发光视角宽，相应速度快；器件可弯曲，不受尺寸限制，分辨率高等。

3.基态：分子的稳定态即能量最低状态；激发态：被激发后，分子的电子排布不遵循构造原理。

激发态分子内的物理失活：辐射跃迁和非辐射跃迁。

而辐射跃迁：释放光子而从高能激发态失活到低能基态的过程。

导致电子运动轨道界面减少；在势能面上跃迁是垂直发生的。

4.有机半导体：在外电场作用下，电子和空穴在LUMO和HOMO间的跳跃产生电流。

而掺杂半导体中的载流子浓度大于本征半导体（电子和空穴浓度相同），所以导电性更好5.直流注入式有机电致发光：在有机EL器件的两端电机上加上直流电源，通电后发光器件受电激发的作用而发光的现象。

过程：载流子注入，载流子传输，电子和空穴碰撞形成激子（激子是彼此束缚在一起的电子和空穴对），激子辐射退激发发出光子。

6.单线态激子是总自旋为0的激发状态；注入的电子和空穴形成的单线态和三线态激子的比例正比于其状态数，有机电致发光的量子效率最大为25%；Forster能量转移：能量从主体向掺杂材料的传递方式，能在较远距离内实现，为单线态激子；Dexter能量转移：只能在紧邻分子间实现，为三线态激子。

7.单层器件：单层有机薄膜被夹在ITO阴极和金属极之间，形成的是单层有机电致发光器件。

但是单层器件的载流子的注入不平衡，器件发光效率低。

三层器件是目前OLED中最常用的一种。

在实际的器件中，在发光层往往采用掺杂的方式提高器件性能8.器件制备过程：刻蚀好的ITO玻璃一清洗一臭氧/氧等离子体处理一基片置于真空腔体一抽真空一蒸发沉积有机薄膜和阴极一取出器件并封装一测试表征9.有机小分子发光器件通常用真空蒸发沉积的方法制备构成器件的薄膜，整个过程要在真空腔内完成（真空度高于10八-4Pa）。

OLED技术毕业设计

OLED技术毕业设计摘要OLED 具有全固态、主动发光、高对比度、超薄、低功耗、无视角限制、响应速度快、低电压直流驱动、工作温度范围宽、易于实现柔性显示和3D 显示等诸多优点，将成为未来20 年最具“钱景”的新型显示技术。

