第二章 现代电子理论
有机化学:第一章 绪论,第二章电子理论

Azulene(有芳香性)
Heptalene(无芳香性) (有芳香性)
低温光照
(无芳香性)
2. Hückel规则的修正: (1)周边修正法:Platt提出:忽略稠环中间的桥键,直接
计算外围的离域π电子数。 例如:
N
π电子数=14
π电子数=12
注:当中间的双键不对体系的离域共轭π电子系有影响时,仅为保持化合物 的平面结构而存在时,此双键可以忽略。
E mj
mj = 2 cos(jπ/n+1) for j = 1 2 3…… n, n为共轭多烯中的碳原子数。
E mj
α称为库伦积分,表示在分子势场中第i个碳原子的2pz电子的结合能量 The quantity αis called the Coulomb integral; it represents the binding of an electron in a 2pz orbital and is considered to be constant for all sp2 carbon atoms. β称为交换积分,非相邻原子间β为零,它决定相邻原子间π键的主要性质。
苯的能量 ∑Eπ=6α+ 8β,1,3,5-己三烯∑Eπ=6α+ 6.988β, 分别比孤立三烯烃低2β和0.988β。这个能量的差值就叫 共轭能。
芳香性结构
• 1. Hückel规则:平面、单环、共轭多烯、4n+2个π电子的 分子具有芳香性。(仅符合n≤6的情况)
E
(4n+2)
闭壳结构
4n
开壳结构
• 利用14C、18O等可以确定反应过程中原子的取向,从而弄 清反应机理。
为了查明双键上的氢原子的来源:
现代电路理论 第1章和第2章

何松柏 sbhe@ 028-61830238
第1章 绪论 章 4 课程教学要求 结合其它课程,成体系思考, 结合其它课程,成体系思考,阅读文献 5 教材及参考书目 非线性电路理论 刘小河 机械工业出版社 现代电路理论与设计 杨志民 清华大学出版社
何松柏 sbhe@ 028-61830238
何松柏 sbhe@ 028-61830238
二端集中参数电路元件的分类
何松柏 sbhe@ 028-61830238
多端电路元件
许多实用电路器件的引出端多于两个。 例如晶体管和场效应管是三端器件, 变压器、耦合电感、运算放大器等都是四端器件。 多于两个引出端子的器件称为多端器件。 多端器件的一个重要特征是各端钮之间的物理量常存 在一种耦合关系。一般地说,多端器件不能仅用二端 元件来造型。
何松柏 sbhe@ 028-61830238
(n+1)端元件和n端口元件
a) (n+1) 端元件
何松柏 sbhe@ 028-61830238
b) n 端口元件
(n+1)端元件转换为n端口
何松柏 sbhe@ 028-61830238
代数n端口
4种基本n端口元件的定义
何松柏 sbhe@ 028-61830238
理想变压器
u1 = nu2 1 i1 = − i2 n
何松柏 sbhe@ 028-61830238
线性而端口---回转器
a) 电路符号
b)回转特性
c)阻抗回转特性
i1 = Gu2 i2 = −Gu1
动态元件
dx = f ( x,η )内部状态方程 dt ξ = g ( x,η )外部端口方程
◆电阻型动态二端元件 ◆电感型动态二端元件 ◆ 电容型动态二端元件 ◆忆阻型动态二端元件
材料物理1现代电子理论

实际计算是利用能量变分原理,使系统能量达到最低(有一定
精度要求)。由此求出体系的真正电荷密度n(r) ,进而计算体系
的所有其它基态性质。如,能带结构,晶格参数,体模量等等。
材料物理1现代电子理论
能量泛函公式
系统的基态能量泛函
(15)
中,普适函数F[n]可以把其包含的经典Coulomb能部分写出:
University of California, San Diego. Research Associate(1963-1966)、 Associate Professor(1968-1974)、Professor(1975 -). University of California, Irvine(1966-1967). Assistant Professor. Reader. University of London(Queen Mary College)(1967-1968). Research Physicist. IBM Research Center, Yorktown Heigts(1974-1975). Dean. Division of Natural Sciences(1985-1989). Director. Institute of Pure and Applied Physical Sciences(1991-1995). Chairman. Department of Physics, UCSD(1995-1998)
材料物理1现代电子理论
College of Technology, Portsmouth, England(1955-1957)B. Sc., University of London(Imperial College), England ( 1957-1960 ) Ph. D., University of Cambridge, England(1960-1963)
现代电路理论与设计:现代电路基础知识

课程介绍
第4章介绍基于对LC网络工作模拟的高阶有 源RC滤波器的设计,包括全极点低通滤波器的 设计、具有有限传输零点的低通滤波器的设计、 双积分回路二阶滤波器的设计、高阶带通滤波 器的设计、基于对LC梯形网络工作模拟和元件 模拟的有源RC滤波器的设计。
ii
iC+i2
qC
1 R2
vC
qC
1 C(t) qC
ii
i1+iL
1 R1
vL
1 L(t
)
L
L
1 L(t
)
L
1.1 电路的基本分类
由于L(t)=C(t),故以上两个方程完全相同。其 解必然相等,即
因为
L (t) qC (t)
vi
vC+vL
1 C(t)
qC
例1.2 图1.2是一个半波整流电路。试判断电路 的输入-输出关系是否满足可加性和齐次性, 从而判断该电路的线性。
T
D
vi (t)
vo
图1.2 例1.2的电路
1.1 电路的基本分类
解:(1)讨论可加性 电路的输入为vi1(t)=sinωt时,在0π期间,输出
vo1为一个半波电压,其极性与图1.2中输出量vO的 极性相同。该电路的输入为vi2(t)=sin(ωt+180°)时, 0π期间,其输出vo2为半波电压。
现代电路理论与设计
《现代电子理论》课件

