半导体材料导论(9)PPT课件

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半导体材料导论描述课件

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半导体材料在集成电路、微电 子器件、光电子器件等领域发 挥着关键作用,推动着科技的 进步与发展。
半导体材料在能源转换和存储 、传感器、生物医疗等领域也 具有广泛应用,为人类生活带 来便利。
半导体材料的发展趋势与前景
随着科技的不断发展,新型半导体材 料不断涌现,如二维材料、氧化物半 导体等,具有更优异的性能和更广泛 的应用前景。
硅基半导体是指以硅为基底制造 的半导体材料。自20世纪50年 代以来,硅基半导体一直是半导
体产业的主流技术。
目前,硅基半导体在集成电路、 微电子、光电子、通信等领域得 到了广泛应用,是现代信息技术
的基石之一。
随着技术的不断进步,硅基半导 体的性能不断提高,制造成本不 断降低,使得其应用领域不断拓
展。
半导体材料导论描述 课件
目录
• 半导体材料简介 • 半导体材料的物理性质 • 半导体材料的制备与加工 • 半导体材料的发展趋势与挑战 • 案例分析:硅基半导体的应用与发展 • 总结与展望
CHAPTER 01
半导体材料简介
半导体的定义与特性
总结词
半导体的导电能力介于金属和绝缘体之间,其导电能力随温度、光照和杂质等因 素发生变化。
硅基半导体的优势与局限性
硅基半导体的优势在于其成熟度高、 可靠性好、稳定性高、制造成本低等 。
然而,硅基半导体的局限性也很明显 ,如硅材料的带隙较窄、光电性能较 差等,限制了其在某些领域的应用。
硅基半导体的未来发展方向
1
随着科技的不断发展,硅基半导体将继续在高性 能计算、物联网、人工智能等领域发挥重要作用 。
详细描述
半导体是指那些在一定条件下能够导电的材料,其导电能力随温度、光照和杂质 等因素发生变化。在常温下,纯净的半导体通常表现为绝缘体,但当温度升高或 受到光照等外部因素影响时,其导电性能会显著增强。

半导体材料总结ppt课件

半导体材料总结ppt课件

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GaAs电学性质
电子迁移率高达 8000cm2 VS
GaAs中电子有效质量为自由电子的1/15, 是硅电子的1/3
用GaAs制备的晶体管开关速度比硅的快 3~4倍
高频器件,军事上应用
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本征载流子浓度
T 3 0 0 K n i 1 .3 1 0 6/c m 3
体心原子的划分,属于每个晶胞 1
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9
(c)面心立方晶体 6个面中心各有1个原子, 6*1/2=3原子; 8个顶角各有1个原子,8*1/8=1个原子。 每个面心立方晶胞有4个原子。
ppt课件. 面心原子的划分,属于每个晶胞 110/2
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(2)半导体材料的能带结构
间接带隙结构 直接带隙结构
∶ ∶
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4
4
按组成
元素半导体 无机半导体
化合物半导体
有机半导体
按结构
晶体
单晶半导体 多晶半导体
非晶、无定形半导体
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5
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3.半导体材料的基本性质及应用
(1)半导体的晶体结构 (2)半导体的能带结构 (3) 半导体的杂质和缺陷 (4) 半导体的电学性质 (5) 半导体的光学性质
带隙大小
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(3) 半导体的杂质和缺陷
轻掺杂
掺杂浓度为1017 cm-3 杂质离子100%电离
中度掺杂 掺杂浓度为1017~1019 cm-3 载流子浓度低于掺杂浓度
重掺杂 掺杂浓度大于1019 cm-3
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硅中的杂质
1. n型掺杂剂:P,As,Sb

半导体基本知识(PPT课件)

半导体基本知识(PPT课件)

