9 Silvaco TCAD器件仿真模块及器件仿真流程

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silvaco TCAD 仿真速成手册

silvaco TCAD 仿真速成手册排行榜收藏打印发给朋友举报发布者：kongfuzi热度4票浏览33次时间：2010年2月26日09:01 silvaco TCAD 仿真速成手册第1章: 简介该指南手册针对首次应用SILVACO TCAD软件的新用户。

它旨在帮助新用户在几分钟时间内快速并成功安装和运行该软件。

该指南也演示如何快速有效查看手册，查找仿真器中使用的所有参数的解释和定义。

它也参照相应章节，来理解等式以及其使用的根本规则。

关于进一步的阅读和参考，用户可参照SILVACO网站的技术支持部分，那里有丰富的技术材料和发表文献。

第2章: 快速入门2.1: DeckBuild运行时间环境窗口"DeckBuild"是富含多样特征的运行时间环境，它是快速熟悉SILVACO的TCAD软件的关键。

Deckbuild 主要特征包括：自动创建输入文件、编辑现有输入文件，创建DOE，强大的参数提取程序和使得输入文件中的参数变量化。

更重要的是，DeckBuild包含好几百个范例，涵盖多种电学、光学、磁力工艺类型，便于首次使用该工具的用户。

使用入门用户可打开一个控制窗口，创建一个目录，用于保存该指南范例将创建的临时文件。

例如，要创建或重新部署一个名为"tutorial," 的目录，在控制窗口键入：mkdir tutorial cd tutorial然后键入下列命令开启deckbuild运行环境：deckbuild屏幕上将出现类似于图2.1的DeckBuild运行时间环境。

GUI界面包括两部分：上部窗口显示当前输入文件，而下部显示运行输入文件时创建的输出。

图2.1 DeckBuild 运行时间界面GUI2.2: 载入和运行范例输入文件可以由用户创建或者从范例库中加载。

为了熟悉软件语法，最好载入第一个实例中范例。

要从deckbuild运行时间环境的GUI载入范例，可点击：Main Control... Examples(范例)...屏幕将弹出一个窗口显示一列47个类别的范例。

