Flash存储器在线编程
基于TMS320C67系列DSP的FLASH烧写和程序加载研究
1997 年，美国 TI 公司发布了新一代 DSPs 芯片 TMS320C6000，包括定点系列和浮点系列。其 中定点系列是 TMS320C62xx,浮点系列是 TMS320C67xx，二者互相兼容。TMS320C67 系列 DSP 具有 高速处理能力以及强大对外接口能力，工程应用很广泛，在军事通讯、电子对抗、雷达系统和制 导武器等需要高度智能化的应用领域，占有不可替代的优势。
218
（3）使用 MAP1 方式，如果目标程序使用如反三角函数 asin(),atan()等基于查找表方式的
函数，因为查找表放置在.cinit 段中，该数据段必须放在片内数据存储器中才能被数据存储器
控制器 DMC 访问(如将.cinit 放入 PMEM,主机加载工作正常；但烧写 FLASH 后，上电加载程序，
MEMORY
{
PMEM1:
org=0000f000h len=00001000h
PMEM2:
org=00000000h len=00000200h
SBSRAM: org=00400000h len=00040000h
DMEM:
org=80002000h len=00008000h
}
（4）打开烧写程序工程 C，该程序将 SBSRAM 内数据烧写至 FLASH；操作时，先加载数据(工
NOP 5
MVC B0,PDATA_O
STP *A0
ADD A0,4,A0
SUB B2,1,B2
[B2] B NEXTR
NOP 5
SUB B2,1,B2
[B2] B NEXTR
NOP 5
搬运工程 B 调用该函数：
void main()
{
int i;
NOR-Flash存储器介绍及编程
NOR-Flash存储器介绍及编程NOR-Flash存储器1概述ADSP-BF532自身不具有ROM，因此必须外接ROM器件来存储放电后仍需要保存的代码和数据。
NOR Flash具有非易失性，并且可轻易擦写。
Flash技术结合了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能，因此得到了越来越广泛的使用。
在本实验中将主要介绍NOR Flash器件——Am29LV160D在Blackfin处理器系统中的应用。
NOR Flash采用标准总线接口与处理器交互，对它的读取不需要任何特殊的代码。
作为代码存储器，NOR Flash映射在处理器的异步存储区的0x2000,0000到0x201F,FFFF地址上。
若设定系统从Flash启动，则系统上电复位时，处理器就自动从Flash中取得指令运行。
因此NOR Flash中要存放系统启动代码，这些代码必须在系统上电时完成一系列初始化的工作。
经过了这些初始化，系统才得以正确启动并开始工作。
2 实验内容和目标本实验要实现的内容和目标读出FLASH的manufacturer ID和device ID。
对FLASH芯片进行整片擦出，并验证擦除是否成功(读出数据是否为为全0xFFFF)。
往FLASH起始地址写入0x5555，并读出，验证写入是否正确。
3实验分析1(Am29LV160D介绍进行实际编程之前，首先应了解NOR Flash器件Am29LV160D的特性和读写操作的要求。
Am29LV160D是由AMD公司推出的1M×16bit的CMOS 多用途Flash。
它的主要特性如下。
存储空间组织1M×16bit。
读写操作采用单一电源 2.7,3.6V。
可靠性, 可擦写100 000个周期(典型值);, 数据可保存100年。
低功耗- 动态电流 15mA(典型值);, 静态电流 4?A(典型值);, 自动低功耗模式4?A(典型值)。
扇区擦除能力统一为2K×16b大小的扇区。
AT89S51
A T89S51中文资料1AT89S51是美国ATMEL 公司生产的低功耗，高性能CMOS8位单片机，片内含4k bytes 的可系统编程的Flash 只读程序存储器,器件采用ATMEL 公司的高密度、非易失性存储技术生产，兼容标准8051指令系统及引脚。
它集Flash 程序存储器既可在线编程（ISP ）也可用传统方法进行编程及通用8位微处理器于单片芯片中，ATMEL 公司的功能强大，低价位AT89S51单片机可为您提供许多高性价比的应用场合，可灵活应用于各种控制领域。
主要性能参数：·与MCS-51产品指令系统完全兼容·4k 字节在系统编程（ISP ）Flash 闪速存储器 ·1000次擦写周期·4.0－5.5V 的工作电压范围 ·全静态工作模式：0Hz －33MHz ·三级程序加密锁 ·128×8字节内部RAM ·32个可编程I ／O 口线 ·2个16位定时／计数器 ·6个中断源·全双工串行UART 通道 ·低功耗空闲和掉电模式 ·中断可从空闲模唤醒系统 ·看门狗（WDT ）及双数据指针 ·掉电标识和快速编程特性·灵活的在系统编程（ISP 字节或页写模式）2功能特性概述：A T89S51提供以下标准功能：4k 字节Flash 闪速存储器，128字节内部RAM ，32个I ／O 口线，看门狗（WDT ），两个数据指针，两个16位定时／计数器，一个5向量两级中断结构，一个全双工串行通信口，片内振荡器及时钟电路。
同时，A T89S51可降至0Hz 的静态逻辑操作，并支持两种软件可选的节电工作模式。
空闲方式停止CPU 的工作，但允许RAM ，定时／计数器，串行通信口及中断系统继续工作。
掉电方式保存RAM 中的内容，但振荡器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一个硬件复位。
STM32闪存编程手册
页2/21
术语
下面列出了本文档中所用到的术语和缩写的简要说明：
z 小容量产品是指闪存存储器容量在16K~32K字节之间的STM32F101xx，STM32F102xx和 STM32F103xx微控制器产品。