同时，由于OLED 具有可大面积成膜、功耗低以及其它优良特性，因此还是一种理想的平面光源，在未来的节能环保型照明领域也具有广泛的应用前景。

本文将系统介绍OLED的发展背景、发展史、制备及应用，介绍了有机电致发光器件(OLED) 的结构和发光机理。

典型的传统OLED是生长在透明的阳极例如ITO玻璃上的，发射出来的光是由最底层衬底透出，这使得它与其他电子元件如硅基显示驱动器的集成变得非常复杂。

因此，理想的做法是研发一种OLED，其光的发射由器件顶部的透明电极透出。

重点介绍一种具有阴极作为底层接触层，阳极ITO薄膜作为顶部电极的表面发射型或者说有机“反转”的LED(OILED)。

介绍了该器件的制备工艺，对该OILED的I一V特性及EL谱进行了测试，发现与传统的OLED相类似，而工作电压有所升高，效率一定程度上降低。

为了进一步改善器件性能，我们对器件增加了保护层(PL)，研究了PL对OILED器件性能的影响。

最后概述了器件的技术进展和应用前景, 并展望了未来OLED 发展的方向。

关键词：有机电致发光器件，有机反转电致发光器件，发光机理，保护层（PL）,阳极ITO 薄膜AbstractOLED has a solid state, self-luminous, high contrast, ultra-thin, low power consumption, viewing angle, fast response, low-voltage DC drive, the operating temperature range, easy to implement many of the advantages of flexible displays and 3D displays will the future20 years of the most "moneylow power consumption, and other fine features, so an ideal plane light source, also has broad application prospects in the future of energy saving lighting in the area. In this paper, the systematic introduction of OLED development background, history of the development, preparation and application, the structure of the organic electroluminescent devices (OLED) and the luminescence mechanism.Typical traditional OLED is growth in transparent anode ITO glass, for example, the light is emitted by bottom gives fully substrate, this makes it and other electronic components such as that the integration of the silica based drive become very complex. Therefore, the ideal way is developing a OLED, its light emission from the top of the device gives fully transparent electrodes. Focuses on a cathode as the bottom contact layer, the anode of ITO films as the top electrode surface emission or organic LED of the "reverse" (OILED). Of the device preparation process, the OILED I-V characteristics and EL spectra of the test, found that similar to the conventional OLED, the working voltage was increased efficiency to a certain extent on the lower. To further improve the device performance of the device to increase the protective layer (PL), PL OILED device performance. Finally an overview of the technical progress and prospects of the device, and looked to the future OLED, the direction of development.Keywords:Organic Electroluminescent Devices,Organic reverse electroluminescent devices, Luminescence mechanism,Protective layer (PL), the anode of ITO films.目录摘要 (II)Abstract (III)目录 (IV)1.绪论 (1)1.1课题背景 (1)1.2 OLED技术的发展概况 (2)1.2.1 全球OLED发展史 (4)1.2.2 中国OLED发展状况 (5)1.2.3 OLED的应用 (6)1.2.3 OLED的制备 (6)2.有机电致发光器件 (8)2.1 引言 (8)2.2 有机电致发光器件 (8)2.3 有机电致发光器件的结构 (9)2.4 OLED发光机理 (10)2.5 我国发展OLED产业存在的问题及发展趋势 (13)2.5.1 存在的问题 (13)2.5.2 发展趋势 (14)2.6 结论及建议 (14)3.有机反转电致发光器件 (16)3.1 引言 (16)3.2 器件制备工艺 (17)3.2.1 基片的清洗及表面处理 (17)3.2.2 阴极的蒸镀 (17)3.2.3 有机层的成膜 (18)3.2.4 阳极的溅射 (18)/ PVK:TPD/PTCDA/ITO结构的有机反转电致发光器件的3.3 Si/Al/Alq3研究 (19)3.3.1 OILED的I一V特性及亮度测试 (19)3.4 保护层(PL)对器件性能的影响 (27)3.4.1 PL厚度对器件j一V特性的影响 (27)的影响 (29)3.4.2 PL对器件的最大驱动电流Im ax的影响 (30)3.4.3 PL对器件外量子效率qe3.4.4 PL对EL发射谱的影响 (30)3.4.5 顶电极(阳极)面积对载流子注入效率的影响 (31)3.4.6 PL层对器件最表面状态的影响 (32)4.OLED与OILED的特性及存在的问题 (34)4.1 与目前占主流地位的CRT及LCD技术相比，OLED与OILED具有以下更多的优点: (34)4.2 与OLED相比OILED的不同 (36)4.3 OLED与OILED 急待解决的问题和未来发展趋势 (36)结论 (39)5.致谢 (40)6.参考文献： (41)1.绪论1.1课题背景信息显示是信息产业的核心技术之一, 而信息显示技术及显示器件多种多样, 到目前为止，有四种发光物理机制完全不同的固态场致发光形式。

第二章-有机电致发光的基本原理

第二章有机电致发光的基本原理2.1 有机电致发光器件的发光机理有机电致发光材料均为共轭有机分子，依据休克尔分子轨道理论（HMO ），并结合半导体理论中的能带理论，可将有机共轭分子中的最高分子占有轨道HOMO 类比为能带理论中的价带顶，最低空轨道LUMO 为导带底，这样就可以用半导体理论模型对有机电致发光进行理论研究。

有机电致发光和无机电致发光相似，属于载流子双注入型发光器件，所以又称为有机发光二极管，其发光机理一般认为是:在外界电压驱动下，从阴极注入的电子与从阳极注入的空穴在有机层中形成激子，并将能量传递给有机发光物质的分子，使其受到激发，从基态跃迁到激发态，当受激分子从基态回到基态时辐射跃迁而产生发光。

具体发光过程可分以下几个阶段：(1) 载流子的注入：在外加电场的条件下，空穴和电子分别从阳极和阴极向夹在电极之间的有机功能薄膜层注入，即空穴向空穴传输层的HOMO 能级(相当于半导体的价带)注入，而电子向电子传输层LUMO 能级(相当于半导体的导带)注入。

