内部存储器讲义

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微机课件05第五章:内存储器和存储体系-讲义

微机课件05第五章:内存储器和存储体系-讲义
¥ 不同地址区域内,同一位芯片的数据线对应地并接 在一起,连接到数据总线的对应位上。不同位芯片 的数据线分别连接到数据总线的不同位上。
R/W
A10
&
1
MREQ
1&
… A…0 CS WE
A9 D0~D3
… A…0 CSD0~D3
A9
WE
A0~A9

A…0 A9
CS WE D0~D3
D3~D0 D7~D4
存取速度慢 位成本低 容量大
¥ 高速缓存Cache(强调速度)
¥ 位于主存和CPU之间,存取速度和CPU匹配,高于主存 ¥ 计算机正在执行的程序和数据
¥ 主存
¥ 计算机运行期间的程序和数据
¥ 外存(容量)
¥ 存放当前暂时不用的程序、数据或需要永久保存的信 息
随机存储器RAM 只读存储器ROM
双极型RAM MOS型RAM
选择存储芯片内
• 8K*8
存放8个二进制位
8K 1 0 … 1 1
个 1 选需择要其多中少的位一数个据单线元呢0 ,?
存 储 单
… 需要多少位地址呢…?
0
8位 13位(213)
1
元 0 1…1 0
选择存储芯片
• 2个8K*4组成一个16K*4
1 0…1
1 0…1
13位—1—选选需择需择要某要其多一多中少0芯少的位片位一数8地K个据1址个单线呢存元呢?储,?单元0中的一个
… A…0 CSD0~D3
A9
WE
¥ 解决CPU和主存间速度、容量匹配问题的方 法
¥ 双端口存储器(空间并行技术) ¥ 并行主存系统(时间并行技术) ¥ 高速缓冲存储器(5.5) ¥ 虚拟存储技术(5.6)

ch3内部存储器

ch3内部存储器

3.2 典型的内存储器 构成主存储器的存储介质,目前主要采用半导 体器件。 TTL, Transistor-transistor logic 半导体存储器又可分为两类:一类是双极型 ECL, Emitter couple logic (bipolar TTL 和发射极耦合电 mos, )半导体存储器 Metal oxide semiconductor 路存储器 TTL存储芯 NMOS,ECL,其优点是速度快( Negative mos 片速度可达十几纳秒, ECL芯片速度低于10纳 PMOS, Positive mos 秒),电路驱动能力强;缺点是集成度低,功 CMOS 耗大,价格高。 Complementary mos 另 一 类 是 场 效 应 晶 体 管 (metal–oxide - semiconductor 金属氧化物半导体 mos) 存储 器,其中又可分为 NMOS,PMOS,CMOS 等。 MOS管的优点是集成度可以达到很高 ,功耗小, 价格低,但速度相对较低(NMOS存储芯片约 为几十纳秒),所以主要用于大容量存储器。
3.2 典型的内存储器
要求存储介质必须具备以下三个条 件: 1.有两种稳定且分开的状态; 2 .在外部信号激励下,两种状态可 以进行无限次相互转换(即可写); 3 .在外部状态激励下,可以读出两 种状态(即可读)。 半导体存储器满足以上条件。
3.2.1 存储器的分类 存储器的分类方法很多,可以按照存储介质、与 CPU的关系、存取特性等几个方面进行分类。 按照存储介质可以分为: 1.半导体存储器 种类很多,从制造工艺上可分为 双极型和场效应MOS型。 2.磁介质存储器 如磁盘(软盘、硬盘)、磁卡、 磁鼓等,这类存储器大多以非磁性金属或塑料等 作为载体,表面覆盖一层均匀的极薄的高导磁性 材料,因此而得名。 3.光存储器 如目前广泛应用的光盘,此类存储器 以圆形玻璃或塑料盘片覆以适于光存储的介质构 成。目前几乎所有光存储器均以半导体激光器作 为访问光存储器的手段,所以也叫激光存储器。

