Flash做为存储器存储数据
Flash做为存储器存储数据
STM32学习笔记-Flash做为存储器储存数据说到STM32的FLSAH，我们的第一反应是用来装程序的，实际上，STM32的片内FLASH不仅用来装程序，还用来装芯片配置、芯片ID、自举程序等等。
当然， FLASH 还可以用来装数据。
自己收集了一些资料，现将这些资料总结了一下，不想看的可以直接调到后面看怎么操作就可以了。
FLASH分类根据用途，STM32片内的FLASH分成两部分：主存储块、信息块。
主存储块用于存储程序，我们写的程序一般存储在这里。
信息块又分成两部分：系统存储器、选项字节。
系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序（BootLoader），当使用ISP方式加载程序时，就是由这个程序执行。
这个区域由芯片厂写入BootLoader，然后锁死，用户是无法改变这个区域的。
选项字节存储芯片的配置信息及对主存储块的保护信息。
FLASH的页面STM32的FLASH主存储块按页组织，有的产品每页1KB，有的产品每页2KB。
页面典型的用途就是用于按页擦除FLASH。
从这点来看，页面有点像通用FLASH 的扇区。
STM32产品的分类STM32根据FLASH主存储块容量、页面的不同，系统存储器的不同，分为小容量、中容量、大容量、互联型，共四类产品。
小容量产品主存储块1-32KB，每页1KB。
系统存储器2KB。
中容量产品主存储块64-128KB，每页1KB。
系统存储器2KB。
大容量产品主存储块256KB以上，每页2KB。
系统存储器2KB。
互联型产品主存储块256KB以上，每页2KB。
系统存储器18KB。
对于具体一个产品属于哪类，可以查数据手册，或根据以下简单的规则进行区分：STM32F101xx、STM32F102xx 、STM32F103xx产品，根据其主存储块容量，一定是小容量、中容量、大容量产品中的一种，STM32F105xx、STM32F107xx是互联型产品。
互联型产品与其它三类的不同之处就是BootLoader的不同，小中大容量产品的BootLoader只有2KB，只能通过USART1进行ISP，而互联型产品的BootLoader有18KB，能通过USAT1、4、CAN等多种方式进行ISP。
单片机内的Flash与EEPROM作用及区别(精)
单片机内的 Flash 与 EEPROM 作用及区别单片机运行时的数据都存在于 RAM (随机存储器中, 在掉电后 RAM 中的数据是无法保留的,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢?这就需要使用 EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。
在传统的单片机系统中, 一般是在片外扩展存储器, 单片机与存储器之间通过 IIC 或 SPI 等接口来进行数据通信。
这样不光会增加开发成本,同时在程序开发上也要花更多的心思。
在 STC 单片机中内置了 EEPROM (其实是采用 IAP 技术读写内部 FLASH 来实现 EEPROM ,这样就节省了片外资源,使用起来也更加方便。
下面就详细介绍 STC 单片机内置 EEPROM 及其使用方法。
flash 是用来放程序的,可以称之为程序存储器,可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的 .一般来说单片机里的 flash 都用于存放运行代码,在运行过程中不能改; EEPROM 是用来保存用户数据,运行过程中可以改变,比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为 12:00,后来在运行中改为 6:00,这是保存在 EEPROM 里, 不怕掉电,就算重新上电也不需要重新调整到 6:00下面是网上详细的说法,感觉不错:FLASH 和 EEPROM 的最大区别是 FLASH 按扇区操作, EEPROM 则按字节操作, 二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同, FLASH 的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比 EEPROM 低,因而适合用作程序存储器, EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用 FLASH 做数据存储器也行, 但操作比EEPROM 麻烦的多,所以更“人性化”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH ,早期可电擦写型 MCU 则都是EEPRM 结构,现在已基本上停产了。
在芯片的内电路中, FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同, 不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。
flash存储器原理
flash存储器原理Flash存储器原理。
Flash存储器是一种非易失性存储器，它使用了一种称为闪存的技术，可以在断电后仍然保持数据。
它通常用于嵌入式系统、移动设备和存储卡等产品中。
Flash存储器的原理非常复杂，它涉及到许多物理和电子学的知识。
在本文中，我们将深入探讨Flash存储器的原理，帮助读者更好地理解这一技术。
