嵌入式—flash存储器
STM32简介
STM32 简介
? STM32系列基于专为要求高性能、低成本、低功耗的嵌入 式应用专门设计的ARM Cortex-M3内核。按性能分成两个 不同的系列：STM32F103“增强型”系列和STM32F101“基 本型”系列。增强型系列时钟频率达到72MHz，是同类产 品中性能最高的产品；基本型时钟频率为36MHz，以16位 产品的价格得到比16位产品大幅提升的性能，是16位产品 用户的最佳选择。两个系列都内置 32K到128K的闪存，不 同的是SRAM的最大容量和外设接口的组合。时钟频率 72MHz时，从闪存执行代码，STM32功耗36mA，是32位市场 上功耗最低的产品。
? 截至2010年7月1日，市面流通的型号有：
? 基本型：STM32F101R6 STM32F101C8 STM32F101R8 STM32F101V8 STM32F101RB STM32F101VB
? 增强型：STM32F103C8 STM32F103R8 STM32F103V8 STM32F103RB STM32F103VB STM32F103VE STM32F103ZE
? 意法半导体 (ST) 整个集团共有员工近 50,000 名，拥有 16 个先进的研发机构、39 个设计和应用中心、15 主要 制造厂，并在 36 个国家设有 78 个销售办事处。公司总 部设在瑞士日内瓦，同时也是欧洲区以及新兴市场的总部； 公司的美国总部设在德克萨斯州达拉斯市的卡罗顿；亚太 区总部设在新加坡；日本的业务则以东京为总部；大中国 区总部设在上海，负责香港、大陆和台湾三个地区的业务。
嵌入式系统在SPI_FLASH存储器测试中的应用
嵌入式系统在SPI_FLASH存储器测试中的应用嵌入式系统是一种集成了计算机硬件和软件的特殊计算机系统，广泛应用于各个领域。
其中，嵌入式系统在SPI_FLASH存储器测试中的应用尤为重要。
SPI_FLASH存储器是一种串行外围设备，常用于嵌入式系统中的程序和数据存储。
在嵌入式系统的开发和生产过程中，对SPI_FLASH存储器进行测试能够确保其性能和可靠性，保证嵌入式系统的正常运行。
SPI_FLASH存储器测试主要包括功能测试和性能测试两个方面。
功能测试是对SPI_FLASH存储器进行读写操作的测试，以验证存储器的基本功能是否正常。
性能测试则是对存储器的读写速度、擦除时间和数据保持能力等进行测试，以评估存储器的性能指标。
在功能测试中，嵌入式系统通过向SPI_FLASH存储器写入特定的数据，并从中读取数据进行比对，以验证存储器的读写功能。
这种测试可以检测存储器是否能够正确地保存和读取数据，并判断存储器是否存在读写错误或数据丢失等问题。
在测试过程中，还可以通过模拟异常情况，如断电、复位等，来验证存储器的异常处理能力。
性能测试是对SPI_FLASH存储器的各项性能指标进行评估。
读写速度是评估存储器性能的重要指标之一，可以通过向存储器写入大量数据并计时读取的方式来测试。
擦除时间则是指存储器进行擦除操作所需要的时间，通常以扇区为单位进行测试。
此外，还可以通过连续读写数据、并检测数据是否正确保持来评估存储器的数据保持能力。
嵌入式系统在SPI_FLASH存储器测试中的应用不仅可以确保存储器的正常运行，还可以提前发现存储器的问题，及时进行修复和优化。
通过测试，可以确保嵌入式系统的稳定性和可靠性，提高系统的性能和用户体验。
为了实现SPI_FLASH存储器测试，嵌入式系统通常会采用专门的测试软件和硬件设备。
测试软件可以通过编程语言实现对存储器的读写操作，测试结果可以通过串口或网络传输到上位机进行分析和展示。
而测试硬件设备可以提供电压、时钟和信号等测试条件，并监测存储器的输出信号以判断读写是否正常。
存储器分类及功能大全
RAM/ROM存储器ROM和RAM指的都是半导体存储器，RAM是Random Access Memory的缩写，ROM是Read Only Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
一、 RAM有两大类：1、静态RAM（Static RAM，SRAM），静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失；而且，一般不是行列地址复用的。
SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，而SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
优点：速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
缺点：集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
2、动态RAM（Dynamic RAM，DRAM），动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。
而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
DRAM利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。
由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。
DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快；DRAM存储单元的结构非常简单，所以从价格上来说它比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/ FastPage、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等 I.SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。
stm32单片机的工作原理
stm32单片机的工作原理STM32单片机是一款广泛应用于嵌入式系统的微控制器，具有高性能、低功耗和丰富的外设资源等特点。
本文将详细介绍STM32单片机的工作原理，并对其各个部分进行解析。
一、概述STM32单片机是由意法半导体（STMicroelectronics）公司开发的一款32位微控制器。
它采用了先进的ARM Cortex-M内核，非常适用于嵌入式控制应用。
STM32单片机具有丰富的外设资源，如通用IO口、定时器、通信接口（如USART、SPI、I2C）等，可以满足不同应用的需求。
二、内核结构STM32单片机的内核结构采用了Harvard体系结构，主要由处理器核、存储器和总线组成。
处理器核负责指令执行和数据处理，存储器用于存储程序代码和数据，总线则用于连接处理器核和存储器。
1. 处理器核STM32单片机的处理器核采用了ARM Cortex-M系列的核心。
它具有强大的计算能力和高效的指令执行速度，支持多种指令集和调试接口，能够满足不同应用的需求。
处理器核负责执行存储在存储器中的程序代码，控制外设的操作，并根据指令完成相应的数据处理。
2. 存储器STM32单片机的存储器分为Flash存储器和RAM存储器两部分。
Flash存储器用于存储程序代码和常量数据，可在电源关闭后保持数据的不变性。
RAM存储器用于存储临时的变量和数据，速度较快但断电后数据会消失。
3. 总线STM32单片机的总线用于连接处理器核和存储器，同时也用于连接外设。
总线分为数据总线、地址总线和控制总线三部分。