故障模式与影响分析
分析可能出现的故障模式及其对系统的影响 。
故障树分析
建立故障树模型,找出导致系统故障的关电子理论的发展趋势与挑战
新型电子材料与器件的研究与应用
新型电子材料
随着科技的发展,新型电子材料如石 墨烯、二维材料、拓扑绝缘体等逐渐 成为研究热点。这些材料具有独特的 物理性质,为电子器件的性能提升和 革新提供了可能。
电路的分析方法与设计原则
电路的分析方法
电路的分析方法主要包括欧姆定律、基 尔霍夫定律、叠加定理等。这些定律和 定理是电路分析的基本工具,能够帮助 我们理解电路的工作原理和性能。
VS
电路的设计原则
电路的设计原则主要包括功能性、可靠性 、经济性等。设计电路时需要充分考虑这 些因素,以满足实际应用的需求。同时, 还需要考虑电路的布局和布线,以保证电 路的性能和稳定性。
THANKS
[ 感谢观看 ]
因此在通信、信息处理等领域有广泛的应用。
03
光电子技术的应用
光电子技术被广泛应用于光纤通信、光子计算机、光子雷达等领域。随
着技术的不断发展,光电子技术的应用范围还将不断扩大。
CHAPTER 04
电子系统的设计与实现
系统设计的基本原则与方法
01
功能性原则
确保系统能够完成预定的功能,满 足用户需求。
《现代电子理论》ppt 课件
CONTENTS 目录
• 电子理论概述 • 电子器件与电路 • 现代电子技术 • 电子系统的设计与实现 • 现代电子理论的发展趋势与挑战
CHAPTER 01
电子理论概述
电子理论的发展历程
电子理论的起源
电子理论的发展始于19世纪末, 随着电子的发现,科学家开始研 究电子的性质和行为。
现代电路理论与设计:现代电路基础知识

传统的线性电路与非线性电路的定义简单明 了,但是有一定的局限性。例如,当我们着重研 究一个电路的输入-输出关系时,传统的线性与 非线性电路的意义已经不是很重要,而重要的是 端口变量之间的关系。
1.1 电路的基本分类
课程介绍
本书共5章。第1章介绍现代电路的基本知识, 包括电路的基本分类、网络函数、滤波器的基本 概念和分类、滤波函数的逼近、滤波函数的转换、 灵敏度、网络的归一化等内容。
第2章介绍无源网络的分析和设计,包括无源网 络的直接综合法、部分分式综合法、连分式展开 综合法以及端接电阻的LC梯形网络的综合和设计。
1.1 电路的基本分类
1.1 电路的基本分类 电路理论是研究电路的基本规律及其基
本分析方法的学科。电路设计则是以电路理论 为基础,从工程应用的角度研究电路的设计和 实现方法。电路理论中研究的对象是电路模型 而不是实际电路。电路设计则需要考虑实际电 路。电路模型简称为电路。
1.1 电路的基本分类
1.1 电路的基本分类
倍时,输出并不是也增大α倍。即电路的输入-
输出关系不满足齐次性。
当然,如果该电路的初始条件V0=0、独立电压 源VS=0,则电路的输入-输出关系满足齐次性。
1.1 电路的基本分类
(2)讨论可加性
根据可加性的定义,如果该电路有两个输入iS1
和iS2,则输出电压为:
vo'
C
t
(iS1
0 iS2 )dFra bibliotek课程介绍
第7章介绍过取样数据转换电路的分析和设计, 包括数据转换的必要性、奈奎斯特取样和过取样、 理想的D/A电路、理想的A/D电路、过取样技术、 有噪声整形的过取样电路的组成、高阶调制器、 带通过取样电路。
《现代电路理论

耦合电感:
图1-3所示的两个具有耦合的电 感元件, 若其电流磁链关系分别为:
1 f1(i1,i2) , 2 f2(i1,i2)
+ i1
V1
+ i2
V2
-
-
图1-3 耦合电感
则称为非线性耦合电感, 属于二端流控电感元件。
线性耦合电感的电流磁链关系则为:
1 L1i1 Mi2 , 2 Mi1 L2i2
ri2 ri1
0 0
对任意实数K,有:
N(
KU,
KY)
N1 N2
(KU, (KU,
KY) KY)
Kv1 Kv2
Kri2 Kri1
K
v1 v2
ri2 ri1
0 0
故回转器存在齐次性。
35
2) 可加性
当回转器的输入为 U 时,输出为 Y
输入为 U 时,输出为 Y
即:
N (U , Y )
v1
v
2
ri2
r
i1
0
0
N (U , Y )
v1 ri2
v
2
ri1
0
0
36
利用两组方程可以导出:
N ( U , Y )
v1 r i 2
v
2
r
i1
0 0
N ( U , Y )
v1 r i2
v
2
r i1
0
0
N(U
U,
Y
Y)
v1 v2 ri2 v2 v2 ri1
控制系统:
用电信号控制各种生产过程
电力系统:
产生和分配电力
信号处理系统: 对表现信息的电信号进行处理
7
现代电化学-第2章