Flash存储器的工作原理主要基于两种不同的技术，NAND和NOR。
NAND和NOR是两种不同的存储单元结构，它们分别适用于不同的应用场景。
NAND适用于大容量、高速度的存储，而NOR适用于低容量、低速度的存储。
这两种技术都是基于晶体管的工作原理，但它们的结构和工作方式有所不同。
NAND存储器是一种串行存储器，它使用了串行连接的晶体管结构来存储数据。
NAND存储器的每个存储单元都是一个晶体管，通过控制晶体管的导通和截断来实现数据的读写操作。
NAND存储器的存储密度很高，可以存储大量的数据，因此被广泛应用于固态硬盘和存储卡等产品中。
NOR存储器是一种并行存储器，它使用了并行连接的晶体管结构来存储数据。
NOR存储器的每个存储单元都是一个晶体管，通过控制晶体管的导通和截断来实现数据的读写操作。
NOR存储器的读取速度比NAND存储器快，但存储密度较低，因此适用于低容量、低速度的存储需求。
除了NAND和NOR存储器，还有一种称为EEPROM的存储器技术，它是一种可擦除可编程只读存储器。
EEPROM存储器可以通过电子擦除操作来擦除存储的数据，然后再进行编程操作来写入新的数据。
EEPROM存储器的擦除和编程操作都是通过电子信号来实现的，因此它是一种非易失性存储器。
总的来说，Flash存储器的原理涉及到晶体管的工作原理、存储单元的结构和连接方式，以及擦除和编程操作的实现方式。
通过深入理解这些原理，我们可以更好地应用Flash存储器技术，设计出更加高效、可靠的存储产品。
希望本文对读者有所帮助，谢谢阅读！。
单片机flash储存结构体的方式
单片机flash储存结构体的方式单片机的Flash存储结构体的方式可以通过以下几种方式实现：
1. 直接存储，将结构体直接存储到Flash中。
这种方式需要考
虑Flash的写入擦除次数，以及Flash的页大小和擦除块大小，避
免频繁写入导致Flash寿命缩短。
2. 分页存储，将结构体分成适当大小的页，然后按页写入Flash。
这样可以减少对Flash的擦除次数，延长Flash的使用寿命。
3. 压缩存储，对结构体进行压缩，然后再存储到Flash中。
这
种方式可以节省Flash的空间，但在读取时需要进行解压缩操作。
4. 文件系统存储，使用文件系统将结构体以文件的形式存储到Flash中，例如FAT文件系统。
这种方式可以方便地管理存储的结
构体数据，但会增加额外的存储空间和读写开销。
无论采用哪种方式，都需要考虑数据的完整性和一致性，以及
对Flash的读写操作进行合理的管理，避免出现数据损坏或者
Flash寿命缩短的情况。
同时，还需要考虑结构体数据的访问方式和频率，选择合适的存储方式来满足系统的需求。
flash存储原理
flash存储原理
Flash存储是一种基于电子存储技术的非易失性存储器，具有
快速读写、低功耗、高可靠性和较长寿命等优点。
其原理主要是利用电荷积累和释放来实现信息的存储和读取。
Flash存储器由若干个存储单元组成，每个存储单元称为一个
存储位。
每个存储位内部有一个浮动栅极和一个控制栅极，它们之间被一层绝缘物隔开。
存储位的状态通过栅极中的电子的分布来表示，而电子的分布状态决定了存储位的读写操作。
Flash存储器的读取过程是非破坏性的。
在读取数据时，电压
被施加在控制栅极上，而浮动栅极上的电荷透过绝缘物被传递到控制栅极上。
通过测量控制栅极上的电流来判断存储位的电荷分布状态，从而读取出存储的数据。
写入数据时，需要将数据转化为电荷形式，并将电荷注入到浮动栅极中。
具体的写入方法有两种：擦除和编程。
擦除是将存储位中的电荷全部清空，使其回复到初始状态；编程是将存储位中的电荷写入或去除，以改变其状态。
根据以上的工作原理，Flash存储器可以分为两种主要类型：NAND Flash和 NOR Flash。
NAND Flash主要用于大容量存储，具有高容量和较低的成本，广泛应用于固态硬盘、闪存卡等设备；NOR Flash则适用于小容量、高性能的应用，如嵌入式系
统中的代码存储等。
总的来说，Flash存储器是一种通过电子的存储和释放来实现
数据的读写操作的存储技术。
它在各个领域中得到广泛应用，成为现代电子设备中重要的存储介质之一。
单片机FLASH与RAM、ROM的关系
单片机FLASH主要用作程序存贮器,就是替代以前的ROM,最大的有有点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写,目前市场上单片机的FALSH寿命相差比较大,擦写次数从1000~10万的都有,但存储时间可以保证40年,在选用时要注意.还有一些廉价的单片机为了集成可掉电的数据存储器,没有选用价格昂贵的EEPROM,而用FALSH来做的,但要注意其寿命最多就10万次,而且擦写不能字节擦写,这要注意使用的场合其寿命是否满足要求.
RAM是数据存储器,跟计算机里面的内存差不多,主要是用来存放程序运行中的过程数据,掉电后就会丢失之前的数据,所以程序在上电时需要进行初始化,否则上电后的数据是一个随机数,可能导致程序奔溃.
ROM就是程序存储器,掉电后数据不会丢失,但在程序运行过程中其数据不会改变.早期的单片机的ROM因为擦写修改麻烦,价格昂贵或者价格低廉的OTP型无法修改数据等原因已经被现在的FLASH存储器替代了.因为FLASH的擦写很容易,现在的部分单片机支持在线内部编程,通过特定的程序执行方式可以修改FALSH 的内容,而实现在线修改程序存储器.这与上面说的程序存储器的内容在运行的时候不可被改变是不冲突的,因为在程序正常运行时,其内容不会改变,只工作在只读状态下的.