数据总线用于传输数据，地址总线用于指定存储器或外设的地址，控制总线用于传递读写和控制信号。
三、外设资源STM32单片机具有丰富的外设资源，可以满足各种嵌入式控制应用的需求。
这些外设包括通用IO口、定时器、通信接口等。
1. 通用IO口通用IO口是STM32单片机最常用的外设之一，它可以配置为输入或输出，用于连接外部设备或传感器。
通用IO口的数量和类型取决于具体型号，一般都有多个引脚可供使用。
STM32简介
10、电压调节：调压器有3种运行模式：主（MR），低功耗（LPR）和 掉电。MR用在传统意义上的运行模式，LPR用在停止模式，掉电用在 待机模式。 11、低功耗模式：STM32F103xx支持3种低功耗模式。休眠模式：只有 CPU停止工作，所有外设继续运行，在中断/事件发生时唤醒CPU；停 止模式：允许以最小的功耗来保持SRAM和寄存器的内容。设备可以通 过外部中断线从停止模式唤醒。外部中断源可以使16个外部中断线之 一，或者RTC警告。待机模式：追求最少的功耗，在进入待机模式之 后，除了备份寄存器和待机电路，SRAM和寄存器的内容也会丢失。当 外部复位（NRST引脚），IWDG复位，WKUP引脚出现上升沿或者TRC警 告发生时，设备退出待机模式。进入停止模式或者待机模式时， TRC,IWDG和相关的时钟源不会停止。
4、嵌套矢量中断控制器（NVIC）：可以处理43个可屏蔽中断通道 （不包括Cortex-M3的16根中断线），提供16个中断优先级。 5、外部中断/事件控制器（EXTI）：外部中断/事件控制器由用于19 条产生中断/事件请求的边沿探测器线组成。每条线可以被单独配置 用于选择触发事件（上升沿，下降沿，或者两者都可以），也可以被 单独屏蔽。 6、时钟和启动：在启动的时候还是要进行系统时钟选择，但复位的 时候内部8MHz的晶振被选用作CPU时钟。可以选择一个外部的4-16MHz 的时钟，并且会被监视来判定是否成功。多个预比较器可以用于配置 AHB频率，高速ASB最高的频率为72MHz，低速APB最高的频率为36MHz。
STM32F103性能特点
内核：ARM32位Cortex-M3 CPU，最高工作频率72MHz，1.25MIPS/MHz。 单周期乘法和硬件除法。 存储器：片上集成32-512KB的Flash存储器。6-64KB的SRAM存储器。 时钟、复位和电源管理：2.0-3.6V的电源供电和I/O接口的驱动电压。 4-16MHz的晶振。内嵌出厂前调校的8MHz RC振荡电路。内部40 kHz的 RC振荡电路。用于CPU时钟。带校准用于RTC的32kHz的晶振。 低功耗：3种低功耗模式：休眠，停止，待机模式。 调试模式：串行调试和JTAG接口。 DMA：12通道DMA控制器。支持的外设：定时器，ADC，DAC，SPI，IIC 和USART。 2个12位的uS级的A/D转换器（16通道）：A/D测量范围：0-3.6 V。双 采样和保持能力。片上集成一个温度传感器。
单片机的内部flash的均衡擦除算法_概述说明
单片机的内部flash的均衡擦除算法概述说明1. 引言1.1 概述随着单片机技术的不断发展，内部flash存储器作为一种重要的外设设备，对于存储和加载程序代码和数据起着至关重要的作用。
然而，在长期使用过程中，由于flash擦写操作的特性，会导致部分区域频繁擦写而其他区域很少使用，进而造成flash存储器寿命损耗不均衡的问题。
本文旨在介绍单片机内部flash的均衡擦除算法，通过合理设计和实现算法来解决存储器寿命不均衡问题，从而提高系统整体可靠性和稳定性。
1.2 文章结构本文主要包括以下几个部分：- 引言：介绍文章背景、目的和结构。
- 单片机内部flash的均衡擦除算法：对单片机内部flash存储器进行详细介绍，并探讨其面临的问题及解决方案。
- 算法效果评估与比较研究：设置实验环境，并设计评估指标与方法来验证所提出的均衡擦除算法在实际应用中的效果。
- 应用场景与未来发展方向：分析单片机内部flash的应用现状，并展望其潜在应用领域。
- 结论：对本文的主要研究成果进行总结，同时指出存在的问题并提出进一步的研究方向。
1.3 目的本文旨在针对单片机内部flash存储器寿命不均衡的问题，提出一种合理高效的均衡擦除算法，并通过实验评估与比较研究来验证其有效性。
同时，探讨单片机内部flash的应用现状和未来发展方向，为相关领域的技术改进和优化提供参考。
通过本文的阐述，读者能够全面了解单片机内部flash相关知识以及解决存储器寿命不均衡问题的方法和思路。
2. 单片机内部flash的均衡擦除算法:2.1 内部flash存储介绍:单片机的内部flash是一种非易失性存储器，用于存储程序代码和数据。
它具有较快的读取速度和较大的存储容量，但在使用过程中会出现数据擦除和写入次数限制的问题。
为了延长内部flash寿命并提高其使用效率，需要实施均衡擦除算法。
2.2 均衡擦除算法原理:均衡擦除算法旨在解决内部flash中擦除次数不平衡的问题。
FLASH存储器和EEPROM存储器的区别
FLASH存储器和EEPROM存储器的区别FLASH存储器和EEPROM存储器的区别1、首先从IO引脚占用方面比较，EEPROM只需占用两个IO引脚，时钟（clk）和数据（data）引脚，外加电源三个引脚即可，符合I2C通讯协议。
而FLASH需要占用更多IO引脚，有并行和串行的，串行的需要一个片选（cs）引脚（可用作节电功耗控制），一个时钟（clk）引脚，FLASH读出和写入引脚各一个，也就是四个。
并行的需要8个数据引脚，当然比串行的读写速度要快。
2、从功能方面比较，EEPROM可以单字节读写，FLASH部分芯片只能以块方式擦除(整片擦除),部分芯片可以单字节写入(编程),一般需要采用块写入方式；FLASH比EEPROM读写速度更快，可靠性更高。
但比单片机片内RAM的读写还要慢。
3、价格方面比较，FLASH应该要比EEPROM贵。
另供参考：EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。
EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM 的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister 组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。
技术上，FLASH是结合EPROM 和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim tuneling。
但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要EEPROM单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。
其实对于用户来说，EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是1。
EEPROM可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。
flash存储器
Flash存储器1. 简介Flash存储器是一种非易失性存储设备，常用于嵌入式系统和移动设备中。
与传统的硬盘驱动器相比，Flash存储器具有更快的访问速度，更低的能耗和更高的可靠性。
Flash存储器采用闪存技术，利用电子存储介质存储数据，无需机械运动。
本文将详细介绍Flash存储器的特点、工作原理和应用领域。