2.1.7 金属接触电势
+ 由于不同金属对电子的亲和能不同,因此在不同 + 的金属相中电子的电化学势不相等,电子逸出金 + 属相的难易程度(电子逸出功-We-)也就不相同。 + + + + +
在电子逸出功高的金属相中,电子比较难逸出。 -低 We-高 We 当两种金属相互接触时,由于电子逸出功不 等,相互逸入的电子数目将不相等,导致在界面 层形成了一侧有过剩的负电荷,一侧有过剩的正 电荷,构成双电层;在电子逸出功高的金属相一 侧电子过剩.带负电;在电子逸出功低的金属相 一侧电子缺乏,带正电。这一相间双电层的电位 差就是金属接触电 位。 18
第二步:试验电荷越过球面,进 入到球体的内部。 能量变化包括 两个组成部分:(1)越过表面时 对表面电势 ()所作的电功(W2); (2)由于试验电荷与组成球体的 物质粒子之间的短程相互作用(化 学作用)而引起的自由能变化()
第二步
将电荷自无穷远处移至实物相内部所作的功
W2 ze0
—表面电势
任意电极与 氢电极构成 vH H2 vOO vR R v H H 2 的电池:
电池的能斯特方程:
OR
对于标准氢电极: 电极反应的能斯 特方程:
E=0V
vOO ne vR R
电池的电动势等于两个电极电势之差:
28
2.2.5 电池电动势和电极电Байду номын сангаас的应用
计算热力学函数
29
2.2 不可逆电极
32
可逆电极与不可逆电极的本质区别
M M n ne
M M
a
a
b
M
a
a
b
现代电路理论(1)

±VREF
DFS>>1
工作原理:通过输入信号与DAC输出连续比较使积分器输出达到0。积分 器输出两次为0间的采样数为一个工作周期,在周期内DAC输出的平均值 为输入信号的采样值。
∑-△ ADC 工作过程 vI=0.8V, VREF=1V 采样
1 2
相减
0.8 -0.2
积分
0.8 0.6
比较
1 1
DAC输出
非线性特性
差值
VI VREF
放大
锁存
Vo
VREF
(2)差值电路 S1闭合,S2断开 Vo1 S1断开,S2闭合
c VREF c cp c VI c cp
Vo 2
(3)对放大器电路要求 特点:高增益:一般均在80dB以上。 开环工作:输入与输出间不加反馈。 低失调电压:
2.3.2 放大器中的特殊电路结构
本课程的主要内容:
1、CMOS电路基础 2、电流模电路基础
3、抽样数据电路
4、对数域电路 5、新型数模、模数转换器
6、典型滤波器设计
第一部分 现代A/D、D/A转换技术
一个典型DSP实时系统
A/D、D/A的主要提高方向
A/D
数字电路的主要优点
■ 器件工作在饱和与截止区,工作状态稳定; ■ 二值信号,便于存储和再生;
现代电路理论初步
BASIS OF MODERN CIRCUITS THEORY
内蒙古大学电子信息工程学院 白凤山 2012年3月
本课程目的: 1. 2. 学习、了解电子技术领域出现的新技术、新知识、新理论等,扩 展知识面; 学习一些新的分析问题、解决问题的方法;
课程参考书 : 1. 2. 3. 《现代电路理论》,邱关源主编,高等教育出版社,2001.1(1) 《现代电子技术》,席德勋编著,高等教育出版社,1999.1(1) 《开关电流-数字工艺的模拟技术》, [英]C.Toumazou,J.B.Hughes,N.C.Battersby 编 1. 2. 《电流模式电子电路》,赵玉山,天津大学出版社,2001.3(1) 《现代模拟集成电子学》,秦世才,高清运,科学出版社,2003.9
材料物理现代电子理论

材料物理现代电子理论引言材料物理是研究材料中电子结构与性质之间关系的学科领域,它对于理解材料行为、开发新材料以及设计新器件具有重要意义。
现代电子理论在材料物理研究中扮演着关键的角色。
本文将介绍材料物理现代电子理论的基本概念、发展历程以及其在材料科学与工程领域的应用。
1. 现代电子理论的起源现代电子理论的起源可以追溯到19世纪末,当时电子的存在刚刚被确认。
物理学家们开始研究电子行为以及它们在材料中的作用。
提出了电子的波动性和粒子性,并建立了量子力学的基础。
量子力学革命性地改变了人们对电子行为的理解,并为现代电子理论的发展奠定了基础。
2. 现代电子理论的基本原理现代电子理论的基本原理是基于量子力学和固体物理学的。
它包括以下几个主要方面:2.1. 布洛赫定理布洛赫定理描述了在晶体中运动的电子的行为。
根据该定理,晶体中的电子波函数具有周期性,即波动函数可以写成平面波和周期函数的乘积形式。
布洛赫定理揭示了电子在晶体中的行为受晶格结构的影响。
2.2. 周期性表征周期性表征是现代电子理论的基本概念之一。
根据这个概念,物质的性质与元素周期表上的位置和原子结构有关。
通过研究元素的电子结构,可以预测材料的性质,如导电性、磁性和光学性质等。
2.3. 能带理论能带理论是现代电子理论中的关键概念。
根据能带理论,电子在固体中受到晶格势场的束缚,形成能量带。
材料的性质与它们的能带结构密切相关。
能带理论可以解释材料的导电性、半导体和绝缘体特性等。
2.4. 密度泛函理论密度泛函理论是描述材料电子结构和性质的重要工具。
它基于电子的密度来计算材料的电子结构和各种性质。
密度泛函理论在研究复杂材料和大尺寸系统时具有很大的优势。
3. 现代电子理论的应用现代电子理论在材料科学与工程领域有广泛的应用。
以下是几个例子:3.1. 新材料设计现代电子理论可以预测材料的性质,帮助科学家们设计和发现新材料。
通过计算材料的电子结构、能带结构和密度等,可以预测材料的导电性、光学性质、磁性等,为新材料的设计和合成提供指导。
当代电子电路与系统的设计与实现

