LTE室分多系统合路干扰分析与整改措施

LTE室分多系统合路干扰分析与整改措施

中讯邮电咨询设计院有限公司

2014年06月

目次

1干扰问题现象 (3)

2干扰站点比例 (3)

3 干扰问题原因 (3)

3.1互调干扰分析 (3)

3.2互调干扰的影响因素 (6)

3.3功率容量影响分析 (7)

4建议整改措施 (9)

4.1整改目标 (9)

4.2整改方案 (9)

4.3其他工作要求 (9)

LTE室分多系统合路干扰分析与整改措施目前，广东联通1800MHz FDD-LTE室分建设方案大多为合路至原室分系统，开通后出现了WCDMA室分底噪异常抬升的干扰问题，严重影响了现网3G用户。为解决此类问题，广东联通网络建设部特制定《LTE室分多系统合路干扰分析与整改措施》用于指导LTE室分工程建设。

1干扰问题现象

LTE室分合路至原系统激活之后，WCDMA室分RTWP有1-5dB的抬升；LTE模拟下行加载100%后，部分WCDMA室分RTWP有15-20dB的明显抬升。干扰现象如下图所示：

LTE室分多系统合路干扰示意图1（D/W/L合路）

2干扰站点比例

前期专项研究工作主要在广州开展，广州FDD规模为560站，其中合路站点共374站，占比66.8%。目前已开通LTE室分168个，其中方案为合路站点111个；存在干扰站点15个，占比13.5%。

广分LTE站点互调干

扰处理进度0512.xlsx

3 干扰问题原因

3.1互调干扰分析

无源互调是射频信号路径中两个或多个射频信号因各种无源器件 (例如天线、电缆或连接器) 的非线性特性引起的混频干扰信号。在大功率、多信道系统中，铁磁材料、异种金属焊接点、金属氧化物接点和松散的射频连接器都会产生信号

的混频，其最终结果就是PIM(Passive Intermodulation)干扰信号。

互调产物的大小取决于器件的互调抑制度。互调抑制度越差，互调产物越大；互调抑制度越好，互调产物越小。互调产物的大小还和输入信号的功率密切相关。在相同的互调抑制度情况下，输入功率越大，互调产物越大。

一般取三阶互调来衡量互调水平，三阶互调越高，则五阶互调也高。五阶互调一般比三阶互调低10-15dB。

（一）Case 1（D/W/L合路当前频段划分）:

DCS1800: 1830-1850/1735-1755 MHz；LTE1800: 1850-1870/1755-1775 MHz；UMTS2100: 2130-2145/1940-1955 MHz

互调产物的频率分析结果：

（1）三阶互调产物不会干扰GL1800和UMTS2100的上行；

（2）五阶互调产物会干扰部分G1800上行频率（1750-1755）、部分U2100上行频率（1940-1950）、整个LTE1800的上行频率；

（3）七阶互调产物会干扰GL1800和UMTS2100整个的上行频率。

Case1当前频段划分互调示意图

（二）Case 2（D/W/L合路后续规划频段划分）:

DCS 1800: 1830-1840/1735-1745 MHz；LTE1800: 1840-1860/1745-1765 MHz UMTS2100: 2130-2145/1940-1955 MHz

互调产物频率的分析结果：

（1）三阶互调产物不会干扰GL1800和UMTS2100的上行；

（2）五阶互调产物不会干扰GL1800和UMTS2100的上行；

（3）七阶互调产物会干扰部分G1800上行频率（1740-1745），部分U2100上行频率（1940-1950），整个LTE1800的上行频率。

Case2后续可能频段划分互调示意图

（三）Case 3（G900/W2100/L1800合路）:

A：FDD-LTE1850-1870（现有频段）二阶互调落入900上行

B： FDD-LTE1840-1860（后续规划频段）二阶互调不落入900上行

G900和L1800二阶互调影响G900上行，GSM与DCSLTE的四阶互调产物落在

DCS与LTE的上行频段。

（四）Case 4（与电信CDMA多系统合路）:

CDMA（875～880MHz）二次谐波产物（1750～1760MHz）影响LTE和DCS上行，无法通过更换器件规避，且部分站点因电信已部署合路LTE，导致我方无法再合路。

互调产物计算.xlsx

3.2互调干扰的影响因素

（一）无源器件的质量：

前期集采无源器件互调抑制度仅为120dBc，且已有旧系统经多年运行使用产生器件老化锈蚀问题，又因安装于基站信源前端的器件输入信号功率大，导致互调抑制度指标不达标。安装于基站信源前端的器件需更换为互调抑制度不低于140dBc的高性能器件。

（二）施工工艺（含跳线，馈线的接头制作）的质量：

室分施工工艺质量存在不足，馈线、跳线接头质量差或接头制作问题，都会引起互调干扰指标的抬升。

外

铜

内导体：

外导体：

内

铜

外导体：

外导体

内铜（三）天馈系统外的互调干扰，由天线附近金属物体（如生锈的铁制品等）的强非线性特性引起。

3.3功率容量影响分析

安装于基站信源前端的器件由于承受较高的功率通过，往往由于器件的工艺、结构、耦合节点电阻的耐功率、触点距离、接地隔离电阻等问题影响器件的电气性能指标和承受功率能力，同时还会因为器件的“趋肤效应”而导致局部微打火，出现电压飞弧打火现象，产生宽带噪声，对通信系统形成严重的上行干扰。

目前联通对于无源器件功率容量的集采标准要求是200W （平均），按照WCDMA 等制式对功率的要求，可以满足WCDMA 系统多载波的平均功率要求。但问题是WCDMA 系统峰均比很高，往往超过10，而集采器件没有峰值功率的指标要求，在多载波和大话务量的冲击下，很容易带来宽带杂散干扰。

使用1800 FDD-LTE 后，由于1800 FDD-LTE 下行频段距离WCDMA 上行频段较近，且LTE 峰均比较大，因此产生的飞弧打火很容易干扰WCDMA 上行频段。

功率容量计算参考：

LTE室分无源器件功率容限分析.docx 功率容量计算V2.xl

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