§1.4光电子发射效应
光电效应光电效应ppt光电效应课件
光电效应光电效应ppt光电效应课件光电效应知识背景:1887年,赫兹在证明麦克斯韦波动理论的实验中,首次发现了光电效应。
当时,赫兹注意到,用光特别是紫外光照射处在火花间隙下的电极,会使火花容易从电极间通过。
勒纳于1900年对这个效应也进行了研究,并指出光电效应应是金属中的电子吸收了入射光的能量而从表面逸出的现象。
上图即为实验装置图,入射光通过石英窗照射到金属表面(阴极)时,就有电子发射出来,当有电子到达阳极时,外电路就有电流。
若光电效应应仅此而已,则并没有什么惊奇之处。
事实上,从光电效应的实验中得到的部分结果,用经典的电磁理论却无法解释。
光电效应课件的一些重要的演示结果如下:(1)当发生光电效应时,光照强度不变时,随着电压的增大,电路内的电流也在增大,但是不会无限增大,有一个最大值,这个最大值就是饱和电流。
当光照强度再增大时,饱和电流的值也会相应的增大。
(2)当外加正向电压V足够大时,从阴极发射的电子将全部到达阳极,光电流i达到饱和。
课件演示发现,在入射光频率v一定时,饱和电流i与光强I成正比。
(3)通常即使加上反向电压,回路中还是有电流,但当反向电压大于一临界值时,电流为零,此临界值称为截止电压-V。
课件演示发现:当入射光频率v一定时,同种金属阴极材料的截止电压-V相同,与光强无关。
(4)尽管对特定的金属阴极材料,截止电压-V与光强度I无关,但它与入射频率v成正比。
从课件演示可以看到每一种阴极材料,都分别有确定的截止频率v0,称为观点效应的红线。
入射光频率v必须大于此值,才能产生光电流,否则,不论光强多大,都无光电流。
v0随着阴极材料的不同而改变。
(4)解释上述问题理论基础:1905年,爱因斯坦提出了光子假设。
这个假设认为,当光照到阴极表面时,所发射的一个电子是从一个单一能量量子获得能量。
这种能量量子被称为光子,它的能量与电磁波的频率v有关,大小为ε=hv,h为普朗克常量。
按照爱因斯坦的观点,当光入射到阴极表面时,光子被电子吸收,电子获得了hv的能量。
28 光电发射效应及典型器件
根据爱因斯坦假设,一个电子只能接受一个光子的能量,所 以要使一个电子从物体表面逸出,必须使光子的能量大于该物体 的表面逸出功,超过部分的能量表现为逸出电子的动能。外光电 效应多发生于金属和金属氧化物,从光开始照射至金属释放电子 所需时间不超过10-9s。
根据能量守恒定理
h
1 2
m02
A0
式中 m—电子质量;v0—电子逸出速度。 该方程称为爱因斯坦光电效应方程。
当入射光的频谱成分不变时,产生的光电流与光强成正比。 即光强愈大,入射光子数目越多,逸出的电子数也就越多。
典型器件—光电管
➢光电管(phototube)基于外光电效应的基本光 电转换器件。 ➢光电管分为真空光电管和充气光电管。 ➢光电管的典型结构是将球形玻璃壳抽成真空,在 内半球面上涂一层光电材料作为阴极,球心放置小 球形或小环形金属作为阳极。若球内充低压惰性气 体就成为充气光电管。光电子在飞向阳极的过程中 与气体分子碰撞而使气体电离,可增加光电管的灵 敏度。 ➢光电管灵敏度低、体积大、易破损,已被固体光 电器件所代替。
光电倍增管工作原理图
光电倍增管外形
光电发射效应及典型器件
梁召峰 副教授
光电发射效应
➢光电发射效应是指物质吸收光子并激发出自由电子的行为。 ➢发射出来的电子叫做光电子。 ➢光的波长需小于某一临界值(相等于光的频率高于某一临界 值)时方能发射电子,其临界值即极限频率和极限波长。
光电管外形
典型器件—光电倍增管
➢光电倍增管(photomultiplier)建立在外光电效应、 二次电子发射和电子光学理论基础上,结合了高增益、低 噪声、高频率响应和大信号接收区等特征,是一种具有极 高灵敏度和超快时间响应的光敏电真空器件。 ➢当光照射到光阴极时,光阴极向真空中激发出光电子。 这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统,并通过进一步的 二次发射得到的倍增放大。然后把放大后的电子用阳极收 集作为信号输出。因为采用了二次发射倍增系统,所以光 电倍增管在探测紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电 探测器中,具有极高的灵敏度和极低的噪声。
光电效应
一.对光电效应实验规律,方程以及图像的考查1.光电效应现象光电效应:在光的照射下金属中的电子从金属表面逸出的现象,叫做光电效应,发射出来的电子叫做.2.光电效应规律(1)每种金属都有一个.(2)光子的最大初动能与入射光的强度无关,只随入射光的频率增大而增大.(3)光照射到金属表面时,光电子的发射几乎是的.(4)光电流的强度与入射光的成正比.(1)光子说:空间传播的光的能量是不连续的,是一份一份的,每一份叫做一个光子.光子的能量为ε=hν,其中h是普朗克常量,其值为6.63×10-34 J·s.(2)光电效应方程:.其中hν为入射光的能量,E k为光电子的最大初动能,W0是金属的逸出功.4.遏止电压与截止频率(1)遏止电压:使光电流减小到零的反向电压U c.(2)截止频率:能使某种金属发生光电效应的频率叫做该种金属的截止频率(又叫极限频率).不同的金属对应着不同的极限频率.(3)逸出功:电子从金属中逸出所需做功的,叫做该金属的逸出功.1.1905年是爱因斯坦的“奇迹”之年,这一年他先后发表了三篇具有划时代意义的论文,其中关于光量子的理论成功的解释了光电效应现象.关于光电效应,下列说法正确的是(AD )A.当入射光的频率低于极限频率时,不能发生光电效应B.光电子的最大初动能与入射光的频率成正比C.光电子的最大初动能与入射光的强度成正比D.某单色光照射一金属时不发生光电效应,改用波长较短的光照射该金属可能发生光电效应2.用光照射某种金属,有光电子从金属表面逸出,如果光的频率不变,而减弱光的强度则A.逸出的光电子数减少,光电子的最大初动能不变B.逸出的光电子数减少,光电子的最大初动能减小C.逸出的光电子数不变,光电子的最大初动能减小D.光的强度减弱到某一数值,就没有光电子逸出了3.关于光电效应的规律,下列说法中正确的是(D)A.只有入射光的波长大于该金属的极限波长,光电效应才能产生B.光电子的最大初动能跟入射光强度成正比C.发生光电效应的反应时间一般都大于10-7 sD.发生光电效应时,单位时间内从金属内逸出的光电子数目与入射光强度成正比4.如图所示是用光照射某种金属时逸出的光电子的最大初动能随入射光频率的变化图线(直线与横轴的交点坐标为4.27,与纵轴交点坐标为0.5).由图可知(AC)A.该金属的截止频率为4.27×1014 HzB.该金属的截止频率为5.5×1014 HzC.该图线的斜率表示普朗克常量D.该金属的逸出功为0.5 eV5.在光电效应实验中,某金属的截止频率相应的波长为λ0,该金属的逸出功为______.若用波长为λ(λ<λ0)的单色光做该实验,则其遏止电压为______.已知电子的电荷量、真空中的光速和普朗克常量分别为e、c和h.答案hcλ0hc(λ0-λ)eλ0λ6.小明用金属铷为阴极的光电管,观测光电效应现象,实验装置示意图如图4甲所示.已知普朗克常量h=6.63×10-34 J·s,结果保留三位有效数字.(1)图甲中电极A为光电管的______(填“阴极”或“阳极”);(2)实验中测得铷的遏止电压U c与入射光频率ν之间的关系如图乙所示,则铷的截止频率νc=____Hz,逸出功W0=________J;(3)如果实验中入射光的频率ν=7.00×1014Hz,则产生的光电子的最大初动能E k=________J.答案:(1)阳极(2)5.15×1014(5.10×1014~5.20×1014均可) 3.41×10-19(3.38×10-19~3.45×10-19均可)(3)1.23×10-19(1.19×10-19~1.26×10-19均可)7. 研究光电效应的电路如图5所示.用频率相同、强度不同的光分别照射密封真空管的钠极板(阴极K),钠极板发射出的光电子被阳极A吸收,在电路中形成光电流.