场效应管资料

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功率场效应晶体管(MOSFET)基本知识

功率场效应晶体管(MOSFET)基本知识

功率场效应晶体管(MOSFET)基本知识功率场效应管(PowerMOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。

由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz,特别适于高频化电力电子装置,如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。

但因为其电流、热容量小,耐压低,一般只适用于小功率电力电子装置。

一、电力场效应管的结构和工作原理电力场效应晶体管种类和结构有许多种,按导电沟道可分为P沟道和N沟道,同时又有耗尽型和增强型之分。

在电力电子装置中,主要应用N沟道增强型。

电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同,但结构有很大区别。

小功率绝缘栅MOS管是一次扩散形成的器件,导电沟道平行于芯片表面,横向导电。

电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构,提高了器件的耐电压和耐电流的能力。

按垂直导电结构的不同,又可分为2种:V形槽VVMOSFET和双扩散VDMOSFET。

电力场效应晶体管采用多单元集成结构,一个器件由成千上万个小的MOSFET组成。

N沟道增强型双扩散电力场效应晶体管一个单元的部面图,如图1(a)所示。

电气符号,如图1(b)所示。

电力场效应晶体管有3个端子:漏极D、源极S和栅极G。

当漏极接电源正,源极接电源负时,栅极和源极之间电压为0,沟道不导电,管子处于截止。

如果在栅极和源极之间加一正向电压UGS,并且使UGS大于或等于管子的开启电压UT,则管子开通,在漏、源极间流过电流ID。

UGS超过UT越大,导电能力越强,漏极电流越大。

二、电力场效应管的静态特性和主要参数PowerMOSFET静态特性主要指输出特性和转移特性,与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。

1、静态特性(1)输出特性输出特性即是漏极的伏安特性。

特性曲线,如图2(b)所示。

场效应管知识点

场效应管知识点

场效应管知识点场效应管是一种重要的电子器件,广泛应用于各个领域,如通信、计算机、电子设备等。

它的工作原理是基于电场的调控作用,通过电场的控制来控制电流的流动,实现信号放大、开关控制等功能。

本文将从场效应管的基本结构、工作原理和应用等方面进行详细介绍。

一、场效应管的基本结构场效应管由栅极、漏极、源极和沟道四部分组成。

其中栅极是控制电流的输入端,漏极是电流的输出端,源极是电流的输入端,而沟道则连接源极和漏极。

栅极与源极之间的电压可以控制沟道中的电场分布,从而控制电流的流动。

栅极与漏极之间的电压被称为栅极电压,而漏极与源极之间的电压被称为漏极电压。

二、场效应管的工作原理1. N沟道MOSFETN沟道MOSFET是一种常见的场效应管,其沟道为N型材料。

当栅极电压为0V时,沟道中没有电子流动,处于截止状态;当栅极电压为正值时,形成栅极-沟道电场,使沟道中的N型材料中的电子被推向漏极,形成漏-源电流,处于导通状态。

2. P沟道MOSFETP沟道MOSFET是另一种常见的场效应管,其沟道为P型材料。

当栅极电压为0V时,沟道中没有空穴流动,处于截止状态;当栅极电压为负值时,形成栅极-沟道电场,使沟道中的P型材料中的空穴被推向漏极,形成漏-源电流,处于导通状态。

三、场效应管的应用场效应管具有很多优点,如高输入阻抗、低输出阻抗、功耗小、速度快等,因此在电子电路设计中有着广泛的应用。

以下是场效应管的几个常见应用场景。

1. 信号放大器场效应管可以通过控制栅极电压来调节漏极电流,从而实现信号的放大。

在放大器电路中,场效应管常常作为前置放大器,将输入信号放大后再输出给后续电路。

2. 开关控制场效应管可以作为开关来控制电流的通断。

当栅极电压为高电平时,场效应管处于导通状态,电流可以通过;当栅极电压为低电平时,场效应管处于截止状态,电流无法通过。

因此,场效应管常用于各种开关电路中。

3. 数字逻辑电路由于场效应管的特性,它可以作为数字逻辑门电路的基本单元。

场效应管介绍

场效应管介绍

场效应管原理场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。

有N沟道器件和P沟道器件。

有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。

IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)。

1.1 1.1.1MOS场效应管MOS场效应管有增强型(Enhancement MOS 或EMOS)和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS)两大类,每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。

场效应管有三个电极:D(Drain) 称为漏极,相当双极型三极管的集电极;G(Gate) 称为栅极,相当于双极型三极管的基极;S(Source) 称为源极,相当于双极型三极管的发射极。

增强型MOS(EMOS)场效应管一、工作原理1.沟道形成原理当VGS=0 V时,漏源之间相当两个背靠背的二极管,在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。

当栅极加有电压时,若0<VGS<VGS(th)时,通过栅极和衬底间的电容作用,将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥,出现了一薄层负离子的耗尽层。

耗尽层中的少子将向表层运动,但数量有限,不足以形成沟道,所以仍然不足以形成漏极电流ID。

进一步增加VGS,当VGS>VGS(th)时(VGS(th) 称为开启电压),由于此时的栅极电压已经比较强,在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子,可以形成沟道,将漏极和源极沟通。