例开关电路如图所示.输入信号U1是幅值为5V频率为 1KHZ的脉冲电压信号.已知 β=125,三极管饱和时 UBE=0.7V,UCES=0.25V.试分析电路的工作状态和输出电压 的波形
三极管的三种接法
• 共射极电路: • 共基极电路: • 共集极电路(射极跟随器)
MOS场效应管
• 压控电流源器件 • 分类:
• 难点:
– 1、载流子运动规律与器件外部特性的关系。 只须了解,不必深究
半导体基本知识
• 半导体:
– 定义:导电性能介于导体和绝缘之间的物质 – 材料:常见硅、锗 – 硅、锗晶体的每个原子均是靠共价键紧密
结合在一起。
本征半导体
• 本征半导体:纯净的半导体。0K时,价电子
不能挣脱共价键而参与导电,因此不导电。随 T上升晶体中少数的价电子获得能量。挣脱共 价键束缚,成为自由电子,原来共价键处留下 空位称为空穴。空穴与自由电子统称载流子。 • 自由电子:负电荷 • 空穴:正电荷 • 不导电– 增强源自、耗尽型 – PMOS管、NMOS管
• 特性曲线
– 转移特性曲线 – 输出特性曲线
MOS场效应管的主要参数
• 直流参数:
– 开启电压 UTN,UTP – 输入电阻 rgs
• 交流参数:
– 跨导gm – 导通电阻Rds – 极间电容
例NMOS管构成反相器如图示,其主要参数为UTN=2.0V, gM=1.3MA/V,rDS(ON)=875,电源电压UC=12V。输入脉 冲电压源辐值为5V,频率为1KHZ。试分析电路的工作状 态及输出电压UO的波形。
限幅电路如图示:假设输入UI为一周期性矩形 脉冲,低电压UIL=-5V,高电压UIH=5V。
• 当输入UI为-5V时,二极管D截止, • 视为“开路”,输出UO=0V。 • 当输入UI为+5V时,二极管D导通, • 由于其等效电阻RD相对于负载电 • 阻R的值小得多,故UI基本落在R上, • 即UO=UI=+5V。

半导体器件的基础知识幻灯片PPT

半导体器件的基础知识幻灯片PPT
将而要施主出杂现质电因子失数去一大个于价空电穴子数成为或正空离穴子数。大而在于这电种子半数导。体 把 数中目载多流的子载主流要子是称自多数由 载电流子子,,自数由目电少子的带载负流子电 称荷少 数〔载Ne流ga子tiv。e〕是,自故由命电名为子N为型多半数导体还。是于空是穴用为这样多的数示,意取图 决 于表掺示。杂物质。少数载流子的浓度取决本征激发。
2. P型半导体
+4
+4
+4
+4
++43
+4
P型
+4
+4
+4
受主杂质
受主杂质容易获得一个价电子成为负离子,而在这种半 导体中载流子主要是空穴,空穴带正电荷〔Positive〕故命 名为P型半导体。于是用这样的示意图表示。
P型半导体中的多数载流子为空穴,少数载流子 为自由电子
1.1.4 PN结
1.PN结的形成
导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体, 这类材料大都是三、四、五价元素,主要有:硅、锗、磷、
硼、在砷这、铟里等,,我他们们的的电目阻的率不在是10研-3~究10半7欧导.厘体米材。料 , 而是借助半导体材料的特性来建立一些概念和术 语半,导体如材多料数的、广少泛数应用载,流并子不,是P因型为半它导们的体导、电N能型力半介 于导导体体与,绝P缘N体结之,间载,而流是子它的们扩具散有一与些漂重移要运特动性:, PN 结1〕的当正半反导偏体置受,到外PN界结光的和热导的通激与发截〔止本等征。激发〕时,
2.PN结的单向导电性
1〕PN结的电阻
2〕由导于通空的间含电义荷区中的载流子极少,故PN结 改 的的的降3在〕厚导截变外电多落实P止度通和 加P阻,在N用N。越,控 电P很 假结结中N厚是制 压大 设的电结,电指电,, 在偏阻上为P阻此阻P与 两置。的N了的称越P端结大区改大为大加呈小和变小给电,现与N、。P压反区低N空控常,之结的电间制在可越设体阻电P认P小电置NN值荷为。结阻偏结,区其所N的相置上的反电谓厚比电加厚之压P要度压上度,N全大,一,有结 称部定简以关的 为, 称偏置。