9SilvacoTCAD器件仿真模块及器件仿真流程

9SilvacoTCAD器件仿真模块及器件仿真流程Silvaco TCAD是一种广泛使用的集成电路（IC）设计和仿真工具，用于开发和研究半导体器件。

它提供了一套完整的器件仿真模块，可以帮助工程师设计、优化和验证各种半导体器件的性能。

本文将介绍几个常用的Silvaco TCAD器件仿真模块，并提供一个简要的器件仿真流程。

1. ATHENA模块：ATHENA是Silvaco TCAD的物理模型模拟引擎，用于模拟器件的结构和物理特性。

它可以通过解决泊松方程、电流连续性方程和能带方程等来计算电子和空穴的分布、电场和电势等物理量。

ATHENA支持多种材料模型和边界条件，可以准确地模拟各种器件结构。

2. ATLAS模块：ATLAS是Silvaco TCAD的设备模拟引擎，用于模拟半导体器件的电学和光学特性。

它可以模拟器件的电流-电压特性、载流子分布、能量带结构和光电特性等。

ATLAS支持各种器件类型，如二极管、MOSFET、BJT和太阳能电池等。

3. UTILITY模块：UTILITY是Silvaco TCAD的实用工具模块，用于处理和分析仿真结果。

它提供了各种数据可视化、数据处理和数据导出功能，帮助工程师分析和优化器件性能。

UTILITY还可以用于参数提取和模型校准，以改进模拟的准确性。

接下来是一个简要的Silvaco TCAD器件仿真流程：2. 设置模拟参数：在进行仿真之前，需要设置模拟所需的参数，如材料参数、边界条件、物理模型和仿真选项等。

可以使用Silvaco TCAD的参数设置工具来设置这些参数。

3. 运行ATHENA模拟：使用ATHENA模块进行结构模拟，通过求解泊松方程和连续性方程，计算出电子和空穴的分布、电场和电势等物理量。

可以使用Silvaco TCAD的命令行界面或图形用户界面来运行ATHENA模拟。

4. 运行ATLAS模拟：使用ATLAS模块进行设备模拟，模拟器件的电学和光学特性。

ATLAS模块可以计算器件的电流-电压特性、载流子分布、能量带结构和光电特性等。

第三讲 Silvaco TCAD 器件仿真01

温馨提示：（1）命令缩减没有必要输入一个语句或参数名的全称。 ATLAS只需要用户输入足够的字符来区分于其他命令或参数。例：命令语句 DOP 等同于 doping，可以作为其命令简写。但建议不要过度简单，以免程序含糊不清，不利于将来调用时阅读。
（2）连续行有的语句超过256个字符，为了不出现错误，ATLAS语序定义连续行。将反斜线符号\放在一条语句的末尾，那么程序每当遇到\都会视下一行为上一行的延续。
二、半导体器件仿真软件使用
本章介绍ATLAS器件仿真器中所用到的语句和参数。具体包括：
1.语句的语法规则 2.语句名称 3.语句所用到的参数列表，包括类型，默认值及参数的描述 4.正确使用语句的实例
学习重点（1）语法规则（2）用ATLAS程序语言编写器件结构
1. 语法规则
规则1：语句和参数是不区分大小写的。 A=a 可以在大写字母下或小写字母下编写。abc=Abc=aBc
和工艺仿真的区别： devedit - 考虑结果他不考虑器件生成的实际物理过程，生成器件时不需要对时间、温度等物理量进行考虑。
athena - 考虑过程必需对器件生成的S描述器件结构的步骤
mesh region electrode doping
材料特性
?材料的参数有工艺参数和器件参数 ?材料参数是和物理模型相关联的 ?软件自带有默认的模型和参数 ?可通过实验或查找文献来自己定义参数
物理模型
? 物理量是按照相应的物理模型方程求得的 ? 物理模型的选择要视实际情况而定 ? 所以仿真不只是纯粹数学上的计算
计算方法
?在求解方程时所用的计算方法
Yes Yes No
Yes
Example
material=silicon region=1 gaussian

Cadence 实验系列_器件模拟_Silvaco TCAD

Atlas简介简介
ATLAS器件仿真系统使得器件技术工程师可以模拟半导体器件的电气、光学和热力的行为。ATLAS提供一个基于物理，使用简便的模块化的可扩展平台，用以分析所有2D和3D模式下半导体技术的的直流，交流和时域响应。ATLAS器件仿真系统： ◆无需昂贵的分批作业试验，即可精确地特性表征基于物理的器件的电气、光学和热力性能； ◆解决成品率和工艺制作过程变异的问题，使其达到速度、功率、密度、击穿、泄漏电流、发光度和可靠性的最佳结合； ◆完全与ATHENA工艺仿真软件整合，具有完善的可视化软件包，大量的实例数据库和简单的器件输入； ◆最多选择的硅模型，III-V、II-VI、IV-IV或聚合/有机科技，包括CMOS、双极、高压功率器件、VCSEL、TFT、光电子、激光、LED、CCD、传感器、熔丝、NVM、铁电材料、SOI、Fin-FET、HEMT和HBT； ◆分支机构遍布世界各地，有专门的物理学博士提供TCAD支持； ◆与专精稳定和有远见的行业领导者合作，在新技术强化上有活跃的发展计划； ◆直接把ATLAS结果输入到UTMOST进行SPICE参数提取，将TCAD技术应用到整个流片(Tapeout)过程。
用Atlas语法直接进行器件描述，然后进行器件性能仿真。
Atlas器件仿真步骤器件仿真步骤
• 启动Atlas软件 • 网格的定义 • 材料区域的定义 • 电极、掺杂、材料特性和模型特性等的定义 • 器件输出特性（I-V曲线）的仿真 • 用tonyplot输出仿真结果
启动Atlas软件软ization calc.strain polarization calc.strain等申明极化效应，并对极化效应大小及极化电荷密度进行计算。
电极、掺杂、电极、掺杂、材料特性和物理模型等的定义