内部存储器.ppt

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5.7 内存故障分析与处理
计 算 机 硬 件 技 术 基 础
5.7.1 内存常见故障现象
故障现象 死机,无任何报警信号 随机性死机 运行程序中断 频繁自动重新启动 不识别内存条 内存容量减少
故障主要原因分析 内存条与主板接触不良、内存条损坏等 内存质量不佳、金手指氧化、BIOS中内存参数设置过高等 内存条性能下降、金手指氧化、BIOS中内存参数设置过高等 内存条质量不佳、金手指接触不良等 兼容性问题、主板BIOS限制、金手指接触不良等 主板兼容性不好、金手指接触不良、病毒破坏等
5.2 存储单元工作原理
5.2.1 DRAM存储单元工作原理

晶体管M控制电容CS的充电和放电,电容CS用于
算 存储数据。
机 电容CS有电荷时, 硬 存储单元为逻辑1;
件 电容CS没有电荷时, 技 存储单元为逻辑0。 术


5.2 存储单元工作原理
5.2.1 DRAM存储单元工作原理
计 动态刷新是周期性的对DRAM中的数据进行读出、 算 放大、回写操作。 机 DDR内存刷新周期为54ms左右。 硬 件 技 术 基 础
5.1 存储器类型与组成
5.1.4 内存组成形式
计 算 机 硬 件 技 术 基 础
5.1 存储器类型与组成
5.1.4 内存组成形式
计 SPD是一个8引脚、TSOP封装、容量为255字节的 算 EEPROM芯片,工作频率多为100kHz。 机 SPD芯片记录了内存的类型、工作频率、芯片容量、 硬 工作电压、各种主要操作时序、版本等技术参数。 件 技 术 基 础
5.1 存储器类型与组成
5.1.4 内存组成形式
计 算 机 硬 件 技 术 基 础
5.1 存储器类型与组成

白中英计算机组成原理第3章内部存储器

白中英计算机组成原理第3章内部存储器

字扩展
总结词
字扩展是通过增加存储器芯片的数量来扩展存储容量的方法。
详细描述
字扩展是指通过增加存储器芯片的数量来扩展存储容量的方法。例如,将两个8 位存储器芯片组合成一个16位存储器,存储容量将增加一倍。
字位扩展
总结词
字位扩展是通过同时增加存储器的字 和位数来扩展存储容量的方法。
详细描述
字位扩展是指同时增加存储器的字和位 数来扩展存储容量的方法。例如,将两 个8位16字存储器芯片组合成一个16位 32字存储器,存储容量将增加一倍。
DRAM的特点和工作原理
集成度高
由于每个存储单元只有一 个电容和一个晶体管, DRAM的集成度较高。
功耗低
DRAM的功耗较低,因 为不需要像SRAM那样 不断刷新存储单元。
速度较慢
由于电容需要充电和放 电,DRAM的读写速度
较慢。
价格低
由于制造成本较低, DRAM的价格较低。
高速缓冲存储器(Cache)
主存通过地址总线、数据总线 和控制总线与CPU和其他设备 进行通信。
辅助存储器(硬盘、光盘等)
辅助存储器的容量较大,但访问速度较慢。
辅助存储器通常用于存储操作系统、应用程序、用户 数据等,当计算机关闭时,数据仍然保留在辅助存储
器中。
辅助存储器是计算机中用于长期存储数据的设 备,如硬盘、光盘、磁带等。
05
存储器的层次结构
高速缓存(Cache)
高速缓存是一种特殊类型的存 储器,用于存储CPU经常访问
的数据和指令。
高速缓存通常由静态随机存取存 储器(SRAM)构成,具有高速 访问速度,通常位于CPU内部或
与CPU紧密相邻。
高速缓存分为一级缓存(L1 Cache)、二级缓存(L2 Cache) 等,各级缓存容量和访问速度不 同。