现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储
器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 楼上说的很好
另外，一些变量，都是放到RAM里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FLASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失。
数据存储在程序存储器(flash)空间的定义
数据存储在程序存储器(flash)空间的定义（1）flash 常量：#include//须增加的头文件const prog_uchar FlashConst = 3;//定义uchar 型的常量n 定义在flash 里(flash 常量)unsigned char RamVar; //定义无符号整型变量(Ram 变量)RamVar = pgm_read_byte(&FlashConst); //读取flash常量到ram 变量（2）flash 一维数据：#includeconst prog_uchar s[5] = { 1, 2, 3, 4,5 };unsigned char RamVar; //定义无符号整型变量(Ram 变量)RamVar = pgm_read_byte( &s[1] ); //读取s[1]的值到RamVar, or RamVar = pgm_read_byte(s+1 );（3）flash 多维数据：#includeconst prog_uchar s[4][16] = { {14, 4,13, 1, 2,15,11, 8, 3,10, 6,12, 5, 9, 0, 7 },{ 0,15, 7, 4,14, 2,13, 1,10, 6,12,11, 9, 5, 3, 8 },{ 4, 1,14, 8,13, 6, 2,11,15,12, 9, 7, 3,10, 5, 0 },{15,12, 8, 2, 4, 9, 1, 7, 5,11, 3,14,10, 0, 6,13 }};unsigned char RamVar[4],[16]; //定义无符号整型变量(Ram 变量)register char i, j;for(i=0; i<4; ++){for(j=0; j<16; j++){RamVar[i][j] = pgm_read_byte( &s[i][j]); //读取数组s 的值到RamVar}//end for 2}//end for 1（4）扩展部分avr 对ram和flash 是独立编址的，ram 是按8 位编址，而flash 却按16 位编址，读ram 和读flash 的汇编指令也是不同的。
FLASH-SRAM-EEPROM-区别-【专业篇】加【通俗篇】
FLASH和EEPROM的最大区别专业篇FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。
至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话，那是连基本概念都不对，只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计，就连MCU系统的基本结构都没掌握。
在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。
技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。
没有严谨的工作精神，根本无法成为真正的技术高手。
现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM 主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 楼上说的很好另外，一些变量，都是放到RAM里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FLASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
FLASH和EEPROM的最大区别
FLASH和EEPRO M的最大区别FLASH和EEPRO M的最大区别是FLA SH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比E EPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用FLA SH做数据存储器也行，但操作比EE PROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FL ASH和E EPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有F LASH，早期可电擦写型MCU则都是EEP RM结构，现在已基本上停产了。
至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话，那是连基本概念都不对，只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计，就连MCU系统的基本结构都没掌握。
在芯片的内电路中，FLASH和EEPRO M不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。
技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FA LSH结构或EEPR OM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。
没有严谨的工作精神，根本无法成为真正的技术高手。
现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据.楼上说的很好另外，一些变量，都是放到RA M里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FL ASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失ROM和RA M指的都是半导体存储器，ROM是Re ad Only Memory的缩写，RAM是Ra ndomAccess Memory的缩写。