下列光电流I 与A、K之间的电压U AK的关系图象中,正确的是___C_____.8.当用一束紫外线照射锌板时,产生了光电效应,这时 ( C )A.锌板带负电B.有正离子从锌板逸出C.有电子从锌板逸出D.锌板会吸附空气中的正离子9. 以往我们认识的光电效应是单光子光电效应,即一个电子在极短时间内只能吸收到一个 光子而从金属表面逸出.强激光的出现丰富了人们对于光电效应的认识,用强激光照射金属, 由于其光子密度极大,一个电子在极短时间内吸收多个光子成为可能,从而形成多光子光电效应,这已被实验证实.光电效应实验装置示意图如图7所示.用频率为ν的普通光源照射阴极K ,没有发生光电效应,换用同样频率ν的强激光照射阴极K ,则发生了光电效应;此时,若加上反向电压U ,即将阴极K 接电源正极,阳极A 接电源负极,在K 、A 之间就形成了使光电子减速的电场.逐渐增大U ,光电流会逐渐减小;当光电流恰好减小到零时,所加反向电压U可能是下列的(其中W 为逸出功,h 为普朗克常量,e 为电子电量)( B )A.U =hνe -W eB.U =2hνe -W eC.U =2hν-WD.U =5hν2e -W e10. 如图8所示,用a 、b 两种不同频率的光分别照射同一金属板,发现当a 光照射时验电器的指针偏转,b 光照射时指针未偏转,以下说法正确的是( D )A.增大a 光的强度,验电器的指针偏角一定减小B.a 光照射金属板时验电器的金属小球带负电C.a 光在真空中的速度大于b 光在真空中的速度D.a 光在真空中的波长小于b 光在真空中的波长11.如图所示的实验电路,当用黄光照射光电管中的金属涂层时,毫安表的指针发生了偏转.若将电路中的滑动变阻器的滑片P 向右移动到某一位置时,毫安表的读 数恰好减小到零,此时电压表读数为U .若此时增加黄光照射的强度,则毫安________(选填“有”或“无”)示数.若改用蓝光照射光电管中的金属涂层,则毫安 表________(选填“有”或“无”)示数.答案 无 有12.光电效应实验中,下列表述正确的是( CD )A.光照时间越长光电流越大B.入射光足够强就可以有光电流C.遏止电压与入射光的频率有关D.入射光频率大于极限频率时才能产生光电子13.光电效应的实验结论是:对于某种金属( AD )A.无论光强多强,只要光的频率小于极限频率就不能产生光电效应B.无论光的频率多低,只要光照时间足够长就能产生光电效应C.超过极限频率的入射光强度越弱,所产生的光电子的最大初动能就越小D.超过极限频率的入射光频率越高,所产生的光电子的最大初动能就越大14.入射光照射到某金属表面上发生光电效应,若入射光的强度减弱,而频率保持不变,下列说法中正确的是( D )A.有可能不发生光电效应B.从光照射到金属表面上至发射出光电子之间的时间间隔将明显增加C.逸出的光电子的最大初动能将减小D.单位时间内从金属表面逸出的光电子数目将减少15.对光电效应的理解正确的是 ( BD )A.金属钠的每个电子可以吸收一个或一个以上的光子,当它积累的动能足够大时,就能逸出金属B.如果入射光子的能量小于金属表面的电子克服原子核的引力而逸出时所需做的最小功,便不能发生光电效应C.发生光电效应时,入射光越强,光子的能量就越大,光电子的最大初动能就越大D.由于不同金属的逸出功是不相同的,因此使不同金属发生光电效应,入射光的最低频率也不同16.如图1是某金属在光的照射下产生的光电子的最大初动能E k 与入射光频率ν的关系图象.由图象可知( ABC )A.该金属的逸出功等于EB.该金属的逸出功等于hνcC.入射光的频率为2νc 时,产生的光电子的最大初动能为ED.入射光的频率为νc 2时,产生的光电子的最大初动能为E 217.用不同频率的紫外线分别照射钨和锌的表面而产生光电效应,可得到光电子的最大初动能E k 随入射光频率ν变化的E k —ν图象.已知钨的逸出功是3.28 eV ,锌的逸出功是3.34 eV ,若将二者的图线画在同一个坐标图中,以实线表示钨,虚线表示锌,如图所示,则正确反映这一过程的图象是 ( A )18.在光电效应实验中,飞飞同学用同一光电管在不同实验条件下得到了三条光电流与电压之间的关系曲线(甲光、乙光、丙光),如图2所示,则可判断出( B )A.甲光的频率大于乙光的频率B.乙光的波长大于丙光的波长C.乙光的频率大于丙光的频率D.甲光对应的光电子最大初动能大于丙光的光电子最大初动能19.如图3所示是光电管的原理图,已知当有波长为λ0的光照到阴极K上时,电路中有光电流,则( B )A.若换用波长为λ1(λ1>λ0)的光照射阴极K时,电路中一定没有光电流B.若换用波长为λ2(λ2<λ0)的光照射阴极K时,电路中一定有光电流C.增加电路中电源电压,电路中光电流一定增大D.若将电源极性反接,电路中一定没有光电流产生12.2009年诺贝尔物理学奖得主威拉德·博伊尔和乔治·史密斯主要成就是发明了电荷耦合器件(CCD)图象传感器.他们的发明利用了爱因斯坦的光电效应原理.如图4所示电路可研究光电效应规律.图中标有A和K的为光电管,其中K为阴极,A为阳极.理想电流计可检测通过光电管的电流,理想电压表用来指示光电管两端的电压.现接通电源,用光子能量为10.5 eV的光照射阴极K,电流计中有示数;若将滑动变阻器的滑片P 缓慢向右滑动,电流计的读数逐渐减小,当滑至某一位置时电流计的读数恰好为零,读出此时电压表的示数为6.0 V;现保持滑片P位置不变,光电管阴极材料的逸出功为______,若增大入射光的强度,电流计的读数______(选填“为零”或“不为零”).答案 4.5 eV为零13.现有a、b两种单色光,其波长关系为λa>λb,用a光照射某种金属时,恰好发生光电效应.则:(1)用b光照射该金属时,________发生光电效应;(填“能”或“不能”)(2)增加a光的强度,释放出光电子的最大初动能________增大.(填“会”或“不会”)答案(1)能(2)不会二、光的波粒二象性,物质波光既具有波动性,又具有粒子性,两者不是孤立的,而是有机的统一体,其表现规律为:(1)个别光子的作用效果往往表现为粒子性;大量光子的作用效果往往表现为波动性.(2)频率越低波动性越显著,越容易看到光的干涉和衍射现象;频率越高粒子性越显著,越不容易看到光的干涉和衍射现象,而贯穿本领越强.(3)光在传播过程中往往表现出波动性;在与物质发生作用时,往往表现为粒子性.1、关于物质的波粒二象性,下列说法中不正确的是(D)A.不仅光子具有波粒二象性,一切运动的微粒都具有波粒二象性B.运动的微观粒子与光子一样,当它们通过一个小孔时,都没有特定的运动轨道C.波动性和粒子性,在宏观现象中是矛盾的、对立的,但在微观高速运动的现象中是统一的D.实物的运动有特定的轨道,所以实物不具有波粒二象性2.用很弱的光做双缝干涉实验,把入射光减弱到可以认为光源和感光胶片之间不可能同时有两个光子存在,如图3所示是不同数量的光子照射到感光胶片上得到的照片.这些照片说明(D)A.光只有粒子性没有波动性B.光只有波动性没有粒子性C.少量光子的运动显示波动性,大量光子的运动显示粒子性D.少量光子的运动显示粒子性,大量光子的运动显示波动性3.下列说法正确的是(C)A.有的光是波,有的光是粒子B.光子与电子是同样的一种粒子C.光的波长越长,其波动性越显著;波长越短,其粒子性越显著D.γ射线具有显著的粒子性,而不具有波动性4.物理学家做了一个有趣的实验:在双缝干涉实验中,在光屏处放上照相底片,若减弱光的强度.使光子只能一个一个地通过狭缝.实验结果表明,如果曝光时间不太长,底片上只能出现一些不规则的点;如果曝光时间足够长,底片上就会出现规则的干涉条纹.对这个实验结果下列认识正确的是(BCD)A.曝光时间不长时,光的能量太小,底片上的条纹看不清楚,故出现不规则的点B.单个光子的运动没有确定的规律C.干涉条纹中明亮的部分是光子到达机会较多的地方D.只有大量光子的行为才表现出波动性。
光电效应及其规律
光电效应及其规律
(1)光电效应现象
在光的照射下,金属中的电子从表面逸出的现象,发射出来的电子叫光电子.