《半导体材料》课件

《半导体材料》课件

N型半导体
通过向半导体中掺入五价杂质,可以形成具有负 电荷的N型半导体。
PN结
PN结是由P型和N型半导体材料结合而成的结构, 具有重要的电子器件应用。
二极管
二极管是一种基本的半导体器件。它具有只允许 单向电流通过的特性。
4. 高级半导体器件
M Oபைடு நூலகம்FET
MOSFET是一种基于半导体材料 的重要集成电路组件,广泛应用 于电子设备中。
光电二极管
光电二极管是一种半导体器件, 可以将光能转换为电能,广泛用 于通信和光电领域。
激光二极管
激光二极管是利用半导体材料产 生激光的器件,应用于激光打印 机、激光通信等领域。
5. 应用领域
计算机芯片
半导体材料是计算机 芯片制造的基础,推 动了电子产品的快速 发展。
通信设备
半导体器件在无线通 信、移动通信等领域 中发挥着重要的作用。
光电子器件
光电子器件利用半导 体材料的特性,实现 光信号的检测和处理。
新能源领域
半导体材料在太阳能 电池、燃料电池等新 能源领域有着广泛的 应用。
6. 总结
半导体材料具有独特的电性能和广泛的应用。通过了解半导体的基本概念和器件原理,我们可以更好地理解现 代电子技术的发展和应用。期待未来半导体材料的更多突破和创新!
2. 基本概念
1 价带和导带
半导体中的价带和导带决定了电子的能量状态和传导性质。
2 禁带宽度
禁带宽度是指价带和导带之间的能量间隔,影响了半导体的导电性。
3 掺杂
通过掺杂杂质,可以改变半导体的导电性能,使其成为P型或N型半导体。
3. 掺杂与半导体器件
P型半导体
通过向半导体中掺入三价杂质,可以形成具有正 电荷的P型半导体。

半导体的基本知识讲义PPT讲稿

半导体的基本知识讲义PPT讲稿

2020/7/15
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• 施主和受主杂质均称为替位式杂质。
• 但事实上,一块半导体中常常同时含有施主和
受主杂质,当施主数量超过受主时,半导体就 是N型的,反之,受主数量超过施主时则是P 型的。
• 一般在N型单晶的生产中,通常以掺磷为主,
在P型单晶中以掺硼为主,目前太阳能单晶的 生产中,以掺硼的P型为主。
• 绝缘体——凡不能导电的物质均为绝缘体,
生活中常有的物质有橡胶,塑料,木材, 玻璃,陶瓷等都是不能导电的绝缘体,它 们的电阻率在10*E9欧姆半导体——在导体和绝缘体之间还有一种被称
为半导体的物质。主要有硅、锗、砷化镓、锑 化锢、磷化镓、磷化锢等。其中硅和锗为单一 元素的半导体,而砷化镓等为化合物半导体。
迹象。 2020/7/15
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晶向
• 晶体中由位于同一平面的原子所组成的平
面称为晶面,晶格中每一个平行排列的直 线方向称为晶向(见下图)。
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<100>晶面
<100>晶向
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• 单晶生长按生长方向主要有两种,即
<111>和<100>,目前在太阳能单晶的 生产中,基本上都是采用拉<100>方向的, 其特征为表面有四根对称的棱线。
• 硅的比重为2.33克/立方厘米
• 本征——指半导体本身的性质以区别于
外来掺杂的影响,而完全靠半导体本身
提供载流子的状况,理论上本征半导体
是纯净的,事实上在未掺杂的半导体中,
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8
• 有两种载流子参加导电——在半导体中,参与
导电的载流子有两种,即“电子”与“空穴”, 而且同一种半导体材料,既可以形成以电子为 主的导电,也可以形成以空穴为主的导电。