z 中容量产品是指闪存存储器容量在64K~128K字节之间的STM32F101xx，STM32F102xx 和STM32F103xx微控制器产品。
PM0042 编程手册
STM32F10xxx闪存编程
简介
本编程手册介绍了如何烧写STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的闪存存 储器。为方便起见，在本文中出特别说明外，统称它们为STM32F10xxx。 STM32F10xxx内嵌的闪存存储器可以用于在线编程(ICP)或在程序中编程(IAP)烧写。 在线编程(In-Circuit Programming – ICP)方式用于更新闪存存储器的全部内容，它通过JTAG、 SWD协议或系统加载程序(Bootloader)下载用户应用程序到微控制器中。ICP是一种快速有效的 编程方法，消除了封装和管座的困扰。 与ICP方式对应，在程序中编程(In-Application Programming – IAP)可以使用微控制器支持的任 一种通信接口(如I/O端口、USB、CAN、UART、I2C、SPI等)下载程序或数据到存储器中。IAP 允许用户在程序运行时重新烧写闪存存储器中的内容。然而，IAP要求至少有一部分程序已经 使用ICP烧到闪存存储器中。 闪存接口是在AHB协议上实现了对指令和数据的访问，它通过对存储器的预取缓存，加快了存 储器的访问；闪存接口还实现了在所有工作电压下对闪存编程和擦除所需的逻辑电路，这里还 包括访问和写入保护以及选项字节的控制。
jtag烧写flash原理
JTAG烧写Flash原理一、什么是JTAG？JTAG（Joint Test Action Group）是一种用于芯片测试和调试的标准接口。
它定义了一组用于访问目标设备内部结构、获取芯片状态以及进行调试和编程的信号和协议。
JTAG具有广泛的应用，其中之一是在软件开发过程中用于烧写Flash存储器。
二、Flash存储器简介Flash是一种非易失性存储器，它可以电擦除和编程。
Flash存储器通常用于存储程序代码和数据，它在数字设备中起到了至关重要的作用。
在许多嵌入式系统中，Flash存储器被作为主存储器使用，因此在研发过程中烧写程序代码和数据到Flash存储器是非常常见的任务。
三、JTAG烧写Flash的基本原理JTAG烧写Flash的基本原理是通过JTAG接口读取目标设备的内部状态、控制信号以及访问存储器地址，然后将要烧写的数据写入Flash存储器。
下面将详细介绍JTAG烧写Flash的过程。
JTAG接口的连接首先，需要将烧写设备（如JTAG调试器）与目标设备上的JTAG接口连接。
JTAG 接口通常包括TCK（时钟信号）、TMS（状态信号）、TDI（数据输入信号）和TDO （数据输出信号），通过连接这些信号，烧写设备可以与目标设备进行通信。
进入和退出JTAG模式在JTAG烧写Flash之前，需要将目标设备进入JTAG模式。
这可以通过在JTAG接口上发送一系列特定的JTAG命令来实现。
进入JTAG模式后，目标设备的内部状态机会切换到与JTAG相关的状态，以便进行后续的烧写操作。
完成烧写后需要退出JTAG模式，将目标设备恢复到正常的运行模式。
读取目标设备状态在进行烧写操作之前，需要读取目标设备的当前状态。
这可以通过发送特定的JTAG命令，并从目标设备的TDO信号上读取返回的状态信息。
目标设备的状态包括Flash存储器是否就绪、是否处于保护状态等。
根据不同的状态，可以确定是否可以进行烧写操作。
编程Flash存储器一旦目标设备进入了JTAG模式并且处于可编程状态，就可以开始进行烧写操作了。
Flash存储器的在线擦写方法
除了有512个保留字节不能使用之外，还有两个字节的安全锁定字节以保护FLASH。读锁定字节的每一为控制一个大小为8K的存储区域，对应关系如图3所示。写/擦除锁定字节也一样，每一位控制一个8K的存储区域。
图3
5． 用MOVX 指令向待擦除扇区内的任何一个地址写入一个数据字节。
6． 清除PSEE 以禁止FLASH 扇区擦除。
7． 用MOVX 指令向刚擦除的扇区中所希望的地址写入数据字节。重复该步直到所有字
节பைடு நூலகம்已写入（目标扇区内）。
8． 清除PSWE 以禁止FLASH 写，使MOVX 操作指向XRAM 数据空间。
在对FLASH存储器进行写操作前，必须将其进行擦除。由于FLASH写操作是用MOVX指令实现的，所以用于写或擦除的FLASH指针必须是xdata类型
本文内容根据一下资料整理：
1．《C8051F020/1/2/3混合信号ISP FLASH维控制器数据手册》 潘琢金译
EA=1; //重新允许中断
}
void main(void)
{ WDTCN=0xde;
WDTCN=0xad;
//Add initialization code here
P1MDOUT=0xff;
ReadState();
#include<c8051f020.h>
unsigned char test; //保存输出状态
//在FLASH中保存输出状态
/*For reading*/
unsigned char code test_c _at_ 0xCF20;
/*For writing*/
unsigned char xdata test_x _at_ 0xCF20;
(完整版)单片机原理及应用(第三版)张毅刚课后习题答案完整版
第1章思考题及习题1参考答案一、填空1. 除了单片机这一名称之外，单片机还可称为或。
答：微控制器，嵌入式控制器.2.单片机与普通微型计算机的不同之处在于其将、、和三部分，通过内部连接在一起，集成于一块芯片上。
答：CPU、存储器、I/O口、总线3. AT89S52单片机工作频率上限为 MHz。
答：33 MHz。
4. 专用单片机已使系统结构最简化、软硬件资源利用最优化，从而大大降低和提高。