如果此时加有漏源电压,就可以形成漏极电流ID。

在栅极下方形成的导电沟1线性电子电路教案道中的电子,因与P型半导体的载流子空穴极性相反,故称为反型层(inversion layer)。

随着VGS的继续增加,ID将不断增加。

场效应管

场效应管

MOS管分为四种类型:N沟道耗尽型管、N沟道增强型管、P沟道耗尽型管和 P沟道增强型管。
MOS管的特点
输入阻抗高、栅源电压可正可负、耐高温、易 集成。
N沟道增强型绝缘栅场效应管 (1)结构与符号 增强型的特点
1. 工作原理
绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”
的多少,改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的
一、结型场效应管(JFET)
1 结构与工作原理 (1)构成 结型场效应管又有N沟道和P沟道两种类型。
N沟道结型场效应管的结构示意图
结型场效应管的符号
(a)N沟道管
(b) P沟道管
(2)工作原理 N· JFET的结构及符号
在同一块N型半导体上制作两 个高掺杂的P区,并将它们连 接在一起,引出的电极称为栅 极G,N型半导体的两端引出 两个电极,一个称为漏极D, 一个称为源极S。P区与N区交 界面形成耗尽层,漏极和源极 间的非耗尽层区域称为导电沟 道。
直流输入电阻 RGS :其等于栅源电压与栅极电流之比,结型管的 RGS 大于10^7 欧,而MOS管的大于10^9欧。
二、交流参数
1. 低频跨导 gm 用以描述栅源之间的电压 UGS 对漏极电流 ID 的控 制作用。 ΔI D gm ΔU GS U DS 常数 单位:ID 毫安(mA);UGS 伏(V);gm 毫西门子(mS)
绝缘栅
B端为衬底,与源极短接在一起。
N沟道耗尽型MOS管的结构与符号
(2)N沟道的形成 N沟道的形成与外电场对N沟道的影响 控制原理分四种情况讨论:
① uGS 0时,来源于外电场UGS正极的正电荷使SiO2中原有的正电荷数目增加, 由于静电感应,N沟道中的电子随之作同等数量的增加,沟道变宽,沟道电阻减 小,漏电流成指数规律的增加。

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料常用的全系列场效应管MOS管型号参数封装资料有很多,以下是一些常见的型号和参数封装资料:1.IRF3205IRF3205是一种常见的N沟道MOSFET管,栅极电压为20V,漏极电流为110A,最大功耗为200W,电阻为8mΩ。

2.IRF4905IRF4905是一种N沟道MOSFET管,栅极电压为55V,漏极电流为74A,最大功耗为200W,电阻为0.02Ω。

3.IRF540NIRF540N是一种N沟道MOSFET管,栅极电压为100V,漏极电流为33A,最大功耗为150W,电阻为0.077Ω。

4.IRF520IRF520是一种N沟道MOSFET管,栅极电压为100V,漏极电流为9.2A,最大功耗为75W,电阻为0.27Ω。

5.IRLB3034PBFIRLB3034PBF是一种N沟道MOSFET管,栅极电压为40V,漏极电流为195A,最大功耗为200W,电阻为1.4mΩ。

6.IRL540IRL540是一种N沟道MOSFET管,栅极电压为100V,漏极电流为28A,最大功耗为150W,电阻为0.05Ω。

这些型号的MOSFET管通常都具有三个主要的参数,即栅极电压(Vgs),漏极电流(Id),以及最大功耗(Pd)或电阻(Rds(on))。

栅极电压指的是在正常操作时栅极和源极之间的电压,超过这个电压可能会损坏器件。

漏极电流指的是从漏极流出的最大电流,超过这个电流可能会损坏器件。

最大功耗或电阻指的是在正常操作时器件能够承受的最大功耗或电阻。

此外,还有一些其他的参数可以帮助选择合适的MOSFET管,例如电流增益(hfe)和恢复时间(tr、tf)。

电流增益是指当栅极电压变化时,漏极电流的变化率。

恢复时间指的是从开关状态到非开关状态的时间。

这些型号的封装通常包括TO-220、TO-262、D2PAK、TO-247等。

每种封装都有其自身的特点和适用范围,需要根据具体的应用来选择合适的封装。

场效应管(建议看)

场效应管(建议看)
iD
0V –1V –2V uGS = – 3 V
uDS
IDSS
可 变 电 阻 区
预夹断轨迹,uGD=UGS(off)
恒 流 区
击 穿 区
i D gm U GS
夹断电压
夹断区(截止区)
夹断电压为负
∴栅源电压越负,电流iD越小。
①夹断区: i D 0 UGS<UGS(off) ②可变电阻区(预夹断轨迹左边区域):
之间的函数关系,即
iD f (uGS ) |U DS 常数
N沟道结型场效应管UGS=0时,存在导电沟道,电流最大;
栅源之间加负向电压UGS<0直至沟道消失,电流为零。
UGS=0V -1V -2V -3V 夹断电压
U GS ( off ) 0
栅源电压越负,电流越小 恒流区条件:
U GS U GS (off )
3、特性曲线与电流方程
转移特性 输出特性曲线
N沟道增强型MOS管在UGS=0时,无导电沟道,电流为零。
UGS加正向电压至开启电压后,电流随UGS的增大而增大。
VDS 为正的
6V 5V 4V 3V 开启电压
U GS ( th ) 0
栅源电压越正,电流越大 恒流区条件:
U GS U GS (th )
增强型N沟道
耗尽型N沟道
增强型P沟道 耗尽型P沟道
说明:
1、栅极用短线和沟道隔开,表示绝缘栅; 2、箭头:由P区指向N区; 3、虚线:增强型MOS管; 实线:耗尽型MOS管。
二、N沟道增强型MOS管的工作原理
在通常情况下,源极一般都与衬底相连,即UBS=0。 为保证N沟道增强型MOS管正常工作,应保证: ① UGS=0时,漏源之间是两只背向的PN结,不管UDS 极性 如何,其中总有一个PN结反偏,所以不存在导电 沟道。UGS必须大于0(UGS>0)管子才能工作。 ②漏极对源极的电压UDS必须为正值(UDS>0)。这样在漏 极电压作用下,源区电子沿导电沟道行进到漏区,产 生自漏极流向源极的电流。