母线设计
设计高效、稳定的系统总线, 确保处理器与其他组件的通信
畅通。
缓存策略
采用合适的缓存策略,提高处 理器的访问速度和整体性能。
散热方案
设计合理的散热方案,避免处 理器过热,确保系统稳定运行
。
信号处理电路设计与实现
模拟电路设计
根据信号特性设计合适的模拟电路, 如放大、滤波等。
数字信号处理
采用DSP或FPGA等技术实现数字信 号处理算法,如FFT、FIR等。
实时性保障
嵌入式系统需满足实时性要求,通过优化操作系统内核、采用实时 调度算法等措施,确保系统任务的实时执行。
安全性与可靠性
嵌入式系统设计中,需考虑安全性和可靠性,采用硬件加密、容错 设计等技术,提高系统安全性与可靠性。
FPGA/CPLD在电子系统中的应用
可编程逻辑器件
FPGA(现场可编程门阵列)和CPLD(复 杂可编程逻辑器件)作为可编程逻辑器件
电容值表示储存电荷的能力。
电感
电感是储存磁场的元件,其特性 是阻交通直,即直流电通过电感 时无阻碍,而交流电会受到阻碍 ,电感值表示储存磁场的能力。
电子电路设计的基本方法
需求分析
方案设计
在设计电子电路前,首先需要进行需求分 析,明确电路的功能、性能指标等要求, 为后续设计提供指导。
根据需求分析结果,进行方案设计,选择 合适的电路拓扑结构、元件类型等,满足 设计需求。
效率优化
采用高效电源管理芯片和拓 扑结构,提高电源转换效率 。
散热与布局
合理布局电源电路,设计散 热方案,降低电源模块的温 升。
通信电路设计与实现
通信协议选择
根据通信需求选择合适的通信协议,如 UART、SPI、I2C、Ethernet等。
第二章 现代电子理论

现代电子理论主要内容
自由电子近似理论 近自由电子近似理论 布里渊区理论 第一原理与密度泛函理论 Thomas-Fermi理论与Kohn-Sham泛函理论 原子的作用力理论
1.1 原子间的相互作用及 自由电子近似
1.1.1 原子间的相互作用 晶体的性质取决于原子的种类和原子间的结
自由电子的平均能量
Em
3 2
每摩尔金属所含自由电子的内能
kBT
mm2
2
U
3 2
N0ZkBT
每摩尔电子对定容热容的贡献
Ce
U T
V
3 2
N 0 Zk B
在室温下,一价金属的摩尔定容热容
CV
Ce
Cl
3 2
N0kB
3N0kB
3 R 3R 2
实验表明,在室温下金属的热容恒接近于3R,也就是说
(一)波函数及其统计解释
波函数: 概率波的数学表达形式,描述微观客体的运动状态。 描述微观粒子的函数一般用 (r,t)表示,按照玻恩的统计解释:
(r,t) 表2 示时刻 t 在位置 r 出现的概率密度。若知道了体系的波函
数,就可以知道体系的全部性质。 (r,t)本身则表示概率幅。
注意:波函数的数学形式一般说来是复数域中的函数,即复数 函数。
必须使波函数满足边界条件,导出允许波长。 先看一维的情况,假设将一维晶体弯成一个 金属环(如下图),环的周长为L,则x和x + L处的波函数相等(玻恩-卡曼条件,或称周期 性边界条件):
(x) (x L) (1-6)
左图为玻恩-卡曼边界条 件图,a为原子间距。
现代电路理论12讲