计算机组成原理 第三章 内部存储器

计算机组成原理 第三章 内部存储器

存储模块条
5.高级的DRAM结构
(1)FPM-DRAM 快速页模式动态存储器
•程序局部性原理
•在存储阵列中,一行一般有很多单元 •一次RAS,多次改变CAS
(2)CDRAM芯片

(例:1M*4位)
另二个优 点:P76 在DRAM上集成SRAM(cache) 行、列地址的分时输入(11+9) 第一次读一行,后面读缓存 猝发式读取
4.存储器带宽:单位时间内所存取的信息 量
3.2 静态随机读写SRAM

广泛用MOS半导体 静态SRAM 动态DRAM
内存? 外存?

1.静态基本存储元

双稳态触发

2.基本静态存储元阵列
内部有多少 根地址线?
地 址 译 A0-A5 码 器
【例1】 说明1M×1位DRAM片子可采 用的刷新方法,刷新周期定为8ms


前提假设:阵列为512行,2048列 行地址为A0—A8。选中一个,这一行上的2048个存储元同时 进行刷新,即在8ms内进行512个周期的刷新。 刷新方式可采用: 在8ms中进行512次刷新操作的集中刷新方式 或按8ms÷512=15.5μs刷新一次的分散刷新方式。
Vcc
GND
4.存储器的读、写周期
(2114读周期)
T1
T2
T3
T4
读周期 的意义
读信号(WE)
2114读周期时序图
SRAM存储器小结



基本存储元 由存储元构成一定容量的存储器 实例2114(1K*4) 存储器的读写周期 请读P68 3.2.2
复习





第3章内部存储器

第3章内部存储器

2019年11月24日星期日
16
主存储器的其他性能指标
存储器的价格:用每位的价格来衡量。 设存储器容量为S,总价格为C,则位价为C/S(分/位)。 它不仅包含了存储元件的价格,还包括为该存储器操 作服务的外围电路的价格。
可靠性:指存储器正常工作(正确存取)的性能。 功耗:存储器工作的耗电量。 存储容量、速度和价格的关系:
2019年11月24日星期日
20
主存和CPU的联系
MDR
CPU MAR
数据总线
读 写 地址总线
主存
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21
3.2.1 基本的静态存储元阵列
基本存储元
6个MOS管形成一位存储元;
64×4位的SRAM结构图
存储体排列成存储元阵列,不一定以存储单元形式组织;
SRAM芯片封装后,都有3种信号线与外部打交道
读、写周期波形图精确地反映了SRAM工作的时间关系。 掌握周期波形图的关键在于理解地址线、控制线和数据线三组
信号何时有效。 读周期中,地址线先有效,以便进行地址译码选中存储单元,
然后是片选信号以便选中哪个芯片。 写周期同读周期。
2019年11月24日星期日
32
3.2.3 读、写周期波形图
存储器读/写的原则 读/写信号要在地址和片选均起作用,并经过一段时间 后有效; 读写信号有效期间不允许地址、数据发生变化; 地址、数据要维持整个周期内有效;
从主存向cache中调入相应内容, cache 中的内容是主 存中的copy。
以上过程均由操作系统管理。
2019年11月24日星期日
12
3.1.3 主存储器的主要技术指标
存储容量 存取时间(访问时间) 存取周期 存储器带宽

第三章内部存储器----计算机组成原理

第三章内部存储器----计算机组成原理

3.5 并行存储器
引入目的:为解决速度差异。
分类:
空间并行:双端口存储器 时间并行:多体交叉存储器
双端口存储器
同一个存储器具有两组相互独立的读写控制 线路,提供了两个相互独立的端口,都可以对 存储器中任何位置上的数据进行独立的存取 操作
冲突:同时对同一存储单元操作。 解决方法:加锁 判断方法:
二模块交叉存储器举例
3.6 cache存储器
主要目的:提高存储器速度 为追求高速,包括管理在内的全部功能由硬件实现(由SRAM 构成)
cache的基本原理