《半导体材料》PPT课件

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• 电子能级:能量单位是电子伏特(ev), 代表一个电子从低电势处移动到高出1V的 电势处所获得的动能。
• 价电子层:给定一种原子,最外部的电子 层就是价电子层,对原子的化学和物理性 质具有显著的影响。
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6
• 固体能带论:解释了固体材料中电子怎样 改变轨道能级。
• 离子:当原子失去或得到一个或多个电子 时成为离子。
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• 当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时, 交界面形成稳定的空间电荷区,即PN结 处于动态平衡。PN结的宽度一般为0.5um。
• PN结在未加外加电压时,扩散运动与漂移 运动处于动态平衡,通过PN结的电流为零。
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2.9半导体二极管的结构 1.点接触型二极管的结构
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硅的熔点是1412℃,是一种质硬的脆性材料,变 形很容易破碎,与玻璃相似。可以抛光得像镜面 一样平整。
本征半导体: 不含任何杂质和缺陷的纯净半导体, 其纯度在99.999999%(8~10个9)。
掺杂半导体:把特定的元素引入到本征半导体中, 可提高本征半导体的导电性。
Jn qDnn J p qDpp
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总的电流扩散密度为:
J Jn Jp
qD nnqD pp
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40
2.6载流子的迁移率 迁移率:漂移速度与外加电场强度之间的比例常数。
v E
载流子被电场加速的同时,将与晶格格点和晶格 中的杂质碰撞产生散射,各种散射机构决定了载 流子的迁移率的大小。
介电常数:介电材料是电容器中的关键部 分。介电常数K已经成为一个重要的半导体 性能参数。

半导体基本知识PPT课件

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N型半导体和P型半导体
➢ 掺杂半导体分为N型半导体和P型半导体两类。在锗和硅中 掺入磷、砷、锑等V族元素时,这些杂质在锗和硅中起提供 电子的作用,使这些半导体以电子导电为主。这类杂质叫做 施主杂质。以电子导电为主的杂质半导体称为N型半导体, 相应的杂质也叫做N型杂质。而在锗和硅中掺入硼、铝、镓 或铟等Ⅲ族元素时,这些杂质在锗和硅中起提供空穴的作用, 使这些半导体以空穴导电为主。这类杂质叫做受主杂质。以 空穴导电为主的杂质半导体称为P型半导体。相应的杂质也 叫做P型杂质。
(l)杂质影响半导体导电性能 在室温下,半导体的电阻率在 10–4~109欧姆·厘米之间。而且,加入微量杂质能显著改变 半导体的导电能力。掺入的杂质量不同时,可使半导体的电 阻率在很大的范围内发生变化。另外,在同一种材料中掺入 不同类型的杂质,可以得到不同导电类
半导体材料的特征
2)有两种载流子参加导电 在半导体中,参与导电的载流子有 两种。一种是为大家所熟悉的电子,另一种则是带正电的载 流子,称为空穴。而且同一种半导体材料,既可以形成以电 子为主的导电,也可以形成以空穴为主的导电。在金属中则 仅靠电子导电,而在电解质中,靠正离子和负离子同时材料的特征
➢ 自然界的物质,按其导电强弱,一般可分为三大类,即导体、 半导体和绝缘体。容易导电的物质称为导体,如金、银、铜、 铝等各种金属与合金都是良导体,它们的电阻率一般在10–4 欧姆·厘米以下。不容易导电的物质称为绝缘体,如橡胶、 玻璃、陶瓷和塑料等,它们的电阻率在109欧姆·厘米以上。 顾名思义,半导体的导电性介于导体和绝缘体之间。它具有 如下的主要特征。
N型半导体和P型半导体
❖一般说,施主和受主杂质均为替 位式杂质。它们掺入晶体后,要 取代晶格中硅原子的位置。见图 4- 2。