整理ppt
41
1-3 非线性电路中的拟周期现象
非线性动态电路的解除了平衡点、周期解 外,还有一种可以用解析函数表达的解,即拟 周期振荡。
系数矩阵的特征方程为
3 5 2 6 k 1 0
(1-7)
当k=29时,15,2,3j 6,有一对实部为零的共扼
复特征值。即k=29时,平衡点为非双曲平衡点;当
k<29时,1 0 ,2 ,3 a (k)jw (k),且a(k)<0,
w(k)>0,此时平衡点为渐近稳定双曲平衡点;
整理ppt
40
当k>29时,10 ,2,3a(k)jw (k),但a(k)>0, 即平衡点为不稳定双曲平衡点。显然k=29是 一个分歧点,当k从k<29增加经过k=29到k >29 时,相图的定性性质发生了质的变化。除平衡 点的移定性质变化外,还从平衡点分歧出极限 环,即产生周期振荡,这种分歧称为Hopf分歧。
9. 拓扑等价与拓扑共轭
10. 计算机模拟和电路实验
整理ppt
6
1.1 引言
非线性动态电路的稳态解有四种形式,除 了前面介绍的平衡点、周期解两种形式,另外 两种形式分别是拟周期解与混沌解。电路中的 拟周期解早已为人们所了解,但非线性电路中 的混沌解只是在近20年才为人们所认识。
整理ppt
7
长期以来,人们认为一个确定的电路中, 其解也是确定的,即在两组相近的初始条件下, 其解也是相近的。这里所谓确定的电路,是指 电路中的所有元件参数全是确定的,不包含任 何随机因素。
整理ppt
现代电路理论与技术2

滤波器的发展
初期(20’s~60’s):电阻、电感、电容 中期(60’s~70’s): 高质量的集成放大器商品化 近期 (70’s末期~):开关电容技术,夸导电容,开关电流
厦门大学现代电路与系统技术研究所
10
现代电路理论与技术
有源滤波器利弊
优点:可采用集成电路工艺批量生产,降格低,可靠性高 可与数字集成电路集成同一芯片上 缺点:适用频率范围受有源器件带宽的限制 元件的容差和漂移对性能影响较大
Vo ( s ) 1 /( sC ) 1 Av ( s ) = = = Vi ( s ) R + 1 ( sC ) 1 + s / ω p
式中
+ R + C
vi(t)
-
vo(t)
-
ω P = 1 / τ , 时间常数 τ = RC
幅值: 幅值: Av (ω ) =
则频率特性表达式: 令 s = jω,则频率特性表达式:
厦门大学现代电路与系统技术研究所
2
现代电路理论与技术
MOS电容 电容
厦门大学现代电路与系统技术研究所
3
现代电路理论与技术
MOS电容 电容
厦门大学现代电路与系统技术研究所
4
现代电路理论与技术
基本概念
电感元件 二端电感: 二端流控电感: 二端磁控制电容: 二端线性时变电容:
f (ψ , i ) = 0
现代电路理论与技术 或者表示为:
进行分解可得:
& AV V& o ( s ) b m s m + b m −1 s m −1 + L + b 0 = (s) = V& i ( S ) a n s n + a n −1 s n −1 + L + a 0
电子能带理论

教学目的:
●掌握近自由电子近似方法、 ●理解能带的物理意义、能带的形成 ●理解布里渊区概念 ●了解密度泛函理论基本思想
2.1近自由电子近似
一、能带的形成
零势场中的电子
2 H
2
2m
单电子的运动 — 势场的单电子:
自由电子的运动: V(r) 0
加一项其他粒子对电子的作用势
2 H
2V(x)
2m
一维晶体的Schodinger方程:
[2m 2 dd22xV(x) ]E
n
电子在周期性V的(势x场)中运V动0 ,满足:Vnei 2n z/ a N1
V(x) V(xa)
E
h2 2m
(n) 2a
V0
|
Vn
|
E0
|
Vn
|
能带理论:
• 求解金属晶体中电子的容许能态的能带模型
能带模型:
• 其一:近自由电子近似 • 其二:紧束缚近似、克隆尼克 — 潘纳近似、
j)
原胞的体积 v0a1(a2a3)1 4a3 单胞的体积 单胞基矢 a a i,b a j ,c a kv 0 a ( b c ) a 3
2 简单晶格
—— 由完全等价的一种原子构成的晶格 1) 简单立方晶格 —— 原胞为简单立方晶格的立方单元
a1 ai 基矢 a 2 a j
a3 ak 原胞体积 v 0 a 1 (a 2 a 3 ) a 3
( r ) u k ( r ) e i k r ; 其 u k ( r ) u k ( r 中 R n )
布洛赫定理说明了一个在周期场中运动的电子
波函数为:一个自由电子波函数 e i与k x一个具有
晶体结构周期性的函数 uk (x的) 乘积。
电子理论基础知识