flash存储器
Flash存储器1. 简介Flash存储器是一种非易失性存储设备，常用于嵌入式系统和移动设备中。
与传统的硬盘驱动器相比，Flash存储器具有更快的访问速度，更低的能耗和更高的可靠性。
Flash存储器采用闪存技术，利用电子存储介质存储数据，无需机械运动。
本文将详细介绍Flash存储器的特点、工作原理和应用领域。
2. 特点2.1 非易失性Flash存储器是一种非易失性存储设备，意味着即使在断电情况下，存储在Flash存储器中的数据仍然可以保持不变。
这使得Flash存储器非常适合用于存储关键数据，如操作系统、固件和配置文件。
2.2 快速访问Flash存储器具有较快的访问速度，因为它无需机械运动。
与传统的硬盘驱动器相比，Flash存储器具有更短的延迟时间，从而可以实现更快的数据读写操作。
2.3 低能耗Flash存储器的能耗较低，这是由于它没有移动部件。
相比之下，传统硬盘驱动器需要消耗大量的能量来驱动机械运动。
因此，在移动设备或嵌入式系统中，Flash存储器可以延长电池寿命并提高能源效率。
2.4 高可靠性Flash存储器具有较高的可靠性，可以承受更多的物理冲击和振动而不会损坏数据。
这是因为Flash存储器使用了固态电路而不是机械部件。
此外，Flash存储器还具有较长的寿命，可以进行大量的擦除和写入操作而不会出现性能下降。
3. 工作原理Flash存储器使用了一种称为闪存的技术来存储数据。
闪存是一种基于非挥发性快闪电子存储原理的存储器，它可以在断电情况下保持数据的完整性。
Flash存储器由一个或多个存储单元组成，每个存储单元由一个晶体管和一个电容器构成。
Flash存储器的工作原理可以分为写入和擦除两个过程。
当需要写入数据时，Flash控制器将电荷存储在存储单元的电容器中。
通过施加一个较高的电压，数据可以写入存储单元。
而当需要擦除数据时，Flash控制器会将存储单元中的电容器进行放电，从而擦除数据。
需要注意的是，Flash存储器的擦除操作是以块为单位进行的。
Flash 存储器的简介
Flash 存储器的简介在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统，该存储器系统可用作代码和数据的存储。
它在整个存储器中所处的位置在最起始的位置，一般其起始地址从0 开始。
Flash 是由一组可独立擦除的1KB 区块所构成的，对一个区块进行擦除将使该区块的全部内容复位为1。
Flash 存储器是由1KB 区块构成，而且每个区块的基地址都固定的。
Flash 存储器的操作对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。
Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。
Flash 存储器的编程写入的地址必须以字（4个字节）为单位对齐，且指明要写入的具体地址。
也就是说可以是任意地址，但必须满足写入的地址是字对齐的。
Flash 存储器的读取也可以是任意地址的数据，但必须满足读取的地址是字对齐的，否则，读出的数据绝对不正确，结果也难以预料。
Flash 存储器的擦除Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。
也就是说以区块是flash 擦除的最小单位。
●执行 1-KB 页的擦除执行 1KB 页的擦除步骤如下：(1) 将页地址写入FMA 寄存器(2) 将Flash 写入匙码(flash write key)写入FMC 寄存器，并将ERASE 位置位（写入0xA4420002）。
(3) 查询FMC 寄存器直至ERASE 位被清零。
●执行 Flash 的完全擦除执行完全擦除的步骤如下：(1) 将Flash 写入匙码(flash write key)写入FMC 寄存器，并将MERASE 位置位（写入0xA4420004）。
(2) 查询FMC 寄存器直至MERASE 位被清零。
FLASH存储器的测试方法研究1．引言随着当前移动存储技术的快速发展和移动存储市场的高速扩大，FLASH型存储器的用量迅速增长。
FLASH芯片由于其便携、可靠、成本低等优点，在移动产品中非常适用。
Flash、RAM、ROM的区别
一、ROM(Read Only Memory)ROM(Read Only Memory),只读存储器。
用来存储和保存数据。
ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。
即使是断电，ROM也能够保留数据。
ROM也有很多种:PROM是可编程一次性(无法修改)的ROM;EPROM是紫外线可擦除可编程的ROM；EEPROM是电可擦除可编程的ROM,按字节进行删除和重写,写入时间很长，写入很慢;现在多用作非易失的数据存储器。
特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。
这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。
具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。
因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。
二、RAM(Random Access Memory)RAM(Random Access Memory),随机存取存储器。
是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫内存。
它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介,当电源关闭时RAM不能保留数据。
RAM可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。
静态RAM（Static RAM/SRAM）:SRAM速度非常快，不需要刷新电路即能保存数据，是目前读写最快的存储设备了，但是集成度较低，非常昂贵，多用于CPU的一级缓存，二级缓存(L1/L2Cache)。