CPU与cache之间的 数据交换以字(字节)为 单位 Cache与主存间的数 据传送以数据块为单 位 一个块(Block)由若干 字组成
1. 最不常用(LFU: least-frequently used) 替换使用次数最少的块 2. 最近最少使用法(LRU: least-recently used) 本指替换近期最少使用的块,实际实现的是替换最久没有被 使用的块 3. 随机法(random) 随意选择被替换的块,不依赖以前的使用情况
第三章 内部存储器
3.1 存储器概述 3.2 SRAM存储器 3.3 DRAM存储器 3.4 只读存储器和闪速存储器 3.5 并行存储器 3.6 cache
3.1存储器概述
注意几个概念: 存储位元、存储单元、存储器
★ 按存储介质分
半导体存储器:用半导体器件组成的存储器 磁表面存储器:用磁性材料做成的存储器
直写和回写的比较


直(全)写策略 优点:简单可靠 缺点:总线操作频繁、影响工作速度 解决方法:在Cache与主存间设置一级/多级缓冲器, 形成实用的“缓冲直写”方式,提高速度 回写策略 优点:可以减少写入主存次数、提高速度 缺点:硬件结构比较复杂 实现方法:为了表明Cache是否被修改,需要设置一 个更新位(update,污染位dirty bit)。替换时只需 将被修改的Cache块内容写入主存

内存基础知识讲解PPT课件

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第8页/共13页
1. 符合主板上的内存插槽要求
• 不同的主板支持不同的内存,目前主板市场的主流是DDR2内存,因此在购买计算机时应该选购DDR2内存。 如果是升级计算机,就应该先查明主板是支持SDRAM内存还是DDR内存,以及主板所支持内存的最大容 量。
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2. 注意内存的做工
• 内存的做工影响着内存的性能。一般来说,要使内存能稳定工作,要求使用的PCB板层数在6层以上,否则 内存在工作时会出现不稳定的情况。
4.1.1 内存的作用
• 内存(Memory)也被称为内存储器,其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据,以及与硬盘等外部存储 器交换的数据。只要计算机在运行中,CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算,当运算完成后 CPU再将结果传送出来,内存的运行也决定了计算机的稳定运行。
第1页/共13页
内存的外观
第2页/共13页
4.1.3 内存的分类
• 按照内存的工作原理可将内存分为RAM和ROM两类。 • 按表现形式可分为RAM、ROM和Cache三大类。
第3页/共13页
ROM(Read Only Memory,只读存储器)
• ROM的特点是价格高、容量小,而且一般只能从中读取信息而不能写入信息。但是ROM保存的数据在断电 后可保持不变,因此多用于存放一次性写入的程序或数据,如用于存储主板和显卡BIOS芯片的相关信息。
第10页/共13页
3.速度的选择
• 目前DDR2内存的主流都是DDR2 800,这种类型的内存提供了比 较大的带宽,对系统性能的提升也是比较明显的。因此,选购内存 时建议选择DDR2 800以上内存。
第11页/共13页
4. 注意内存的品牌
由于内存的生产相对

《内部存储器》PPT课件_OK

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• 一个DRAM存储元的写、读、刷新操作.swf
• 注意:输入缓冲器和输出缓冲器总是互锁的。这是 因为读操作和写操作时互斥的,不会同时发生。13
14
3.2.2 主存储器的组成
主存储器的基本组成如下图所示:
地址线
地址 译码 驱动
存储体 阵列
I/O电路
读写控制电路
数据线
主存储器结构框图 1.存储体阵列
写操作不会同时发生)
• 行线 • 列线 • 基本的静态存储元阵列.swf
10
• 3.2.3 读写周期波形图
• 1、读写周期波形图精确地反映了SARM工作的时间关系。我 们把握住地址线、控制线、数据线三组信号线何时有效,就 很容易看懂周期波形图。
• 2、在读周期中,地址线先有效,以便进行地址译码,选中
2114(1K*4) 123 45 6789 A6A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS 地 WE,低电平时写入,高电平时读出片选CS,为低电平时选中本芯
20
片 (2)内部结构
A4 A5 A6 A7
A8
A9
I/O
1
I/O
2
I/O
3
I/O
4
CS
WE