场效应管+讲解

场效应管+讲解

场效应管+讲解
场效应管
场效应管(Field Effect Transistor, FET)是一种电子电路器件,是由电流流过一个小面积的外部接触层与绝缘底座的晶体管件,具有电子和离子的交互作用而构成的。

它们的特点是有一个小的控制电压来控制一个大的电流,这是晶体管所不具有的特性,所以场效应管可以用来做信号放大器。

场效应管的工作原理是,当对晶体管的接口处施加一个正偏压后,会在晶体管中构成一个叫做“场效应”的变量,电子以及空穴便会在晶体管中流动,当此电压大小发生改变时,在晶体管中的电子流动也会发生改变,这时的电流可以从晶体管的某处取出,因而晶体管构成了一个电路,这就是场效应管。

由于场效应管的特性,它被广泛用于电子电路,尤其是电路的控制与信号放大等方面,在无线电领域中,场效应管也有广泛的应用。

在目前的电子电路中,MOSFET(摩尔管)和JFET(自给效应管)是最常用的两种场效应管,前者的构造比较复杂,通常使用在模拟信号放大方面,而后者的构造相对比较简单,使用在数字信号放大方面。

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六种场效应管

六种场效应管

六种场效应管场效应管(Field-Effect Transistor,简称FET)是一种非常重要的电子器件,它能够通过控制输入电场来调节输出电流。

场效应管分为MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)和JFET(结型场效应管)两大类,每类中又分为增强型和耗尽型。

第一种场效应管是N沟道增强型MOSFET(N-Channel Enhanced MOSFET)。

N沟道增强型MOSFET是一种双极性器件,其栅极和漏极之间的电场控制输出电流。

当栅极电压为正值时,它吸引正极性的载流子,导致漏极电流增加。

N沟道增强型MOSFET通常用于低功率应用,如放大器和开关电路。

第二种场效应管是N沟道耗尽型MOSFET(N-Channel Depletion MOSFET)。

N沟道耗尽型MOSFET的工作原理与N沟道增强型MOSFET类似,但是它的栅极电压为0伏时有输出漏极电流,因此被称为耗尽型。

N沟道耗尽型MOSFET通常用于特定应用,如电压参考电路和电流源。

第三种场效应管是P沟道增强型MOSFET(P-Channel Enhanced MOSFET)。

P沟道增强型MOSFET与N沟道增强型MOSFET原理相同,但是它使用了P型半导体材料。

当栅极电压为负值时,它吸引负极性的载流子,导致漏极电流增加。

P沟道增强型MOSFET通常用于低功率应用和负电压电路。

第四种场效应管是P沟道耗尽型MOSFET(P-Channel Depletion MOSFET)。

P沟道耗尽型MOSFET与P沟道增强型MOSFET原理相同,只是栅极电压为0伏时有输出漏极电流。

P沟道耗尽型MOSFET通常用于特定应用,如负电压参考电路和负电流源。

第五种场效应管是结型场效应管(Junction Field-Effect Transistor,简称JFET)。

JFET是一种单极性器件,通过控制栅源电压来调节输出电流。

JFET分为N沟道和P沟道两种类型,其工作原理均基于P-N结的特性。

场效应管基本资料

场效应管基本资料

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。

一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108W~109W)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。

结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。

目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。

若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。

结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。

而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。

见下图。

二、场效应晶体管的型号命名方法现行场效应管有两种命名方法。

第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。

第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。

例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。

例如CS14A、CS45G等。

三、场效应管的参数1、IDSS —饱和漏源电流。

场效应管的特点、参数及使用注意事项

场效应管的特点、参数及使用注意事项

场效应管的特点、参数及使用注意事项
1.场效应管的特点
场效应管是电压掌握型器件,它不向信号源索取电流,有很高的输入电阻,而且噪声小、热稳定性好,因此宜于做低噪声放大器,特殊是低功耗的特点使得在集成电路中大量采纳。