电子的注入机理比较复杂，可分为电场增强热电子发射；场致发射，其过程是在强电场作用下，电子通过势垒从金属至半导体的量子力学隧穿。

在低温时，大多数电子是在金属的费米能级上隧穿势垒的，这形成场致发射（F 发射），在中等温度时，大多数电子是在能级Em （高于金属的费米能级）上隧穿势垒的，这形成所谓的热电子场致发射或热助场致发射（T-F 发射），在极高温度时，主要贡献是热电子发射；隧穿发射，如果绝缘体足够薄或者含有大量的缺陷，或者两者兼有，则电子可直接从电极注入到有机层。

(2) 载流子的迁移：载流子在有机分子薄膜中的迁移被认为是跳跃运动和隧穿运动[9,10]，并认为这两种运动是在能带中进行的。

当载流子一旦从两极注入到有机分子中，有机分子就处在离子基(A ＋、A －)状态，（见下图）并与相邻的分子通过传递的方式向对面电极运动。

此种跳跃运动是靠电子云的重叠来实现的，从化学的角度来说，就是相邻的分子通过氧化-还原方式使载流子运动。

有机高分子材料在光电中的应用

1977年, 贝尔研究所和日本电报电话公司几乎同时研制成功寿命达 100万小时（实用中10年左右）的半导体激光器, 从而有了真正实用的激光器。
1977年, 世界上第一条光纤通信系统在美国芝加哥市投入商用, 速率为45Mb/s。
－－低损耗光纤的问世导致了光波技术领域的革命, 开创了光纤通信的时代。
而这个领域也是光电功能有机高分子材料应用最为成熟的领域。以液晶材料和有机电致发光材料为基础的LCD 和OLED 将成为这个领域的主导者。
液晶材料
什么叫液晶？
液晶(liquid crystal) 是一种在一定温度范围内呈现不同于固态、液态的特殊物质形态, 是一种介于固
体与液体之间, 具有规则性分子排列的有机化合物。
液晶的历史。
1888奥地利植物学家莱尼兹尔发现。 1889德国物理学家Lehmann观察到了液晶现象，并
正式命名。 1922法国人菲利德尔将液晶分为三种基本类型也就
是现在人们所熟知的，向列型，近晶型及胆笫村 1963威廉姆斯发现向列液晶中的畴结构 1968美国的RCA公司发现了向列型液晶通电后动态
及探求具有更高非线性而且低吸收系数材料的努力。
未来的展望
NLO聚合物适合干什么？
通讯
二次谐波
光信号处理
调节器多路驱动器中继器
神经网络空间光调制器件
未来的展望
NLO聚合物适合干什么？
三次谐波
数字式（光计算）
全光过程
光双稳态光开关
信号处理
并行
➢ 柯达公司采用的有机小分 ➢ 剑桥所采用的有机大分子
子结构材料。
结构。
➢ 采用的工艺流程是蒸镀的 ➢ 采用的工艺流程是甩胶的
方式。
方式。

光电器件,高速高频器件对载流子寿命的要求

光电器件是一种能够将光信号转换为电信号或者电信号转换为光信号的器件，它在现代通信、光电子技术以及信息技术领域中起着至关重要的作用。

而对于高速高频器件来说，对载流子寿命的要求更是不可小觑。

本文将从光电器件和高速高频器件对载流子寿命的要求这两个方面展开深入探讨。

1. 光电器件在现代通信领域中的应用光电器件在现代通信领域中具有重要的地位。

光通信作为一种新兴的通信方式，它具有传输速度快、信息容量大等诸多优势，同时也成为了未来通信领域的发展趋势。

光电器件作为光通信系统中的核心元件，扮演着将电信号转换为光信号的重要角色。

光二极管是最常用的光电器件之一，它能够将电信号转换为光信号，并且具有响应速度快、寿命长等特点，因此在光通信系统中被广泛应用。

2. 高速高频器件在电子领域中的重要性在电子领域中，高速高频器件也同样具有重要的地位。

随着通信技术的不断发展，高速高频器件的需求也日益增加。

高速传输线路中需要使用高速开关器件来实现信号的快速传输和处理，而高频放大器等器件则能够实现对高频信号的放大和处理。

高速高频器件在电子领域中具有着不可替代的作用。

3. 光电器件和高速高频器件对载流子寿命的要求在光电器件和高速高频器件的应用过程中，对载流子寿命的要求尤为重要。

载流子是指在半导体中参与电荷传输的自由电子和正空穴，其寿命的长短直接影响着器件的性能和稳定性。

对于光电器件来说，载流子寿命长意味着其响应速度快、噪声小等优点，对器件的性能影响巨大。

而在高速高频器件中，载流子的寿命也同样至关重要，长寿命的载流子能够在高频信号传输过程中保持稳定，从而保证器件的可靠性和稳定性。

4. 个人观点和理解在我看来，光电器件和高速高频器件对载流子寿命的要求体现了对器件稳定性和性能的追求。

随着科技的不断进步，我们对通信速度、处理速度的要求也越来越高，而这就需要光电器件和高速高频器件能够在更短的时间内完成信号的转换和处理，这就对载流子的寿命提出了更高的要求。