SilvacoTCAD器件仿真优秀课件

Silvaco TCAD 器件仿真（三）
Tang shaohua, SCU
*
1
Silvaco学习
这一讲主要内容
材料特性设置物理模型设置特性获取结果分析从例子hemtex01.in看整个流程
*
2
Silvaco学习
材料参数
状态Material，设置材料参数材料参数和物理模型的选取有关，常用的
Silvaco学习
特性获取Biblioteka CE击穿特性：impact selb
method trap climit=1e - 4 maxtrap=10
#
solve init
solve vbase=0.025
solve vbase=0.05
solve vbase=0.2
#
contact name=base current
tmun
p0
mup
Tl 300
tmup
*
状态 Mobility Mobility Mobility Mobility
低场迁移率模型中可用户定义的参数
参数
默认值
Mun
1000
Mup
500
Tmun
1.5
Tmup
1.5
11
单位 cm2/Vs cm2/Vs
Silvaco学习
物理模型
推荐的模型 MOSFETs类型：srh，cvt，bgn BJT，thyristors等：Klasrh，klaaug，kla，bgn 击穿仿真：Impact，selb
Solve vgate=0.05 vstep=0.05 vfinal=1.0 name=gate
Solve ibase=1e-6
*

Silvaco-TCAD-器件仿真2教程文件

参数columns,rows, ix.low,ix.high,iy.low.ly.high, x.min,x.max,y.min,y.max
Eliminate columns x.min=0.2 x.max=1.4 y.min=0.2 y.max=0.7
*
Eliminate 前
5
Eliminate 后
区域ID(region=<n>)、材料(material=<c>)、区域坐标(points=“0,0 0,1 …”)
例句
Region reg=1 mat=silicon color=0xffb2 pattern=0x9 \ points=“0,0 0.1,0 0.1,1 0,1 0,0”
Region reg=3 name=anode material=contact elec.id=1 \ work.func=0 points=“0,0 0.1,0 0.1,1 0,1 0,0”
doping region=1 gauss conc=1e18 peak=0.2 junct=0.15
从文件导入杂质分布
doping x.min=0.0 x.max=1.0 y.min=0.0 y.max=1.0 n.type ascii \ infile=concdata
*
9
Silvaco学习
ATLAS描述的二极管结构
region number=2 x.min=0.0 x.max=0.1 y.min=1.0 \ y.max=2.0 material=silicon
electrode name=anode top electrode name=cathode bottom
doping uniform conc=1e18 n.type region=1 doping uniform conc=1e18 p.type region=2

Silvaco_TCAD_工艺仿真1解读

Silvaco学习
ATHENA工艺仿真软件
通过MaskViews 的掩模构造说明，工程师可以有效地分析在每个工艺步骤和最终器件结构上的掩模版图变动的影响。
与光电平面印刷仿真器和精英淀积和刻蚀
仿真器集成，可以在物理生产流程中进行实际的分析。
与ATLAS 器件模拟软件无缝集成
07:38
8
Silvaco学习
可仿真的工艺（Features and Capabilities）
Bake CMP Deposition Development Diffusion Epitaxy
• Etch • Exposure • Imaging • Implantation • Oxidation • Silicidation
采用默认参数，二维初始化仿真： Init two.d
工艺仿真从结构test.str中开始： Init infile=test.str
GaAs衬底，含硒浓度为1015cm-3，晶向[100]： Init gaas c.selenium=1e15 orientation=100
硅衬底，磷掺杂，电阻率为10Ω.cm Init phosphor resistivity=10
定义衬底: material,orientation,c.impurities,resitivity …
初始化仿真：导入已有的结构，infile… 仿真维度，one.d,two.d … 网格和结构，space.mult,scale,flip.y …
07:38
15
Silvaco学习
初始化的几个例子
07:38
10
Silvaco学习
工艺仿真流程
1、建立仿真网格 2、仿真初始化 3、工艺步骤 4、抽取特性 5、结构操作 6、Tonyplot显示