(2)光电效应的产生条件
入射光的频率大于等于金属的极限频率.
(3)光电效应规律
①每种金属都有一个极限频率,入射光的频率必须大于等于这个极限频率才能产生光电效应.
②光电子的最大初动能与入射光的强度无关,只随入射光频率的增大而增大.
③光电效应的发生几乎是瞬时的,一般不超过10-9 s.
④当入射光的频率大于极限频率时,饱和光电流的大小与入射光的强度成正比.
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光电效应的研究
光电效应的研究爱因斯坦最早明确地认识到,普朗克的发现标志了物理学的新纪元。
1905年,爱因斯坦在著名论文:《关于光的产生和转化的一个试探性观点》中,发展了普朗克的量子假说,提出了光量子概念,并应用到光的发射和转化上,很好地解释了光电效应等现象。
后来,爱因斯坦称这篇论文是非常革命的,因为它为研究辐射问题提出了崭新的观点。
一、爱因斯坦的光量子理论爱因斯坦在那篇论文中,总结了光学发展中微粒说和波动说长期争论的历史,揭示了经典理论的困境,提出只要把光的能量看成不是连续分布,而是一份一份地集中在一起,就可以作出合理的解释。
他写道:“在我看来,如果假定光的能量在空间的分布是不连续的,就可以更好地理解黑体辐射、光致发光、紫外线产生阴极射线(按:即光电效应),以及其他有关光的产生和转化的现象的各种观测结果。
根据这一假设,从点光源发射出来的光束的能量在传播中将不是连续分布在越来越大的空间之中,而是由一个数目有限的局限于空间各点的能量子所组成。
这些能量子在运动中不再分散,只能整个地被吸收或产生。
”也就是说,光不仅在发射中,而且在传播过程中以及在与物质的相互作用中,都可以看成能量子。
爱因斯坦称之为光量子,也就是后来所谓的光子(photon)。
光子一词则是1926年由路易斯(G.N.Lewis)提出的。
作为一个事例,爱因斯坦提到了光电效应。
他解释说:“能量子钻进物体的表面层,……,把它的全部能量给予了单个电子……,一个在物体内部具有动能的电子当它到达物体表面时已经失去了它的一部分动能。
此外还必须假设,每个电子在离开物体时还必须为它脱离物体做一定量的功P(这是物体的特性值——按:即逸出功)。
那些在表面上朝着垂直方向被激发的电子,将以最大的法线速度离开物体。
”这样一些电子离开物体时的动能应为:hv-P爱因斯坦根据能量转化与守恒原理提出,如果该物体充电至正电位V,并被零电位所包围(V也叫遏止电压),又如果V正好大到足以阻止物体损失电荷,就必有:eV=hv-P,其中e即电子电荷。
高考物理光电效应
010.07-08学年清华大学附中高考模拟试题 7
7.a、b两种色光以相同的入射角从某种介质射向真 空,光路如图所示,则以下描述错误的是( A ) A.a光的频率大于b光的频率 B.a光在真空中的波长大于b光在真空中的波长 C.a光在介质中的传播速度大于 b光在介质中的传 播速度 a D.如果a光能使某种金属 b 真空 发生光电效应,b光也一定能 介质
使该金属发生光电效应
065.08年南京一中第三次模拟13(2) 13. (2) (3-5模块 )( 3分)如图所示是使用光电管的 原理图。当频率为 的可见光照射到阴极K上时,电 流表中有电流通过。如果将变阻器的滑动端 P由A向 B滑动,通过电流表的电流强度将会 _______( 减小 填“增 加”、“减小”或“不变”)。当电流表电流刚减小 到零时,电压表的读数为 U ,则光电子的最大初动 eU 能为 ________(已知电子电量为e)。 如果不改变入射光的频率,而 增加入射光的强度,则光电子 K G V 的最大初动能将_________( 填 不变 P “增加”、“减小”或“不变”) 。 B A S
光 电 效 应
1.光电效应现象 光照使物体发射电子的现象叫光电效应现象;所发射的 电子叫光电子;光电子定向移动所形成的电流叫光电流. 2. 光电效应现象的实验规律
( 1)对于任何一种金属,入射光的频率必须大于某一 极限频率才能产生光电效应,低于这个极限频率,无论强 度如何,无论照射时间多长,也不能产生光电效应; (2)在单位时间里从金属极板中发射出的光电子数 跟入射光的强度成正比; (3)发射出的光电子的最大初动能与入射光强度无 关,只随入射光频率的增大而增大; (4)只要入射光的频率高于金属极板的极限频率, 无论其强度如何,光电子的产生都几乎是瞬时的,不超 过10-9s.