《半导体的基本知识》PPT课件

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磷(P)
整理ppt
1.1.2 杂质半导体
N 型半导体中的载流子是什么?
1.由施主原子提供的电子,浓度与施主原子相同。 2.本征激发成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以, 自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多 数载流子(多子),空穴称为少数载流子(少 子)。
# 正离子不能自由运动,不能自由运动参加导电,不是载流子。
现代电子学中,用的最多的半导体是硅和锗,它们 的最外层电子(价电子)都是四个。
Si +14 2 8 4
Ge +32 2 8 18 4
无杂质
原子结构简化图:
惯性核:原子核和内层电
+4

外层价电子:最外层电子
#!惯性核的正电荷量与电子的负电荷量相等,原子呈中性。
通过一定的工艺过程,可以将半导体制成晶体。 稳定的结构 本征半导体是纯净的晶体结整构理pp的t 半导体。
1.1.1 本征半导体
1、本征半导体的结构
在硅和锗晶体中,原子按四角形系统组成晶体 点阵,每个原子都处在正四面体的中心,而四个其 它原子位于四面体的顶点,每个原子与其相临的原 子之间形成共价键,共用一对价电子。
硅和锗的晶 体结构:
整理ppt
1.1.1 本征半导体
共价键 由于热运动,具有足够能量 的价电子挣脱共价键的束缚
掺入杂质的本征半导体。 掺杂后半导体的导电能力大为提高
掺入五价元素如P、As(砷)等, 形成N型整半理p导pt 体,也称电子型半导体
1.1.2 杂质半导体
1. N 型半导体
5
多数载流子
N 型半导体中的载流子是什 么?
杂质半导体主要靠多数载 流子导电。掺入杂质越多, 多子浓度越高,导电性越强, 实现导电性可控。