答：成本，可靠性。
二、单选1. 单片机内部数据之所以用二进制形式表示，主要是A．为了编程方便B．受器件的物理性能限制C．为了通用性D．为了提高运算速度答：B2. 在家用电器中使用单片机应属于微计算机的。
A．辅助设计应用B．测量、控制应用C．数值计算应用D．数据处理应用答： B3. 下面的哪一项应用，不属于单片机的应用范围。
A．工业控制 B．家用电器的控制 C．数据库管理 D．汽车电子设备答：C三、判断对错1. STC系列单片机是8051内核的单片机。
对2. AT89S52与AT89S51相比，片内多出了4KB的Flash程序存储器、128B的RAM、1个中断源、1个定时器（且具有捕捉功能）。
对3. 单片机是一种CPU。
错4. AT89S52单片机是微处理器。
错5. AT89C52片内的Flash程序存储器可在线写入，而AT89S52则不能。
错6. 为AT89C51单片机设计的应用系统板，可将芯片AT89C51直接用芯片AT89S51替换。
对7. 为AT89S51单片机设计的应用系统板，可将芯片AT89S51直接用芯片AT89S52替换。
对8. 单片机的功能侧重于测量和控制，而复杂的数字信号处理运算及高速的测控功能则是DSP的长处。
对四、简答1. 微处理器、微计算机、微处理机、CPU、单片机、嵌入式处理器它们之间有何区别？答：微处理器、微处理机和CPU它们都是中央处理器的不同称谓，微处理器芯片本身不是计算机。
而微计算机、单片机它们都是一个完整的计算机系统，单片机是集成在一个芯片上的用于测控目的的单片微计算机。
NOR型FLASH存储器测试技术
NOR型FLASH存储器测试技术王征宇;赵桦【摘要】NOR型FLASH存储器因其能够长久地保持数据的非易失性(Non-Volatile)特点,被广泛用作各类便携型数字设备的存储介质,但由于此类器件的编程及擦写均需写入特定指令,以启动内置编程/擦除算法,从而使得采用自动测试系统对其进行测试也具有较高难度.因此,研究NOR型FLASH存储器的测试技术,并开发此类器件的测试平台具有十分重要的意义.首先以AMD公司的AM29LV160DT为例,介绍了NOR型FLASH存储器的基本工作原理,接着详细阐述了一种采用J750EX系统的DSIO模块动态生成测试矢量的方法,从而能够更为简便、高效地对NOR型FLASH存储器的功能进行评价.【期刊名称】《电子与封装》【年(卷),期】2016(016)003【总页数】6页(P15-19,30)【关键词】NOR型 FLASH;DSIO【作者】王征宇;赵桦【作者单位】中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035;中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035【正文语种】中文【中图分类】TN307FLASH闪存（Flash Memory）是一种非易失性（Non-Volatile）闪存，与各类DDR、SDRAM或者RDRAM等存储器不同，它在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，因此被广泛用作各类便携型数字设备的存储介质，特别是移动存储、MP3播放器、数码相机、掌上电脑等新兴数字设备。
目前市场上有两种主要的非易失性闪存：NOR型和NAND型。
根据其自身的技术特点，均在市场中占有举足轻重的地位。
其中，NOR型为芯片内执行（XIP, eXecute In Place），即应用程序可直接在闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中，因此传输效率较高，但同时也使其无法像SRAM、SDRAM等存储器那样可以直接对地址单元进行读写操作，随写随读。
这使得对于此类器件的测试具有一定难度。
单片机的IAP是什么意思
单片机的IAP是什么意思AP是In Application Programming的首字母缩写，IAP是用户自己的程序在运行过程中对User Flash的部分区域进行烧写，目的是为了在产品发布后可以方便地通过预留的通信口对产品中的固件程序进行更新升级。
通常在用户需要实现IAP功能时，即用户程序运行中作自身的更新操作，需要在设计固件程序时编写两个项目代码，第一个项目程序不执行正常的功能操作，而只是通过某种通信管道(如USB、USART)接收程序或数据，执行对第二部分代码的更新；第二个项目代码才是真正的功能代码。
这两部分项目代码都同时烧录在User Flash 中，当芯片上电后，首先是第一个项目代码开始运行，它作如下操作：1）检查是否需要对第二部分代码进行更新2）如果不需要更新则转到4）3）执行更新操作4）跳转到第二部分代码执行第一部分代码必须通过其它手段，如JTAG或ISP烧入；第二部分代码可以使用第一部分代码IAP功能烧入，也可以和第一部分代码一道烧入，以后需要程序更新是再通过第一部分IAP代码更新。
对于STM32来说，因为它的中断向量表位于程序存储器的最低地址区，为了使第一部分代码能够正确地响应中断，通常会安排第一部分代码处于Flash的开始区域，而第二部分代码紧随其后。
在第二部分代码开始执行时，首先需要把CPU的中断向量表映像到自己的向量表，然后再执行其他的操作。
如果IAP程序被破坏，产品必须返厂才能重新烧写程序，这是很麻烦并且非常耗费时间和金钱的。
针对这样的需求，STM32在对Flash区域实行读保护的同时，自动地对用户Flash区的开始4页设置为写保护，这样可以有效地保证IAP程序(第一部分代码)区域不会被意外地破坏。
IAP与ISP的区别在线编程目前有两种实现方法：在系统编程（ISP）和在应用编程（IAP）。
ISP一般是通过单片机专用的串行编程接口对单片机内部的Flash存储器进行编程,而IAP技术是从结构上将Flash存储器映射为两个存储体,当运行一个存储体上的用户程序时,可对另一个存储体重新编程,之后将控制从一个存储体转向另一个。