直流电 Direct Current电压U 高电位与低电位的电位差,方向是电位降的方向 P5 U =IR 单位:伏特(V ) 电动势E 实际方向由电源内部的负极指向正极 P6 电位 V 电路中任一点与参考点之间的电压 P20电流和电压的实际方向总是一致的,或设为关联方向U =IR ;当两者设为非关联的参考方向时,U =-IR 功:正电荷Q (=It )在电场力作用下,由a 点通过R 移到b 点。
P 9 W =UQ =UIt =I 2Rt =U 2t ∕R 单位:焦耳(J ) 1千瓦小时为1度电:1kWh =1000瓦× 3600秒=3.6 × 106 J 功率:P =W ∕t =UI =U 2∕R =I 2R 单位:瓦 (W )P ﹥0组件吸收功率 (电阻) P ﹤0组件发出功率 (电源)基尔霍夫电流定律KCL :任一瞬间,流入一个节点的电流总和等于从该节点流邮的电流总和。
P14∑I =0 任一时刻,电路中节点处电流的代数和为零。
基尔霍夫电压定律KVL :任一时刻,电路中任一回路,各段电压的代数和等于零。
P15∑U =0 凡电压的参考方向与绕行方向一致时此电压前取正号,与绕行方向相反时此电压前取负号。
∑IR =∑E 任一回路,电阻电压降的代数和等于电动势的代数和。
电动势参考方向与绕行方向一致时,前面取正号。
电阻串联电路:通过串联电阻的电流是同一电流I ,串联电阻两端的总电压等于各电阻上电压的代数和【串联分压】 P17U =IR 1+IR 2+…+IRn R =R 1+R 2+…+Rn电阻并联电路:各并联电阻两端电压是同一电压U ,总电流等于各并联电阻中电流的代数和【并联分流】 P18I =U ∕R 1+U ∕R 2+…+U ∕Rn R =R 1∥R 2∥…∥Rn 1∕R =1∕R 1+1∕R 2+…+1∕Rn电压源:电压U S 与低值内阻R 0串联组成。
U =U S -IR 0P24 在电压源内阻R 0=0理想情况下,电源两端电压U ≡U S ,该电压源称为恒压源,其输出电流I 由外电路负载决定:I =U S ∕R L 电流源:电激流I S 与高值内阻R S 并联组成。
现代电子技术发展与应用

摘要电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术,二十世纪发展最迅速,应用最广泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志。
进入21世纪,人们面临的是以微电子技术(半导体和集成电路为代表)电子计算机和因特网为标志的信息社会。
高科技的广泛应用使社会生产力和经济获得了空前的发展。
现代电子技术在国防、科学、工业、医学、通讯(信息处理、传输和交流)及文化生活等各个领域中都起着巨大的作用。
现在的世界,电子技术无处不在:收音机、彩电、音响、VCD、DVD、电子手表、数码相机、微电脑、大规模生产的工业流水线、因特网、机器人、航天飞机、宇宙探测仪,可以说,人们现在生活在电子世界中,一天也离不开它。
电子技术是研究采用电子器件实现对电能的控制和变换的科学,是介于电气工程三大主要领域——电力、电子和控制之间的交叉学科,在电力、工业、交通、航空航天等领域具有广泛的应用。
电子技术的应用已经深入到工业生产和社会生活的各个方面,成为传统产业和高新技术领域不可缺少的关键技术,可以有效地节约能源。
关键字:电子技术控制Electronic technology is the end of the nineteenth Century, the beginning of the twentieth Century development of emerging technology, in twentieth Century, the most rapid development, the most widely used in modern science and technology, has become an important symbol of the development of. Enter twenty-first Century, people are faced with microelectronics technology ( semiconductor and integrated circuit as the representative ) electronic computer and Internet as a symbol of the information society. The wide application of high-tech makes social productivity and economy obtained unprecedented development. Modern electronic technology in national defense, scientific, industrial, medical, communications ( information processing, transmission and exchange) and cultural life in various fields all play an enormous role. Now the world electronic technology, ubiquitous: Radio, TV, audio, VCD, DVD, electronic watches, digital camera, a microcomputer, mass production of industrial pipeline, Internet, robot, the space shuttle, space detector, can say, people now living in the electronic world, is also a day without it.Power electronic technology is studied using power electronic devices for power control and transformation of science, is situated between three major fields of electrical engineering, power electronics and control -- the intersection between disciplines, in electric power, industrial, transportation, aerospace and other fields have a wide range of applications. The application of power electronics technology has penetrated into the industrial production and all aspects of social life, become a traditional industries and high-tech fields indispensable key technology, can effectively save the energy.Keywords: Electronic Technology Control摘要 (1)Abstract (2)一、引言 (1)二、电子技术的发展 (3)2.1整流器时代 (3)2.2逆变器时代 (3)2.3变频器时代 (3)三、电子技术的应用 (5)3.1一般工业 (5)3.2交通运输 (5)3.3电力系统 (5)3.4电子装置用电源 (6)3.5家用电器 (6)3.6其他 (6)四、结论 (8)参考文献 (9)致谢 (10)一、引言电子技术和电子学(electronics),是与电子(electron)有关的理论和技术。
现代科学概论——电子、光电子材料