[讲解]实验一半导体激光器P-I特性曲线测量

实验一半导体激光器P-I特性曲线测量一、实验目的：1.了解半导体光源和光电探测器的物理基础；2.了解发光二极管(LED)和半导体激光二极管(LD)的发光原理和相关特性；3.了解PIN光电二极管和雪崩光电二极管(APD)的工作原理和相关特性；4.掌握有源光电子器件特性参数的测量方法；二、实验原理：光纤通信中的有源光电子器件主要涉及光的发送和接收，发光二极管(LED)和半导体激光二极管(LD)是最重要的光发送器件，PIN光电二极管和APD光电二极管则是最重要的光接收器件。

1．发光二极管(LED)和半导体激光二极管(LD)：LED是一种直接注入电流的电致发光器件，其半导体晶体内部受激电子从高能级回复到低能级时发射出光子，属自发辐射跃迁。

LED为非相干光源，具有较宽的谱宽(30～60nm)和较大的发射角(≈100°)，常用于低速、短距离光波系统。

LD通过受激辐射发光，是一种阈值器件。

LD不仅能产生高功率(≥10mW)辐射，而且输出光发散角窄，与单模光纤的耦合效率高(约30％—50％)，辐射光谱线窄(Δλ=0.1-1.0nm)，适用于高比特工作，载流子复合寿命短，能进行高速(>20GHz)直接调制，非常适合于作高速长距离光纤通信系统的光源。

使粒子数反转从而产生光增益是激光器稳定工作的必要条件，对于处于泵浦条件下的原子系统，当满足粒子数反转条件时将会产生占优势的(超过受激吸收)受激辐射。

在半导体激光器中，这个条件是通过向P型和N型限制层重掺杂使费密能级间隔在PN结正向偏置下超过带隙实现的。

当有源层载流子浓度超过一定值(称为透明值)，就实现了粒子数反转，由此在有源区产生了光增益，在半导体内传播的输入信号将得到放大。

如果将增益介质放入光学谐振腔中提供反馈，就可以得到稳定的激光输出。

(1) LED和LD的P-I特性与发光效率：图1是LED和LD的P-I特性曲线。

LED是自发辐射光，所以P-I曲线的线性范围较大。

有机电致发光材料

邓青云博士
75nm
驱动电压小于10V
60nm
最大外量子效率1％
最大亮度大于1000cd/m2
创新点：（1）多功能有机层的结构；（2）超薄的有机层厚度
4).1990年，Ｂurroughs等人将共轭聚合物聚对苯基乙烯（PPV，polyphenylene vinylene)制作了高分子发光二极管，简化了制备工艺，开辟了发光器件的又一个新领域聚合物薄膜电致发光器件。
激发光谱主要分布在400~700nm的可见光区域内，光色要纯
（3）良好的成膜性，适合真空蒸镀成膜（4）良好的热稳定性及机械加工性能
3.2.1 小分子电致发光材料
小分子发光材料应满足的要求
• 具有高效率的荧光量子效率；
• 具有良好的化学稳定性和热稳定性，不与电极和载流子材料发生反应；
传输
• 易形成致密的非晶态膜，不易结晶；
近十多年里,OLED作为一种新型显示技术已经取得了长足的发展，就器件的发光亮度、发光效率和寿命而言，OLED器件已经基本达到了实用的要求。
如发光效率：>10lm/W；稳定性：亮度为100cd/m2时，工作寿命大于1万小时；
发光寿命：绿光器件达8万小时，黄光器件达3万小时，蓝光器件达8千小时；
5) 电致发光：激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放能量。
e
复合
eh
光发射
h
金属阴极有机层
DC 电源
透明阳极衬底
3.1.4 主要性能指标（1）载流子迁移率
载流子迁移率是指载流子（空穴或电子）在单位电场作用下在给电定材料中的平均漂移速度，是载流子在电场作用下运动速度的量度，载流子的漂移速度与迁移率成正比关系。有机材料的载流子迁移率的测量方法：（1）电荷耗散法（2）瞬间电流法（3）空间电荷限制电流法（4）飞行时间法