(完整版)第1章习题解答
第1章思考题及习题1参考答案一、填空1. 除了单片机这一名称之外，单片机还可称为或。
答：微控制器，嵌入式控制器.2.单片机与普通微型计算机的不同之处在于其将、、和三部分，通过内部连接在一起，集成于一块芯片上。
答：CPU、存储器、I/O口、总线3. AT89S52单片机工作频率上限为 MHz。
答：33 MHz。
4. 专用单片机已使系统结构最简化、软硬件资源利用最优化，从而大大降低和提高。
答：成本，可靠性。
二、单选1. 单片机内部数据之所以用二进制形式表示，主要是A．为了编程方便B．受器件的物理性能限制C．为了通用性D．为了提高运算速度答：B2. 在家用电器中使用单片机应属于微计算机的。
A．辅助设计应用B．测量、控制应用C．数值计算应用D．数据处理应用答： B3. 下面的哪一项应用，不属于单片机的应用范围。
A．工业控制 B．家用电器的控制 C．数据库管理 D．汽车电子设备答：C三、判断对错1. STC系列单片机是8051内核的单片机。
对2. AT89S52与AT89S51相比，片内多出了4KB的Flash程序存储器、128B的RAM、1个中断源、1个定时器（且具有捕捉功能）。
对3. 单片机是一种CPU。
错4. AT89S52单片机是微处理器。
错5. AT89C52片内的Flash程序存储器可在线写入，而AT89S52则不能。
错6. 为AT89C51单片机设计的应用系统板，可将芯片AT89C51直接用芯片AT89S51替换。
对7. 为AT89S51单片机设计的应用系统板，可将芯片AT89S51直接用芯片AT89S52替换。
对8. 单片机的功能侧重于测量和控制，而复杂的数字信号处理运算及高速的测控功能则是DSP的长处。
对四、简答1. 微处理器、微计算机、微处理机、CPU、单片机、嵌入式处理器它们之间有何区别？答：微处理器、微处理机和CPU它们都是中央处理器的不同称谓，微处理器芯片本身不是计算机。
而微计算机、单片机它们都是一个完整的计算机系统，单片机是集成在一个芯片上的用于测控目的的单片微计算机。
AT89S52单片机外部存储器的扩展
2．锁存器74LS573 也是一种带有三态门的8D锁存器，功能及内部结构与74LS373
完全一样，只是其引脚排列与74LS373不同，图8-10为74LS573引 脚图。
由图8-10，与74LS373相比，74LS573的输入D端和输出Q端依次 排列在芯片两侧，为绘制印制电路板提供方便
引脚说明： D7～D0：8位数据输入线。 Q7～Q0：8位数据输出线。 G ：数据输入锁存选通信号，该引脚与74LS373的G端功能相 同。
（2）数据总线（Data Bus，DB）：用于单片机与外部存储器 之间或与I/O接口之间传送数据，数据总线是双向的。
（3）控制总线（Control Bus，CB）：控制总线是单片机发出 的各种控制信号线。
7
如何来构造系统的三总线。 1．P0口作为低8位地址/数据总线 AT89S51受引脚数目限制，P0口既用作低8位地址总线，又用 作数据总线（分时复用），因此需增加一个8位地址锁存器。 AT89S51访问外部扩展的存储器单元或I/O接口寄存器时，先发 出低8位地址送地址锁存器锁存，锁存器输出作为系统的低8位 地址（A7~ A0）。随后，P0口又作为数据总线口（D7~ D0），如 图8-2所示。 2．P2口的口线作为高位地址线 P2口用作系统的高8位地址线，再加上地址锁存器提供的低8 位地址，便形成了系统完整的16位地址总线。
采用译码器划分的地址空间块都是相等的，如果将地址空间 块划分为不等的块，可采用可编程逻辑器件FPGA对其编程来代 替译码器进行非线性译码。
22
图8-6 存储器空间被划分成每块4KB
2233
2.2 外部地址锁存器 受引脚数的限制，P0口兼用数据线和低8位地址线，为了将
它们分离出来，需在单片机外部增加地址锁存器。目前，常用 的地址锁存器芯片有74LS373、74LS573等。 1．锁存器74LS373
STM32F10x闪存编程手册_V6
3 寄存器说明 ......................................................................................................................................15 3.1 闪存访问控制寄存器(FLASH_ACR)......................................................................................15 3.2 FPEC键寄存器(FLASH_KEYR) ............................................................................................16 3.3 闪存OPTKEY寄存器(FLASH_OPTKEYR) ............................................................................16 3.4 闪存状态寄存器(FLASH_SR)................................................................................................16 3.5 闪存控制寄存器(FLASH_CR) ...............................................................................................17 3.6 