2011-9-7
6
• 特点 • 半导体五大特性∶ 半导体五大特性∶ 电阻率特性,导电特性, 电阻率特性,导电特性, 光电特性,负的电阻率 光电特性, 温度特性,整流特性。 温度特性,整流特性。 • ★在形成晶体结构的半 导体中, 导体中,人为地掺入特 定的杂质元素, 定的杂质元素,导电性 能具有可控性。 能具有可控性。 • ★在光照和热辐射条件 下,其导电性有明显的 变化。 变化。
2011-9-7
3
电子材料的分类
1. 按用途分:结构电子材料和功能电子材料。 按用途分:结构电子材料和功能电子材料。
1) 2) 结构电子材料是指能承受一定压力和重力, 结构电子材料是指能承受一定压力和重力,并能保持尺寸和大部分力 学性质(强度、硬度及韧性等)稳定的一类材料; 学性质(强度、硬度及韧性等)稳定的一类材料; 结构电子材料是指除强度性能外,还有特殊性能,或能实现光、 结构电子材料是指除强度性能外,还有特殊性能,或能实现光、电、 力等不同形式的交互作用和转换的非结构材料; 磁、热、力等不同形式的交互作用和转换的非结构材料; 无机电子材料以可分为金属材料(以金属键结合)和非金属材料( 无机电子材料以可分为金属材料 以金属键结合)和非金属材料(以离 以金属键结合 子键和共价键结合); 子键和共价键结合); 有机电子材料主要是指高分子材料(以共价键和分子键结合); 有机电子材料主要是指高分子材料(以共价键和分子键结合); 按材料的物理性质分:导电材料、超导材料、半导体材料、绝缘材料、 按材料的物理性质分:导电材料、超导材料、半导体材料、绝缘材料、 压电铁电材料、磁性材料、光电材料和敏感材料等。 压电铁电材料、磁性材料、光电材料和敏感材料等。 按应用领域分:微电子材料、电器材料、电容器材料、 按应用领域分:微电子材料、电器材料、电容器材料、磁性材料光电 子材料、压电材料、电声材料等; 子材料、压电材料、电声材料等;
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
连续:由粒子概率的连续方程(稍后给出)所决定,即描述 粒子的波 函数处处连续。
另外,粒子处于连续变化或有限阶跃势场中的波函数, 其一阶导数也连续。
经以下过程变换,可得出不随时间而变的 定态薛定谔方程(1-3):
第一篇 材料现代设计理论
材料现代设计理论主要包括:
现代电子理论 现代化学键理论 分子动力学理论
第一章 现代电子理论
原子结构是材料设计领域中所有模型和方法的基础。
先进理论计算方法和超级计算机结合,形成一个新 的交叉学科——计算材料学与材料设计学。
从原子或电子尺度上进行材料设计,目的在于:能 够从分子、原子或电子层次上探讨和认识材料的微 观结构与宏观性质的相关机制,更准确地认识材料 的光、电、磁、热、声学等机理,研制新的材料。
现代电子理论主要内容
自由电子近似理论 近自由电子近似理论 布里渊区理论 第一原理与密度泛函理论 Thomas-Fermi理论与Kohn-Sham泛函理论 原子的作用力理论
1.1 原子间的相互作用及 自由电子近似
1.1.1 原子间的相互作用 晶体的性质取决于原子的种类和原子间的结
CONCLUSION
自由电子理论的两大思路:
1)在假设自由电子在金属晶体中的恒定势场下运动
基础上建立了薛定谔方程,并将电子从能量空间转
向波数空间(K空间)考虑,建立了K空间理论(在K 空间中, K 等价于动量,因此一个电子的动能,以 及取V0 = 0为这个电子能带底时的总能量随K 2而增
加,到最大费米能
(1-2)
• 玻恩假定波函数就是粒子的概率密度,即在时刻 t,在点(x,y,z)附近单位体积内发现粒子的概率。波 函数ψ因此就称为概率幅。
电子在屏上各个位置出现的概率密度并不是常 数:有些地方出现的概率大,即出现干涉图样 中的“亮条纹”;而有些地方出现的概率却可 以为零,没有电子到达,显示“暗条纹”。
H
N i 1
(
2 2m
i2
Vi (r))
1 N
2 ij i, j 1
(1-21)
式(1-21)仍然非常复杂,需进一步简化, 忽略其最后一项,假定每个电子独立地在离 子势场中运动,即晶体中电子是一个独立粒 子系统,这就将多电子问题简化成单电子问
题,系统的总能量就为能带理论中V(r) 0的
微元的具体形式会因坐标系的不同而不同,常用的三 维空间坐标系有直角坐标系、柱坐标系和球坐标系。
波函数 (r,t)与 C (r,t) 描述同一粒子的相
对概率密度相等,即
2
2
(r1,t) C (r1,t)
(r2,t) C (r2,t)
因此,描述同一粒子之间的波函数之间允 许相差一个常数因子。
( x) A ei 2vt
d 2
dx2
4 2v 2 2
0
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
v
d 2 ( 2 )2 0
dx2
(1-3)
有了自由电子的波函数,就可以确定在晶体中找
到电子的几率(由波函数模的平方2来表示 ),
在整个晶体中找到自由电子的总几率由公式(1-4)
表示(式中L是一维晶体的长度):
一般地说,任一波函数的模方在全空间的 积分值并非等于1,而是一个有限的数值A,即
(r,t) 2d A
全
显然:
1
2
(r,t) d
1
全A
这样,波函数
1 (r,t) A
就是归一化的波函数。但它与 (r,t)
只
差一个常数因子,它们描述同一个粒子的概率波。