2. 特点2.1 非易失性Flash存储器是一种非易失性存储设备，意味着即使在断电情况下，存储在Flash存储器中的数据仍然可以保持不变。
这使得Flash存储器非常适合用于存储关键数据，如操作系统、固件和配置文件。
2.2 快速访问Flash存储器具有较快的访问速度，因为它无需机械运动。
与传统的硬盘驱动器相比，Flash存储器具有更短的延迟时间，从而可以实现更快的数据读写操作。
2.3 低能耗Flash存储器的能耗较低，这是由于它没有移动部件。
相比之下，传统硬盘驱动器需要消耗大量的能量来驱动机械运动。
因此，在移动设备或嵌入式系统中，Flash存储器可以延长电池寿命并提高能源效率。
2.4 高可靠性Flash存储器具有较高的可靠性，可以承受更多的物理冲击和振动而不会损坏数据。
这是因为Flash存储器使用了固态电路而不是机械部件。
此外，Flash存储器还具有较长的寿命，可以进行大量的擦除和写入操作而不会出现性能下降。
3. 工作原理Flash存储器使用了一种称为闪存的技术来存储数据。
闪存是一种基于非挥发性快闪电子存储原理的存储器，它可以在断电情况下保持数据的完整性。
Flash存储器由一个或多个存储单元组成，每个存储单元由一个晶体管和一个电容器构成。
Flash存储器的工作原理可以分为写入和擦除两个过程。
当需要写入数据时，Flash控制器将电荷存储在存储单元的电容器中。
通过施加一个较高的电压，数据可以写入存储单元。
而当需要擦除数据时，Flash控制器会将存储单元中的电容器进行放电，从而擦除数据。
需要注意的是，Flash存储器的擦除操作是以块为单位进行的。
ARM 嵌入式 存储器控制
7.6 外部存储器控制器（EMC）
相关寄存器
存储器组配臵寄存器0～3（BCFG0～3）：
位
功能
23:16
保留
15:11
WST2
10
RBLE
9:5
WST1
4
保留
3:0
IDCY
外部存储器读访问波形（WST1=0）：
XCLK CS OE WE/BLS Addr Data
变化数据
有效地址
WST1=0 1个等待周期
Flash 存储器组0
ARM局部总线
Flash 存储器组1
预取指缓存 分支跟踪缓存
2×128位
总线 接口
预取指缓存 分支跟踪缓存
2×128位
数据缓存区 选择
MAM结构
Flash中除了存储指令之外，还 可用来存储不修改或者很少修 改的数据，所以在MAM模块中 设计有数据缓冲区。数据缓存 区可以提高顺序读取数据的操 作速度。但是对随机读取操作 几乎没有加速效果。 Flash编程由另一个独立的模块 完成，Flash在进行编程操作时 禁止访问。在编程操作结束后， 缓存区的数据将自动失效，可 以避免读取到无效的数据。
D[7:0]
1.地址总线上出现地址； 2.数据总线上出现数据 0x??AA，高8位无效； 3.控制线nBLS0、nCS0和 nWE拉低，将低8位数据写 入芯片。
D[15:8]
nBLS0 nBLS1 nCS0 nWE
D[15:8]
nLB nUB nCE nWE
LPC2200
外部 SRAM
7.6 外部存储器控制器（EMC）
总线
外部存储器或 外部I/O器件 外部存储器或 外部I/O器件 外部存储器或 外部I/O器件 外部存储器或 外部I/O器件
寄存器、RAM、ROM、Flash相关概念区别整理
寄存器寄存器是中央处理器内的组成部份。
它跟CPU有关。
寄存器是有限存贮容量的高速存贮部件，它们可用来暂存指令、数据和位址。
在中央处理器的控制部件中，包含的寄存器有指令寄存器(IR)和程序计数器(PC)。
在中央处理器的算术及逻辑部件中，包含的寄存器有累加器(ACC)。
存储器存储器范围最大，它几乎涵盖了所有关于存储的范畴。
你所说的寄存器，内存，都是存储器里面的一种。
凡是有存储能力的硬件，都可以称之为存储器，这是自然，硬盘更加明显了，它归入外存储器行列，由此可见——。
内存内存既专业名上的内存储器，它不是个什么神秘的东西，它也只是存储器中的沧海一粟，它包涵的范围也很大，一般分为只读存储器和随即存储器，以及最强悍的高速缓冲存储器（CACHE），只读存储器应用广泛，它通常是一块在硬件上集成的可读芯片，作用是识别与控制硬件，它的特点是只可读取，不能写入。
随机存储器的特点是可读可写，断电后一切数据都消失，我们所说的内存条就是指它了。
CACHECACHE是在CPU中速度非常块，而容量却很小的一种存储器，它是计算机存储器中最强悍的存储器。
由于技术限制，容量很难提升，一般都不过兆。
ROM、RAM的区别：ROM（只读存储器或者固化存储器）RAM（随机存取存储器）ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），当数据被存入其中后不会消失。
SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了。
当这个SRAM 单元被赋予0 或者1 的状态之后，它会保持这个状态直到下次被赋予新的状态或者断电之后才会更改或者消失。
但是存储1bit 的信息需要4-6 只晶体管。
因此它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
嵌入式Linux系统下NORFlash的配置和使用
摘 要 关键词
简要比较 Ｎ Ｏ Ｒ 和 Ｎ Ａ Ｎ Ｄ 两种 Ｆ ｌ ａ ｓ ｈ 技术，分析嵌入式 Ｌｉ ｎ ｕ ｘ 系统 Ｍ Ｔ Ｄ 子系统的结构；详细介绍在编 译 Ｌ ｉ ｎ ｕ ｘ 内核时，如何在 Ｍ Ｔ Ｄ 子系统内对使用的 Ｎ Ｏ Ｒ Ｆ ｌ ａ ｓ ｈ 芯片进行配置和定制。
ＮＯＲ Ｆｌａｓｈ ＭＴＤ ＪＦＦＳ２
学习园地
LEARNING GARDEN
ｓｉｚｅ：
ＷＩＮＤＯＷ＿ＳＩＺＥ－０ｘ００６０００００，
４ 生成 ＪＦＦＳ２ 文件系统
／／ＭＴＤＰＡＲＴ＿ＳＩＺ＿ＦＵＬＬ， ｏｆｆｓｅｔ： ０ｘ００６０００００
［ ］ Ｓｕｐｐｏｒｔ ４－ｃｈｉｐ ｆｌａｓｈ ｉｎｔｅｒｌｅａｖｅ （ＮＥＷ）
Ｄｅｖｉｃｅｓ （ＭＴＤ） －－－＞” 进入之后设置 Ｍｅｍｏｒｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
［ ］ Ｓｕｐｐｏｒｔ ８－ｃｈｉｐ ｆｌａｓｈ ｉｎｔｅｒｌｅａｖｅ （ＮＥＷ）
Ｄｅｖｉｃｅ （ＭＴＤ） ｓｕｐｐｏｒｔ。现在可以正式开始配置 Ｎ Ｏ Ｒ
｛ ｎａｍｅ： “Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ”，
还需要设置下面的选项：
ｓｉｚｅ： ｏｆｆｓｅｔ：
０ｘ０００４００００， ０，
ＲＡＭ／ＲＯＭ／Ｆｌａｓｈ ｃｈｉｐ ｄｒｉｖｅｒｓ －－－＞
ｍａｓｋ＿ｆｌａｇｓ： ＭＴＤ＿ＷＲＩＴＥＡＢＬＥ ／＊ 强制只读 ＊／
［＊］ Ｆｌａｓｈ ｃｈｉｐ ｄｒｉｖｅｒ ａｄｖａｎｃｅｄ ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ ｏｐｔｉｏｎｓ
｝；
其中，ｎ ａ ｍ ｅ 是这个分区的名字，ｓ ｉ ｚ ｅ 是分区大小，
ｏｆｆｓｅｔ 是分区在 Ｆｌａｓｈ 中的偏移地址， 最后一个就
D0~D7
是目标 Ｍ Ｔ Ｄ 原始设备的信息。
NAND_Flash中文版资料