动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短(需要内存刷新电路，每隔一段时间，刷新充电一次，否则数据会消失)，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
如何用MSP430单片机flash存储数据
如何用MSP430单片机flash存储数据MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段，其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节，其他段有512字节。
SegmentB的地址是：0x01000h 到0x107F，SegmentA的地址是：0x01080h到0x010FFh。
其他段的地址根据容量不同，从0xFFFFh开始，每512字节为一段进行分配。
FLASH存储器写入数据时，每一位只能由“1”变成“0”，不能由“0”变成“1“，因此，当我们有数据要保存到FLASH存储器时，要先对目标段进行整段擦除操作，擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。
下面是擦除FLASH段的子程序，配置好必要的寄存器后，向段中任意地址写入数据，及擦除一段。
void flash_clr(int *ptr){_DINT(); //关中断FCTL3 = 0x0A500; //* Lock = 0 开锁FCTL1 = 0x0A502; //* Erase = 1 使能擦除*((int *) ptr) = 0; //* 擦除段}FLASH存储器可以按字节写入，也可以按字写入。
void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value) // 字节写入{_DINT();FCTL3 = 0x0A500; // Lock = 0 开锁FCTL1 = 0x0A540; // Write = 1使能写入*((int8_t *) ptr) = value; // 写入数据}void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t value) // 字写入{_DINT();FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */*((int16_t *) ptr) = value; /* Program the flash */}// FLASH存储器可以连续写入按字节写入指定的数量的数据void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len){_DINT();FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */while (len) { *ptr++ = *from++; len--; } } 在我们的应用程序中可以将要保存的数据放在一个自定义的结构中，例如：typedef struct Setup{float gain_ch0; // 0通道增益float gain_ch1; // 1通道增益float gain_ch2; // 2通道增益char init_flag; //初始化标记，恒为0xAA;}SETUP;我们定义了一个SETUP结构，存放三个AD通道的增益，以及其他要掉电保存的信息，init_flag的作用是标志FLASH的参数是否已被正确初始化，当我们设置了FLASH参数后，将init_flag置一个固定值，例如设为0xAAh，在程序开始运行时，检查init_flag，当init_flag的值为0xAAh时，表明参数已被初始化。
flash的存储原理
flash的存储原理Flash的存储原理是基于电子存储技术的一种固态存储器。
它使用快速擦除和存储的原理来存储数据，而不需要外部电源维持数据的存储。
下面将详细介绍Flash的存储原理。
Flash存储的基本单元是一个电子存储单元，也被称为存储单元或存储单元。
每个存储单元可以存储一个比特的信息，即特定电压状态对应于"0"或"1"。
这些存储单元按组织成多个块和扇区的层次结构，以便更高效地擦除和写入数据。
Flash存储的工作原理是通过充电和放电来控制存储单元的状态。
当存储单元被写入时，电荷被注入到存储单元中，改变其电压状态以表示所需的数据值。
当存储单元被擦除时，存储单元中的电荷被释放，将其电压状态重置为默认值。
为了实现擦除和写入操作，Flash存储器被分为多个块和扇区。
每个块包含多个扇区，每个扇区包含多个存储单元。
擦除操作是按块执行的，即将整个块中的所有扇区同时擦除。
写入操作是按扇区执行的，即只对所选扇区进行写入。
由于Flash存储器的特殊结构和工作原理，擦除和写入操作并不是同时进行的。
在进行写入操作之前，需要将目标块中的所有扇区擦除。
这是因为擦除操作会将存储单元的电压状态重置为默认值，而写入操作则是在已擦除的存储单元中注入电荷以改变其状态。
Flash存储器还具有限定的擦除和写入次数。
每个存储单元的擦除和写入次数都有限制，称为擦除和写入寿命。
当存储器的擦除和写入寿命耗尽时，存储单元可能无法正确地擦除或写入数据，导致存储器的可靠性下降。
总结来说，Flash存储的工作原理是使用充电和放电来控制存储单元的状态，通过擦除和写入操作来改变存储单元的电压状态以存储数据。
每个存储单元的状态对应于一个比特的信息。
擦除操作是按块执行的，写入操作是按扇区执行的。
擦除和写入次数受限制，称为擦除和写入寿命。
flash和eeprom工作原理
flash和eeprom工作原理
Flash存储器和EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，可电擦可编程只读存储器）在存储数据和编程操作上存在一些区别。
Flash存储器是一种基于非挥发性存储技术的存储器，常用于存储程序代码和数据。
它被分为多个扇区，每个扇区可以被独立擦除和编程。
Flash存储器的工作原理是利用电子漂移现象，通过在晶体管中储存电荷来表示数据的位状态。
擦除操作会将整个扇区的位状态清零，编程操作会将位状态设置为1。
擦除和编程操作都需要高电压和特定的操作序列。
EEPROM（可电擦可编程只读存储器）是一种可擦写的非挥发性存储器，可以在电子设备中存储和读取数据。
EEPROM的工作原理是利用电子隧道效应，通过在细小的浮栅结构中存储电荷来表示数据的位状态。