波函数标准条件:连续,单值,有限。 单值:任意时刻和任一确定位置粒子出现的概率是确定的。
热容全部是由晶格所贡献。精确的实验还指出,每个电子
对热容的贡献要比3/2kB小两个数量级。金属中自由电子
起着电和热的传导作用,对热容却几乎没有贡献,这是经
典自由电子理论无法解释的主要困难之一。
1.1.2 自由电子近似
自由电子:金属晶体中处于自由运动状态 的电子。
德鲁特-劳伦兹建立的金属的自由电子理论(模 型)认为:金属的原子不是靠化学键,而是靠 金属中运动的自由电子的静电吸引结合在一起 的。这一理论成功地解释了魏德曼-弗朗兹定律,
数)。
下图表示这些分立能级构成的能带(r0:原
子距离,E:能带宽度)。
Fig.分立能级构成能带
因晶体中的N 值很大,
相邻能级间的波长差 很小,能量差也就很 小,构成 “准连续” 的能谱。能谱中每个 能级可容纳自旋反平 行的2个电子,公有化 电子分布在这些能级 中,使系统的能量最 低。
对于边长为Lx、Ly、Lz的具有三维空间的金属晶体,
即金属的高电导()和热导(K)特性:
(1-1)
K:玻尔兹曼常数;e:电子电荷;T: 温度
索末菲等假定自由电子在金属中受一个均匀 势场作用,电子处于完全自由的情况下,标 志力场的势能函数V(x) = 0,自由电子的波 函数为:
( x, t) ( x)ei2 t (1-2)
波函数 (wave function):量子力学中描述粒子 的德布罗意波的函数,也是量子力学中描写微观系 统状态的函数。
由此可见,在电子双缝干涉实验中观察到的, 是大量事件所显示出来的一种概率分布,这正 是玻恩对波函数物理意义的解释,即波函数模 的平方对应于微观粒子在某处出现的概率密度 (probability density)。
微观粒子在各处出现的概率密度才具有明 显的物理意义。
把波函数的绝对值二次方解释为与粒子在 单位体积内出现的几率成比例是玻恩在薛 定谔建立波动力学后提出的,被称为是波 函数的统计诠释。波函数所表示的波也常 被称为几率波。
在经典力学中,用质点的位置和动量((或1-速2)度)
来描写宏观质点的状态,这是质点状态的经典描述 方式,它突出了质点的粒子性。由于微观粒子具有 波粒二象性,粒子的位置和动量不能同时有确定值 (测不准关系),因而质点状态的经典描述方式不 适用于对微观粒子状态的描述。
• 为了定量地描述微观粒子的状态,量子力学中引 入了波函数,并用ψ表示。一般来讲,波函数是空 间和时间的函数,并且是复函数,即ψ=ψ(x,y,z, t)。
自由电子的平均能量
Em
3 2
每摩尔金属所含自由电子的内能
kBT
mm2
2
U
3 2
N0ZkBT
每摩尔电子对定容热容的贡献
Ce
U T
V
3 2
N 0 Zk B
在室温下,一价金属的摩尔定容热容
CV
Ce
Cl
3 2
N0kB
3N0kB
3 R 3R 2
实验表明,在室温下金属的热容恒接近于3R,也就是说
(一)波函数及其统计解释
波函数: 概率波的数学表达形式,描述微观客体的运动状态。 描述微观粒子的函数一般用 (r,t)表示,按照玻恩的统计解释:
(r,t) 表2 示时刻 t 在位置 r 出现的概率密度。若知道了体系的波函
数,就可以知道体系的全部性质。 (r,t)本身则表示概率幅。
注意:波函数的数学形式一般说来是复数域中的函数,即复数 函数。
(二)波函数的统计解释——玻恩诠释
概率密度:单位体积内粒子出现的概率
2 *
在非相对论情况下,实物粒子没有产生和甄灭, 所以,在随时间的演化过程中,粒子数目保持不 变。对一个粒子来说,在全空间中找到粒子的概 率之总和应不随时间变化, 即:
(r,t) 2d 1
全
此式被称为波函数的归一化条件。注意这里的积分体积d
E
h2 2mL2
L2
(
k
2 x
k
2 y
k
2 z
)
h2k 2 2m
(1-10)
2
x 2
y 2
z 2
(拉普拉斯算符)
得到描述晶体中单个电子运动状态的薛定谔单 电子波动方程(式1-20):
H E
(1-20)
但是,对晶体中电子态的准确描述,需要解 大量粒子(离子和自由电子)的薛定谔方程, 解这样一个多体问题的量子力学解的方程很 困难,需对其进行简化的假定。即假定:晶 体点阵完整无缺陷;晶体无穷大;不考虑表 面效应;离子静止在晶格点上,没有热振动。 这样就将多体问题简化成多电子问题,即系 统含有大量相互作用的电子,在电子势场内 运动,系统的总能量为:
合,原子间的结合是靠化学键联结的,原子结合 成晶体的化学键(键合类型)有:
离子键 共价键 范得华键 金属键
电子理论
恒定势场
自由电子理论
经典电子理论
(德鲁德(Drude)模型)
量子电子理论(索末菲 (Sommerfeld)模型)
周期性势 场
能带理论 → 半导体理论
经典自由电子理论
特鲁德把理想气体的动力学理论运用于自由电子气,得出
必须使波函数满足边界条件,导出允许波长。 先看一维的情况,假设将一维晶体弯成一个 金属环(如下图),环的周长为L,则x和x + L处的波函数相等(玻恩-卡曼条件,或称周期 性边界条件):
(x) (x L) (1-6)
左图为玻恩-卡曼边界条 件图,a为原子间距。
公式(1-5)可以写成实部为:
“近自由电子”近似:
H 2 2 V (r) 2m
(1-22)
再将近自由电子近似假定为自由电子近似, 即V(r) = 常数,把坐标的零点移到点阵平均 势场V(r)处, 则V(r) = 0,系统的总能量为