2114内部结

64×64
构方块图

存储矩阵
P76图3.5
3
3.1.2 存储器的分级结构
单一种类的存储器无法同时满足价格、 容量和速度三方面的要求,所以一个计算机 系统的存储器由多种类型不同的存储器组成, 构成不同的存储层次(Memory Hierarchy).典 型的三级存储储体系结构分为“高速缓存--主存---外存”三个层次.如下图示:
4
3.1.2存储器的分级结构

内部存储器专业知识讲座

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第三章 内部存储器
目录
3.1 存储器概述 3.2 SRAM存储器 3.3 DRAM存储器 3.4 只读存储器和闪速存储器 3.5 并行存储器 3.6 Cache存储器
(了解) (了解) (掌握) (了解) (了解) (掌握)
30 十二月 2023
2
3.1 存储器概述
3.1.1 存储器分类 3.1.2 存储器旳分级构造 3.1.3 存储器旳技术指标
30 十二月 2023
11
3.2 SRAM存储器
3.2.0 主存储器旳构成 3.2.1 基本旳静态存储元阵列 3.2.2 基本旳SRAM逻辑构造 3.2.3 读/写周期波形图
30 十二月 2023
12
3.2.0 主存储器旳基本构造
存储体

•• •
写 电 路
• • •
•••
驱动器
•••
译码器
•••
行、列地址锁存器
用于保存完整旳地址信息;
使用行选通信号 RAS和列选通信号CAS 锁存地址;
30 十二月 2023
34
DRAM控制电路旳构成
地址多路开关 刷新时需要提供刷新地址,非刷新时需提供读写地址;
刷新定时器 间隔固定旳时间提供一次刷新祈求;
刷新地址计数器 刷新按行进行,用于提供对所要刷新旳行进行计数;
以ns为单位,存取周期=存取时间+复原时间。
存储器带宽
每秒从存储器进出信息旳最大数量;
单位为位/秒或者字节/秒。
30 十二月 2023
10
求存储器带宽旳例子
设某存储系统旳存取周期为500ns,每个存取周期可 访问16位,则该存储器旳带宽是多少? 存储带宽= 每七天期旳信息量 / 周期时长 = 16位/(500 ╳10-9)秒 = 3.2 ╳ 107 位/秒 = 32 ╳ 106 位/秒 = 32M位/秒