闪存地址寄存器(FLASH_AR)................................................................................................18 3.7 选项字节寄存器(FLASH_OBR).............................................................................................18 3.8 写保护寄存器(FLASH_WRPR) .............................................................................................19 3.9 闪存寄存器映像 ....................................................................................................................19
2021DSP对AM29LV400BFlash存储器的烧写、擦除操作范文2
2021DSP对AM29LV400BFlash存储器的烧写、擦除操作范文 1.引言 Flash是一种可在线进行电擦写，掉电后数据不丢失的EEPROM存储器。
它具有功耗低、容量大、烧写和擦除速度快等优点，并且内部嵌入算法完成对芯片的操作，简化了软件的工作量，因而在数字信号处理系统中得到了广泛的应用。
DSP是一种高速数字信号处理器。
它具有高稳定性、可重复性、可大规模集成，特别是易编程性和易于实现自处理等特点，使得信号处理手段更灵活、功能更复杂、运算速度更快，在数字信号处理领域得到广泛地应用。
本文通过完整的实例，介绍以TMS320VC33(简称VC33)为嵌入式系统对AM29LV400BFlash存储器进行烧写和擦除的实现方法。
2.AMD公司AM29LV400BFlash存储器 AM29LV400B是AMD公司推出的Flash存储器，它是4兆位(8×512K/16×256K位)的CMOS工艺扇区擦除、字节编程的电可擦除只读存储器EEPROM。
它的主要特点包括如下几个方面：3.3V单电压供电；内部嵌入编程、擦除操作算法，只需向命令寄存器写入标准的微处理器指令，并且可通过查询特定的引脚或数据线来监控操作是否完成；对任一扇区进行烧写擦除操作时不影响其它的扇区数据；可进行100000次的烧写擦除操作，数据保存10年以上。
本文中Flash的数据映射到DSP的0x0400000空间，Flash的一个字节对应一个DSP的低8位数据，高24位为无效数据，可以直接按字节进行读写操作。
3.Flash存储器的基本操作命令以及程序设计流程 Flash存储器AM29LV400B的基地址为0x400000，每个偏移地址乘以4是因为Flash字节仅占用DSP空间低8位，而DSP的地址是字节地址，所以地址增量为4。
3.1Flash存储器的操作结束检测 FlashAM29LV400B内部的编程或擦除算法可自动完成相应操作，但必须了解其内部的操作检测机制，以便知道操作是否完成或正确。
NOR-Flash存储器介绍及编程
NOR-Flash存储器1概述ADSP-BF532自身不具有ROM，因此必须外接ROM器件来存储放电后仍需要保存的代码和数据。
NOR Flash具有非易失性，并且可轻易擦写。
Flash技术结合了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能，因此得到了越来越广泛的使用。
在本实验中将主要介绍NOR Flash 器件——Am29LV160D在Blackfin处理器系统中的应用。
NOR Flash采用标准总线接口与处理器交互，对它的读取不需要任何特殊的代码。
作为代码存储器，NOR Flash映射在处理器的异步存储区的0x2000,0000到0x201F,FFFF地址上。
若设定系统从Flash启动，则系统上电复位时，处理器就自动从Flash中取得指令运行。
因此NOR Flash中要存放系统启动代码，这些代码必须在系统上电时完成一系列初始化的工作。
经过了这些初始化，系统才得以正确启动并开始工作。
2 实验内容和目标本实验要实现的内容和目标读出FLASH的manufacturer ID和device ID。
对FLASH芯片进行整片擦出，并验证擦除是否成功（读出数据是否为为全0xFFFF）。
往FLASH起始地址写入0x5555，并读出，验证写入是否正确。
3实验分析1．Am29LV160D介绍进行实际编程之前，首先应了解NOR Flash器件Am29LV160D的特性和读写操作的要求。
Am29LV160D是由AMD公司推出的1M×16bit的CMOS多用途Flash。
它的主要特性如下。
存储空间组织1M×16bit。
读写操作采用单一电源 2.7～3.6V。
可靠性－可擦写100 000个周期（典型值）；－数据可保存100年。
低功耗- 动态电流15mA（典型值）；－静态电流4μA（典型值）；－自动低功耗模式4μA（典型值）。
扇区擦除能力统一为2K×16b大小的扇区。
快速读操作时间70ns和90ns。
单片机原理及应用(第三版)课后习题答案完整版
第1章思考题及习题1参考答案一、填空1. 除了单片机这一名称之外，单片机还可称为或。
答：微控制器，嵌入式控制器.2.单片机与普通微型计算机的不同之处在于其将、、和三部分，通过内部连接在一起，集成于一块芯片上。
答：CPU、存储器、I/O口、总线3. AT89S52单片机工作频率上限为 MHz。
答：33 MHz。
4. 专用单片机已使系统结构最简化、软硬件资源利用最优化，从而大大降低和提高。
答：成本，可靠性。
二、单选1. 单片机内部数据之所以用二进制形式表示，主要是A．为了编程方便B．受器件的物理性能限制C．为了通用性D．为了提高运算速度答：B2. 在家用电器中使用单片机应属于微计算机的。