工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD

2017/8/1 2/118
本章内容

使用ATHENA的NMOS工艺仿真使用ATLAS的NMOS器件仿真
2017/8/1
3/118
本章内容

使用ATHENA的NMOS工艺仿真使用ATLAS的NMOS器件仿真
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概述
用ATHENA创建一个典型的MOSFET输入文件所需的
基本操作包括： a. 创建一个好的仿真网格
b. 演示淀积操作
c. 演示几何刻蚀操作 d. 氧化、扩散、退火以及离子注入 e. 结构操作 f. 保存和加载结构信息
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创建一个初始结构

定义初始直角网格
−
在UNIX或LINUX系统提示符下，输入命令：deckbuild-an&，以便进入deckbuild交互模式并调用ATHENA程序。这时会出现如下图所示deckbuild主窗口，点击File目录下的Empty Document，清空Deckbuild文本窗口；

2017/8/1
12/118
定义初始衬底
由网格定义菜单确定的LINE语句只是为ATHENA仿真结构建立了一个直角网格系基础。接下来就是衬底区的初始化。对仿真结构进行初始化的步骤如下：
①
在ATHENA Commands菜单中选择Mesh Initialize…选项。ATHENA网格初始化菜单将会弹出。在缺省状态下，硅材料为<100>晶向；
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2017/8/1
−
在网格定义窗口中点击insert键，并继续插入第二、第三和第四个Y方向的网格定义点，位臵分别设为0.2、0.5和0.8，网格间距分别设 0.01，0.05和0.15，如图所示。

第三讲 Silvaco TCAD 器件仿真 PPT

大家应该也有点累了，稍作休息
大家有疑问的，可以询问和交流
材料特性
材料的参数有工艺参数和器件参数材料参数是和物理模型相关联的软件自带有默认的模型和参数可通过实验或查找文献来自己定义参数
物理模型
物理量是按照相应的物理模型方程求得的物理模型的选择要视实际情况而定所以仿真不只是纯粹数学上的计算
工艺级别的网格，这些网格某些程度上不是计算器件参数所必需的。例如在计算如阈值电压、源/漏电阻，沟渠的电场效应、或者载流子迁移率等等。Devedit可以帮助在沟渠部分给出更多更密度网格而降低其他不重要的区域部分，例如栅极区域或者半导体/氧化物界面等等。以此可以提高器件参数的精度。简单说就是重点区域重点给出网格，不重要区域少给网格。
二、半导体器件仿真软件使用
本章介绍ATLAS器件仿真器中所用到的语句和参数。具体包括：
1.语句的语法规则 2.语句名称 3.语句所用到的参数列表，包括类型，默认值及参数的描述 4.正确使用语句的实例
学习重点（1）语法规则（2）用ATLAS程序语言编写器件结构
1. 语法规则
规则1：语句和参数是不区分大小写的。 A=a 可以在大写字母下或小写字母下编写。abc=Abc=aBc
计算方法
在求解方程时所用的计算方法计算方法包括计算步长、迭代方法、初始化
策略、迭代次数等
计算不收敛通常是网格引起的
特性获取和分析
不同器件所关注的特性不一样，需要对相应器件有所了解
不同特性的获取方式跟实际测试对照来理解
从结构或数据文件看仿真结果
了解一下ATLAS
ATLAS仿真框架及模块仿真输入和输出 Mesh 物理模型数值计算
例：命令语句 DOP 等同于 doping，可以作为其命令简写。但建议不要过度简单，以免程序含糊不清，不利于将来调用时阅读。