第4章内存储器课件

第4章内存储器课件

南京工程学院计算机学院
cky
计算机维护技术
2019年4月12日星 期五9时13分31秒
第二节 内存的单位和性能指标
12
9.存取时间 TAC tAC是Access Time from CLK的缩写,是指最大CAS延迟时的最大数输入 时钟,是以纳秒(ns)为单位的。 与内存时钟周期是完全不同的概念,虽然都是以纳秒为单位。存取时间 (tAC)代表着读取、写入的时间,而时钟频率则代表内存的速度。PC100规 范要求在CL=3时tAC不大于6ns。某些内存编号的位数表示的是这个值。目前 大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。
南京工程学院计算机学院
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2019年4月12日星 期五9时13分31秒
第一节 内存的分类
6
2. 随机存储器RAM 以相同速度高速地、随机地写入和读出数据(写入速度和读出速度可 以不同)的一种半导体存储器,简称RAM。RAM的优点是存取速度快、读写 方便,缺点是数据不能长久保持,断电后自行消失,因此主要用于计算机 主存储器等要求快速存储的系统。按工作方式不同,可分为静态和动态两 类。 (1) 静态RAM(SRAM,Static RAM):静态随机存储器(SRAM)的单元电 路是触发器,存入的信息在规定的电源电压下便不会改变。数据不要刷新, 不易集成,读写速度快,价格高,用于制作CACHE。 (2) 动态RAM(DRAM,Dynamic RAM):动态随机存储器 ( DRAM ) 的单元由一个金属-氧化物-半导体(MOS)电容和一个MOS晶体管构成,数 据以电荷形式存放在电容之中 ,需每隔 2~4毫秒对单元电路存储信息重 写一次(刷新)。数据要不断刷新,易集成,读写速度慢,价格低,用于 制作内存。
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芯片. (7)SPD芯片.是一个八脚的小芯片,它是一 ) 芯片 是一个八脚的小芯片, 可擦写存储器, 个字节, 个EEPROM可擦写存储器,容量为 可擦写存储器 容量为256个字节,存 个字节 储信息包括内存的标准工作状态,速度,容量, 储信息包括内存的标准工作状态,速度,容量,响 应时间等参数. 应时间等参数. (8)芯片标识.内存条上一般标有芯片标识, )芯片标识.内存条上一般标有芯片标识, 通常包括厂商名称,单个芯片容量,芯片类型, 通常包括厂商名称,单个芯片容量,芯片类型,工 作速度,生产日期,电压, 作速度,生产日期,电压,容量系数和一些厂商的 特殊标识. 特殊标识.
内存的分类
内部存储器 内部存储器 随机存储器RAM 随机存储器RAM 静态存储器 静态存储器 SRAM SRAM 只读存储器ROM 只读存储器ROM
动态存储器 PROM EPROM 动态存储器 DRAM PROM EPROM Programmable ROM DRAM
Erasable Programmable ROM Electrically Erasable Programmable ROM
请点击鼠标观看
第四章 内部存储器
本章主要讲述内部存储器的功能, 本章主要讲述内部存储器的功能, 组成,半导体存储器的工作原理, 组成,半导体存储器的工作原理, 介绍PC机中常用的内存类型 机中常用的内存类型. 介绍 机中常用的内存类型.
存储系统概述
存储系统是计算机的重要组成部分, 存储系统是计算机的重要组成部分,用来存储微 型计算机工作时使用的信息(程序和数据) 型计算机工作时使用的信息(程序和数据)的 部件,正是因为有了存储器, 部件,正是因为有了存储器,计算机才有信息 记忆功能. 记忆功能. 计算机的存储器可分为两大类: 计算机的存储器可分为两大类:
外部存储器(磁盘,光盘,磁带等)
内部存储器的作用及其分类
内存
中央 处理器
磁盘存 储设备
数据传输速度慢
数据传输速度快
内存的主要作用