半导体材料绪论通用课件

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半导体材料的分类
总结词
半导体材料可根据其元素组成、能带结构、载流子类 型等不同特征进行分类。
详细描述
根据元素组成,半导体材料可分为元素半导体和化合 物半导体两大类。元素半导体是由单一元素组成的, 如硅、锗等;化合物半导体则是由两种或两种以上元 素组成的化合物,如砷化镓、磷化铟等。根据能带结 构,半导体材料可分为直接跃迁型和间接跃迁型半导 体。根据载流子类型,半导体材料可分为n型和p型半 导体,分别指电子导电和空穴导电的半态的化学原料在衬底上沉 积成膜。
具体技术
包括热丝化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、 金属有机物化学气相沉积等。
溶胶-凝胶法
定义
将固体材料溶解在有机溶剂中, 形成溶胶,再通过凝胶化过程形 成凝胶,最后经过热处理得到所 需材料。
优点
可制备高纯度、高均匀性的薄膜 材料,适用于制备多种类型的半 导体材料。
半导体材料的应用领域
总结词
半导体材料广泛应用于电子、通信、能源、医疗等领域。
详细描述
在电子领域,半导体材料被用于制造集成电路、微电子 器件等,实现电子产品的微型化、高效化和智能化。在 通信领域,半导体材料被用于制造光电子器件、激光器、 探测器等,实现高速、大容量信息传输和处理。在能源 领域,半导体材料被用于制造太阳能电池、风力发电设 备等,实现可再生能源的转换和利用。在医疗领域,半 导体材料被用于制造医疗设备、生物传感器等,实现疾 病的早期诊断和治疗。
自组装与生物功能化半导体材料
自组装技术
自组装技术是一种利用分子间的相互作 用力,将分子自发地聚集在一起形成有 序结构的技术。在半导体领域,自组装 技术可用于制备具有特定功能的纳米结构。
VS
生物功能化
将生物分子或生物活性物质与半导体材料 结合,实现半导体的生物功能化是当前研 究的热点。这种生物功能化的半导体材料 在生物传感器、生物成像和药物输送等领 域具有广泛的应用前景。
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9
1.2.2 化合物半导体:
化合物半导体材料的种类繁多,性能各异,因此用途也就多种多样。 化合物半导体按其构成的元素数量可分为二元、三元、四元等。 按其构成元素在元素周期表中的位置可分为III-V 族、II-IV-V族等等。 如果要问哪些化合物是半导体,哪些不是,有没有规律性?应该回答说,规律性 是有的,但还没有找到一个严密的公式可以毫无例外地判断某个化合物是否属于半 导体。 常用的方法是先找到一个已知的化合物半导体,然后按元素周期表的规律进行替 换(参照图1.1) 。
5
表1.1 半导体材料分类及其开发情况
* 此处所列子项只举其中重要者,并未完全列出。
6
1.2.1 元素半导体 已知有12个元素具有半导体性质,它们在元素周期表中的位置如图1.1所示。 从这里也可以看出半导体材料与物质结构的密切关系。
处于III-A族的只有硼,其熔点高(2300oC),制备单晶困难,而且其载流子迁移率 很低,对它研究的不多,未获实际应用。 IV-A 族中第一个是碳,它的同素异形体之一金刚石具有优良的半导体性质,但制 备单晶困难,是目前研究的重点;石墨是碳的另一个同素异形体,系层状结构,难 以获得单晶,故作为半导体材料未获得应用。 IV-A族的第二个元素是硅,具有优良的半导体性质,是现代最主要的半导体材料。 再往下是锗,它具有良好的半导体的性质,是重要的半导体材料之一。 锡在常温下的同素异形体为b-Sn,属六方晶系,但在13.2oC以下 可变为立方晶 系灰锡(a-Sn)。灰锡具有半导体性质,属立方晶系。在从b-Sn转化为a-Sn 的过 程中,体积增大并变粉末,故难以在实际中应用。
11
1.2.3 固溶半导体
由两个或两个以上的元素构成的具有足够的含量的固体溶液,如果具有半导体性质, 就称为固溶半导体,简称固溶体或混晶。 因为不可能作出绝对纯的物质,材料经提纯后总要残留一定数量的杂质,而且半导 体材料还要有意地掺入一定的杂质,在这些情况下,杂质与本体材料也形成固溶体, 但因这些杂质的含量较低,在半导体材料的分类中不属于固溶半导体。 另一方面,固溶半导体又区别于化合物半导体,因后者是靠其价键按一定化学配比 所构成的。固溶体则在其固溶度范围内,其组成元素的含量可连续变化,其半导体及 有关性质也随之变化。 固溶体增加了材料的多样性,为应用提供了更多的选择性。 为了使固溶体具有半导体性质常常使两种半导体互溶,如Si1-xGex(其中x <1);也 可将化合物半导体中的一个元素或两个元素用其同族元素局部取代,如用Al来局部取 代GaAs中的Ga,即Ga1-xAlxAs,或用In局部取代Ga,用P局部取代As形成Ga1xInxAs1-yPy 等等。 固溶半导体可分为二元、三元、四元、多元固溶体;也可分为同族或非同族固溶体 等(见表1.1 )。