A．辅助设计应用B．测量、控制应用C．数值计算应用D．数据处理应用答： B3. 下面的哪一项应用，不属于单片机的应用范围。
A．工业控制 B．家用电器的控制 C．数据库管理 D．汽车电子设备答：C三、判断对错1. STC系列单片机是8051内核的单片机。
对2. AT89S52与AT89S51相比，片内多出了4KB的Flash程序存储器、128B的RAM、1个中断源、1个定时器（且具有捕捉功能）。
对3. 单片机是一种CPU。
错4. AT89S52单片机是微处理器。
错5. AT89C52片内的Flash程序存储器可在线写入，而AT89S52则不能。
错6. 为AT89C51单片机设计的应用系统板，可将芯片AT89C51直接用芯片AT89S51替换。
对7. 为AT89S51单片机设计的应用系统板，可将芯片AT89S51直接用芯片AT89S52替换。
对8. 单片机的功能侧重于测量和控制，而复杂的数字信号处理运算及高速的测控功能则是DSP的长处。
对四、简答1. 微处理器、微计算机、微处理机、CPU、单片机、嵌入式处理器它们之间有何区别？答：微处理器、微处理机和CPU它们都是中央处理器的不同称谓，微处理器芯片本身不是计算机。
而微计算机、单片机它们都是一个完整的计算机系统，单片机是集成在一个芯片上的用于测控目的的单片微计算机。
计算机组成原理 3.4 只读存储器和闪速存储器
3、cache的命中率
h= Nc/(Nc+Nm) 则cache/主存系统的平均访问时间ta为： ta=htc+(1-h)tm 目标是Ta接近Tc,硬件代价最小 访问效率 e=tc/ta
例6. CPU执行一段程序时，cache完成存取的次数为 1900次，主存完成存取的次数为100次，已知cache 存取周期为50ns，主存存取周期250ns，求cache/主 存系统的效率和平均访问时间。
习题15. 假设主存容量16M＊32位，cache容量64K*32 位。主存与cache之间以每块4*32位大小传送数据，请确 定直接映射方式的有关参数，并画出主存地址格式。
主存16M＊32位 （24位地址） 每块4*32位 则主存有4M块 Cache 64k＊32位 每行4*32位 则Cache有16K行 主存地址(24) Tag＋行号＋字 8位＋14位＋2位 Cache的CAM容量 214行*8位
三、替换策略
为什么要有替换策略，目标是什么？ 与cache的组织方式相关(p98) 1.最不经常使用（LFU）算法 2.近期最少使用（LRU）算法 3.随机替换
四、cache的写操作策略
写回问题是什么问题？
写回代价与数据一致性
1.写回法-命中、未命中 2.全写法-命中、未命中 3.写一次法-第1次命中时，写回主存
习题15. 假设主存容量16M＊32位，cache容量64K*32 位。主存与cache之间以每块4*32位大小传送数据，请确 定直接映射方式的有关参数，并画出主存地址格式。 CPU给出一访问 内存的地址…
(完整版)单片机原理及应用(第三版)张毅刚课后习题答案完整版
第 1 章思考题及习题 1 参考答案一、填空1. 除了单片机这一名称之外，单片机还可称为或。
答：微控制器，嵌入式控制器 .2. 单片机与普通微型计算机的不同之处在于其将、、和三部分，通过内部连接在一起，集成于一块芯片上。
答： CPU、存储器、 I/O 口、总线3. AT89S52 单片机工作频率上限为MHz 。
答： 33 MHz。
4. 专用单片机已使系统结构最简化、软硬件资源利用最优化，从而大大降低和提高。
答：成本，可靠性。
二、单选1.单片机内部数据之所以用二进制形式表示，主要是A．为了编程方便B．受器件的物理性能限制C．为了通用性D．为了提高运算速度答： B2. 在家用电器中使用单片机应属于微计算机的。
A．辅助设计应用B．测量、控制应用C．数值计算应用D．数据处理应用答： B3.下面的哪一项应用，不属于单片机的应用范围。
A．工业控制 B ．家用电器的控制 C ．数据库管理 D ．汽车电子设备答： C三、判断对错1.STC 系列单片机是 8051 内核的单片机。
对2.AT89S52 与 AT89S51相比，片内多出了 4KB的 Flash 程序存储器、 128B 的 RAM、1个中断源、 1 个定时器（且具有捕捉功能）。
对3.单片机是一种 CPU。
错4.AT89S52 单片机是微处理器。
错5. AT89C52 片内的 Flash 程序存储器可在线写入，而AT89S52则不能。
错6. 为 AT89C51单片机设计的应用系统板，可将芯片AT89C51直接用芯片 AT89S51替换。
对7. 为 AT89S51单片机设计的应用系统板，可将芯片AT89S51直接用芯片 AT89S52替换。
对8. 单片机的功能侧重于测量和控制，而复杂的数字信号处理运算及高速的测控功能则是DSP 的长处。
对四、简答1.微处理器、微计算机、微处理机、 CPU、单片机、嵌入式处理器它们之间有何区别？答：微处理器、微处理机和 CPU它们都是中央处理器的不同称谓，微处理器芯片本身不是计算机。
嵌入式技术基础与实践复习题参考答案
嵌入式技术基础与实践（第二版）习题参考答案目录嵌入式技术基础与实践（第二版） (1)习题参考答案 (1)第 1 章概述习题参考答案. (2)第 2 章 FreescaleS08微控制器习题参考答案 (3)第 3 章第一个样例程序及工程组织习题参考答案. (4)第 5 章串行通信接口SCI 习题参考答案 (6)第 6 章 GPIO的应用实例—键盘、LED与 LCD习题参考答案 (9)第 7 章定时器模块习题参考答案 (10)第 8 章串行外设接口SPI 习题参考答案 (11)第 9 章 Flash 存储器在线编程习题参考答案 (13)第 1章概述习题参考答案1．嵌入式系统的基本含义是什么？为什么说单片机是典型的嵌入式系统？答：即 MCU的含义是：在一块芯片上集成了中央处理单元（ CPU）、存储器（ RAM/ROM等）、定时器 / 计数器及多种输入输出（ I/O ）接口的比较完整的数字处理系统。