光电效应总结
1.【光电效应的4个基本实验是什么金属及其化合物在光照射下发射电子,这个现象称为光电效应(photoelectric effect);从金属表面逸出的电子称为光电子(photoelectron),光电子运动形成光电流(photocurrent).光电效应是指光线照射在金属表面时,金属中有电子逸出的现象,称为光电效应.发射出来的电子叫做光电子.光波长小于某一临界值时方能发射电子,即极限频率和极限波长.临界值取决于金属材料,而发射电子的能量取决于光的波长而与光强度无关,这一点无法用光的波动性解释.光电效应是自然事实,是光与电之间的一种相互作用、是光与物质(金属)之间的相互作用、是光与物质的核外电子之间的相互作用.在光电效应实验中,每种金属都存在一个极限频率,当入射光的频率低于极限频率时,不管入射光多强,都不会有光电子逸出;只有当入射光的频率高于极限频率时,金属才会发射光电子,产生光电效应.光电效应在近代物理的量子论中起着很重要的作用,其在证实光的量子性方面有着重要的地位,光电效应的规律在现代科技及生产领域也有广泛的应用,如利用光电效应制成的光电器件广泛地应用于光电检测、光电控制、电视录像、信息采集与处理等多项现代技术中.普朗克常数是近代物理中一个很重要的常数,它可以用光电效应实验方法来测定.通过本实验可以加深对量子论的理解.自1887年赫兹意外发现光电效应后,一些人陆续对此现象进行了研究,并总结出了四条基本规律.但这些规律无法用电磁学理论解释.1905年爱因斯坦大胆地引用普朗克关于光辐射能量量子化的概念,提出光量子概念,从而成功解释了光电效应的现象.爱因斯坦认为,从一点发出的光,不是以连续形式把能量传播到空间,而是以为能量单位一份一份地向外辐射.叫作光子.此后约十年,密立根以精确的光电效应实验证实了爱因斯坦的光电效应方程,并测定了普朗克常数.如下图所示,当频率为的光束照射在光电管的阴极K上时,能量为的光子与金属表面的自由电子作用,把能量全部交给这个电子,电子脱离金属表面从而产生光电效应.如果金属K的逸出功为Ws,电子离开金属表面后的初动能为E,则有:此式即为爱因斯坦光电效应方。
光电效应总结
★光电效应光电效应是物理学中一个重要而神奇的现象。
在高于某特定频率的电磁波照射下,某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流,即光生电。
光电现象由德国物理学家赫兹于1887年发现,而正确的解释为爱因斯坦所提出。
科学家们在研究光电效应的过程中,物理学者对光子的量子性质有了更加深入的了解,这对波粒二象性概念的提出有重大影响定律定义光电效应光照射到金属上,引起物质的电性质发生变化。
这类光变致电的现象被人们统称为光电效应(Photoelectric effect)。
光电效应分为光电子发射、光电导效应和阻挡层光电效应,又称光生伏特效应。
前一种现象发生在物体表面,又称外光电效应。
后两种现象发生在物体内部,称为内光电效应。
按照粒子说,光是由一份一份不连续的光子组成,当某一光子照射到对光灵敏的金属(如硒)上时,它的能量可以被该金属中的某个电子全部吸收。
电子吸收光子的能量后,动能立刻增加;如果动能增大到足以克服原子核对它的引力,就能在十亿分之一秒时间内飞逸出金属表面,成为光电子,形成光电流。
单位时间内,入射光子的数量愈大,飞逸出的光电子就愈多,光电流也就愈强,这种由光能变成电能自动放电的现象,就叫光电效应。
赫兹于1887年发现光电效应,爱因斯坦第一个成功的解释了光电效应(金属表面在光辐照作用下发射电子的效应,发射出来的电子叫做光电子)。
光波长小于某一临界值时方能发射电子,即极限波长,对应的光的频率叫做极限频率。
临界值取决于金属材料,而发射电子的能量取决于光的波长而与光强度无关,这一点无法用光的波动性解释。
还有一点与光的波动性相矛盾,即光电效应的瞬时性,按波动性理论,如果入射光较弱,照射的时间要长一些,金属中的电子才能积累住足够的能量,飞出金属表面。
可事实是,只要光的频率高于金属的极限频率,光的亮度无论强弱,电子的产生都几乎是瞬时的,不超过十的负九次方秒。
正确的解释是光必定是由与波长有关的严格规定的能量单位(即光子或光量子)所组成。
§1.4 光电子发射效应
光电子发射效应
光电子发射效应:金属或半导体受光照射,如果光子能量足够大 可以使电子从材料表面逸出,此现象叫光电子发射效应。 发射出来的电子称为光电子,可以发射光电子的物体称为光 电发射体。光电子形成的电流即为光电流。
1、光电发射的基本定律 光电发射定律的依据:爱因斯坦的光量子理论 返回 光辐射具有粒子性,每个光子的能量是 hν 。只要光子能量足够 大,一个光子可以激发一个电子从发射体逸出。 光辐射的强度越大,光子数越多,激发的电子数也越多。因此 光电流与入射光强成正比。
a、金属 金属中自由电子的能量服从费米分布,电子主要占据费米能 级以下的能量状态。 金属逸出功:电子从金属中逸出需要的最小能量。 Ew = Eo – EF 表面势垒的高度 Eo: 真空中电子的最低能量状态。 红阈频率
Ew νo = h
3
T > 0K,EF之上有少量电子,忽略。 爱因斯坦定律在T = 0K时正确,在T > 0K近似成立。 b、半导体 电子亲和力: 导带底上的电子向真空逸出时所需的最小能量。 EA = Eo – Ec 半导体光电子发射的逸出功 本征发射 杂质发射 Ew = Eg + EA = Eth n型 p型 红阈频率 Ew =Δ Ed + EA Ew = Eg + EA - Δ Ea 光电子发射的能量阈值
8
4、负电子亲和力 对于半导体材料来说,电子的亲和力对逸出功的影响非常 大,减小亲和力就可以减小电子逸出功,从而提高量子效率。对 于单一一种半导体材料,亲和力 EA > 0,能量阈值较大。用两种 不同材料可以产生负电子亲和力。 在p型材料的表面涂一层极薄的n型材料,接触面类似于p-n 结。
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能带结构
光电阴极材料:金属,半导体,表面吸附一层其它元素的金属 判断好的光电发射体的三个主要因素: 光吸收系数大; 电子在体内运动过程中能量损失小; 表面势垒作用小。 金属与半导体相比较: (1) 金属对可见光和红外光是高反射,可达90%;对紫外光吸 收大,因此多用在紫外探测。 半导体材料反射损失小,尤其对光子能量大于禁带宽度的光 辐射吸收很大,因此在可见光区和红外区用半导体光电阴极。
光电效应
3、当入射光的频率大于极限频率时,光电流 强度与入射光的强度有关。
从光电管阴极射出的光电子具有一定的动能,
为了测量光电子的动能,可以在光电管的两个电
极上加上反向电压,如图所示,用于阻止光电子
到达阳极。
第二章 波粒二象性 第一节 光电效应
实验
一、光电效应
❖ 1.什么是光电效应? 物体在光的照射下发射电子的现象,
称为光电效应。发射出来的电子称为光电 子。
疑问:光电子的发射与什么因素有 关呢?为了研究这个问题,我们来 认识一种光学器件。
光电管
1.光电管就是利用光电效应把光信号转变 成电信号的一种传感器。
巩固练习
1、在演示光电效应的实验中,原来不带电 的一块锌板与灵敏验电器相连,用弧光灯照 射锌板时,验电器指针张开一个角度,如图 所示,这时 ( B ) A.锌板带正电,指针带负电 B.锌板带正电,指针带正电 C.锌板带负电,指针带正电 D.锌板带负电,指针带负电
2、若用绿光照射某种金属板不能发生光电效 应,则下列哪一种方法可能使该金属发生光 电效应( )
❖ 4.光电流强度的决定因素:当入射光频率ν>ν0 时,光电流随入射光强度的增大而增大.