相比于Flash 存储器，EEPROM在编程和擦除操作上更为灵活，可以以字节为单位进行操作，而不需要擦除整个扇区。
然而，EEPROM的写入速度相对较慢，且有限的擦写寿命限制了其使用次数。
总的来说，Flash和EEPROM在编程和擦除机制上有所不同。
Flash通常以扇区为单位进行操作，而EEPROM可以以字节为单位进行操作。
此外，EEPROM的写入速度较慢，且具有有限的擦写寿命。
flash存储器的工作原理
flash存储器的工作原理
Flash存储器是一种非易失性存储器，用于储存数据的电子设备。
它的工作原理基于电荷累积和控制。
Flash存储器通常由一个或多个存储单元组成，每个存储单元都包含一个浮动栅和一个控制栅。
有两种常见类型的Flash存储器：NOR Flash和NAND Flash。
1. NOR Flash工作原理：
- 当Flash存储器中的某个存储单元要存储“1”时，电荷被在浮动栅上累积，形成一个电子隧道。
这个电子隧道可以阻断存储单元和控制线之间的电流传导。
- 当Flash存储器中的某个存储单元要存储“0”时，浮动栅中没有电荷，电流可以顺利传导。
2. NAND Flash工作原理：
- NAND Flash存储单元相比于NOR Flash存储单元更简单且紧凑。
每个存储单元中只有一个浮动栅和控制栅之间的电子隧道。
- 所有NAND Flash存储单元都被组织成一个逻辑块，并按页进行操作（通常是512字节或4K字节）。
- 写入NAND Flash时，首先需要将整个块擦除为“1”。
然后，通过施加电压将控制线上的电荷输送到浮动栅中，形成电子隧道。
- 删除数据时，只需要将相关存储单元的控制线上的电压调整到一定范围内。
无论是NOR Flash还是NAND Flash，读取数据的操作都是通过控制和检测电流来实现的。
数据写入速度比读取速度慢，而擦除整个块的操作则更慢。
需要注意的是，由于Flash存储器是非易失性存储器，意味着即使在断电的情况下，数据也可以保持。
这使得Flash存储器在许多应用领域中都具有重要的作用。
fpga中flash存储数据和程序的方法
fpga中flash存储数据和程序的方法
在FPGA中，通常使用flash存储器来存储数据和程序。
FPGA开发板上一
般都有一个或多个flash存储器芯片，如NOR flash或NAND flash。
以下是fpga中flash存储数据和程序的方法：
1. 编程flash存储器：使用FPGA开发工具（如Xilinx Vivado、Altera Quartus等）将数据和程序编译成二进制文件，然后将这些文件下载到FPGA的flash存储器中。
在FPGA上电后，这些数据和程序会自动从flash 存储器中加载到FPGA的内部RAM中，供FPGA使用。
2. 擦除和重新编程：如果需要更新FPGA中的数据或程序，可以使用FPGA 开发工具重新编译和下载新的二进制文件到flash存储器中。
在更新之前，
需要先擦除旧的二进制文件。
可以使用FPGA开发工具提供的擦除功能来擦除整个flash存储器，或者只擦除特定的区域。
3. 保护和加密：为了保护flash存储器中的数据和程序不被非法访问或修改，可以使用FPGA开发工具提供的保护和加密功能。
这些功能可以限制对flash存储器的访问权限，或者对flash存储器中的数据进行加密和解密。
4. 硬件锁：一些FPGA开发板还提供了硬件锁功能，用于锁定整个flash存储器或其中的特定区域。
通过使用硬件锁，可以防止未经授权的访问和修改flash存储器中的数据和程序。
需要注意的是，不同的FPGA开发工具和flash存储器芯片可能有不同的操作方法和特性。
因此，在使用之前，建议先仔细阅读相关的技术文档和用户手册。
flash存储阵列结构及存储原理
flash存储阵列结构及存储原理Flash存储阵列结构及存储原理一、引言随着信息技术的快速发展，存储设备变得越来越重要。
在各种存储设备中，Flash存储器由于其高速、低功耗、可靠性高等特点而备受青睐。
本文将介绍Flash存储阵列的结构和存储原理。
二、Flash存储阵列的结构Flash存储阵列是由多个Flash存储芯片组成的，它们通过控制器相互连接。
一个Flash存储芯片通常由多个存储单元组成，每个存储单元都可以存储一个比特的数据。
为了提高存储密度，每个存储单元通常还可以存储多个比特的数据。
Flash存储阵列通常采用多级存储结构，将多个存储单元组成一个块，多个块组成一个页，多个页组成一个主存储区。
每个存储单元都有一个唯一的地址，可以通过地址来访问和操作其中的数据。
三、Flash存储原理1. 存储过程Flash存储器使用非易失性存储技术，它可以在断电后保持存储的数据不丢失。
在写入数据时，Flash存储器需要先擦除一个块，然后再将数据写入。
擦除是一个相对较慢的过程，一般需要几毫秒甚至更长的时间。
因此，Flash存储器的写入速度相对较慢。
而读取数据时，Flash存储器可以直接访问存储单元，速度较快。
2. 坏块管理随着Flash存储芯片使用时间的增加，由于擦除和写入操作的限制，存储单元可能会出现坏块。
坏块是指由于某些原因，存储单元无法正常擦除或写入数据的情况。
为了保证数据的可靠性和存储效率，Flash存储阵列需要进行坏块管理。
坏块管理通常通过在控制器中维护一个坏块表来实现，将出现坏块的存储单元标记为不可用，从而避免对坏块进行读写操作。
3. 数据安全性由于Flash存储器的特殊性，当出现断电或异常情况时，存储单元中的数据可能会丢失或损坏。
为了保证数据的安全性，Flash存储阵列通常采用错误检测和纠正编码技术。
这些技术可以检测和纠正存储单元中的错误，从而提高数据的可靠性。
4. 读写算法Flash存储器采用的读写算法对于性能和寿命有着重要影响。
Flash存储芯片工作原理
Flash存储芯片工作原理Flash存储芯片是一种非易失性存储器，广泛应用于各种电子设备中，如手机、相机、固态硬盘等。
它的工作原理是通过电子擦除和写入的方式来实现数据的存储和读取。
Flash存储芯片由一系列的存储单元组成，每个存储单元被称为一个存储单元。
每个存储单元可以存储一个或多个位的数据，通常以二进制形式表示。
存储单元由两个主要部分组成：浮动栅和控制栅。
在Flash存储芯片中，数据的存储和读取是通过改变存储单元中的电荷状态来实现的。
存储单元中的浮动栅是一个绝缘层，上面覆盖着一层导电层。
当存储单元中没有电荷时，浮动栅与导电层之间的电场是弱的，表示存储单元的逻辑0。