NAND Flash 存储器和使用ELNEC编程器烧录NAND Flash技术应用文档Summer 翻译整理深圳市浦洛电子科技有限公司August 2006目录一． 简介 ----------------------------------------------------------------------------------- 1 二． NAND Flash与NOR Flash的区别 -------------------------------------------- 1 三． NAND Flash存储器结构描叙 --------------------------------------------------- 4 四． 备用单元结构描叙 ---------------------------------------------------------------- 6 五． Skip Block method（跳过坏块方式） ------------------------------------------ 8 六． Reserved Block Area method（保留块区域方式）----------------------------- 9 七． Error Checking and Correction（错误检测和纠正）-------------------------- 10 八． 文件系统 ------------------------------------------------------------------------------10 九． 使用ELNEC系列编程器烧录NAND Flash -------------------------------- 10 十． Invalid Block Management drop-down menu -------------------------------- 12 十一． User Area Settings3 -------------------------------------------------------- 13 十二． Solid Area Settings --------------------------------------------------------- 15 十三． Quick Program Check-box ---------------------------------------------- 16 十四． Reserved Block Area Options --------------------------------------------17 十五． Spare Area Usage drop-down menu ------------------------------------18简介NAND Flash 结构最早是在1989年由日本东芝公司引入。
嵌入式NAND FLASH读写
NAND FLASH 读写一、实验目的1．学习存储器存储原理。
2．掌握NAND FLASH 与NOR FLASH的区别。
3．掌握读写NAND FLASH的方法。
二、实验内容本次实验使用ADS1.2集成开发环境，编写44B0的I/O驱动程序，结合NAND FLASH读写程序，完成对NAND FLASH的读写，并通过串口调试工具对NAND FLASH进行命令控制以及回显从NAND FLASH读取的数据。
三、预备知识1．用ARM ADS1.2集成开发环境，编写和调试程序的基本过程。
2．ARM应用程序的框架结构。
3．深入了解NAND FLASH的工作原理。
4．Samsung 44B0数据手册中的I/O控制介绍。
5．NAND FLASH K9F5608数据手册。
四、实验设备及工具硬件：ARM嵌入式开发板、用于ARM7TDMI的JTAG仿真器、PC机Pentumn100以上软件：PC机操作系统win98、Win2000或WinXP、ARM ADS1.2 集成开发环境、仿真器驱动程序、PC串口调试工具、实验原理及说明五、实验原理1．NAND vs. NORBeside the different silicon cell design, the most important difference between NAND and NOR Flash is the bus interface. NOR Flash is connected to a address / data bus direct like other memory devices as SRAM etc. NAND Flash uses a multiplexed I/O Interface with some additional control pins. NAND flash is a sequential access device appropriate for mass storage applications, while NOR flash is a random access device appropriate for code storage application.NOR Flash can be used for code storage and code execution. Code stored on NAND Flash can't be executed frome there. It must be loaded into RAM memory and executed from there.NOR NANDInterface Bus I/OCell Size Large SmallCell Cost High LowRead Time Fast SlowProgram TimeFast Slowsingle ByteProgram Time Slow Fastmulti ByteErase Time Slow FastPowerconsumptionHigh Low, but requires additional RAMCan execute code Yes No, but newer chips can execute a small loader out of the first pageBit twiddling nearlyunrestricted1-3 times, also known as "partial pageprogram restriction"Bad blocks atship timeNo AllowedSome facts about write speed.NAND is typically faster than NOR for large writes. A typical NOR write is 10uSper word, which results in 1280uS per 512 bytes on a 32-bit bus. A typical NAND writeis 50nS per byte + 10uS page seek + 200uS program which results in 236uS per 512bytes on a 8 bit bus.As NAND Flash is cheaper than NOR Flash and has a very slim interface it was selected as the optimum solution for large nonvolatile storage applications such as solid state file storage, digital audio/voice recorder, digital still camera and portable applications requiring non-volatility. 