A.光电子的动能随照射光频率的增大而增大 B.光电子的初速度与照射光的频率成正比 C.光电子的最大初动能与照射光的频率成正比 D.光电子的最大初动能随照射光频率的增大而增大
6、用绿光照射一光电管能产生光电效应,欲使光电 子从阴极逸出时的最大初动能增大应( )
A.改用红光照射
B.增大绿光的强度
D
C.增大光电管上的加速电压
探究光电流的大小
光电效应实验的实验报告(3篇)
第1篇一、实验目的1. 了解光电效应的基本规律。
2. 验证爱因斯坦光电效应方程。
3. 掌握用光电效应法测定普朗克常量的方法。
4. 学会用作图法处理实验数据。
二、实验原理光电效应是指当光照射在金属表面时,金属表面会发射出电子的现象。
这一现象揭示了光的粒子性,即光子具有能量和动量。
爱因斯坦在1905年提出了光量子假说,认为光是由光子组成的,每个光子的能量与其频率成正比。
光电效应方程为:\(E = h\nu - W_0\),其中 \(E\) 为光电子的最大动能,\(h\) 为普朗克常量,\(\nu\) 为入射光的频率,\(W_0\) 为金属的逸出功。
三、实验仪器与材料1. 光电效应实验仪2. 汞灯3. 干涉滤光片4. 光阑5. 高压灯6. 微电流计7. 电压表8. 滑线变阻器9. 专用连接线10. 坐标纸四、实验步骤1. 将实验仪及灯电源接通,预热20分钟。
2. 调整光电管与灯的距离为约40cm,并保持不变。
3. 用专用连接线将光电管暗箱电压输入端与实验仪电压输出端连接起来。
4. 将电流量程选择开关置于所选档位(-2V-30V),进行测试前调零。
5. 调节好后,用专用电缆将电流输入连接起来,系统进入测试状态。
6. 将伏安特性测试/遏止电压测试状态键切换到伏安特性测试档位。
7. 调节电压调节的范围为-2~30V,步长自定。
8. 记录所测UAK及I的数据,在坐标纸上绘制UAK-I曲线。
9. 重复以上步骤,改变入射光的频率,记录不同频率下的UAK-I曲线。
10. 根据UAK-I曲线,计算不同频率下的饱和电流和截止电压。
11. 利用爱因斯坦光电效应方程,计算普朗克常量。
五、实验数据整理与归纳1. 不同频率下的UAK-I曲线(附图)2. 不同频率下的饱和电流和截止电压3. 计算得到的普朗克常量六、实验结果与分析1. 根据实验数据,绘制不同频率下的UAK-I曲线,可以看出随着入射光频率的增加,饱和电流逐渐增大,但增速逐渐减小。
光电效应知识点归纳
光电效应知识点归纳张阿兵高考(全国卷)命题分析1.考查方式:高考对本部分内容考查形式比较固定,一般比较单一的考查某个知识点,且知识点相对比较单一,题型为选择题和填空题.2.命题趋势:由于本部分内容涉及点较多,且已经改为必考内容,今后的命题将向着多个考点融合的方向发展,且以选择题的形式考查.光电效应是指在光的作用下,从物体表面释放电子的现象。
这种现象是1887年赫兹研究电磁波时发现的,1905年爱因斯坦提出“光量子”假设,并用光电方程成功的解释了这一实验结果。
约十年后密立根用实验证实了爱因斯坦的光电子理论,并测定了普朗克常数。
爱因斯坦与密立根都因光电效应方面的杰出贡献分别获得1921年和1923年的诺贝尔物理学奖。
而今光电效应已经广泛地应用于各科技领域。
如利用光电效应制成的光电管、光电池、光电倍增管等光电转换器件,把光学量转换成电学量来测量,已成为石油钻井、传真电报、自动控制等生产和科研中不可缺少的元件。
光电效应1.定义:金属在光的照射下发射电子的现象称为光电效应,发射出来的电子称为光电子.2.光电管:光电管是由密封在玻璃壳内的阴极和阳极组成.阴极表面涂有碱金属,容易在光的照射下发射电子. 3.光电流:阴极发出的光电子被阳极收集,在回路中会形成电流,称为光电流. 4.极限频率对于每一种金属,只有当入射光的频率大于某一频率ν0时,才会产生光电流,ν0称为极限频率(也叫截止频率). 5.光电效应规律(1)每种金属都有一个极限频率,入射光的频率必须大于等于这个极限频率才能产生光电效应. (2)光电子的最大初动能与入射光的强度无关,只随入射光频率的增大而增大. (3)光电效应的发生几乎是瞬时的,一般不超过10-9s.(4)当入射光的频率大于极限频率时,饱和光电流的大小与入射光的强度成正比. 光子说对光电效应的解释(1)由于光的能量是一份一份的,那么金属中的电子也只能一份一份地吸收光子的能量,而且这个传递能量的过程只能是一个光子对一个电子的行为.如果光的频率低于极限频率,则光子提供给电子的能量不足以克服原子的束缚,就不能发生光电效应.(2)当光的频率高于极限频率时,能量传递给电子以后,电子摆脱束缚要消耗一部分能量,剩余的能量以光电子的动能形式存在,这样光电子的最大初动能E k =12mv 2max =hν-W 0,其中W 0为金属的逸出功,可见光的频率越高,电子的最大初动能越大.而遏止电压U 0对应着光电子的最大初动能,即eU 0=12mv 2max .所以当W 0一定时,U 0只与入射光的频率ν有关,与光照强弱无关.(3)电子一次性吸收光子的全部能量,不需要积累能量的时间,所以光电效应的发生几乎是瞬时的.(4)发生光电效应时,单位时间内逸出的光电子数与光强度成正比,光强度越大意味着单位时间内打在金属上的光子数越多,那么逸出的光电子数目也就越多,光电流也就越大. 两条对应关系(1)光照强度大→光子数目多→发射光电子多→光电流大; (2)光子频率高→光子能量大→光电子的最大初动能大. 6.光电效应的产生条件入射光的频率大于等于金属的极限频率. 7. 三个关系式(1)爱因斯坦光电效应方程:hν=12mv2+W.(2)最大初动能与遏止电压的关系:E k=eU0.(3)逸出功与极限频率的关系W=hν0.(逸出功的大小由金属本身决定,与入射光无关.)理解:光电效应方程揭示的是:光子照射金属时,金属表面的电子吸收光子能量(一个光子对一个电子)后,为了脱离原子核及周围电子的阻力,必须克服中金属中正电荷引力做功即W0。
电子信息材料第三章
光电阈决定于χ+Eg χ小,光电阈向红外推移,红限长; Eg小,光电阈亦应向红外推移,但Eg不 宜太小,太小反而对光电 C [ hν − ( χ + Eg )]
C是常数,
Y ( hν ) =
3 2
[ hν − ( χ + Eg )] B ( hν ) [ hν − ( χ + Eg )] + γ
光电阈决定于χ+Eg 若Eg小于1ev,则Eth比3.1ev小很多, 这样对大部分可见光波长逸出深度都很 小,也就不能达到增加阈波长的目的。 若材料χ+Eg太低,将引起大的热发射, 这就是光电器件中最不希望有的暗电流。
好的光电阴极材料 禁带宽度Eg值都是1ev左右 以上讨论不适合负(零)电子亲和势光 电阴极,因为这时会出现量子产额大于 1的情况。
Emax
1 2 = mvmax = eVr = h(ν −ν 0 ) 2
h为普朗克常数 m为电子质量 vmax是光电子初速度的最大值 ν0称为极限频率
光强不变时的I-V曲线
能量守恒定律:
1 2 hν = A + m v + hν 0 2
光子能量hν 光电子克服表面势垒给出能量hν0 非弹性碰撞损失能量A 光电子进入真空具有动能mv2/2 若A=0,则 1 hν = m v m ax 2 + hν 0 2 hν0就是金属的逸出功
§3-4
半导体的表面态和有效电 子亲和势
1.半导体的表面态 由于表面价键的不完整而在晶体表面 出现的电子能量状态,称为表面态或表面 能级。 能级密度约1015/cm2与不完整键密度相当 电子在表面能级上填充的多少可用表面费 米能级EFs来表示
表面态能级
2.表面能带弯曲 N型表面态杂质:表面吸附原子给出电子 而它本身带正电 P型表面态杂质:表面吸附原子接受电子 而它本身带负电
光电效应资料
【1】光电效应1、光电效应是物理学中一个重要而神奇的现象,在光的照射下,某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流,即光生电。