当存储单元中有电荷时，浮动栅与导电层之间的电场是强的，表示存储单元的逻辑1。
在写入数据时，Flash存储芯片会通过一个称为编程的过程来改变存储单元中的电荷状态。
编程过程涉及向存储单元中注入电荷，以改变浮动栅和导电层之间的电场强度。
这可以通过一个称为编程电压的高电压来实现。
当编程电压施加到存储单元上时，电荷会被注入到浮动栅中，改变电场强度，从而改变存储单元的状态。
在擦除数据时，Flash存储芯片会通过一个称为擦除的过程来清除存储单元中的电荷。
擦除过程涉及向存储单元中施加一个称为擦除电压的高电压。
当擦除电压施加到存储单元上时，电荷会从浮动栅中移除，恢复到初始状态。
读取数据时，Flash存储芯片会通过测量存储单元中的电场强度来确定存储单元的状态。
这可以通过一个称为读取电压的适度电压来实现。
当读取电压施加到存储单元上时，芯片会测量存储单元的电场强度，并将其转换为相应的数据值。
Flash存储芯片具有许多优点，如非易失性、高密度存储、快速读取和写入速度等。
然而，它也有一些限制，如有限的擦写寿命和擦写速度较慢。
为了克服这些限制，一些技术和算法被引入到Flash存储芯片中，如错误纠正码（ECC）和垃圾回收算法。
总的来说，Flash存储芯片通过电子擦除和写入的方式来实现数据的存储和读取。
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STM32学习笔记-Flash做为存储器储存数据说到STM32的FLSAH，我们的第一反应是用来装程序的，实际上，STM32的片内FLASH不仅用来装程序，还用来装芯片配置、芯片ID、自举程序等等。
当然， FLASH 还可以用来装数据。
自己收集了一些资料，现将这些资料总结了一下，不想看的可以直接调到后面看怎么操作就可以了。
FLASH分类根据用途，STM32片内的FLASH分成两部分：主存储块、信息块。
主存储块用于存储程序，我们写的程序一般存储在这里。
信息块又分成两部分：系统存储器、选项字节。
系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序（BootLoader），当使用ISP方式加载程序时，就是由这个程序执行。
这个区域由芯片厂写入BootLoader，然后锁死，用户是无法改变这个区域的。
选项字节存储芯片的配置信息及对主存储块的保护信息。
FLASH的页面STM32的FLASH主存储块按页组织，有的产品每页1KB，有的产品每页2KB。
页面典型的用途就是用于按页擦除FLASH。
从这点来看，页面有点像通用FLASH 的扇区。
STM32产品的分类STM32根据FLASH主存储块容量、页面的不同，系统存储器的不同，分为小容量、中容量、大容量、互联型，共四类产品。
小容量产品主存储块1-32KB，每页1KB。
系统存储器2KB。
中容量产品主存储块64-128KB，每页1KB。
系统存储器2KB。
大容量产品主存储块256KB以上，每页2KB。
系统存储器2KB。
互联型产品主存储块256KB以上，每页2KB。
系统存储器18KB。
对于具体一个产品属于哪类，可以查数据手册，或根据以下简单的规则进行区分：STM32F101xx、STM32F102xx 、STM32F103xx产品，根据其主存储块容量，一定是小容量、中容量、大容量产品中的一种，STM32F105xx、STM32F107xx是互联型产品。
互联型产品与其它三类的不同之处就是BootLoader的不同，小中大容量产品的BootLoader只有2KB，只能通过USART1进行ISP，而互联型产品的BootLoader有18KB，能通过USAT1、4、CAN等多种方式进行ISP。
小空量产品、中容量产品的BootLoader与大容量产品相同。
关于ISP与IAPISP（In System Programming）在系统编程，是指直接在目标电路板上对芯片进行编程，一般需要一个自举程序（BootLoader）来执行。
ISP也有叫ICP （In Circuit Programming）、在电路编程、在线编程。
IAP（In Application Programming）在应用中编程，是指最终产品出厂后，由最终用户在使用中对用户程序部分进行编程，实现在线升级。
IAP要求将程序分成两部分：引导程序、用户程序。
引导程序总是不变的。
IAP也有叫在程序中编程。
ISP与IAP的区别在于，ISP一般是对芯片整片重新编程，用的是芯片厂的自举程序。
而IAP只是更新程序的一部分，用的是电器厂开发的IAP引导程序。
综合来看，ISP受到的限制更多，而IAP由于是自己开发的程序，更换程序的时候更容易操作。
FPECFPEC(FLASH Program/Erase controller 闪存编程/擦除控制器)，STM32通过FPEC来擦除和编程FLASH。
FPEC使用7个寄存器来操作闪存：FPEC键寄存器(FLASH_KEYR) 写入键值解锁。
选项字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR) 写入键值解锁选项字节操作。
闪存控制寄存器(FLASH_CR) 选择并启动闪存操作。
闪存状态寄存器(FLASH_SR) 查询闪存操作状态。
闪存地址寄存器(FLASH_AR) 存储闪存操作地址。
选项字节寄存器(FLASH_OBR) 选项字节中主要数据的映象。
写保护寄存器(FLASH_WRPR) 选项字节中写保护字节的映象。
键值为了增强安全性，进行某项操作时，须要向某个位置写入特定的数值，来验证是否为安全的操作，这些数值称为键值。
STM32的FLASH共有三个键值：RDPRT键 = 0x000000A5 用于解除读保护KEY1 = 0x45670123 用于解除闪存锁KEY2 = 0xCDEF89AB 用于解除闪存锁闪存锁在FLASH_CR中，有一个LOCK位，该位为1时，不能写FLASH_CR寄存器，从而也就不能擦除和编程FLASH，这称为闪存锁。
当LOCK位为1时，闪存锁有效，只有向FLASH_KEYR依次写入KEY1、KEY2后，LOCK位才会被硬件清零，从而解除闪存锁。
当LOCK位为1时，对FLASH_KEYR的任何错误写操作（第一次不是KEY1，或第二次不是KEY2），都将会导致闪存锁的彻底锁死，一旦闪存锁彻底锁死，在下一次复位前，都无法解锁，只有复位后，闪存锁才恢复为一般锁住状态。
复位后，LOCK位默认为1，闪存锁有效，此时，可以进行解锁。