2．NAND TypesThere are various types of NAND Flash available. Bare NAND chips, SmartMediaCards, DiskOnChip.SmartMediaCards are bare NAND chips covered by thin plastic. They are very common in digital cameras and MP3 players. The card itself contains nothing smart at all. It gets smart by software.DiskOnChip is NAND Flash with additional glue logic as a drop in replacement for NOR Flash chips. The glue logic provides direct memory access to a small address window, which contains a boot loader stub, which loads the real boot code from the NAND device. The logic contains also control registers for the static NAND chip control lines and a hardwareECC generator.3．NAND technical viewThe memory is arranged as an array of pages. A page consists of 256 / 512 Byte data and 8 / 16 Byte spare (out of band) area. Newer chips have 2048Bytes data and and 64 Bytes spare area sizes. The spare area is used to store ECC (error correction code), bad block information and filesystem dependend data. n pages build one block. The read / write access to data is on a per page basis. Erase is done on a per block basis. The commands to read / write / erase the chip is given by writing to the chip with the Command Latch Enable pin high. Address is given by writing with the Address Latch Enable pin high.There are only a few lines neccecary to access NAND Flashmemory.16 bit buswidth chips are supported.Pin(s) FunctionI/O 0-7(15)DataInputs/Outputs/CE Chip EnableCLECommand Latch EnableALEAddress Latch Enable/RE Read Enable/WE Write Enable/WP Write Protect/SE Spare area EnableR/BReady / Busy OutputAs it is neccecary to use the spare area, the /SE (Spare area Enable) pin should be tied to GND. /CE, CLE and ALE should be GPIO pins or latched signals. It's possible to use address lines for ALE and CLE, but you have to take care about the timing restrictions of the chip !/RE and /WE can be tied to the corresponding lines of the CPU. Make sure, that they are logicaly combined with the corresponding chipselect. You can also use two different chip selects for /RE and /WE, but be aware of data hold time constraints of your NAND chip. Data hold time after rising edge of /WE is different to data hold time after rising edge of chipselect lines!I/O 0-7(15) are connected to the databus D0-D7(D15). The /WP pin can be used for write protection or connected to VCC to enable writes unconditionally. As NAND flash uses a command driven programming and erasing, an accidential write or erase is not likely to happen. The Ready / Busy output is not neccecary for operation, but it can be tied to a GPIO or an interrupt line.4．COMMANDS SETS5．Flow Chart（1） Flow Chart to create invalid block table（2）Program Flow Chart（3）Erase Flow Chart（4）Read Flow Chart六、实验步骤⑴学习上述NAND FLASH 读写原理，了解ARM开发板上用于控制NAND FLASH 读写的各个寄存器的功能和各位的意义。
Nand Flash 简介
摘要以三星公司K9F2808UOB为例，设计了NAND Flash与S3C2410的接口电路,介绍了NAND Flash在ARM嵌入式系统中的设计与实现方法,并在UBoot上进行了验证。
所设计的驱动易于移植，可简化嵌入式系统开发。
引言当前各类嵌入式系统开发设计中，存储模块设计是不可或缺的重要方面。
NOR和 NAND 是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。
NOR Flash存储器的容量较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中，常用于程序代码的存储。
与NOR相比,NAND 闪存的优点是容量大,但其速度较慢,因为它的I/O端口只有8或16个,要完成地址和数据的传输就必须让这些信号轮流传送。