单位名称XX光学精密机械与物理讨论所单位代码80139

中国科学XX春光学精密机械与物理研究所简介中国科学XX春光学精密机械与物理研究所(以下简称“XX光机所"）始建于19５２年，是以知识创新和高技术创新为主线，从事基础研究、应用基础研究和工程技术研究以及高新技术产业化的多学科基地型研究所，主要从事发光学、应用光学、光学工程和精密机械与仪器等领域的研究工作.作为XX规模最大的研究所，本所在近60年的历程中，在以王大珩院士、徐叙瑢院士等为代表的一批科学家带领下,研制出中国第一台红宝石激光器、第一台大型电影经纬仪等多种先进设备仪器，创造了十几项“中国第一”; 先后参与了包括“两弹一星"、“载人航天工程＂等多项国家重大工程项目，先后组建和援建了西安光机所、XX光机所、XX光电所、XX光机学院等10余家科研机构、大专院校和企业单位，并为其输送了2２０0多名XX类专业人才。

共有22位在本所工作过的优秀科学家当选为XX或XX院士,并涌现出“的优秀代表”蒋筑英等众多英模人物；近年来，本所先后获得了“全国五一劳动奖状”（连续两次)、“中国载人航天工程突出贡献单位”、“国家科技进步”等荣誉称号和奖项，为我国国防建设、经济和社会进步做出了一系列突出贡献，被誉为“中国光学事业的摇篮”。

邓小平、江泽民、胡锦涛等党和国家几代领导人都曾到本所视察和指导工作。

本所不断凝练和提升创新目标，在国家科技创新战略、中科院知识创新工程等的推动下，近些年来本所在科技创新、产业、创新文化、队伍建设与人才培养等方面均取得了长足的进步,特别是本所的核心竞争能力得到不断提升，持续能力继续增强。

基础和应用基础研究工作稳步,并在XX自领域中的学术地位得到了进一步加强，取得了若干具有自主的创新成果．高技术研究领域不断开拓,突破了一系列关键技术，完成了一批国家重大任务,取得了以“神舟五号"、“神舟六号"有效载荷等为代表的一批重大科研成果,已成为我国航天光学遥感与测绘设备、机载光电平台及新一代航空遥感设备和靶场大型光测装备的主要研究、生产基地，进一步巩固与增强了本所作为我国大型光测装备主要研制基地的地位，并且在光电对抗、地基空间探测等领域的影响力显著增强。

中国科学院半导体材料研究所招生简章

半导体研究所2011年硕士招生专业目录中国科学院半导体研究所成立于1960年, 是集半导体物理、材料、器件、电路及其应用研究于一体的综合性研究所。

研究所目前拥有2个国家级研究中心、3个国家重点实验室、2个院级重点实验室及研发中心，拥有大批先进的科研仪器设备和设施，承担着一批国家重点科技支撑项目（如973计划、863计划、国家自然科学基金重大重点项目等），及地方、企业委托项目等。

半导体所是国家首批设立博士后流动站的设站单位和博士、硕士学位授予单位，是中国科学院博士生重点培养基地之一，现有3个博士后流动站、4个博士学位授权点、5个学术型硕士学位授权点及3个专业学位硕士（工程硕士）授权点。

研究所现有在职职工640余人，其中科技人员460余人，中国科学院院士7名、中国工程院院士2名，研究员及正高级工程技术人员79名、副研究员及高级工程技术人员119名，中国科学院“百人计划”入选者及国家杰出青年科学基金获得者36名、国家百千万人才工程入选者6名。

半导体所拥有一支老、中、青相结合及年龄、知识结构、学科分布合理的研究生指导教师队伍，现有研究生导师106人，其中博士生导师68人。

研究所目前在学研究生536名，博士后在站人员28名，研究生已经成为半导体所科研工作的生力军。

自知识创新工程启动以来，半导体所累计有4人次获全国百篇优秀博士论文，4人次获院长奖学金特别奖，29人次获院长奖学金优秀奖，其他奖项49项。

半导体所实行研究生兼任研究助理的方式，为研究生提供优越的科研和生活条件，研究生可以直接参与研究所承担的重大课题项目及前沿研究与攻关。

半导体所2011年预计招收学术型硕士学位研究生102名、专业学位硕士研究生（工程硕士）10名，所有招生专业（含工程硕士）均接收推荐免试生，共拟接收推免生50～60 名。