赫兹于1887年发现光电效应,爱因斯坦第一个成功的解释了光电效应。
金属表面在光辐照作用下发射电子的效应,发射出来的电子叫做光电子。
光波长小于某一临界值时方能发射电子,即极限波长,对应的光的频率叫做极限频率。
临界值取决于金属材料,而发射电子的能量取决于光的频率而与光强度无关,这一点无法用光的波动性解释。
还有一点与光的波动性相矛盾,即光电效应的瞬时性,按波动性理论,如果入射光较弱,照射的时间要长一些,金属中的电子才能积累足够的能量,飞出金属表面。
可事实是,只要光的频率高于金属的极限频率,光的亮度无论强弱,光子的产生都几乎是瞬时的,不超过十的负九次方秒。
正确的解释是光必定是由与波长有关的严格规定的能量单位(即光子或光量子)所组成。
光电效应里,电子的射出方向不是完全定向的,只是大部分都垂直于金属表面射出,与光照方向无关,光是电磁波,但是光是高频震荡的正交电磁场,振幅很小,不会对电子射出方向产生影响.光电效应说明了光具有粒子性。
相对应的,光具有波动性最典型的例子就是光的色散。
只要光的频率超过某一极限频率,受光照射的金属表面立即就会逸出光电子,发生光电效应。
当在金属外面加一个闭合电路,加上正向电源,这些逸出的光电子全部到达阳极便形成所谓的光电流。
在入射光一定时,增大光电管两极的正向电压,提高光电子的动能,光电流会随之增大。
但光电流不会无限增大,要受到光电子数量的约束,有一个最大值,这个值就是饱和电流。
所以,当入射光强度增大时,根据光子假设,入射光的强度(即单位时间内通过单位垂直面积的光能)决定于单位时间里通过单位垂直面积的光子数,单位时间里通过金属表面的光子数也就增多,于是,光子与金属中的电子碰撞次数也增多,因而单位时间里从金属表面逸出的光电子也增多,饱和电流也随之增大。
光电效应的衍生(一)反常光生伏特效应:光生伏特效应一般光生电压不会超过Vg=Eg/e,但某些薄膜型半导体被强白光照射会出现比Vg高的多的光生电压,称反常光生伏特效应。
光电效应的原理
光电效应的原理光电效应是指当光照射到金属表面时,金属中的电子被激发并逸出金属表面的现象。
这一现象的发现对于量子力学的发展具有重要意义,也为后来的光子理论提供了实验证据。
光电效应的原理主要包括光子能量的传递和电子的逸出两个方面。
首先,光电效应的原理之一是光子能量的传递。
光子是光的基本单位,它具有一定能量。
当光照射到金属表面时,光子的能量会传递给金属中的电子。
这个过程可以用光子的能量公式E=hf来描述,其中E代表光子的能量,h代表普朗克常数,f代表光子的频率。
当光子的能量大于金属中电子的逸出功函数时,光子的能量就足以激发电子逸出金属表面。
其次,光电效应的原理还包括电子的逸出。
金属中的电子受到光子的能量激发后,会克服金属对电子的束缚力,逸出金属表面成为自由电子。
这个过程可以用能量守恒定律和动量守恒定律来解释。
根据能量守恒定律,光子的能量转化为电子的动能和逸出功函数。
而根据动量守恒定律,光子的动量与电子的动量之和在逸出过程中保持不变。
因此,当光子的能量足够大时,金属中的电子就可以逸出金属表面,形成电子云,从而产生光电流。
光电效应的原理不仅在理论上具有重要意义,而且在实际应用中也有着广泛的应用。
例如,光电效应被应用于光电池中,利用光子的能量激发电子,产生电流,实现光能转化为电能。
此外,光电效应还被应用于光电倍增管、光电导航等技术中,发挥着重要作用。
总之,光电效应的原理涉及光子能量的传递和电子的逸出两个方面。
通过光子的能量传递和电子的逸出,光电效应实现了光能到电能的转化,具有重要的理论意义和实际应用价值。
深入理解光电效应的原理,有助于我们更好地应用光电技术,推动科技的发展,实现能源的可持续利用。
高中物理光电效应知识点
一、光电效应和氢原子光谱知识点一:光电效应现象 1.光电效应的实验规律(1)任何一种金属都有一个极限频率,入射光的频率必须大于这个极限频率才能发生光电效应,低于这个极限频率则不能发生光电效应.(2)光电子的最大初动能与入射光的强度无关,其随入射光频率的增大而增大. (3)大于极限频率的光照射金属时,光电流强度(反映单位时间内发射出的光电子数的多少)与入射光强度成正比.(4)金属受到光照,光电子的发射一般不超过10-9_s. 2.光子说爱因斯坦提出:空间传播的光不是连续的,而是一份一份的,每一份称为一个光子,光子具有的能量与光的频率成正比,即:ε=hν,其中h =6.63×10-34 J·s.3.光电效应方程(1)表达式:hν=E k +W 0或E k =hν-W 0.(2)物理意义:金属中的电子吸收一个光子获得的能量是hν,这些能量的一部分用来克服金属的逸出功W 0,剩下的表现为逸出后电子的最大初动能E k =12m v 2.知识点二: α粒子散射实验与核式结构模型1.卢瑟福的α粒子散射实验装置(如图13-2-1所示) 2.实验现象绝大多数α粒子穿过金箔后,基本上仍沿原来的方向前进,但少数α粒子发生了大角度偏转,极少数α粒子甚至被撞了回来.如图13-2-2所示.α粒子散射实验的分析图3.原子的核式结构模型在原子中心有一个很小的核,原子全部的正电荷和几乎全部质量都集中在核里,带负电的电子在核外空间绕核旋转.知识点三:氢原子光谱和玻尔理论 1.光谱(1)光谱:用光栅或棱镜可以把光按波长展开,获得光的波长(频率)和强度分布的记录,即光谱. (2)光谱分类有些光谱是一条条的亮线,这样的光谱叫做线状谱. 有的光谱是连在一起的光带,这样的光谱叫做连续谱. (3)氢原子光谱的实验规律.巴耳末线系是氢原子光谱在可见光区的谱线,其波长公式1λ=R (122-1n2)(n =3,4,5,…),R 是里德伯常量,R =1.10×107 m -1,n 为量子数.2.玻尔理论(1)定态:原子只能处于一系列不连续的能量状态中,在这些能量状态中原子是稳定的,电子虽然绕核运动,但并不向外辐射能量.(2)跃迁:原子从一种定态跃迁到另一种定态时,它辐射或吸收一定频率的光子,光子的能量由这两个定态的能量差决定,即hν=E m -E n .(h 是普朗克常量,h =6.63×10-34 J·s)(3)轨道:原子的不同能量状态跟电子在不同的圆周轨道绕核运动相对应.原子的定态是不连续的,因此电子的可能轨道也是不连续的.点拨:易错提醒(1)一群氢原子跃迁发出可能的光谱线数为N =C 2n=n ?n -1?2,一个氢原子跃迁发出可能的光谱线数最多为(n -1).(2)由能级图可知,由于电子的轨道半径不同,氢原子的能级不连续,这种现象叫能量量子化. 考点一:对光电效应的理解 1.光电效应的实质光子照射到金属表面,某个电子吸收光子的能量使其动能变大,当电子的动能增大到足以克服原子核的引力时,便飞出金属表面成为光电子.2.极限频率的实质光子的能量和频率有关,而金属中电子克服原子核引力需要的能量是一定的,光子的能量必须大于金属的逸出功才能发生光电效应.这个能量的最小值等于这种金属对应的逸出功,所以每种金属都有一定的极限频率.3.对光电效应瞬时性的理解光照射到金属上时,电子吸收光子的能量不需要积累,吸收的能量立即转化为电子的能量,因此电子对光子的吸收十分迅速.4.图13-2-4光电效应方程电子吸收光子能量后从金属表面逸出,其中只有直接从金属表面飞出的光电子才具有最大初动能,根据能量守恒定律,E k=hν-W0.如图13-2-4所示.5.用光电管研究光电效应(1)常见电路(如图13-2-5所示)图13-2-5(2)两条线索①通过频率分析:光子频率高→光子能量大→产生光电子的最大初动能大.②通过光的强度分析:入射光强度大→光子数目多→产生的光电子多→光电流大.(3)常见概念辨析规律总结:(1)光电子也是电子,光子的本质是光,注意两者的区别.(2)在发生光电效应的过程中,并非所有光电子都具有最大初动能,只有从金属表面直接发出的光电子初动能才最大.考点二:氢原子能级和能级跃迁1.氢原子的能级图能级图如图13-2-6所示.图13-2-62.