内存的作用是暂时存放正在执行的程序,原始 内存的作用是暂时存放正在执行的程序, 内存的作用是暂时存放正在执行的程序 数据,中间结果和运算结果. 数据,中间结果和运算结果. 作为 CPU 运行程序的区域 , 配合 CPU 与外设打交道 作为CPU 运行程序的区域, CPU与外设打交道 作为 CPU运的工作方式, 芯片类型取决于内存芯片的工作方式,常 用的内存芯片类型有以下几种: 用的内存芯片类型有以下几种:
EDO DRAM SDRAMSDRAM-明日黄花 RDRAMRDRAM-昔日贵族 SDRAMDDR SDRAM-中流砥柱
SDRAM
SDRAM的中文名字是"同步动态随机存 的中文名字是" 的中文名字是 储器" 这就是著名的PC100和PC133规 储器",这就是著名的 和 规 范所广泛使用的内存类型, 范所广泛使用的内存类型,它的带宽为 64bit,3.3 V电压,最高速度可达 电压, , 电压 最高速度可达5ns.它 . 是与CPU使用相同的时钟频率进行数据交 是与 使用相同的时钟频率进行数据交 它的工作频率是与CPU的外频同步的, 的外频同步的, 换,它的工作频率是与 的外频同步的 不存在延迟或等待时间. 不存在延迟或等待时间.
内存的主要技术指标
存储容量: 存储容量:存储器可以容纳的二进制信息量称 为存储容量. 为存储容量. 存取周期: 存取周期:两次独立的存取操作之间所需的最 短时间称为存储周期. 短时间称为存储周期. 错误校验: 错误校验:内存常用的错误校验方式有 Parity(奇偶校验 ,ECC(Error Checking and 奇偶校验), 奇偶校验 Correcting)和SPD(SPD(Serial Presence 和 Detect串行存在探测 . 串行存在探测). 串行存在探测
SD RAM
DDR RAM
几种常见内存带宽比较
内 种 存 类 系 时 速 统 钟 率 DATE RATE 数 带 据 宽 电 接 气 口 内 槽 存 管 数 脚 目 芯 封 方 片 装 式 电 压 PC800 RDRAM 400MHz 800MHz RSL 32 184pins CSP 1.8V PC266 DDR RAM PC133 SDRAM 133MHz 266MHz SSTL2 64位 4 184pins TSOP II 2.5V 133MHz 133MHz 1.064GB/s LVTTL 64位 4 168pins TSOP II 3.3V
内存的主要技术指标
SPD(Serial Presence Detect串行存在探测 ,SPD是1个 串行存在探测), 串行存在探测 是 个 8针的 针的SOIC封装 封装(3mm*4mm)256字节的 字节的EEPROM,型号多 针的 封装 字节的 型号多 为24LC01B,位置一般处在内存条正面的右侧,里面记录 ,位置一般处在内存条正面的右侧, 了诸如内存的速度,容量,电压与行, 了诸如内存的速度,容量,电压与行,列地址带宽等参数 信息.当开机时PC的 将自动读取SPD中记录的信息, 中记录的信息, 信息.当开机时 的BIOS将自动读取 将自动读取 中记录的信息 如果没有SPD,就容易出现死机或致命错误的现象.它是 如果没有 ,就容易出现死机或致命错误的现象. 识别PC100内存的一个重要标志.现在个别厂商一方面为 内存的一个重要标志. 识别 内存的一个重要标志 了降低生产成本,另一方面又要从表面上迎合PC100标准, 标准, 了降低生产成本,另一方面又要从表面上迎合 标准 就在PCB板上焊上一片空的 板上焊上一片空的SPD.这样就有可能导致在 就在 板上焊上一片空的 . 100MHz以上外频不能正常工作,还应该注意的是一些厂 以上外频不能正常工作, 以上外频不能正常工作 商出的主板(如 原装板)一定要 检测到SPD中的 商出的主板 如INTEL原装板 一定要 原装板 一定要BIOS检测到 检测到 中的 数据才能正常工作,而对于使用假SPD的内存来说,就会 的内存来说, 数据才能正常工作,而对于使用假 的内存来说 有不兼容或死机的现象出现. 有不兼容或死机的现象出现.
内存条的结构
内存固定缺口 内存颗粒 内存颗粒空位 PCB板
金手指
内存脚缺口
SPD芯片
内存主要由3部分组成,即PCB板,内存芯片和SPD芯片, 图4.1.1 内存的基本组成 还有外围电子元器件,如电容,电阻等,