热忱欢迎广大考生报考！网址：.cnE-mail：yjsb@单位代码：80136北京市海淀区清华东路邮政编码:100083地址：甲35号联系部门：研究生部电话：联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考试科目备注070205凝聚态物理共..半导体掺杂机制和纳米01.112人①101思想政治理论②201..材料的研究英语一③301数学一④977固体物理或978量子力学半导体低维结构材料、02.同上..宽带隙半导体材料、半导体光伏材料与器件和半导体材料物理半导体量子结构中自旋03.同上..相关的物理过程研究半导体微纳结构理论04.同上..半导体中磁性杂质电子05.同上免试推荐和硕博.. 态的自旋特性与操控连读半导体自旋电子的实验06.同上要求硕博连读.. 第1页2010年8月27日10时46分12秒单位代码：80136北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083 甲35号联系部门：研究生部电话：联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考试科目备注研究半导体自旋电子学07.同上半导体自旋电子学基础08.同上物理理论研究单光子/纠缠光子发射09.同上器件、单量子点中电子/空穴/核自旋相互作用低维纳米结构、材料和10.同上新量子器件原理石墨烯光电子学；低维11.同上要求硕博连读纳米材料光学性质石墨烯和拓扑绝缘体12.同上铁磁半导体器件研究及13.同上具有较强的动手碳基电子学器件的研究能力和扎实的物理基础固体量子计算和量子通14.同上信的基础物理研究半导体低维量子结构的15.同上电子态自旋相关的电子输运和16.同上光学性质半导体与金属复合微纳17.同上结构中光电耦合效应080501材料物理与化学GaN同质衬底的制备01.①101思想政治理论②201英语一③302数学二④976半导体物理或977固体物理半导体低维结构材料02.同上宽带隙半导体材料03.同上半导体低维结构材料物04.同上物理系毕业及有理科研经历者优先第2页2010年8月27日10时46分12秒单位代码：80136联系部门：研究生部北京市海淀区清华东路地址：甲35号电话：邮政编码:100083联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考试科目备注宽带隙半导体材料和材05.同上料物理半导体低维纳米材料制06.同上备及其器件应用半导体功能材料及其器07.同上件应用半导体光伏材料与器件08.同上和半导体材料物理半导体纳米功能材料及09.同上其器件应用宽带隙半导体材料与应10.同上用半导体纳米结构及器件11.同上研究氮化物LED材料和器件12.同上研究III族氮化物材料生长13.同上用MOCVD等重大装备研制；半导体低维结构材料、宽带隙半导体材料和器件应用氮化物材料生长与应用14.同上研究；新型高效太阳电池制备与性能研究；新型异质结半导体高效光伏材料与器件低成本太阳能级多晶提15.同上纯技术、材料性能与电池制备；CdTe\CIGS材料制备及薄膜太阳能电池应用高功率全固态激光器及16.同上第3页2010年8月27日10时46分12秒单位代码：80136联系部门：研究生部北京市海淀区清华东路地址：甲35号电话：邮政编码:100083联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考试科目备注其应用研究高效硅基薄膜太阳电池17.同上..相关技术研究红外量子材料及器件(18.同上..量子级联激光器、探测器；太赫兹材料及器件..)化合物半导体(GaSb、I19.同上..nAs、InP、ZnO、AlN)缺陷、杂质及物性研究宽禁带半导体材料物理20.同上..与应用全固态激光器及非线性21.同上..频率变换新型高效率太阳电池技22.同上..术研究；GaN基稀磁半导体薄膜材料的研究有机/无机复合半导体23.同上..材料与器件有机电致发光材料和器24.同上..件应用太阳电池制备与性能研25.同上..究080901物理电子学Si基高效太阳电池研究01.①101思想政治理论②201.. 英语一③301数学一④976半导体物理或977固体物理半导体光电探测器、单02.同上..光子探测及电路；高效太阳电池基础研究半导体量子点材料与量03.同上..第4页2010年8月27日10时46分12秒单位代码：80136北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083 甲35号联系部门：研究生部电话：联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考试科目备注子器件，半导体异质结兼容低维材料与光电子器件大功率半导体激光器04.同上学习过半导体或光电子课程，硕博连读氮化镓基激光器；新型05.同上硕博连读宽禁带半导体光电子器件氮化镓基蓝紫光激光器06.