能级图中相关量意义的说明相关量意义能级图中的横线表示氢原子可能的能量状态——定态横线左端的数字“1,2,3…”表示量子数横线右端的数字“-13.6,-3.4…”表示氢原子的能量相邻横线间的距离表示相邻的能量差,量子数越大相邻的能量差越小,距离越小带箭头的竖线表示原子由较高能级向较低能级跃迁,原子跃迁的条件为hν=E m-E n3.关于光谱线条数的两点说明(1)一群氢原子跃迁发出可能的光谱线条数为N=C2n=n?n-1?2.(2)一个氢原子跃迁发出可能的光谱线条数最多为(n-1).二、核反应和核能知识点一:天然放射现象和衰变1.天然放射现象(1)天然放射现象.元素自发地放出射线的现象,首先由贝可勒尔发现.天然放射现象的发现,说明原子核具有复杂的结构.(2)放射性和放射性元素.物质发射某种看不见的射线的性质叫放射性.具有放射性的元素叫放射性元素.(3)三种射线:放射性元素放射出的射线共有三种,分别是α射线、β射线、γ射线. (4)放射性同位素的应用与防护.①放射性同位素:有天然放射性同位素和人工放射性同位素两类,放射性同位素的化学性质相同. ②应用:消除静电、工业探伤、作示踪原子等. ③防护:防止放射性对人体组织的伤害. 2.原子核的衰变(1)原子核放出α粒子或β粒子,变成另一种原子核的变化称为原子核的衰变. (2)分类α衰变:A Z X →A -4Z -2Y +42Heβ衰变:A Z X → A Z +1Y + 0-1e(3)半衰期:放射性元素的原子核有半数发生衰变所需的时间.半衰期由原子核内部的因素决定,跟原子所处的物理、化学状态无关.点拨:易错提醒知识点二:核反应和核能 1.核反应在核物理学中,原子核在其他粒子的轰击下产生新原子核的过程.在核反应中,质量数守恒,电荷数守恒.2.核力核子间的作用力.核力是短程力,作用范围在1.5×10-15 m 之内,只在相邻的核子间发生作用. 3.核能核子结合为原子核时释放的能量或原子核分解为核子时吸收的能量,叫做原子核的结合能,亦称核能.4.质能方程、质量亏损爱因斯坦质能方程E =mc 2,原子核的质量必然比组成它的核子的质量和要小Δm ,这就是质量亏损.由质量亏损可求出释放的核能ΔE =Δmc 2.【考点解析:重点突破】考点一:衰变和半衰期 1.原子核衰变规律衰变类型 α衰变β衰变 衰变方程 A Z X →A -4Z -2Y +42HeA Z X → A Z +1Y + 0-1e 衰变实质2个质子和2个中子结合成一个整体抛射出中子转化为质子和电子211H +210n →42He10n →11H + 0-1e衰变规律电荷数守恒、质量数守恒、动量守恒2.对半衰期的理解(1)根据半衰期的概念,可总结出公式N 余=N 原(12)t /τ,m 余=m 原(12)t /τ式中N 原、m 原表示衰变前的放射性元素的原子核数和质量,N 余、m 余表示衰变后尚未发生衰变的放射性元素的原子核数和质量,t 表示衰变时间,τ表示半衰期.(2)影响因素:放射性元素衰变的快慢是由原子核内部因素决定的,跟原子所处的物理状态(如温度、压强)或化学状态(如单质、化合物)无关. 考点二:核反应方程的书写类型 可控性 核反应方程典例衰变α衰变 自发 238 92U →234 90Th +42Heβ衰变 自发 234 90Th →23491Pa + 0-1e 人工转变 人工控制147N+42He→178O+11H (卢瑟福发现质子)42He+94Be→126C+10n (查德威克发现中子)2713Al+42He→3015P+10n30 15P→3014Si+0+1e约里奥—居里夫妇发现放射性同位素,同时发现正电子重核裂变比较容易进行人工控制23592U+1n→14456Ba+8936Kr+310n23592U+1n→13654Xe+9038Sr+1010n轻核聚变目前无法控制21H+31H→42He+10n规律总结(1)核反应过程一般都是不可逆的,所以核反应方程只能用单向箭头表示反应方向,不能用等号连接.(2)核反应的生成物一定要以实验为基础,不能凭空只依据两个守恒规律杜撰出生成物来写核反应方程.(3)核反应遵循质量数守恒而不是质量守恒;遵循电荷数守恒.考点三:核能的产生和计算1.获得核能的途径(1)重核裂变:重核俘获一个中子后分裂成为两个中等质量的核的反应过程.重核裂变的同时放出几个中子,并释放出大量核能.为了使铀235裂变时发生链式反应,铀块的体积应大于它的临界体积.(2)轻核聚变:某些轻核结合成质量较大的核的反应过程,同时释放出大量的核能,要想使氘核和氚核合成氦核,必须达到几百万度以上的高温,因此聚变反应又叫热核反应.2.核能的计算方法(1)应用ΔE=Δmc2:先计算质量亏损Δm,注意Δm的单位1 u=1.66×10-27 kg,1 u相当于931.5 MeV 的能量,u是原子质量单位.(2)核反应遵守动量守恒和能量守恒定律,因此我们可以结合动量守恒和能量守恒定律来计算核能.规律总结根据ΔE=Δmc2计算核能时,若Δm以千克为单位,“c”代入3×108_m/s,ΔE的单位为“J”;若Δm 以“u”为单位,则由1u c2=931.5_MeV得ΔE=Δm×931.5_MeV.。
光电效应
光电效应•关于电磁波入射到物体表面导致其电导率变化的现象,或电磁波辐射入射到物体表面导致其内部产生电动势的现象,详见“内光电效应”。
光电效应示意图:来自左上方的光子冲击到金属板,将电子逐出金属板,并且向右上方移去。
光电效应(Photoelectric Effect)是指光束照射在金属表面会使其发射出电子的物理效应。
发射出来的电子称为“光电子”。
要发生光电效应,光的频率必须超过金属的特征频率。
1887年,德国物理学者海因里希·赫兹发现,紫外线照射到金属电极上,可以帮助产生电火花。
1905年,阿尔伯特·爱因斯坦发表论文《关于光产生和转换的一个启发性观点》,给出了光电效应实验数据的理论解释。
爱因斯坦主张,光的能量并非均匀分布,而是负载于离散的光量子(光子),而这光子的能量和其所组成的光的频率有关。
这个突破性的理论不但能够解释光电效应,也推动了量子力学的诞生。
由于“他对理论物理学的成就,特别是光电效应定律的发现”,爱因斯坦获颁1921年诺贝尔物理学奖。
在研究光电效应的过程中,物理学者对光子的量子性质有了更加深入的了解,这对波粒二象性概念的提出有重大影响。
除了光电效应以外,在其它现象里,光子束也会影响电子的运动,包括光电导效应、光伏效应、光电化学效应(photoelectrochemical effect)。
理论概述光束里的光子所拥有的能量与光的频率成正比。
假若金属里的自由电子吸收了一个光子的能量,而这能量大于或等于某个与金属相关的能量阀值(称为这种金属的逸出功),则此电子因为拥有了足够的能量,会从金属中逃逸出来,成为光电子;[注1]若能量不足,则电子会释出能量,能量重新成为光子离开,电子能量恢复到吸收之前,无法逃逸离开金属。
增加光束的辐照度(光束的强度)会增加光束里光子的密度,在同一段时间内激发更多的电子,但不会使得每一个受激发的电子因吸收更多的光子而获得更多的能量。
换言之,光电子的能量与辐照度无关,只与光子的能量、频率有关。
光电效应
光电效应学习目标:(1)了解光电效应的实验规律,理解极限频率和逸出功的概念。
(2)知道光子的能量由频率决定,会用公式计算光子能量。
(3)理解光电效应方程,能用它分析光电效应规律。
重点与难点重点:(1)光电效应现象(2)光电效应规律(3)光子说难点:(1)光电效应规律(2)光子说及其对光电效应的解释(3)爱因斯坦光电效应方程。
知识讲解:一、光电效应现象在光(包括不可见光)的照射下从物体发射出电子的现象,叫做光电效应(photoelectric effect),发射出的电子叫做光电子(photoelectron)。
二、光电效应实验规律用下图所示的装置研究光电效应,得到如下四条实验规律(1)、任何一种金属都有一个极限频率,入射光的频率必须大于这个极限频率才能发生光电效应,低于这个极限频率不能产生光电效应,不同金属的极限频率不同。
