半导体厂GAS系统基础知识解读
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
GAS
系
统
基
础
知
识
概述
HOOK-UP专业认知
一、厂务系统HOOK UP定义
HOOK UP 乃是藉由连接以传输UTILITIES使机台达到预期的功能。HOOK UP是将厂务提供的UTILITIES ( 如水,电,气,化学品等),经由预留之UTILITIES连接点( PORT OR STICK),藉由管路及电缆线连接至机台及其附属设备( SUBUNITS)。
机台使用这些UTILITIES,达成其所被付予的制程需求并将机台使用后,所产生之可回收水或废弃物( 如废水,废气等),经由管路连接至系统预留接点,再传送到厂务回收系统或废水废气处理系统。HOOK UP 项目主要包括∶CAD,MOVE IN ,CORE DRILL,SEISMIC ,VACUU,GAS,CHEMICAL,
D.I ,PCW,CW,EXHAUST,ELECTRIC, DRAIN.
二、GAS HOOK-UP专业知识的基本认识
在半导体厂,所谓气体管路的Hook-up(配管衔接)以Buck Gas (一般性气体如CDA、GN2、PN2、PO2、PHE、PAR、H2等)而言,自供气源之气体存贮槽出口点经主管线(Main Piping)至次主管线(Sub-Main Piping)之Take Off点称为一次配(SP1
Hook-up),自Take Off出口点至机台(Tool)或设备(Equipment)的入口点,谓之二次配(SP2 Hook-up)。以Specialty Gas(特殊性气体如:腐蚀性、毒性、易燃性、加热气体等之气体)而言其供气源为气柜(Gas Cabinet)。自G/C出口点至VMB(Valve Mainfold Box.多功能阀箱)或VMP(Valve Mainfold Panel多功能阀盘)之一次测(Primary)入口点,称为一次配(SP1 Hook-up),由VMB或VMP Stick之二次侧(Secondary)出口点至机台入口点谓之二次配(SP2 Hook-up)。
GAS简单知识基本掌握
第一章气体概述
由于制程上的需要,在半导体工厂使用了许多种类的气体,一般我们皆依气体特性来区分,可分为一般气体(BULK GAS)与特殊气体(SPECIALTY GAS)两大类。
前者为使用量较大之气体,如N2、CDA等,因用量较大,一般气体常以大宗气体称之。
后者为使用量较小之气体•一般指用量小,极少用量便会对人体造成生命威胁的气体,如SiH4、NF3等
1.1 Bulk Gas 介绍
半导体厂所使用的大宗气体,一般有:
CDA、GN2、PN2、PAr、PO2、PH2、PHe等七种。
1.大宗气体的制造:
CDA / IA (Clean Dry Air / Instrument Air):
CDA之来源取之于大气经压缩机压缩后除湿,再经过滤器或活性炭吸附去除粉尘及炭氢化合物以供给无尘室CDA/IA (Clean Dry Air)。
GN2 (Nitrogen):
利用压缩机压缩冷却气体成液态气体,经过触媒转化器,将CO反应成CO2,将H2反应成H2O,再由分子筛吸附CO2、H2O,再经分溜分离O2 & CnHm。
N2=-195.6℃,O2=-183℃。
PN2 (Nitrogen):
将GN2经由纯化器(Purifier)纯化处理,产生高纯度的氮气。
一般液态氮气纯度约为99.9999﹪,含小数点后共6个9。
经纯化器纯化过的氮气纯度约为99.9999999﹪,含小数点后共9个9。
PO2 (Oxygen):
利用压缩机压缩冷却气体成液态气体,经二次分溜获得99.0﹪以上纯度之氧,再除去N2、Ar、CnHm。另外可由水电解方式解离H2 & O2,产品液化后易于运送储存。
PAr (Argon):
利用压缩机压缩冷却气体成液态气体,经二次分溜获得99.0﹪以上纯度之氩气,因氩气在空气中含量仅0.93﹪,生产成本相对较高。
PH2 (Hydrogen):
利用压缩机压缩冷却气体成液态气体,经二次分溜获得99.0﹪以上纯度之氢气。另外可由水电解方式解离H2 & O2,制程廉价但危险性高易触发爆炸,液化后易于运送储存。
PHe (Helium):
由稀有富含氦气之天然气中提炼,其主要产地为美国及俄罗斯。利用压缩机压缩冷却气体成液态气体,易由分溜获得。
Helium=-268.9℃,Methane=-161.4℃。
2.大宗气体在半导体厂的用途:
CDA:
CDA主要供给FAB内气动设备动力气源及吹净(purge),Local Scrubber助燃。IA主要供给厂务系统气动设备动力气源及吹净。
N2:
主要供给部分气动设备气源或供给吹净、稀释、惰性气体环境及化学品输送压力来源。
O2:
供给ETCH制程氧化剂所需及CPCVD制程中供给氧化制程用,供给O3 Generator
所需之氧气供应及其它制程所需。
Ar:
供给Sputter制程,离子溅镀热传导介质,Chamber稀释及惰性气体环境。
H2:
供给炉管设备燃烧造成湿氧环境,POLY制程中做H2 BAKE之用,W-PLUG制程中作为WF6之还原反应气体及其它制程所需。
He:
供给化学品输送压力介质及制程芯片冷却。
3.BULK GAS 的供应系统
Methods:
Bulk Gas Supply System in Fab
大宗气体(BULK GAS)虽然不像特殊气体(SPECIALITY GAS),有的具有强烈的毒性、腐蚀性。但是我们使用大宗气体时,仍然要注意安全。GN2、PN2、PAr、PHe具有窒息性的危险,这些气体无臭、无色、无味,如大量泄出而相对致空气中含氧量(一般为21﹪)减少至16﹪以下时,即有头痛与恶心现象。当氧气含量少至10﹪时,将使人陷入意识不清状态,6﹪以下瞬间昏倒,无法呼吸,6分钟以