板大多是绿色, (1)PCB板.内存的 ) 板 内存的PCB板大多是绿色,深蓝色或者紫 板大多是绿色 层或6层 色,采用多层设计(4层或 层). 采用多层设计( 层或 (2)金手指.内存条与主板内存插槽接触的部分就是金 )金手指. 手指.金手指是铜质导线,容易氧化,可用橡皮擦清理. 手指.金手指是铜质导线,容易氧化,可用橡皮擦清理. (3)内存固定卡缺口.主板上的内存插槽会有两个扣具 )内存固定卡缺口. 用来牢固地扣住内存,这个缺口便是用于固定内存的. 用来牢固地扣住内存,这个缺口便是用于固定内存的. (4)内存脚缺口.用来防止内存反插和区分不同的内存 )内存脚缺口. 条.
Rambus内存
从技术上看, 从技术上看,RDRAM是一种比较先进 是一种比较先进 的内存,但由于工艺复杂, 的内存,但由于工艺复杂,Rambus 公司还要收取相应的权利金, 公司还要收取相应的权利金,导致产 品价格过高, 品价格过高,最终未能获得厂商的支 没有流行起来. 持,没有流行起来.
其它产商根据RDRAM双向脉冲的 双向脉冲的 其它产商根据 特点, 特点,提出了现在主流的 DDR SDRAM. .
DDR SDRAM内存
DDR SDRAM(Dual date rate SDRSM):简 ):简 ( ): 双倍速率SDRAM"的意思,由于它 的意思, 称DDR,是"双倍速率 , 的意思 可以在时钟触发沿的上,下沿都能进行数据传输, 可以在时钟触发沿的上,下沿都能进行数据传输, 所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到 所以即使在 的总线频率下的带宽也能达到 2.128GB/S.它仍然可以沿用现有 .它仍然可以沿用现有SDRAM的生产 的生产 体系,制造成本比SDRAM略高一些(约为 略高一些( 体系,制造成本比 略高一些 约为10%左 左 ),但仍要远小于 但仍要远小于RAMBUS的价格. 的价格. 右),但仍要远小于 的价格
内部存储器(简称内存或主存) 内部存储器(简称内存或主存) 外部存储器(简称外存) 外部存储器(简称外存)
计算机工作时, 计算机工作时,一般先由只读存储器中的引导 程序启动系统, 程序启动系统,再从外存中读取系统程序和应 用程序送到内存中运行. 用程序送到内存中运行.
微机存储系统的层次结构
CPU 寄存器 L1级 高速缓存 L2级 高速缓存 主存储器 速度慢 容量大 速度快 容量小
(5)内存芯片.内存芯片俗称内存颗粒,内存芯片是内 )内存芯片.内存芯片俗称内存颗粒, 存条的关键元件,它的性能决定了内存条的性能. 存条的关键元件,它的性能决定了内存条的性能.内存的 性能,速度,容量都是由内部芯片决定的. 性能,速度,容量都是由内部芯片决定的.不同厂商的内 存芯片在速度,性能上也不同.常见的内存芯片有HY(韩国 存芯片在速度,性能上也不同.常见的内存芯片有 韩国 现代) 现代 ,Kingmax(台湾胜创 ),KingBox(台湾黑金刚 ) , 台湾胜创 , 台湾黑金刚 Winbond等. 等 (6)内存颗粒空位.常看到内存条中间有个空位,这是 )内存颗粒空位.常看到内存条中间有个空位, 预留了一个内存芯片为其他采用这种封装模式的内存使用 的.
1.60GB/s( 通 ) 2.128GB/s 单 道
内 资 总 宽 存 料 线 度 16位
两种内存接口类型
SIMM和DIMM是最常用内存接口类型. SIMM和DIMM是最常用内存接口类型. 是最常用内存接口类型 SIMM是SingleSIMM是Single-In Line Memory Medule 的简写,即单边接触内存模组,这是5X86 5X86及 的简写,即单边接触内存模组,这是5X86及 其较早的PC机中常用的内存接口方式. PC机中常用的内存接口方式 其较早的PC机中常用的内存接口方式. DIMM是英语 是英语" In- DIMM是英语"Dual In-Line Memory Module"的缩写 双边接触内存模组. 的缩写, Module 的缩写,双边接触内存模组.也就 是说这种类型接口内存的插板两边都有数据 接口触片, 接口触片,这种接口模式的内存广泛应用于 现在的计算机中. 现在的计算机中.
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