大部分嵌入式系统以 MCU为核心进行设计。
MCU从体系结构到指令系统都是按照嵌入式系统的应用特点专门设计的，它能很好地满足应用系统的嵌入、面向测控对象、现场可靠运行等方面的要求。
因此以MCU为核心的系统是应用最广的嵌入式系统。
2．简述嵌入式系统的特点以及应用领域。
答：嵌入式系统属于计算机系统，但不单独以通用计算机的面目出现 ; 嵌入式系统开发需要专用工具和特殊方法 ; 使用 MCU设计嵌入式系统，数据与程序空间采用不同存储介质 ; 开发嵌入式系统涉及软件、硬件及应用领域的知识 ; 嵌入式系统的其他特点 , 比如紧的资源，较高稳定性要求，低功耗，低成本等。
一般用于工业控制，智能家电，日常电子等领域。
4．比较 MCU与 CPU的区别与联系。
答： CPU是一个单独的PC处理器。
而MCU，则有微处理器，存储器（RAM/ROM等）、定时器 / 计数器及多种输入输出（I/O ）接口的比较完整的数字处理系统。
所以可以这么说，MCU是一个包含微处理器的嵌入式系统，而CPU紧紧是一个处理器而已。
Flash闪速存储器--(NAND和NOR比较)
Flash闪速存储器--（NAND和NOR比较）一、闪速存储器的特点闪速存储器（FlashMemory）是一类非易失性存储器NVM（Non-VolatileMemory）即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。
FlashMemory集其它类非易失性存储器的特点：与EPROM相比较，闪速存储器具有明显的优势——在系统电可擦除和可重复编程，而不需要特殊的高电压（某些第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操作）；与EEPROM相比较，闪速存储器具有成本低、密度大的特点。
其独特的性能使其广泛地运用于各个领域，包括嵌入式系统，如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表和汽车器件，同时还包括新兴的语音、图像、数据存储类产品，如数字相机、数字录音机和个人数字助理（PDA）。
Flash的技术特点如下：（1）区块存储单元：在物理结构上分成若干个被称为区块的存储单元，不同区块之间相互独立，每个区块几KB~几十KB。
（2）先擦后写：任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
（3）位交换：有时一个比特位会发生反转，就是位交换。
（4）区块损坏：使用过程中，某些区块可能会被损坏，区块损坏后就不可修复。
二、闪速存储器的技术分类全球闪速存储器的主要供应商有AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、SHARP、TOSHIBA，由于各自技术架构的不同，分为几大阵营。
1 NOR技术NOR技术（亦称为Linear技术）闪速存储器是最早出现的FlashMemory，目前仍是多数供应商支持的技术架构。
它源于传统的EPROM器件，与其它FlashMemory技术相比，具有可靠性高、随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如PC 的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
9.3 MC68HC908GP32单片机 flash在线编程实例
9.3.1 Flash存储器的擦除及写入子程 序 9.3.2 Flash存储器的在线编程实例
9.3.1 Flash存储器的擦除及 写入子程序
1.擦除子程序 2.写入子程序 3.擦除与写入子程序编程要点说明
9.3.2 Flash存储器的在线编 程实例
9.2 MC68HC908GP32单片机存 储器编程方法
9.2.1 Flash存储器编程的基本概念
9.2.2 Flash存储器的编程寄存器 9.2.3 Flash存储器的编程过程
9.2.1 Flash存储器编程的基本概念
对Flash编程的基本操作有两种： 1、擦除（Erase） 擦除操作的含义是将存储单元的内容由 二进制的0变成1； 2、写入（Program） 而写入操作的含义，是将存储单元的内 容由二进制的1变成0
9.2.1 Flash存储器编程的基 本概念
Flash存储器在片内是以页（Page）和行 （Row）为单位组织的。页和行的大小 （字节数）随整个Flash存储器的大小变 化而变化，但页的大小始终为行的两倍。
MC68HC908GP32内含32K的Flash存储器 （地址为$8000～$FFFF），每页的大小 为128字节，每行的大小为64字节；
9.2.3 Flash存储器的编程过 程
⑺ 待写数据写入对应的Flash地址； ⑻ 延时tprog(>30μ s)，完成一个字节的写入 (编程)工作； ⑼ 重复⑺、⑻，直至同一行内各字节写入完 毕； ⑽ $8→FLCR(0→PGM位)； ⑾ 延时tnvh(>5μ s)； ⑿ $0→FLCR(0→HVEN位)； (10) 延时trcv(>1μ s)以后，完成本行写入工作， 可以读出校验
受保护的 Flash 区域 $8000 ～ $FFFF（整个 Flash 区域） $8080 ～ $FFFF $8100 ～ $FFFF „„ $FF00 ～ $FFFF 整个 Flash 区域都不被保护
9.2.3 Flash存储器的编程过程
MC68HC908GP32的Flash编程的基本操作: 1.页擦除操作 下面过程可以擦除 GP32 的 Flash 存储器的一页 (128字节): ⑴ $2→FLCR(1→ERASE位，0→MASS位):进行 页面擦除； ⑵ 读Flash块保护寄存器FLBPR； ⑶ 向被擦除的Flash页内任意一个地址写入 任意值，为方便起见，一般向待擦除页首地址 写入0；