基于SILVACO_TCAD氧化仿真程序设计方法研究

实际氧化时间（分）厚度（埃）１．引言现在很多的半导体工艺及器件的开发是由计算机仿真程序来完成的。

这样的程序被称为ＴＣＡＤ。

使用ＴＣＡＤ可以有效的缩短研发成本和研发周期［１］。

此类ＴＣＡＤ软件种类较多，其中美国的Ｓｉｌｖａｃｏ所设计的ＴＣＡＤ软件是最具代表性的工艺及器件仿真软件。

Ｓｉｌｖａｃｏ提供了ＴＣＡＤＤｒｉｖｅｎＣＡＤＥｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ，这一套完整的工具使得物理半导体工艺可以给所有阶段的ＩＣ设计方法提供强大的动力：制程模拟和器件工艺；ＳＰＩＣＥＭｏｄｅｌ的生成和开发；ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｐａｒａｓｉｔｉｃｓ的极其精确的描述；ｐｈｙｓｉｃａｌｌｙ－ｂａｓｅｄ可靠性建模以及传统的ＣＡＤ。

所有这些功能整合在统一的框架，提供了工程师在完整的设计中任何阶段中所做更改导致的性能、可靠性等效果直接的反馈［２，３］。

虽然使用ＴＣＡＤ可以有效的进行各个独立工艺步骤的研究和开发。

但是，对于每个不同条件的工艺步骤，所适用的理论模型都是有所不同的，正确的使用ＴＣＡＤ软件进行工艺和器件的研究就必须要选择正确的理论模型。

本文对基于ＳＩＬＶＡＣＯ－ＴＣＡＤ的氧化程序的设计进行了研究，氧化工艺是硅工艺中非常重要的一个环节，所形成的氧化薄膜的用途较多，如保护和钝化半导体表面、作为杂质选择扩散的掩蔽层、用于电极引线和其下面硅器件之间的绝缘、用作ＭＯＳ电容和ＭＯＳ器件栅极的介质层在集成电路介质隔离中起电气绝缘作用，在固－固扩散中用作携带杂质源的载体。

针对氧化工艺的不同应用，需要在程序设计的时候，选择不同的氧化模型和衬底网格的划分方式。

本文中对ＳＩＬＶＡＣＯ中的两个不同的氧化模型ＣＯＭＰＲＥＳＳ和ＶＩＳＣＯＵＳ分别进行了仿真程序设计，并将仿真结果与实验结果进行了比较，总结了仿真程序中模型应用的方法。

２．ＳＩＬＶＡＣＯ氧化程序模型特点在ＳＩＬＶＡＣＯ中与氧化相关的命令有：ＯＸＩＤＥ，ＤＩＦＦＵＳＥ，ＭＥＴＨＯＤ，ＭＡＴＩＥＲＡＬ及ＳＴＲＥＳＳ等语句。

SilvacoTCAD器件仿真

Solve vgate=0.05 vstep=0.05 vfinal=1.0 name=gate
Solve ibase=1e-6
2020/3/3
15
Silvaco学习
特性获取
I-V 特性：
solve vdrain=0.1 solve vdrain=0.2
… solve vdrain=2.0
转移特性：
11
单位 cm2/Vs cm2/Vs
Silvaco学习
物理模型
推荐的模型 MOSFETs类型：srh，cvt，bgn
BJT，thyristors等：Klasrh，klaaug，kla，
bgn
击穿仿真：Impact，selb
例句：
Model bgn fldmob srh
Models conmob fldmob srh auger temp=300 print
2020/3/3
17
Silvaco学习
特性获取
2020/3/3
电流控制性器件的输出特性：
solve init solve vbase=0.05 vstep=0.05 vfinal=0.8 name=base contact name=base current
#
solve ibase=2.e - 6 save outf=bjt_ib_1.str master solve ibase=4.e - 6 save outf=bjt_ib_2.str master
报错信息：
“trap times more than 4 times” 指计算不收敛。
2020/3/3
14
Silvaco学习
特性获取
加偏执是用solve状态先需要设置数据保存在日志文件，之后才