3
(2)当其纯度较高时,其电导率的温度系数为正值,即随着温度升高, 它的电导率增大;而金属导体则相反,其电导率的温度系数为负值。 (3)有两种载流子参加导电。一种是为大家所熟悉的电子,另一种则是 带正电的载流子,称为空穴。而且同一种半导体材料,既可以形成以电子 为主的导电,也可以形成以空穴为主的导电。在金属中是仅靠电子导电, 而在电解质中,则靠正离子和负离子同时导电。
2
第一章:半导体材料综述
半导体已成为家喻户晓的名词,收音机是半导体的、电视机是半导体的、计 算器及计算机也是半导体的。那么哪些是半导体材料?它有哪些特征?
1 半导体材料的特征 半导体材料在自然界及人工合成的材料中是一个大的部类。顾名思义,半导体在其 电的传导性方面,其电导率低于导体,而高于绝缘体。它具有如下的主要特征。 (1)在室温下,它的电导率在103~10-9S/cm之间,S为西门子,电导单位, S=1/r(W. cm) ; 一般金属为107~104S/cm,而绝缘体则<10-10,最低可达10-17。同时, 同一种半导体材料,因其掺入的杂质量不同,可使其电导率在几个到十几个 数量级的范围内变化,也可因光照和射线辐照明显地改变其电导率;而金属的导电 性受杂质的影响,一般只在百分之几十的范围内变化,不受光照的影响。
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例如我们看砷化镓:它是半导体,如果把Ga下面的In替换镓,就变成InAs, 也是半导体,同样,如果把As替换成P或Sb,同样也是半导体。 这种替换是垂直方向的,它服从周期表的规律,即从上往下金属性变强, 最后就不是半导体了。 也可以在周期表中进行横向置换,仍以GaAs为中心,Ga向左移变成Zn, As向右移变成Se,ZnSe是半导体。 这些置换都要注意原子价的平衡。在垂直移动时,原子价不发生变化,但 在横向移动时,就要考虑两个元素同时平移。 同时在原子价总和不变的前提下也可以用两元素取代一个,例如ZnSe, Zn是二价,与可以用其左右的Cu与Ga取代,即CuGaSe2也是半导体材料。 这样可以导出三元化合物半导体。 另外可用莫塞(Mooser)-皮尔狲(Pearson) 法则来进行推算,此法能 预测大多数化合物是否具有半导体性质,但对某些化合物,如金属的硼化物 的判断就不够准确。
7
BC 硼碳
Si P S 硅磷硫 Ge As Se 锗砷硒 Sn Sb Te I 锡锑碲碘
图1.1元素半导体在周期表中的位置
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在磷的同素异形体中,只有黑磷具有半导体性质,由于制备黑磷及其单晶的难 度较大,未获工业应用。 砷的同素异形体之一的灰砷具有半导体性质,但由于制备单晶困难,且其迁移 率较低,故未获应用。 锑的同素异形体之一的黑锑具有半导体性质,但它在0oC以上不稳定,亦未获 应用。 硫的电阻率很高,属绝缘体,但它具有明显的光电导性质。硫作为半导体材料 还未获得应用。 硒的半导体性质发现得很早,现用于制作整流器、光电导器件等。 碲的半导体性质已有较多的研究,但因尚未找到n型掺杂剂等原因,未得到应 用。
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1.2半导体材料的类别
对半导体材料可从不同的角度进行分类例如: 根据其性能可分为高温半导体、磁性半导体、热电半导体; 根据其晶体结构可分为金刚石型、闪锌矿型、纤锌矿型、黄铜矿型半导体; 根据其结晶程度可分为晶体半导体、非晶半导体、微晶半导体, 但比较通用且覆盖面较全的则是按其化学组成的分类,依此可分为:元素半导体、 化合物半导体和固溶半导体三大类,见表1。 在化合物半导体中,有机化合物半导体虽然种类不少,但至今仍处于研究探索阶段, 所以本书在叙述中只限于无机化合物半导体材料,简称化合物半导体材料。
半导体材料
第一章 半导体材料综述
材料学院 徐桂英

Contents
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第一章 半导体材料综述 第二章 基本原理 第三章 半导体材料的性质与性能 第四章 对半导体材料的技术要求 第五章 半导体材料的制备 第六章 一些主要的半导体材料
第七章 半导体材料的应用 第八章 半导体材料的发展展望
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