NAND型Flash具有极高的单元密度,容量可以比较大,价格相对便宜。
本文以三星公司的 K9F2808UOB芯片为例,介绍了NAND Flash的接口电路与驱动的设计方法。
文中介绍了开发NAND Flash驱动基本原理，意在简化嵌入式系统开发过程。
目录1 NAND FLASH工作原理 (4)1.1 芯片内部存储布局及存储操作特点 (4)1.2 NAND F LASH接口电路 (4)1.3 控制器工作原理 (5)2 FLASH烧写程序原理及结构 (5)2.1 NAND F LASH R EAD (6)2.2 NAND F LASH P ROGRAM (6)2.3 NAND F LASH E RASE (8)3 ECC校检原理与实现 (8)4 UBOOT下功能验证 (10)1 NAND Flash工作原理S3C2410板的NAND Flash支持由两部分组成：集成在S3C2410 CPU上的NAND Flash 控制器和NAND Flash存储芯片。
要访问NAND Flash中的数据,必须通过NAND Flash控制器发送命令才能完成。
所以, NAND Flash相当于S3C2410的一个外设,并不位于它的内存地址区。
嵌入式系统中flash存储管理
嵌入式系统中的Flash存储管理文章作者：北京方岳科技有限公司陈峰北京航天信息股份有限公司君寒文章出处：单片机及嵌入式系统应用摘要：以TRI公司的基于NOR Flash的Flash管理软件FMM为例，详细介绍嵌入式系统中如何根据Flash的物理特性来进行Flash存储管理。
关键词：嵌入式系统 Flash FMM引言在当前数字信息技术和网络技术高速发展的后PC（Post-PC）时代，嵌入式系统已经广泛地渗透到科学研究、工程设计、军事技术、各类产业和商业文件艺术、娱乐业以及人们的日常生活等方方面面中。
随着嵌入式系统越来越广泛的应用，嵌入式系统中的数据存储和数据管理已经成为一个重要的课题摆在设计人员面前。
Flash存储器作为一种安全、快速的存储体，具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点。
目前已经逐步取代其它半导体存储元件，成为嵌入式系统中主要数据和程序载体。
作为嵌入式系统的一部分，Flash存储管理的主要功能是针对Flash自身的物理特性，利用一些特定的算法来提高Flash的使用效率，加快操作速度和管理Flash各单元的使用频率。
1 Flash存储器简介嵌入式系统中使用的Flash主要分为NOR和NAND两种类型。
这里我们以NOR型Flash为例进行介绍。
NOR型Flash主要特点如下：*体积小、容量大，目前可以达到十几MB。
*掉电数据不丢失，数据可以保存10～100年。
*有独立的地址和数据总线，可以快速地通过总线读取数据。
因此它具有和静态RAM相同的读取速度，既可以作为数据存储器也可以作为程序存储器使用。
*写入操作必须通过指令序列来完成，以字节（Byte）或字（Word）为单位，每写入一个Byte或Word需十几μs。
*擦除也通过指令序列完成，以块（Block）为单位，通常块的大小为64K。
每擦除一个块需要十几ms。
*由于Flash有一定的使用寿命，一般为10～100万次。
所以随着使用次数的增加，会有一些单元逐渐变得不稳定或失效，因此必须能够对其状态加以识别。
嵌入式芯片的存储器映射
嵌入式芯片的存储器映射和存储器重映射1. 引言很多嵌入式芯片都集成了多种存储器（RAM、ROM、Flash、……），这些存储器的介质、工艺、容量、价格、读写速度和读写方式都各不相同，嵌入式系统设计需根据应用需求巧妙地规划和利用这些存储器，使得存储系统既满足应用对容量和速度的需求，又有较强的价格竞争优势。
本文所讲的存储器映射就是对各种存储器的大小和地址分布的规划。
存储器重映射就是为了快速响应中断或者快速完成某个任务，将同一地址段映射到不同速度的两个存储块，然后将低速存储块中的代码段复制到高速存储块中，对低速存储块的访问将被重映射为对高速存储块的访问。
2. 存储器映射（Memory Mapping）对于具体的某款嵌入式芯片，它包含的各种存储器的大小、地址分布都是确定的。
存储器映射（Memory Mapping）就是指（物理）地址到存储单元的一一对应（注意，本文中所讲的存储器映射不是指虚拟地址到物理地址的映射。
更确切地讲，本文所讲的存储器映射是存储布局（Memory Layout））。
同一类型的存储器称为一个存储块（Memory Block），也有的地方称为一个存储区域（Memory Area，Memory Region），嵌入式系统设计者通常会为一个存储块分配一段连续的物理地址。
多种存储器按某种方式排列，形成整个存储空间。
存储器映射可以理解为这样一个函数：输入是地址总线上的地址编码，输出是被寻址单元中（或数据总线上）的数据。
该函数是一个逻辑概念，计算机系统上电复位后才建立起这种映射，当计算机系统掉电后，这个函数就不复存在，只剩下计算机系统中实现这个函数的物理基础——电路连接。
也可以这样认为：存储器映射是计算机系统上电复位时的预备动作，是一个将CPU所拥有的地址编码资源向系统内各个物理存储器块分配的自动过程。
3. 存储器重映射（Memory Remapping）3.1 为什么需要存储器重映射目前很多嵌入式系统中的Flash分为Code Flash和Data Flash。
嵌入式学习之存储器分类
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在嵌入式中，存储器主要分为闪存（flash），只读存储器（ROM），随机存储器（RAM），光，磁介质存储器。
FLASH
flash主要流行的有两种：Nor flash 和Nand flash
Nor flash: 可芯片内执行，程序可以直接在Nor flash上运行，容量相对较小，可擦写的次
数也相对较小。
Nand flash:不支持芯片内执行，但容量相对较大，可供擦除的次数和编程速度远远超过
Nor flash
ROM
可细分为不可编程的ROM，可编程的ROM（PROM）,可擦除可编程的ROM（EPROM）和电可擦除可编程的ROM（EEPROM）。
EEPROM完全可以用软件来擦写，现在已经非常方便！
RAM
RAM也可分为静态的RAM (SRAM) 和动态的RAM (DRAM) 。
DRAM 以电荷形式进行存储，数据存储在电容器中。
由于电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而DRAM器件需要定期被刷新。
SRAM是静态的，只要供电，它就会保持一个值，SRAM没有刷新周期。
注：通常所说的SDRAM , DDR SDRAM皆属于DRAM的范畴。
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嵌入式系统期末复习资料
嵌入式系统的特点：应用的特定性和广泛性技术、知识、资金的密集性高效性较长的生命周期高可靠性软硬一体，软件为主无自举开发能力（需独立开发系统）单片机：在一片半导体硅片上集成了中央处理单元(CPU)、存储器（RAM/ROM）和各种I/O接口的微型计算机。
这样一块集成电路芯片具有一台微型计算机的功能，因此被称为单片微型计算机，简称单片机。
单片机主要应用：在测试和控制领域，由于单片机在使用时，通常处于核心地位并嵌入其中，因此我们也常把单片机称为嵌入式微控制器（Embedded Microcontroller Unit ），把嵌入某种微处理器或单片机的测试和控制系统称为嵌入式控制系统。