Silvaco TCAD基CMOS器件仿真毕业设计

Silvaco TCAD基CMOS器件仿真毕业设计目录1 引言 (1)1.1 MOSFET的发展 (1)1.2 TCAD的发展 (3)2 MOSFET的基本构造及工作原理 (4)2.1 MOSFET的基本原理及构造 (4)2.2 MOSFET的基本工作原理 (5)2.3 MOSFET的~I V特性 (9)3 TCAD工具的构成、仿真原理、仿真流程及仿真结果 (11)3.1 TCAD工具的结构与仿真原理 (11)3.2 用TCAD工具仿真NMOS的步骤 (11)3.3 TCAD工具的仿真结果 (15)4 结论 (16)谢辞 (17)参考文献 (19)附录 (21)正文：1 引言在当今时代，集成电路发展十分迅猛，其工艺的发杂度不断提高，开发新工艺面临着巨大的挑战。

传统的开发新工艺的方法是工艺试验，而现在随着工艺开发的工序细化，流片周期变长，传统的方法已经不能适应现在的需要，这就需要寻找新的方法来解决这个问题。

幸运的是随着计算机性能和计算机技术的发展，人们结合所学半导体理论与数值模拟技术，以计算机为平台进行工艺与器件性能的仿真。

现如今仿真技术在工艺开发中已经取代了工艺试验的地位。

采用TCAD 仿真方式来完成新工艺新技术的开发，突破了标准工艺的限制，能够模拟寻找最合适的工艺来完成自己产品的设计。

此外，TCAD仿真能够对器件各种性能之间存在的矛盾进行同时优化，能够在最短的时间以最小的代价设计出性能符合要求的半导体器件。

进行新工艺的开发，需要设计很多方面的容，如：进行器件性能与结构的优化、对器件进行模型化、设计进行的工艺流程、提取器件模型的参数、制定设计规则等等。

为了设计出质量高且价格低廉的工艺模块，要有一个整体的设计目标，以它为出发点将工艺开发过程的各个阶段进行联系，本着简单易造的准则，系统地进行设计的优化。

TCAD支持器件设计、器件模型化和工艺设计优化，使得设计思想可以实现全面的验证。

TCAD设计开发模拟是在虚拟环境下进行的，缩短了开发周期，降低了开发成本，是一条高效低成本的进行新工艺研究开发的途径。

Silvaco TCAD器件仿真器件仿真的结构生成

go atlas mesh x.mesh loc=0.00 spac=0.05 x.mesh loc=0.10 spac=0.05 y.mesh loc=0.00 spac=0.20 y.mesh loc=1.00 spac=0.01 y.mesh loc=2.00 spac=0.20
region number=1 x.min=0.0 x.max=0.1 y.min=0.0 \ y.max=1.0 material=silicon
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2.2.3 Defining mesh
• Base.mesh，网格整体控制参数有height, width，矩形的最大高度和宽度
• Bound.conditioning，减少边界的网格点
• Constr.mesh，对网格中三角形做限制主要参数：X1, x2, y1, y2, {max|min}.{height|ratio|width}
主要内容
第一部分第二部分第三部分
ATLAS描述器件结构 DevEdit编辑器件结构总结
Page 2
1 ATLAS描述器件结构
第一部分第二部分第三部分
ATLAS描述器件结构 DevEdit编辑器件结构总结
Page 3
1.1 生成结构——器件仿真的第一步
1 结构描述
MESH REGION ELECTRODE DOPING MATERIAL
Save the file
Page 14
2.2.1 Defining region
• 添加、替换或删除区域 • 主要参数：
区域ID(region=<n>)、材料(material=<c>)、区域坐标(points=“0,0 0,mat=silicon color=0xffb2 pattern=0x9 \ points=“0,0 0.1,0 0.1,1 0,1 0,0”