同上和太阳盲紫外焦平面探测器的设计和研制；基于III-V族半导体的红外焦平面探测器非线性全光逻辑及全光07.同上信号处理；芯片光互连、高速光调制/光开关；通讯用有源、无源光器件高效硅基太阳电池08.同上物理系毕业者优先光电子与信号处理、光09.同上纤传感技术光通信、光传感系统与10.同上器件光子晶体材料、物理、11.同上物理类学生优先器件与集成光子微结构材料物理光12.同上物理或光电子专学特性及其器件研究业考生优先硅基光波导无源器件、13.同上物理、电子、电光波导传感器力或生物专业基于硅基光电子的波导14.同上硕博连读第5页2010年8月27日10时46分12秒单位代码：80136北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083 甲35号联系部门：研究生部电话：联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考试科目备注器件、光开关、调制器和片上光互连系统，光移相器与慢光器件等量子点及锑化物二类超15.同上晶格MBE材料生长，量子点及锑化物二类超晶格红外探测器及激光器研究纳米结构半导体量子阱16.同上硕博连读、量子点材料生长与激光器等应用研究；新型高效太阳能电池研究锑化物二类超晶格红外17.同上激光器的研究、表面等离子激元材料及器件研究、纳米光源的研究微波功率晶体管、量子18.同上点晶体管探测器、高效太阳能电池、半导体存储器微纳光电子器件及集成19.同上熟悉光波导基本研究理论及半导体光电子器件微纳光子学器件物理、20.同上微腔激光器及光集成新型半导体材料和器件21.同上研究新型光电子器件；硅基22.同上光子学研究新型光电子器件及其应23.同上用新型信息光电子器件、24.同上第6页2010年8月27日10时46分12秒单位代码：80136北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083 甲35号联系部门：研究生部电话：联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考试科目备注射频与光电子集成电路、高速并行光传输模块与系统利用光子学和微纳加工25.同上硕博连读..技术研制基因测序芯片、Lab on chip等生物传感器量子点红外探测器及锑26.同上..化物二类超晶格红外探测器的研究；锑化物二类超晶格红外激光器的研究；大功率半导体激光器的研究080902电路与系统半导体人工神经网络硬01.①101思想政治理论②201..件化实现及其应用研究英语一③301数学一④856电子线路或859信号与系统光电信息探测及成像02.同上..光电应用03.同上..目标探测、识别与跟踪04.同上..技术、系统图像处理与模式识别新05.同上..理论、新方法先进射频毫米波集成电06.同上..路设计高速智能图像传感器芯07.同上..片设计智能感知与先进计算模08.同上..型、算法及其应用技术多信息融合技术09.同上..时空三维重建可视化技10.同上..第7页2010年8月27日10时46分12秒单位代码：80136北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083 甲35号联系部门：研究生部电话：联系人：徐金威学科、专业名称（代码）总招生考试科目备注研究方向人数术11.机器学习与智能计算技同上术、系统080903微电子学与固体电子业务课二:选光电学子方向为976半导体物理与977固体物理，二选一；选微电子方向为976半导体物理与856电子线路，二选一01.新型微电子、光电子器①101思想政治理论②201件及其集成技术的研究英语一③301数学一④856、开发、中试规模的生电子线路或976半导体物产（微电子、光电子方理或977固体物理向均可）02.新型微电子、光电子器同上件及其集成技术的研究、开发与应用（微电子、光电子方向均可）03.量子阱红外探测器（微同上电子、光电子方向均可）04.半导体纳米器件和电路①101思想政治理论②201 英语一③301数学一④856 电子线路或976半导体物理05.高速数模混合电路系统同上集成研究06.高速智能图像传感器芯同上片设计07.图画与动漫的自动生成同上硕博连读08.微纳机电系统同上硕博连读09.先进射频毫米波集成电同上路设计第8页2010年8月27日10时46分12秒单位代码：80136北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083 甲35号联系部门：研究生部电话：联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考试科目备注新型微机电（MEMS）器10.同上件与系统的研究新型信息光电子器件、11.同上射频与光电子集成电路、高速并行光传输模块与系统半导体低维结构材料、12.①101思想政治理论②201宽带隙半导体材料、半英语一③301数学一④976导体光伏材料与器件和半导体物理或977固体物半导体材料物理理半导体材料与器件物理13.