大端格式：字数据的高字节存储在低地址中，而字数据的低字节则存放在高地址中。
小端格式：低地址中存放的是字数据的低字节，高地址存放的是字数据的高字节。
Linux的目录结构Linux继承了Unix操作系统结构清晰的特点。
在Linux下的文件结构非常有条理，不同目录下存放不同功能的相关文件。
(1) /bin。
显而易见，bin是二进制(binary)的英文缩写。
在一般的系统当中，都可以在这个目录下找到Linux 常用的命令。
在有的版本中还会找到一些和根目录下相同的目录。
(2) /boot。
在这个目录下包含了操作系统的内核和在启动系统过程中所用到的文件。
(3) /dev。
dev是设备(device)的英文缩写。
在这个目录中包含了所有Linux系统中使用的外部设备。
(4) /etc。
这个目录是Linux系统中最重要的目录之一。
在这个目录下存放了系统管理时要用到的各种配置文件和子目录。
用户要用到的网络配置文件、系统配置文件、文件系统、设备配置信息、设置用户信息等都在这个目录下。
(5) /sbin。
这个目录用来存放系统管理员的系统管理程序。
(6) /home。
如果用户建立一个用户，用户名是“xx”，那么在/home目录下就有一个对应的/home/xx路径，用来存放用户的主目录。
NORFlash数据丢失分析
NORFlash数据丢失分析摘要：FLASH器件因其突出的优点在嵌入式系统中广泛使用，但所有FLASH都受数据丢失困扰，数据丢失造成的产品故障现象通常不易复现，难以排查。
本文通过对FLASH数据丢失的现象和原因进行分析，提供几种降低数据丢失引起产品故障的措施。
为FLASH的设计和使用，提供提高数据安全性的方法。
关键词：数据丢失现象；数据丢失原因；降低数据丢失引起产品故障的措施1.概述FLASH存储器作为一种安全、快速的存储体，具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等优点，成为嵌入式系统中主要的数据和程序载体。
当前比较主流的两种闪存芯片结构类型为：NOR FLASH和NAND FLASH，这两类芯片都是非易失存储器。
NAND FLASH具有容量大，擦写速度快的特点，适用于大容量数据存储，使用前需要写入驱动。
NOR FLASH具有可靠性高、随机读取速度快、程序可以直接在芯片内执行的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用。
所有的FLASH器件都受数据丢失（也称为数据翻转）的困扰。
当FLASH用于存储操作系统、配置文件、执行程序等敏感信息时，发生数据丢失会引起产品严重故障。
在本人参与的某项目中，使用ATMEL公司的AT49BV802AT型NOR FLASH作为DSP程序存储器，发生了由于FLASH数据丢失造成产品故障的问题。
本文以AT49BV802AT为参考，对NOR FLASH的存储机制、访问方式、故障模式、解决措施等进行分析论述。
1.存储机制NOR FLASH使用浮栅场效应管作为基本存储单元来存储数据。
浮栅场效应管共有4个端电极，分别为源极、漏极、控制栅极和浮置栅极，前3个端电极的作用与普通MOSFET是一样的，区别仅在于浮栅，FLASH利用浮栅是否存储电荷来表征数字“0”和“1”。
当向浮栅注入电荷后，D和S之间存在导电沟道，从D极读到“0”；当浮栅中没有电荷时，D和S间没有导电沟道，从D极读到“1”。
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存储器存储器FLASH存储器存储器章FLASH13章第13本章主要内容Flash Flash存储器概述与编程模式存储器概述与编程模式存储器MC908GP32MC908GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash存储器编程方法存储器编程方法存储器GP32GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash在线编程汇编语言实例在线编程汇编语言实例GP32GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash在线编程在线编程在线编程08C 08C 08C语言实例语言实例HCS08HCS08系列单片机系列单片机系列单片机Flash Flash Flash编程方法编程方法13.1 Flash 13.1 Flash存储器概述与编程模式存储器概述与编程模式13.1.1 Flash存储器的基本特点与编程模式(1) Flash存储器的基本特点①固有不挥发性：：Flash Flash存储器不需要后备电源来保持数据存储器不需要后备电源来保持数据存储器不需要后备电源来保持数据。
所以所以，，它具有磁存储器无需电能保持数据的优点它具有磁存储器无需电能保持数据的优点。
②易更新性易更新性:Flash :Flash :Flash存储器具有电可擦除特点存储器具有电可擦除特点存储器具有电可擦除特点。
相对于相对于EPROM(EPROM(EPROM(电可编电可编程只读存储器程只读存储器))的紫外线擦除工艺的紫外线擦除工艺，，Flash Flash存储器的电擦除功能为开发者存储器的电擦除功能为开发者节省了时间节省了时间，，也为最终用户更新存储器内容提供了可能也为最终用户更新存储器内容提供了可能。
③成本低成本低、、密度高密度高、、可靠性好可靠性好::与EEPROM(EEPROM(电可擦除可编程的只读存电可擦除可编程的只读存储器储器))相比较相比较，，Flash Flash存储器的成本更低存储器的成本更低存储器的成本更低、、密度更高密度更高、、可靠性更好可靠性更好。
13.1 Flash 13.1 Flash存储器概述与编程模式存储器概述与编程模式13.1.1 Flash存储器的基本特点与编程模式(2) Flash (2) Flash存储器的两种编程模式存储器的两种编程模式从Flash Flash存储器的基本特点可以看出存储器的基本特点可以看出存储器的基本特点可以看出，，在单片机中在单片机中，，可以利用可以利用Flash Flash 存储器固化程序存储器固化程序，，一般情况下通过编程器来完成一般情况下通过编程器来完成，，Flash Flash存储器工作于这存储器工作于这种情况种情况，，叫监控模式监控模式(Monitor Mode)(Monitor Mode)(Monitor Mode)或写入器模式或写入器模式，这与一般的这与一般的EPROM EPROM EPROM、、OTP OTP、、EEPROM EEPROM装入程序的含义相似装入程序的含义相似装入程序的含义相似。
另一方面另一方面，，由于由于Flash Flash Flash存储器具有电存储器具有电可擦除功能可擦除功能，，因此因此，，在程序运行过程中在程序运行过程中，，有可能对有可能对Flash Flash Flash存储区的数据或存储区的数据或程序进行更新程序进行更新，，Flash Flash存储器工作于这种情况存储器工作于这种情况存储器工作于这种情况，，叫用户模式用户模式(User Mode)(User Mode)或在线编程模式或在线编程模式。
13.1.2 HC08系列单片机Flash存储器的特点与编程模式（1）MC908系列单片机Flash存储器的特点第一第一，，编程速度快及可靠性高编程速度快及可靠性高。
Freescale HC08HC08系列单片机的片内系列单片机的片内系列单片机的片内Flash Flash 的整体擦除时间可以控制在的整体擦除时间可以控制在5ms 5ms 5ms以内以内以内，，对单字节的编程时间也在对单字节的编程时间也在40ns 40ns 40ns以内以内以内。