9.2.3 Flash存储器的编程过 程
⑹ 延时tMerase(>4ms)； ⑺ $C→FLCR(0→ERASE位)； ⑻ 延时tnvhl(>100μ s)； ⑼ $0→FLCR(0→HVEN位、MASS位)； (10)延时trcv(>1μ s)，完成整体擦除操作。
9.2.3 Flash存储器的编程过 程
9.2.3 Flash存储器的编程过 程
2.整体擦除操作 ⑴ $6→FLCR(1→ERASE位，1→MASS位):进行 整体擦除； ⑵ 读Flash块保护寄存器FLBPR； ⑶ 向被擦除的Flash任意一个地址写入任意 值，为方便起见，一般向首地址写入0； ⑷ 延时tnvs(>10μ s)； ⑸ $E→FLCR(1→HVEN位、MASS位、ERASE位)；
9.1.2 M68HC08系列单片机 Flash存储器的特点与编程模式
两种模式各有优缺点：
监控模式需要外部硬件支持，但不需要单片机 内部程序的存在，所以适合对新出厂芯片进行 编程写入，或是对芯片进行整体擦除与写入； 用户模式可以在单片机正常工作时进入，所以 常用在程序运行过程中对部分Flash存储器的一 些单元内容进行修改，特别适合于目标系统的 动态程序更新和运行数据的存储。
9.2.1 Flash存储器编程的基 本概念
注意： 1、GP32的Flash存储器的擦除操作可以 进行整体擦除也可以仅擦除某一起始地 址开始的一页（128字节）。 2、GP32单片机的写入操作以行（64字 节）基础，一次连续写入数据个数只能 在一行之内。 3、不经过擦除的区域，不能进行写入 。9Βιβλιοθήκη 2.2 Flash存储器的编程寄存器
1.Flash控制寄存器（FLash Control Register — FLCR）－$FE08
D7～D4位：未定义。 D3 — HVEN 位 ：高压允许位（ High-Voltage Enable Bit）。 D2 — MASS位：整体擦除控制位（Mass Erase Control Bit）。 D1 — ERASE位：擦除控制位（Erase Control Bit）。 D0 — PGM 位 ： 编 程 （ 写 入 ） 控 制 位 （Program Control Bit）。
3.编程操作 ⑴ $1→FLCR(1→PGM位)； ⑵ 读Flash块保护寄存器FLBPR； ⑶ 向将要写入的Flash行内任意一个地址写 入任意值，为方便起见，一般向行首地址写入 0 ，这一步选定了所要编程的行，以下的目标 地址必需在这一行中； ⑷ 延时tnvs(>10μ s)； ⑸ $9→FLCR(1→HVEN位)； ⑹ 延时tpgs(>5μ s)；
知识回顾
单片机
硬件结构
寻址方式 指令系统
程序设计
PTA PTB PTC PTD PTE
键盘 A/D 无
SCI SPI T/C
综合实验一
键盘输入（PTA口）、两个端口开关量输 入（PTE0、1）、显示输出（PTB口） 通过键盘输入一个字符，可以通过液晶 显示出来； 端口开关量的状态（0或者1），通过 LCD显示出来
9.2.3 Flash存储器的编程过 程
⑷ 延时tnvs(>10μ s)，； ⑸ $A→FLCR(1→HVEN位)； ⑹ 延时terase(>1ms)； ⑺ $8→FLCR(0→ERASE位)； ⑻ 延时tnvh(>5μ s)； ⑼ $0→FLCR(0→HVEN位)； (10)延时trcv(>1μ s)，完成一页的擦除操作。
9.1.1 Flash存储器的基本特点 与编程模式
1．Flash存储器的基本特点 （1）固有不挥发性
（2）易更新性 （3）成本低、密度高、可靠性好
9.1.1 Flash存储器的基本特点 与编程模式
2．Flash存储器的两种编程模式 在单片机中，可以利用Flash存储器固化程序， 一般情况下通过编程器来完成，Flash存储器工 作于这种情况，叫监控模式（Monitor Mode）; Flash存储器具有电可擦除功能，因此，在程 序运行过程中，有可能对Flash存储器区的数据 或程序进行更新，Flash存储器工作于这种情况， 叫用户模式（User Mode）或在线编程模式。
第九章 Flash存储器在线编程
9.1 Flash存储器概述与编程模式 9.2 MC68HC908GP32单片机存储器编程 方法 9.3 MC68HC908GP32单片机flash在线编 程实例
9.1 Flash存储器概述与编程模式
9.1.1 Flash存储器的基本特点与编程模 式 9.1.2 M68HC08系列单片机Flash存储器 的特点与编程模式
9.2.2 Flash存储器的编程寄 存器
2.Flash块保护寄存器（FLash Block Protect Register — FLBPR）－$FF7E
表 9-1 MC68HC908GP32 Flash 块保护寄存器设置
FLBPR 内容 $00(%0000 0000) $01(%0000 0001) $02(%0000 0010) „„ $FE(%1111 1110) $FF(%1111 1111)
9.1.2 M68HC08系列单片机 Flash存储器的特点与编程模式
1．M68HC08系列单片机Flash存储器的 特点 （1）编程速度快及可靠性高 （2）单一电源电压供电 （3）支持在线编程
9.1.2 M68HC08系列单片机 Flash存储器的特点与编程模式
Flash 存储器工作于监控模式的条件之一 是： （ 1 ）复位向量（ $FFFE ～ $FFFF ）内容 为“空”（$FFFF）。 （ 2 ）在单片机复位时在 IRQ 引脚上加上 高电压（1.4～2Vdd）, 并给某些I/O脚置 适当值。
1.单片机方程程序流程图
2.单片机方主程序 3.PC机方界面及程序