2.场效应管的主要参数
夹断电压U P :指当U DS 值肯定时,结型场效应管和耗尽型MOS 管的I D 减小到接近零时U GS 的值称为夹断电压。

开启电压U T :指当U DS 值肯定时,增加型MOS管开头消失I D 时的U GS 值称为开启电压。

跨导g m :指U DS 肯定时,漏极电流变化量Δ I D 与栅-源极电压变化量Δ U GS 之比。

最大耗散功率P CM :指管子正常工作条件下不能超过的最大可承受功率。

3.使用留意事项
(1)场效应管的栅极切不行悬空。

由于场效应管的输入电阻特别高,栅极上感应出的电荷不易泄放而产生高压,从而发生击穿损坏管子。

(2)存放时,应将绝缘栅型场效应管的三个极相互短路,以免受外电场作用而损坏管子,结型场效应管则可开路保存。

(3)焊接时,应先将场效应管的三个电极短路,并按源极、漏极、
栅极的先后挨次焊接。

烙铁要良好接地,并在焊接时切断电源。

(4)绝缘栅型场效应管不能用万用表检查质量好坏,结型场效应管则可以。

场效应管(MOS管)知识介绍

场效应管(MOS管)知识介绍

场效应管(MOS管)知识介绍6.1场效应管英文缩写:FET(Field-effect transistor)6.2 场效应管分类:结型场效应管和绝缘栅型场效应管6.3 场效应管电路符号:结型场效应管S SN沟道 P沟道6.4场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)D D D DGG G G 绝缘栅型场效应管增强型 S 耗尽型N沟道 P沟道 N沟道 P沟道注:场效应管属于电压控制型元件,又利用多子导电故称单极型元件,且具有输入电阻高,噪声小,功耗低,无二次击穿现象等优点。

6.5场效应晶体管的优点:具有较高输入电阻高、输入电流低于零,几乎不要向信号源吸取电流,在在基极注入电流的大小,直接影响集电极电流的大小,利用输出电流控制输出电源的半导体。

6.6场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。

在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。

(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。

被称之为双极型器件。

(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。

(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管6.7 场效应管好坏与极性判别:将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极, 场效应管应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管.将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为G 极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极.。

场效应管详细资料

场效应管详细资料

一:场效管的作用场效管和三极管一样都能实现信号的控制和放大,但它与三极管的工作原理不一样场效管也有三只脚,分别是控制极栅极(G极)、源极(S极)、漏极(D极)场效管与三极管三只引脚的对应关系:栅极(G)对应基极(B)、源极(S)对应发射极(E)、漏极(D)对应集电极(C)二:场效管的分类主板中的场效管,按照极性有P沟道和N沟道主板上常用的场效管有SOT-23、SOT-223、SO-8、TO-251、TO-252(TO -263)等其中SOT-23封装的有代码为KIN或K72或K7A或K7B的2N7002(N沟道);代码为335的FDN335N(N沟道)、NDS356AP(P沟道)等开题,这种场效管主要用在放大和电子开关电路中其中SO-8封装的场效管,其内部有两个场效管,这种场效管通常称为双场效管,主板中常用的型号有FDS8936、SI9936、NDS9956A、FDS9926A、FDS6912、FDS6912A、FDS6982、FDS6930A等,这种场效管主要用在电子开关和小功率稳压供电电路中其中SOT-223封装的有代码为BSP100(N沟道)、P3055LL(N沟道)等型号,这种场效管主要用在中,小功率稳压电路中,如北桥供电、3.3V供电其中TO-251封装的有代码为HUF76107D3(N沟道)、AMP3055(N沟道)等型号,这种场效管主要应用在中功率供电电路中,如南桥供电、北桥供电、AGP 显卡供电、内在供电电路中其中TO-252(TO-263)封装的有代码为HUF76121D3S、60N03、50N03、45N03、FDB6030、CEB703AL、CEB603AL、RF1S45N03LSM、RFD3055SM、BUZ102SL、PHD96NQ03LT、PHD98N03LT、PHD9NQ20T、FDB6670、K3296、32N03等型号,以上都属于N沟道场效管,都属于大功率N沟道场效管,这种场效管主要应用在大供电电路中,如CPU供电电路三:场效管的识别在电脑电路中,场效管常用字母“Q”、“V”、“VT”加数字表示对于主板中使用的贴片场效管来说,从左到右其引脚基本为G、D、S(散热片接D极)四:场效管的检测与代换在维修中,主板中的场效管通常为击穿(短路)损坏,这时保引脚之间通常呈短路状态,因此用数字万用表的二极管档检测各引脚间的压降值通常为0V。

六种场效应管

六种场效应管

六种场效应管场效应管,也称为放大管或开关管,是一种电子元件,常用于放大电路和开关电路中。

根据N沟道场效应管(N-channel)和P沟道场效应管(P-channel)的不同,可以将场效应管分为两类。

下文将详细介绍这六种场效应管的特点和应用。

1. N沟道增强型场效应管(N-channel Enhancement-mode MOSFET)N沟道增强型场效应管是一种常见的场效应管,其通道内没有形成倒转层,需要加正压才能导通。

它具有高输入阻抗、低输出阻抗以及较高的放大能力。

N沟道增强型场效应管广泛应用于放大电路、开关电路、数字电路、感应器等。

2. P沟道增强型场效应管(P-channel Enhancement-mode MOSFET)P沟道增强型场效应管与N沟道增强型场效应管相似,但其通道内由P型材料构成,需要加负压才能导通。

P沟道增强型场效应管广泛应用于自动控制系统、电源管理、信号处理等领域。

3. N沟道耗尽型场效应管(N-channel Depletion-mode MOSFET)N沟道耗尽型场效应管是一种通道内部已经形成倒转层的场效应管,其导通状态是默认状态,需要施加负压才能阻断导通。

N沟道耗尽型场效应管常用于模拟电路、功率放大器、电源稳压器等领域。

4. P沟道耗尽型场效应管(P-channel Depletion-mode MOSFET)P沟道耗尽型场效应管与N沟道耗尽型场效应管类似,但其导通状态是默认阻断状态,需要施加正压才能导通。

P沟道耗尽型场效应管广泛应用于低电平开关、电源管理、信号选择等场合。

5. 绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor,IGBT)绝缘栅双极晶体管是一种结合了MOSFET和双极晶体管特点的高压功率半导体器件。