同上半导体光电探测器、单14.同上光子探测及电路；高效太阳电池基础研究半导体量子点材料与量15.同上子器件，半导体异质结兼容低维材料与光电子器件半导体新型量子结构器16.同上件大功率半导体激光器17.同上学习过半导体或光电子课程，硕博连读大功率宽禁带SiC外延18.同上微电子专业考生材料与器件制造技术研究氮化镓基激光器；新型19.同上硕博连读宽禁带半导体光电子器件氮化物材料生长与应用20.同上研究；新型高效太阳电池制备与性能研究；新第9页2010年8月27日10时46分12秒单位代码：80136北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083 甲35号联系部门：研究生部电话：联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考试科目备注型异质结半导体高效光伏材料与器件III族氮化物材料生长21.同上..用MOCVD等重大装备研制；半导体低维结构材料、宽带隙半导体材料和器件应用高效硅基太阳电池22.同上物理系毕业者优..先光电子集成器件；新型23.同上学过固体物理、..光伏材料和器件半导体物理、量子力学、光电子学课程，动手能力较强光电子学、集成光电子24.同上..、光子晶体材料、物理、器件与集成光通信、光传感系统与25.同上..器件光子晶体材料、物理、26.同上物理类学生优先..器件与集成硅基光电子材料和器件27.同上..红外量子材料及器件(28.同上..量子级联激光器、探测器；太赫兹材料及器件..)基于InP光电子器件的29.同上..集成宽禁带半导体材料生长30.同上..与光电子器件研制新型光电子器件及其应31.同上..用第10页2010年8月27日10时46分12秒单位代码：80136北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083 甲35号联系部门：研究生部电话：联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考试科目备注宽禁带半导体材料物理32.同上与应用；半导体纳米功能材料及其器件应用量子点及锑化物二类超33.同上晶格MBE材料生长，量子点及锑化物二类超晶格红外探测器及激光器研究纳米结构半导体量子阱34.同上硕博连读、量子点材料生长与激光器等应用研究；新型高效太阳能电池研究微波功率晶体管、量子35.同上点晶体管探测器、高效太阳能电池、半导体存储器微波光电子学36.同上新型光电子器件；硅基37.同上光子学研究用于光通信与光信息处38.同上理的片上集成光子器件与系统；并行超高速光学数字信号处理器针对光纤通信和光网络39.同上的基于InP的光电子集成高迁移率CMOS器件40.同上物理学、光学、光电、材料专业者优先量子点晶体管探测器、41.同上高效太阳能电池微纳结构在高增益弱光42.同上第11页2010年8月27日10时46分12秒单位代码：80136北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083 甲35号联系部门：研究生部电话：联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考试科目备注探测中的应用光子集成、光子晶体43.同上..新型高效硅薄膜电池的44.同上半导体物理基础..结构设计好，半导体光电相关专业085204材料工程GaN基半导体材料及其01.①101思想政治理论②204..应用、产业化开发英语二③302数学二④976半导体物理或977固体物理薄膜和微结构半导体材02.同上..料科学技术纳米电子、光子材料及03.同上..器件LED光效率提升研究04.同上..GaN LED外延技术开发05.同上..新型高效率太阳电池技06.同上..术研究；GaN基稀磁半导体薄膜材料的研究GaN基第三代半导体发07.同上..光器件关键技术工程化研究石墨烯光电子学08.同上..半导体照明及其重大装09.同上..备085208电子与通信工程表面等离子激元材料及01.①101思想政治理论②204..器件研究，新型半导体英语二③301数学一④856激光器研究电子线路或976半导体物理GaN基半导体材料及其02.同上..应用、产业化开发第12页2010年8月27日10时46分12秒单位代码：80136联系部门：研究生部北京市海淀区清华东路地址：甲35号电话：邮政编码:100083联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考试科目备注GaN基第三代半导体发03.同上光器件关键技术工程化研究光纤激光器与光纤传感04.同上用于光通信与光信息处05.同上理的片上集成光子器件与系统085209集成电路工程数模混合集成电路01.①101思想政治理论②204 英语二③301数学一④856电子线路或976半导体物理半导体纳米器件和电路02.同上激光器驱动与探测模块03.同上第13页2010年8月27日10时46分12秒。