片内片内Flash Flash Flash的存储数据可以保持的存储数据可以保持的存储数据可以保持101010年以上年以上年以上，，可擦写次数也在可擦写次数也在11万次以上万次以上。
第二第二，，单一电源电压供电单一电源电压供电。
Freescale HC08HC08系列单片机通过在片内集成系列单片机通过在片内集成电荷泵电荷泵，，可由单一工作电压在片内产生出编程电压可由单一工作电压在片内产生出编程电压。
这样这样，，可实现单一电源供电的在线编程电源供电的在线编程，，不需要为不需要为Flash Flash Flash的编程而在目标板上增加多余的硬的编程而在目标板上增加多余的硬件模块件模块。
第三第三，，支持在线编程支持在线编程。
Freescale HC08HC08系列单片机的片内系列单片机的片内系列单片机的片内Flash Flash Flash支持在线支持在线编程编程(In (In (In--Circuit Program)Circuit Program)，，允许单片机内部运行的程序去改写允许单片机内部运行的程序去改写Flash Flash Flash存存储内容储内容，，13.1.2 HC08系列单片机Flash存储器的特点与编程模式(2) MC908(2) MC908系列单片机系列单片机系列单片机Flash Flash Flash存储器的编程模式存储器的编程模式在监控方式下在监控方式下，，单片机内部的监控单片机内部的监控ROM ROM ROM程序开始工作程序开始工作程序开始工作，，首先进行初始化，随后进入串行输入命令状态随后进入串行输入命令状态。
监控监控ROM ROM ROM通过一根通过一根通过一根I/O I/O I/O口线与主机进行口线与主机进行串行通信串行通信，，该I/O I/O口线的指定与芯片型号有关口线的指定与芯片型号有关口线的指定与芯片型号有关，，例如例如，，对MC908GP32MC908GP32，，它为PTA0; PTA0; 对对MC68HC908JL3MC68HC908JL3，，它为它为PTB0PTB0PTB0，，该I/O I/O口线在使用时需外接上拉电口线在使用时需外接上拉电阻。
主机程序可以利用监控主机程序可以利用监控ROM ROM ROM提供的少数几条指令对单片机内部地址进提供的少数几条指令对单片机内部地址进行读取行读取、、写入等基本操作写入等基本操作，，包括下载程序到包括下载程序到RAM RAM RAM中并执行中并执行中并执行。
在此基础上在此基础上，，主机可以通过主机程序或是下载到主机可以通过主机程序或是下载到RAM RAM RAM中的程序完成对中的程序完成对中的程序完成对Flash Flash Flash存储器编程存储器编程所需的一系列操作所需的一系列操作。
监控模式常被仿真器和编程器采用监控模式常被仿真器和编程器采用，，而在实际的工程应用中程应用中，，开发者往往只需要考虑和实现用户模式下的开发者往往只需要考虑和实现用户模式下的Flash Flash Flash存储器在线存储器在线编程编程。
本章只讨论用户模式下的本章只讨论用户模式下的Flash Flash Flash存储器的编程方法存储器的编程方法存储器的编程方法，，给出具体的实例。
13.2 MC908GP3213.2 MC908GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash存储器编程方法存储器编程方法13.2.1 Flash存储器编程的基本概念对Flash Flash编程的基本操作有两种编程的基本操作有两种编程的基本操作有两种：：擦除擦除(Erase)(Erase)(Erase)和写入和写入和写入(Program)(Program)(Program)。
擦除操作的含义是将存储单元的内容由二进制的除操作的含义是将存储单元的内容由二进制的00变成变成11，而写入操作的含义含义，，是将存储单元的内容由二进制的是将存储单元的内容由二进制的11变成变成00。
擦除及写入操作都是通过设置或清除通过设置或清除Flash Flash Flash存储器的控制寄存器存储器的控制寄存器存储器的控制寄存器(FLCR)(FLCR)(FLCR)中的某个或某些位中的某个或某些位来完成的来完成的。
Flash Flash存储器在片内是以页存储器在片内是以页存储器在片内是以页(Page)(Page)(Page)和行和行和行(Row)(Row)(Row)为单位组织为单位组织的。
.页和行的大小页和行的大小((字节数字节数))随整个随整个Flash Flash Flash存储器的大小变化而变化存储器的大小变化而变化存储器的大小变化而变化，，但页的大小始终为行的两倍但页的大小始终为行的两倍。
对Flash Flash存储器的擦除操作可以进行整存储器的擦除操作可以进行整体擦除也可以仅擦除某一起始地址开始的一页体擦除也可以仅擦除某一起始地址开始的一页(128(128(128字节字节字节))。
13.2 MC908GP3213.2 MC908GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash存储器编程方法存储器编程方法13.2.2 Flash 13.2.2 Flash存储器的编程寄存器存储器的编程寄存器(1) Flash (1) Flash控制寄存器控制寄存器控制寄存器((FLash Control Register —FLCR)FLCR FLCR的地址的地址的地址：：$FE08$FE08，，定义为定义为：：D7～D4位：未定义。
D3 —HVEN位：高压允许位(High-Voltage Enable Bit)。
HVEN=1，打开电荷泵并将高电平加到Flash阵列上；HVEN=0，撤除Flash阵列上的高电平并关闭电荷泵。
D2 —MASS位：整体擦除控制位(Mass Erase Control Bit)。
该位在ERASE=1时有效，用于选择Flash擦除操作方式：整体擦除或页擦除。
MASS=1，选择整体擦除方式；MASS=0，选择页擦除方式。
D1 —ERASE位：擦除控制位(Erase Control Bit)。
该位用于设置Flash编程操作为擦除操作。
ERASE=1，选择擦除操作；ERASE=0，不选择擦除操作。
D0 —PGM位：编程(写入)控制位(Program Control Bit)。
该位用于设置Flash编程操作为编程(写入)操作，且无法与ERASE位同时为1。
PGM=1，选择写入操作；PGM=0，不选择写入操作。
数据位D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 定义未定义 未定义 未定义 未定义 HVEN MASS ERASE PGM 复位 0 0 0 0 0 0 0 013.2 MC908GP3213.2 MC908GP32单片单片单片机机Flash Flash存储器编程方法存储器编程方法13.2.2 Flash存储器的编程寄存器(2) Flash (2) Flash块保护寄存器块保护寄存器块保护寄存器((FLash Block Protect Register —FLBPR)FLBPR FLBPR的地址的地址的地址：：$FF7E $FF7E，，它的内容为它的内容为Flash Flash Flash保护区域的起始地址的保护区域的起始地址的保护区域的起始地址的141414～～7位，保护区域的起始地址的最高位始终为保护区域的起始地址的最高位始终为11，而保护区域的起始地址的低的低77位(位6～0)0)始终为始终为始终为00。