IGBT具有高输入阻抗、低导通压降、高电流放大倍数等特点,在电力电子领域被广泛应用于变频器、电机驱动、逆变器等高压高功率设备中。

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料场效应管(MOS管)是一种常用的半导体器件,广泛应用于电子电路中。

在设计和选择MOS管时,我们通常需要考虑一些参数,如型号、封装形式、工作电压、电流、功率、频率特性等。

下面是一些常用的全系列MOS管型号参数封装资料:1.型号:MOS管有许多不同的型号,每个型号都有不同的特性和应用场景。

常见的MOS管型号有IRF44N、IRFP22N、IRF520N等。

2.封装形式:MOS管的封装形式有多种,常见的封装形式有TO-220、TO-247、DPAK、SOT-23等。

不同的封装形式适用于不同的应用场景,如TO-220适用于高功率应用,SOT-23适用于小功率应用等。

3.工作电压:MOS管的工作电压范围是选择MOS管时需要注意的一个重要参数。

常见的工作电压范围有10V、30V、60V、100V等。

4.电流:MOS管的电流处理能力也是一个重要的参数。

通常以最大电流(ID)来表示,最大电流是指在特定的工作条件下,MOS管能够承受的最大电流。

常见的最大电流有1A、5A、10A、20A等。

5.功率:MOS管的功率参数也需要考虑,在一定的工作电压和电流下,MOS管能够承受的最大功率是通过最大电流和额定工作电压计算得出的。

常见的功率参数有10W、50W、100W等。

6.频率特性:MOS管的频率特性也是一个重要的参数,表示MOS管在特定频率下的响应能力。

常见的频率特性有数十kHz、数百kHz、MHz等。

综上所述,常用全系列MOS管型号参数封装资料包括型号、封装形式、工作电压、电流、功率、频率特性等。

在选择MOS管时,我们需要根据具体的应用场景和需求,综合考虑这些参数,并选择最适合的型号和封装形式。

通过合理选择和使用MOS管,可以有效地满足电路设计和应用需求。

场效应管的主要参数

场效应管的主要参数
接地良好的专门仪器才能测试管子的好坏。 4.场效应管S和D极可以互换使用,但有些产品出厂
时,已把S极和衬底连在一起,这时D、S就不能互 换。
模拟电子技术
• 极间电容
rd
uDS iD
UGS 常数
场效应管三个电极之间也有电容效应,极间电容包括CGS、 CGD和CDS等。极间电容的大小一般为几个pF,在低频小信号 时可以忽略其影响。
1.3 极限参数
• 漏极最大允许耗散功率PDM 该功率转化为热能, 使管子的温度升高,PDM决定于场效应管允许的最
高温度限制。该参数相当于晶体管的PCM 。 • 漏源击穿电压 U(BR)DS
模拟电子技术
场效应管的主要参数
1.1 直流参数 • 开启电压UGS(th):是uDS当一定时(如uDS =10V), 漏极电流ID
达到某一数值(如10μA)时,所需加的栅源电压uGS值。 • 夹断电压 UGS(off):当uDS一定时(如uDS =10V),使漏极电流I
D减小到某一个微小电流(如1μA)时,所需的栅源电压uGS值。 • 饱和漏极电流 IDSS: 栅源之间的电压uGS等于零, 而漏、源
之间的电压大于夹断电压UGS(off)时对应的漏极电流。 • 直流输入电阻 RGS: 在漏极和源极短路时,栅源之间的电
阻就是RGS 。由于栅极几乎不索取电流, 因此输入电阻很 高。结型为107 Ω左右,MOS管可达1015Ω以上。
1.2 交流参数
• 低频跨导gm:
gm
iD uGS
uDS 常数
gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。
当uDS过大使漏极产生雪崩击穿,从而使电流iD急剧上升时的uDS ,称 为漏源击穿电压。 • 栅源击穿电压 U(BR)GS