半导体工艺仿真指导书

半导体工艺仿真实验指导书——基于silvaco TCAD光电学院微电子教研中心王智鹏2014.3本指导书首先介绍了silvaco TCAD半导体工艺仿真软件的安装方法、主要界面信息与基本命令。

然后分别从半导体工艺仿真与半导体器件仿真入手，重点介绍了silvaco TCAD软件的仿真操作。

本指导书适用于《半导体工艺及器件仿真实验》、《半导体器件仿真综合课程设计》课程教学。

一、silvaco TCAD软件概述1、软件的安装a)1、运行安装文件，出现如图1.1的安装向导界面，勾选在“InstallLicense Server”选项，点击Next，即开始安装程序。

图1.1 silvaco TCAD 安装向导界面b)安装完毕后，根据提示，设置6位数服务器密码。

并保留图1.2中浏览器中自动打开的服务器网页。

图1.2 服务器网页c)运行桌面上快键方式“S. EDA Tools”，选择“Stop Server”以停止服务。

把_key 文件夹中的rpc.sflmserverd.exe文件复制到安装目录的“sedatools\lib\rpc.sflmserverd\8.0.3.R\x86-nt”目录中。

d)在快捷方式中运行“Start Server”。

e)浏览b）中保留的服务器网页。

若已关闭可运行快捷方式中的“SFLMAdmin”再次打开。

f)输入b）中设置的密码，点击login，并记录下方框中的“Machine IDs”。

g)打开_key 文件夹中Silvaco.lic文件，如图 1.3所示，将“LM_HOSTIDS xxxxxxxxxNL_HOSTIDS”中“xxxxxxxx”位置的内容替换为f）中记录的Machine IDs。

图1.3 Silvaco.lic文件h)将Silvaco.lic文件复制到目录sedatools\etc下。

i)浏览服务器网页，选择左边的“Install new license”，弹出图1.4所示的“new license”窗口后，选择“Install Saved File”。

半导体工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD教程

2021/6/27
浙大微电子
11/118
– 为了预览所定义的网格，在网格定义菜单中选择View键，则会显示View Grid窗口。
– 最后，点击菜单上的WRITE键从而在文本窗口中写入网格定义信息。
2021/6/27
浙大微电子
12/118
定义初始衬底
由网格定义菜单确定的LINE语句只是为ATHENA仿真结
介绍网格定义的方法。
2021/6/27
浙大微电子
8/118
• 在0.6μm×0.8μm的方形区域内创建非均匀网格 − 在网格定义菜单中，Direction栏缺省为X方向；点击 Location栏，输入值0，表示要插入的网格线定义点在位置0；点击Spacing栏，输入值0.1，表示相邻网格线定义点间的网格线间距为0.1。当两个定义点所设定的网格线间距不同时，系统会自动将网格间距从较小值渐变到较大值。 − 在Comment栏，键入注释行内容“Non-Uniform Grid （0.6um x 0.8um)”，如图所示；
② 点击WRITE键，Extract语句将会出现在文本窗口中。在这个Extract语句中，mat.occno（=1）为说明层数的
2021/6/27
浙大微电子
21/118
参数。由于这里只有一个二氧化硅层，所以这个参数是可选的。然而当存在有多个二氧化硅层时，则必须指定出所定义的层。
③ 点击Deckbuild控制栏上的Cont键，继续进行ATHENA 仿真。Extract语句运行时的输出如图所示；从运行输出可以看到，我们测量的栅极氧化层厚度为131.347Å。
⑤ 检查temp=<variable>和press=<variable>这两项。然后，点击Apply。添加的最优化参数将如下右图所示被列出；