解锁后，可进行FLASH的擦除编程工作。
任何时候，都可以通过对LOCK位置1来软件加锁，软件加锁与复位加锁是一样的，都可以解锁。
主存储块的擦除主存储块可以按页擦除，也可以整片擦除。
页擦除主存储块的任何一页都可以通过FPEC的页擦除功能擦除。
建议使用以下步骤进行页擦除：1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位。
以确认没有其他正在进行的闪存操作。
必须等待BSY位为0，才能继续操作。
2．设置FLASH_CR寄存器的PER位为1。
选择页擦除操作。
3．设置FLASH_AR寄存器为要擦除页所在地址，选择要擦除的页。
FLASH_AR的值在哪一页范围内，就表示要擦除哪一页。
4．设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1，启动擦除操作。
5．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。
6．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。
7．读出被擦除的页并做验证。
擦完后所有数据位都为1。
整片擦除整片擦除功能擦除整个主存储块，信息块不受此操作影响。
建议使用以下步骤进行整片擦除：1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作。
2．设置FLASH_CR寄存器的MER位为1。
选择整片擦除操作。
3．设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1。
启动整片擦除操作。
4．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。
5．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。
6．读出所有页并做验证。
擦完后所有数据位都为1。
主存储块的编程对主存储块编程每次可以写入16位。
当FLASH_CR寄存器的PG位为1时，在一个闪存地址写入一个半字（16位）将启动一次编程；写入任何非半字的数据，FPEC都会产生总线错误。
在编程过程中(BSY位为1时)，任何读写闪存的操作都会使CPU暂停，直到此次闪存编程结束。
建议使用如下步骤对主存储块进行编：1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作。
2．设置FLASH_CR寄存器的PG位为1。
选择编程操作。
3．在指定的地址写入要编程的半字。
直接用指针写。
4．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。
5．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。
6．读出写入的地址并验证数据。
关于主存储块擦除编程操作的一些疑问1．为什么每次都要检查BSY位是否为0？因为BSY位为1时，不能对任何FPEC寄存器执行写操作，所以必须要等BSY位为0时，才能执行闪存操作。
2．如果没有擦除就进行编程，会出现什么结果？STM32在执行编程操作前，会先检查要编程的地址是否被擦除，如果没有，则不进行编程，并置FLASH_SR寄存器的PGERR位为1。
唯一例外的是，当要编程的数据为0X0000时，即使未擦除，也会进行编程，因为0X0000即使擦除也可以正确编程。
3．为什么操作后要读出数据并验证？STM32在某些特殊情况下（例如FPEC被锁住），可能根本就没有执行所要的操作，仅通过寄存器无法判断操作是否成功。
所以，保险起见，操作后都要读出所有数据检查。
4．等待BSY位为1的时间以多少为合适？请参考STM32固件库中的数据。
5． FLASH编程手册上说进行闪存操作（擦除或编程）时，必须打开内部的RC 振荡器(HSI)，是不是一定要用HIS进行闪存的擦除及编程操作？对于这点，我的理解是，进行闪存操作时，必须要保证HIS没有被关闭，但是操作时的系统仍然可以是HSE时钟。
STM32复位后，HIS默认是开的，只要你不为了低功耗去主动关闭它，则用什么时钟都可以进行闪存操作的。
我所编的程序也验证了这一点。
选项字节选项字节用于存储芯片使用者对芯片的配置信息。
目前，所有的STM32101xx、STM32102xx、STM32103xx、STM32105xx、STM32107xx 产品，选项字节都是16字节。
但是这16字节，每两个字节组成一个正反对，即，字节1是字节0的反码，字节3是字节2的反码，．．．，字节15是字节14的反码，所以，芯片使用者只要设置8个字节就行了，另外8个字节系统自动填充为反码。
因此，有时候，也说STM32的选项字节是8个字节，但是占了16字节的空间。
选项字节的8字节正码概述如下：RDP 字节0。
读保护字节，存储对主存储块的读保护设置。
USER 字节2。
用户字节，配置看门狗、停机、待机。
Data0 字节4。
数据字节0，由芯片使用者自由使用。
Data1 字节6。
数据字节1，由芯片使用者自由使用。
WRP0 字节8。
写保护字节0，存储对主存储块的写保护设置。
WRP1 字节10。
写保护字节1，存储对主存储块的写保护设置。
WRP2 字节12。
写保护字节2，存储对主存储块的写保护设置。
WRP3 字节14。
写保护字节3，存储对主存储块的写保护设置。
选项字节写使能在FLASH_CR中，有一个OPTWRE位，该位为0时，不允许进行选项字节操作（擦除、编程）。
这称为选项字节写使能。
只有该位为1时，才能进行选项字节操作。
该位不能软件置1，但可以软件清零。
只有向FLASH_OPTKEYR依次写入KEY1和KEY2后，硬件会自动对该位置1，此时，才允许选项字节操作。
这称为解锁（打开）选项字节写使能。
该位为1后，可以由软件清零，关闭写使能。
复位后，该位为0。
错误操作不会永远关闭写使能，只要写入正确的键序列，则又可以打开写使能。
写使能已打开时，再次打开，不会出错，并且依然是打开的。
很显然，进行选项字节操作前，先要解开闪存锁，然后打开选项字节写使能，之后，才能进行选项字节操作。
选项字节擦除建议使用如下步骤对选项字节进行擦除：1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作。