《MOS场效应管》课件

《MOS场效应管》课件

五、MOSFET的应用
MOSFET的基本应用
MOSFET广泛应用于放大器、开关电路、电 源管理和通信系统等领域。
MOSFET的开关电路
MOSFET用作开关可以实现快速开关和低功 耗。
MOSFET的功率放OSFET的数字电路
MOSFET可用于构建各种数字电路,如逻辑 门、存储器和微处理器。
2
MOSFET的特性曲线
特性曲线展示了MOSFET的电流和电压之间的关系,包括输出特性和传输特性等。
3
MOSFET的工作点计算
工作点计算帮助确定MOSFET的偏置电压和工作状态,以实现所需的电流和增益。
4
MOSFET的失真
失真是指MOSFET输出信号与输入信号之间的扭曲。了解失真有助于设计更稳定的电 路。
MOSFET是现代电子技术中的关键器件,推动了电子产品的发展和进步。
MOSFET的应用前景
MOSFET的应用前景广阔,将在各个领域继续发挥重要作用。
MOSFET的未来发展
MOSFET将不断追求更高的性能和更多的应用,拓展其未来的发展空间。
六、MOSFET的优缺点
MOSFET的优点
MOSFET具有高输入电阻、 低噪音、低功耗和快速响应 等优点。
MOSFET的缺点
MOSFET的缺点包括漏电流、 电压依赖性和温度特性等。
MOSFET与BJT比较
MOSFET与双极性晶体管 (BJT)相比,具有更高的输入 阻抗和更好的高频性能。
七、MOSFET的未来发展
MOSFET的种类
常见的MOSFET包括N沟道MOSFET和P沟道MOSFET,它们的工作原理和特性略有不同。
二、MOSFET的基本结构
MOSFET的结构图
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标题:IRC场效应管参数作者:日期:2009-02-14 19:34:37内容:IRC系列N-CHANNELPOWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换型号厂家方式漏源极电压(V)区分漏极电流(A)最大功耗(W)封装形式IRC150IRN10030(TO-204AE)IRC250IRN20029(TO-204AE)IRC254IRN25022.2(TO-204AE)IRC350IRN40014.5(TO-204AA)IRC450IRN50012.2(TO-204AA)IRC530IRN1001475(TO-220)IRC531IRN801479TO-220IRC533IRN601275TO-220IRC540IRN10028150TO-220IRC630IRN200974TO-204AAIRC634IRN2508.774TO-220IRC640IRN20018125TO-220IRC644IRN25014125TO-220IRC730IRN4005.574TO-204AAIRC740IRN40010125TO-204AAIRC830IRN5004.574TO-204AAIRC832IRN5004.074TO-220IRC833IRN4503.875TO-220IRC840IRN5008125TO-220IRCP054IRN6070230TO-247ACIRCZ24IRN601760TO-204AAIRCZ34IRN603088TO-204AAIRCZ44IRN6050150TO-204AA标题:IRFB系列场效应管参数代换作者:日期:2009-02-14 19:50:52内容:IRFB系列POWER MOSFET N沟道功率场效应管型号参数查询及代换型号Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压Static Drain-SourceOn-State Resistance静态漏源通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃)PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃)Package封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商VDSSRDS(ON)IDPD(V)(ohm)欧姆(A)(W)IRFBC10LC600101.236TO-220AB2SK3067IRIRFBC206004.42.250TO-220AB2SK3067IRIRFBC20L6004.42.250TO-2622SK2865IRIRFBC20S6004.42.250D2PAK2SK2865IRIRFBC306002.23.674TO-220AB2SK3085IRIRFBC30L6002.23.674TO-2622SK2777IRIRFBC30S6002.23.674D2PAK2SK2777IRIRFBC406001.26.2125TO-220AB2SK2544IRIRFBC40L6001.26.2130TO-2622SK2777IRIRFBC40LC6001.26.2125TO-220AB2SK2544IRIRFBC40S6001.26.2130D2PAK2SK2777IRIRFBC42R6001.65.4TO-220AB2SK2544HarrisIRFBE208006.51.854TO-220AB2SK2603IRIRFBE3080034.1125TO-220AB2SK2603IRIRFBF2090081.754TO-220AB2SK2733IRIRFBF20L90081.754TO-2622SK2845IRIRFBF20S90081.754D2PAKIRIRFBF309003.73.6125TO-220AB2SK2608IRIRFBG201000111.454TO-220AB2SK1119IRIRFBG30100053.1125TO-220AB2SK1119IR标题:IRFD系列场效应管参数及代换作者:日期:2009-02-14 19:40:53内容:IRFD系列POWER MOSFET P沟道及N沟道功率场效应管型号参数查询及代换带有"-"号的参数为P沟道场效应管,没注明的均为N沟道场效应管.型号Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压Static Drain-SourceOn-State Resistance静态漏源通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃)PD Total Power Dissipation 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IRFD2Z31506.50.3DIPHarris IRFD3104003.60.421.3DIPIR IRFD3104003.60.421.3HEXDIPIR IRFD311(R)3503.60.4DIPHarris IRFD312(R)40050.3DIPHarris IRFD313(R)35050.3DIPHarris IRFD3204001.80.61.3DIPIR IRFD3204001.80.61.3HEXDIPIRIRFD322(R)4002.50.4DIPHarrisIRFD323(R)3502.50.4DIPHarrisIRFD42050030.461.3DIPIRIRFD42050030.461.3HEXDIPIRIRFD6206004.40.321.3DIPIRIRFD9014-600.51.11.3DIP2SJ360IRIRFD9024-600.281.61.3DIP2SJ377IRIRFD9110-1001.20.71.3DIPIRIRFD9113-601.60.6DIPHarrisIRFD9120-1000.611.3DIPIRIRFD9123-600.80.8DIPHarrisIRFD9210-20030.41DIPIRIRFD9220-2001.50.561DIPIRIRFD9223-1502.40.45DIPHarrisIRFDC10LC600100.251.3DIPIRIRFDC206004.40.321.3HEXDIPIR标题:IRFI系列场效应管参数代换作者:日期:2009-02-14 20:47:25内容:IRFI系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换带有"-"号的参数为P沟道场效应管,没注明的均为N沟道场效应管.