单结晶体管触发电路(解析)

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s o 图2 单结晶体管触发电路

因为晶闸管控制极与阴极间允许的反向电压很小，为了防止反向击穿，在脉冲变压器副边

串联二极管D1，可将反向电压隔开，而并联D2，可将反向电压短路。

单结晶体管触发电路之三——单相半控桥式整流电路

图3 由单结晶体管触发的单相半控桥式整流电路

改变电位器R P 的数值可以调节输出脉冲电压的频率。但是（R P ＋R ）的阻值不能太小，否

则在单结晶体管导通之后，电源经过R P 和R 供给的电流较大，单结晶体管的电流不能降到谷点电流之下，电容电压始终大于谷点电压，因此，单结晶体管就不能截止，造成单结晶

体管的直通现象。选用谷点电流大一些的管子，可以减少这种现象。当然，（R P ＋R ）的阻值也不能太大，否则充电太慢，使晶闸管的最大导通角受到限制，减小移相范围。一般

（R P ＋R ）是几千欧到几十千欧。

单结晶体管触发电路输出的脉冲电压的宽度，主要决定于电容器放大电的时间常数

。R 1或C 太小，放电快，触发脉冲的宽度小，不能使晶闸管触发。因为晶闸管从

阻断状态到完全导通需要一定时间，一般在10uf 以下，所以触发脉冲的宽度必须在10uf 以上。如选用C ＝0.1~1uF ，R 1=250~100Ω，就可得到数十微秒的脉冲宽度。但是，若C

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小，如上所述，这将引起单结晶体管的直通现象。如果R 1太大，当单结晶体管尚未导通时，其漏电流就可能在R 1上产生较大的电压，这个电压加在晶闸管的控制极上而导致误触发。一般规定，晶闸管的不触发电压为0.15 0.3V ，所以上述电压不应大于这个数值。

脉冲电压的幅度决定于直流电源电压和单结晶体管的分压比。如电源电压为20V ，晶体管

的分压比为0.5，则在单结晶体管导通时，电容器上的电压约为10V ，除去管压降外，可以获得幅度为7~8V 的输出脉冲电压。根据上述数据，输出脉冲的宽度和幅度都能满足触

发晶闸管的要求。

图3中的电阻R 2是作温度补偿用的。因为在U P ＝U BB ＋U D 的式中，分压比几乎不随温度而变，而U D 将随温度上升而略有下降。这样，U P 就要随温度而变，这是不希望的。当接入R 2（及R 1）后，U BB 是由稳压电源的电压U Z 经R 2、R BB 、R 1分压而得，而R BB 随温度上升而增大，因此在温度上升后，R BB 增大，电流

就减小，R 1和R 2上的压降也相应减小，U BB 就增大一些，于是补偿了U D 因温度上升而下

降之值，从而使峰点电压U P 保持不变。

⑴稳压管的作用是将整流电压u o 变换成梯形波（削去顶上一块，所谓削波），稳定在一个电压值U Z ，使单结晶体管输出的脉冲幅度和每半周产生第一个脉冲（第一个脉冲使晶闸管

触发导通后，后面的脉冲都是无用的）的时间不受交流电源电压波动的影响。图4中示出

了单结晶体管触发电路中各处电压的波形。

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b 图4 电压波形

⑵通过变压器将触发电路与主电路接在同一电源上，所以每当主电路的交流电源电压过零值时，单结晶体管上的电压U Z 也过零值，两者同步。在U Z 过零值时，单结晶体管基极间

的电压U BB 也为零。如果这时电容器上还有残余电压，必然要向R 1放电，很快放掉，以保

证电容器在每一半波之初从零开始充电。这样，才能使每半周产生第一个脉冲的时间保持

不变，即，从而使晶闸管的导通角和输出电压平均值保持不变。

因此，变压器不仅是个整流变压器，而且还起同步作用，故也称为同步变压器。图5（a ）

的电路是起不到同步作用的。

⑶如果改变电位器R P 的电阻值，例如增大阻值，电容器C 的充电变慢，因而每半波出现第

一个脉冲的时间后移（即 角增大），从而使晶闸管的导通角变小，输出电压的平均值也

变小。因此，改变R P 是起移相的作用，达到调压的目的。

这三个问题就是稳压管的削波作用，变压器的同步作用，改变R P 的移相作用。

图5 (a) (b)