(2)、光电子的最大初动能与入射光强度无关,只随入射光的频率的增大而增大。
(3)、金属表面被光照射可在10-9s的时间内打出光电子,即光电效应几乎是瞬时发生的。
(4)、在单位时间里从K极发射出的光电子数跟入射光的强度成正比,即光电流的大小与入射光的强度成正比。
三、光子(1)、光电效应与光的电磁理论的矛盾矛盾之一:光的能量与频率有关,而不像波动理论中应由振幅决定。
按光的波动理论,不论光的频率如何,只要照射时间足够长或光的强度足够大就可以产生光电效应,但实验结果表明:产生光电效应的条件却是入射光频率大于某一极限频率,且光电子的最大初动能与入射光频率成线性关系,均与光强度无关。
根据能量的观点,电子要从物体中飞出,必须使之具有一定的能量,而这一能量只能来源于照射光,为什么实验表明发射电子的能量与照射光的光强度无关,而与光的频率有关?这个问题曾使物理界大为困惑,使经典的光的波动理论面临挑战。
矛盾之二:光电效应产生的时间极短。
电子吸收光的能量是瞬时完成的,而不像波动理论所预计的那样可能逐渐积累。
光电效应与光电元件
微弱 光照
紫外光电管
当入射紫外线照射 在紫外管阴极板上时, 电子克服金属表面对它 的束缚而逸出金属表面, 形成电子发射。紫外管 多用于紫外线测量、火 焰监测等。可见光较难 引起光电子的发射。
pn结中的电场强度可达10vmm数量级因此能将光子所产生的光电子加速到具有很高的动能撞击其他原子产生新的电子空穴对如此多次碰撞以致最终造成载流子按几何级数剧增的雪崩效应形成对原始光电流的放大作用增益可达几千倍而雪崩产生和恢复所需的时间可小于10ns适用于微光信号检测以及长距离光纤通信可以取代光电倍增管
金属的硫化物(如CdS)、硒化物、碲化物等半导体。 半导体的导电能力取决于半导体载流子数目的多少。 当光敏电阻受到光照时,若光子能量hf大于该半导体 材料的禁带宽度,则价带中的电子吸收光子能量后, 跃迁到导带,成为自由电子,同时产生空穴,电子-空 穴对的出现使电阻率变小。光照越强,光生电子-空穴 对就越多,阻值就越低。入射光消失,电子-空穴对逐 渐复合,电阻也逐渐恢复原值。
APD光敏二极管的PN结、内部电场分布 及电子倍增
APD载流子雪崩式倍增示意图
APD光敏二极管的 外形及用途
APD二极管适用于微光测 量和光纤通信。
GD3250系列硅雪崩光电二极管的特性参数
参数
单位 GD3250-A GD3250-B GD3250-C
光敏面直径 mm
0.2
0.5
0.8
工作电压
光电管电路及特性
金属阳极a和阴极k封装在一
个石英玻璃壳内。当入射光照
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§1.4 光电子发射效应
光电子发射效应:金属或半导体受光照射,如果光子能量足够大可以使电子从材料表面逸出,此现象叫光电子发射效应。
发射出来的电子称为光电子,可以发射光电子的物体称为光电发射体。
光电子形成的电流即为光电流。
1、光电发射的基本定律
光电发射定律的依据:爱因斯坦的光量子理论
返回
h
ν
¾光辐射具有粒子性,每个光子的能量是。
只要光子能量足够大,一个光子可以激发一个电子从发射体逸出。
¾光辐射的强度越大,光子数越多,激发的电子数也越多。
因此光电流与入射光强成正比。
1
¾入射光频率越高,光子能量越大,电子吸收光子能量后,除了付出为逸出表面所需要的逸出功外,留下的动能越大。
由此得出光电发射的基本定律
(1)斯托列托夫定律(光电发射第一定律)
当入射光的频率成分不变时,饱和光电流与入射的光辐射强度成正比。
链接(2)爱因斯坦定律(光电发射第二定律)
光电发射体发射的光电子的最大动能随入射光频率的增大而线性增加,与入射光强无关。
即爱因斯坦方程
1 2mv2=ν−
h
max
E
w
m:光电子质量,v max:出射光电子的初始速度,E w:逸出功。
2
(3)光电发射的红限
上式中,令v max= 0,得
E w124
hc.
νo=或()
λo==μ
m
h E E(eV)
w w
λo
ν
、称为红阈波长和红阈频率。
此时,光电子刚能从阴极逸出o
a、金属
金属中自由电子的能量服从费米分布,电子主要占据费米能级以下的能量状态。
金属逸出功:电子从金属中逸出需要的最小能量。
E w = E o – E F表面势垒的高度E o:真空中电子的最低能量状态。
红阈频率νo=E
w
h
3
T > 0K,E F之上有少量电子,忽略。
爱因斯坦定律在T = 0K时正确,在T > 0K近似成立。
b、半导体
电子亲和力: 导带底上的电子向真空逸出时所需的最小能量。
E A = E o – E c
半导体光电子发射的逸出功
本征发射E w = E g + E A = E th 光电子发射的能量阈值
杂质发射n型E w =ΔE d + E A
p型E w = E g + E A - ΔE a
E
4
νo=
w
红阈频率h
2、光电子发射的过程
光电发射是一种体效应,其过程分三个步骤:
第一步:体内电子吸收光子能量被激发跃迁到高能级;
第二步:被激发的电子向表面运动,运动过程中会与其它电子或晶格碰撞,失去部分能量;
第三步:克服表面势垒的束缚逸出表面。
表面势垒的产生:
金属中存在大量自由电子。
在通常条件下,可能会有一部分电子克服原子核的库仑力作用逸出表面。
但这些逸出电子对金属有感应作用,使金属中的电荷重新分布,在表面出现与电子等量的正电荷。
逸出电子受到这种正电荷作用,动能减小,不能远离金属。
在金属表面形成偶电层,阻碍电子向外逸出,即表面势垒。
在半导体中,表面势垒是由于半导体缺陷和表面晶格不连续产
5
生的,与电子亲和力有关。
3、光电阴极
应用中,光电发射体作为阴极,根据照射光的入射方向不同可以分为反射式和透射式两种。
反射式:将光电发射体涂覆在不透明的金属上,当光从真空界面入射到光电阴极上,光电子从同一表面向外发射。
透射式:将光电发射体涂覆在透明的基底上,当光从真空与基底的界面入射时,光电子从另一表面发射。
光电阴极材料:金属,半导体,表面吸附一层其它元素的金属判断好的光电发射体的三个主要因素:
•光吸收系数大;
•电子在体内运动过程中能量损失小;
量子效率高
•表面势垒作用小。
金属与半导体相比较:
(1)金属对可见光和红外光是高反射,可达90%;对紫外光吸收大,因此多用在紫外探测。
半导体材料反射损失小,尤其对光子能量大于禁带宽度的光辐射吸收很大,因此在可见光区和红外区用半导体光电阴极。
7
(2)金属中自由电子多,光电子在运动中与其碰撞能量损失大,因此,只有靠近表面的电子才对光电子发射有贡献。
半导体中光电子主要与晶格碰撞,能量损失小,远离界面的电子也能够到达表面。
(3)金属的表面势垒作用大。
金属的逸出功为真空能级与费米能级之差,几乎都大于2eV,阈值波长小于0.6μm。
半导体因电子亲和力小,其逸出功多在2eV以下,适用于长波长探测。
8
4、负电子亲和力
对于半导体材料来说,电子的亲和力对逸出功的影响非常大,减小亲和力就可以减小电子逸出功,从而提高量子效率。
对于单一一种半导体材料,亲和力E A > 0,能量阈值较大。
用两种不同材料可以产生负电子亲和力。
在p型材料的表面涂一层极薄的n型材料,接触面类似于p-n 结。
9
能带结构
原来p型材料的能量阈值
E
= E A1 + E g1
th
表面涂n型材料后能带向下弯曲,表面能量降低,电子从n型
材料逸出时的亲和力为E A2。
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对于p型材料来说,体内电子要克服的亲和力为E Ae
c
E=−Δ
Ae E E
A2
ΔE> 如果选取合适的材料,使
c E,此时有E Ae < 0,出现了
A2
负电子亲和力,称为NEA。
显然,具有负电子亲和力的光电子发射材料其量子效率很高。
例:Cs, Cs2O涂在Si上可产生负电子亲和力。
11。