型号Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压Static Drain-SourceOn-State Resistance静态漏源通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃)PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃)Package封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商VDSSRDS(ON)IDPD(V)(ohm)欧姆(A)(W)IRFI1010G550.144350TO-220ISIRIRFI1010N550.0124447TO-220ISIRIRFI1310G1000.042150TO-220IS2SK2466IRIRFI1310N1000.0362245TO-220ISIRIRFI3205550.0085648TO-220IS2SK2985IRIRFI37101000.0252848TO-220ISIRIRFI4905-550.02-4163TO-220ISIRIRFI510A1000.45.633I2-PAK2SK2399SamsungIRFI510G1000.544.527TO-220IS2SK2399IRIRFI510G1000.544.527TO-220ISIRIRFI520A1000.29.245I2-PAK2SK2399SamsungIRFI520G1000.274.237TO-220IS2SK2399IRIRFI520N1000.27.227TO-220IS2SK2399IRIRFI5210-1000.06-2048TO-220ISIRIRFI530A1000.111455I2-PAK2SK2789SamsungIRFI530G1000.169.742TO-220IS2SK2391IRIRFI530N1000.111133TO-220IS2SK2391IRIRFI540A1000.05228107I2-PAK2SK2466Samsung IRFI540G1000.0771748TO-220IS2SK2391IR IRFI540N1000.0521842TO-220IS2SK2466IR IRFI550A1000.0440167I2-PAK2SK2466Samsung IRFI610A2001.53.338I2-PAK2SK2920Samsung IRFI614A25022.840I2-PAKSamsungIRFI614G25022.123TO-220IS2SK2840IRIRFI620A2000.8547I2-PAK2SK2920Samsung 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IRFI840G5000.854.640TO-220IS2SK2543IR IRFI840GLC5000.854.840TO-220IS2SK2543IR IRFI9520G-1000.65.237TO-220ISIRIRFI9530G-1000.37.742TO-220IS2SJ380IRIRFI9540G-1000.21148TO-220IS2SJ380IRIRFI9620G-2001.5330TO-220IS2SJ407IRIRFI9630G-2000.84.335TO-220IS2SJ407IRIRFI9634G-2501-4.135TO-220IS2SJ512IRIRFI9640G-2000.56.140TO-220IS2SJ513IRIRFI9Z14G-600.55.327TO-220IS2SJ438IRIRFI9Z24G-600.288.537TO-220IS2SJ438IR IRFI9Z24N-550.175-9.529TO-220IS2SJ438IR IRFI9Z34G-600.141242TO-220IS2SJ304IR IRFI9Z34N-550.1-1437TO-220ISIRIRFIBC20G6004.41.730TO-220IS2SK3067IR IRFIBC30G6002.22.535TO-220IS2SK2750IR IRFIBC40G6001.23.540TO-220IS2SK2545IR IRFIBC40GLC6001.2440TO-220IS2SK2545IR IRFIBE20G8006.51.430TO-220IS2SK2603IR IRFIBE30G80032.135TO-220IS2SK2603IR IRFIBF20G90081.230TO-220IS2SK2733IR IRFIBF30G9003.71.935TO-220IS2SK2700IR IRFIP044600.02843100TO-247IS2SK2233IR IRFIP054600.01464120TO-247IS2SK2313IR IRFIP1401000.07723100TO-247IS2SK2391IR IRFIP1501000.05531120TO-247IS2SK2466IR IRFIP2402000.181483TO-247IS2SK2382IR 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NMOS场效应IRF152 100V 33A 150W NMOS场效应IRF153 60V 33A 150W NMOS场效应IRF220 200V 5A 40W NMOS场效应IRF221 150V 5A 40W NMOS场效应IRF222 200V 4A 40W NMOS场效应IRF223 150V 4A 40W NMOS场效应IRF230 200V 9A 75W NMOS场效应IRF231 150V 9A 75W NMOS场效应IRF232 200V 8A 75W NMOS场效应IRF233 150V 8A 75W NMOS场效应IRF240 200V 18A 125W NMOS场效应IRF241 150V 18A 125W NMOS场效应IRF242 200V 16A 125W NMOS场效应IRF243 150V 16A 125W NMOS场效应IRF250 200V 19A 150W NMOS场效应低导通电阻IRF251 150V 19A 150W NMOS场效应低导通电阻IRF252 200V 16A 150W NMOS场效应低导通电阻IRF253 150V 16A 150W NMOS场效应低导通电阻IRF330 400V 5.5A 75W NMOS效应IRF331 350V 5.5A 75W NMOS场效应IRF332 400V 4.5A 75W NMOS场效应IRF333 350V 4.5A 75W NMOS场效应标题:IRFS系列N沟道功率场效应管型号参数查询代换作者:日期:2009-02-14 20:15:47内容:N-CHANNELPOWER MOSFET N沟道功率场效应管型号参数查询及代换型号Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压Static Drain-SourceOn-State Resistance静态漏源通态电阻Continuous Drain Current连续漏电流(TC=25℃)PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃)Package封装Toshiba Replacement代换东芝型号Note 注意Vender 供应商VDSSRDS(ON)IDPD(V)(ohm)欧姆(A)(W)IRFS140A1000.0522372TO-3PIS2SK2466BSamsung 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19:37:02内容:IRF系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管.型号Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压Static Drain-SourceOn-State Resistance静态漏源通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃)PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃)Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商VDSSRDS(ON)IDPD(V)(ohm)欧姆(A)(W)IRF4860-50190TO-220AB-IRIRF02460-1760TO-204AA-IRIRF03460-3090TO-204AE-IRIRF03560-2590TO-204AE-IRIRF04460-30150TO-204AE-IRIRF04560-30150TO-204AE-IRIRF05460-30180TO-204AA-IRIRF120100-8.040TO-3-IRIRF12160-8.040TO-3-IRIRF122100-7.040TO-3-IRIRF12360-7.040TO-3-IRIRF130100-1475TO-3-IRIRF13160-1475TO-3-IRIRF132100-1275TO-3-IRIRF13360-1275TO-3-IRIRF140100-27125TO-204AE-IR IRF14160-27125TO-204AE-IR IRF142100-24125TO-204AE-IR IRF14360-24125TO-204AE-IR IRF150100-40150TO-204AE-IR IRF15160-40150TO-204AE-IR IRF152100-33150TO-204AE-IR IRF15360-33150TO-204AE-IR 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供应商VDSSRDS(ON)IDPD(V)(ohm)欧姆(A)(W)IRF7104003.6236TO-220AB2SK2862IRIRF7101200.13.52SOP-8(Dual)TPC8202IRIRF7102500.322SOP-8(Dual)TPC8205IRIRF7103500.1332SOP-8(Dual)TPC8205IRIRF7104-200.252.32SOP-8(Dual)TPC8302IRIRF7105250.1/0.253.5/-2.32SOP-8(P&N)-IRIRF7106200.125/0.253/-2.52SOP-8(P&N)-IRIRF7107200.125/0.163/-2.82SOP-8(P&N)-IRIRF710A4003.6236TO-220AB2SK2679SamsungIRF710S4003.6236D2PAK-IRIRF711(R)3503.62-TO-220AB2SK2862HarrisIRF712(R)40051.7-TO-220AB2SK2862HarrisIRF713(R)35051.7-TO-220AB2SK2862HarrisIRF7204001.83.350TO-220AB2SK2679IRIRF7201300.0372.5SOP-8(Single)TPC8001IRIRF7202-200.252.52.5SOP-8(Single)TPC8102IR IRF7203-200.14.32.5SOP-8(Single)TPC8102IR IRF7204-200.065.32.5SOP-8(Single)TPC8102IR IRF7205-300.07-4.62.5SOP-8(Single)TPC8102IR IRF7205-300.075.32.5SOP-8(Single)TPC8104-HIR IRF720A4001.83.346TO-220AB2SK2679Samsung IRF720S4001.83.350D2PAK2SK2838IRIRF721(R)3501.83.3-TO-220AB2SK2679Harris IRF722(R)4002.52.8-TO-220AB2SK2862Harris IRF723(R)3502.52.8-TO-220AB2SK2862Harris 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IRF830S5001.54.574D2PAK2SK2991IRIRF8314501.54.5100TO-220AB2SK2661STIRF831(R)4501.54.5-TO-220AB2SK2661Harris IRF831FI4501.5335TO-220IS2SK2662STIRF832(R)50024-TO-220AB2SK2661HarrisIRF833(R)45024-TO-220AB2SK2661HarrisIRF8405000.858125TO-220AB2SK2542IRIRF840A5000.858134TO-220ABYTA840Samsung IRF840LC5000.858125TO-220AB2SK2542IRIRF840S5000.858125D2PAK2SK2776IRIRF8414500.858125TO-220AB2SK2542STIRF841(R)4500.858-TO-220AB2SK2542HarrisIRF841FI4500.854.540TO-220IS2SK2543STIRF842(R)5001.17-TO-220AB2SK2542HarrisIRF843(R)4501.17-TO-220AB2SK2542HarrisIRF9410300.0372.5SOP-8(Single)TPC8001IRIRF9510-1001.2443TO-220AB-IRIRF9510S-1001.2443D2PAK-IRIRF9511-601.23-TO-220AB2SJ438HarrisIRF9512-1001.23-TO-220AB-HarrisIRF9513-601.92.5-TO-220AB2SJ438HarrisIRF9520-1000.66.860TO-220AB-IRIRF9520NL-1000.48-6.747TO-262-IRIRF9520NS-1000.48-6.747D2PAK-IRIRF9520S-1000.66.860D2PAK-IR功率场效应管替带-替代IRF系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管.型号Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压Static Drain-SourceOn-State Resistance静态漏源通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃)PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃)Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商VDSSRDS(ON)IDPD(V)(ohm)欧姆(A)(W)IRF9521-600.66-TO-220AB2SJ438HarrisIRF9522-1000.85-TO-220AB-HarrisIRF9523-600.85-TO-220AB2SJ438HarrisIRF9530-1000.31288TO-220AB2SJ380IRIRF9530N-1000.2-1375TO-220AB2SJ380IRIRF9530NL-1000.2-1475TO-2622SJ380IRIRF9530NS-1000.2-1475D2PAK-IRIRF9530S-1000.31288D2PAK2SJ412IRIRF9531-600.312-TO-220AB2SJ304HarrisIRF9532-1000.410-TO-220AB2SJ380HarrisIRF9533-600.410-TO-220AB2SJ304HarrisIRF9540-1000.219150TO-220AB2SJ380IRIRF9540N-1000.117-1994TO-220AB2SJ464IRIRF9540NS-1000.117-1994D2PAK-IRIRF9540S-1000.219150D2PAK2SJ412IRIRF9541-600.219-TO-220AB2SJ349HarrisIRF9542-1000.315-TO-220AB2SJ380HarrisIRF9543-600.315-TO-220AB2SJ304HarrisIRF9610-20031.820TO-220AB2SJ407IR。

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