Flash存储器在线编程

受保护的 Flash 区域 $8000 ～ $FFFF（整个 Flash 区域） $8080 ～ $FFFF $8100 ～ $FFFF „„ $FF00 ～ $FFFF 整个 Flash 区域都不被保护
9.2.3 Flash存储器的编程过程

MC68HC908GP32的Flash编程的基本操作: 1.页擦除操作 下面过程可以擦除 GP32 的 Flash 存储器的一页 (128字节): ⑴ $2→FLCR(1→ERASE位，0→MASS位):进行 页面擦除； ⑵ 读Flash块保护寄存器FLBPR； ⑶ 向被擦除的Flash页内任意一个地址写入 任意值，为方便起见，一般向待擦除页首地址 写入0；

9.2.2 Flash存储器的编程寄存器


1.Flash控制寄存器（FLash Control Register — FLCR）－$FE08
D7～D4位：未定义。 D3 — HVEN 位 ：高压允许位（ High-Voltage Enable Bit）。 D2 — MASS位：整体擦除控制位（Mass Erase Control Bit）。 D1 — ERASE位：擦除控制位（Erase Control Bit）。 D0 — PGM 位 ： 编 程 （ 写 入 ） 控 制 位 （Program Control Bit）。

1.单片机方程程序流程图

2.单片机方主程序 3.PC机方界面及程序

9.2.2 Flash存储器的编程寄 存器

2.Flash块保护寄存器（FLash Block Protect Register — FLBPR）－$FF7E
表 9-1 MC68HC908GP32 Flash 块保护寄存器设置
FLBPR 内容 $00(%0000 0000) $01(%0000 0001) $02(%0000 0010) „„ $FE(%1111 1110) $FF(%1111 1111)
9.2.1 Flash存储器编程的基 本概念

Flash存储器在片内是以页（Page）和行 （Row）为单位组织的。页和行的大小 （字节数）随整个Flash存储器的大小变 化而变化，但页的大小始终为行的两倍。

MC68HC908GP32内含32K的Flash存储器 （地址为$8000～$FFFF），每页的大小 为128字节，每行的大小为64字节；

第九章 Flash存储器在线编程

9.1 Flash存储器概述与编程模式 9.2 MC68HC908GP32单片机存储器编程 方法 9.3 MC68HC908GP32单片机flash在线编 程实例

9.1 Flash存储器概述与编程模式
9.1.1 Flash存储器的基本特点与编程模 式 9.1.2 M68HC08系列单片机Flash存储器 的特点与编程模式

9.3 MC68HC908GP32单片机 flash在线编程实例

9.3.1 Flash存储器的擦除及写入子程 序 9.3.2 Flash存储器的在线编程实例

9.3.1 Flash存储器的擦除及 写入子程序
1.擦除子程序 2.写入子程序 3.擦除与写入子程序编程要点说明

9.3.2 Flash存储器的在线编 程实例
9.2.3 Flash存储器的编程过 程





⑷ 延时tnvs(>10μ s)，； ⑸ $A→FLCR(1→HVEN位)； ⑹ 延时terase(>1ms)； ⑺ $8→FLCR(0→ERASE位)； ⑻ 延时tnvh(>5μ s)； ⑼ $0→FLCR(0→HVEN位)； (10)延时trcv(>1μ s)，完成一页的擦除操作。

9.1.1 Flash存储器的基本特点 与编程模式
1．Flash存储器的基本特点 （1）固有不挥发性

（2）易更新性 （3）成本低、密度高、可靠性好

9.1.1 Flash存储器的基本特点 与编程模式


2．Flash存储器的两种编程模式 在单片机中，可以利用Flash存储器固化程序， 一般情况下通过编程器来完成，Flash存储器工 作于这种情况，叫监控模式（Monitor Mode）; Flash存储器具有电可擦除功能，因此，在程 序运行过程中，有可能对Flash存储器区的数据 或程序进行更新，Flash存储器工作于这种情况， 叫用户模式（User Mode）或在线编程模式。


3.编程操作 ⑴ $1→FLCR(1→PGM位)； ⑵ 读Flash块保护寄存器FLBPR； ⑶ 向将要写入的Flash行内任意一个地址写 入任意值，为方便起见，一般向行首地址写入 0 ，这一步选定了所要编程的行，以下的目标 地址必需在这一行中； ⑷ 延时tnvs(>10μ s)； ⑸ $9→FLCR(1→HVEN位)； ⑹ 延时tpgs(>5μ s)；
9.2.3 Flash存储器的编程过 程
⑹ 延时tMerase(>4ms)； ⑺ $C→FLCR(0→ERASE位)； ⑻ 延时tnvhl(>100μ s)； ⑼ $0→FLCR(0→HVEN位、MASS位)； (10)延时trcv(>1μ s)，完成整体擦除操作。

9.2.3 Flash存储器的编程过 程
9.1.2 M68HC08系列单片机 Flash存储器的特点与编程模式
1．M68HC08系列单片机Flash存储器的 特点 （1）编程速度快及可靠性高 （2）单一电源电压供电 （3）支持在线编程

9.1.2 M68HC08系列单片机 Flash存储器的特点与编程模式
Flash 存储器工作于监控模式的条件之一 是： （ 1 ）复位向量（ $FFFE ～ $FFFF ）内容 为“空”（$FFFF）。 （ 2 ）在单片机复位时在 IRQ 引脚上加上 高电压（1.4～2Vdd）, 并给某些I/O脚置 适当值。

9.1.2 M68HC08系列单片机 Flash存储器的特点与编程模式

两种模式各有优缺点：
监控模式需要外部硬件支持，但不需要单片机 内部程序的存在，所以适合对新出厂芯片进行 编程写入，或是对芯片进行整体擦除与写入； 用户模式可以在单片机正常工作时进入，所以 常用在程序运行过程中对部分Flash存储器的一 些单元内容进行修改，特别适合于目标系统的 动态程序更新和运行数据的存储。

9.2 MC68HC908GP32单片机存 储器编程方法

9.2.1 Flash存储器编程的基本概念

9.2.2 Flash存储器的编程寄存器 9.2.3 Flash存储器的编程过程
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9.2.1 Flash存储器编程的基本概念
对Flash编程的基本操作有两种： 1、擦除（Erase） 擦除操作的含义是将存储单元的内容由 二进制的0变成1； 2、写入（Program） 而写入操作的含义，是将存储单元的内 容由二进制的1变成0
9.2.3 Flash存储器的编程过 程
⑺ 待写数据写入对应的Flash地址； ⑻ 延时tprog(>30μ s)，完成一个字节的写入 (编程)工作； ⑼ 重复⑺、⑻，直至同一行内各字节写入完 毕； ⑽ $8→FLCR(0→PGM位)； ⑾ 延时tnvh(>5μ s)； ⑿ $0→FLCR(0→HVEN位)； (10) 延时trcv(>1μ s)以后，完成本行写入工作， 可以读出校验
9.2.1 Flash存储器编程的基 本概念
注意： 1、GP32的Flash存储器的擦除操作可以 进行整体擦除也可以仅擦除某一起始地 址开始的一页（128字节）。 2、GP32单片机的写入操作以行（64字 节）基础，一次连续写入数据个数只能 在一行之内。 3、不经过擦除的区域，不能进行写入 。
知识回顾

单片机
硬件结构
寻址方式 指令系统
程序设计
PTA PTB PTC PTD PTE
键盘 A/D 无
SCI SPI T/C
综合实验一
键盘输入（PTA口）、两个端口开关量输 入（PTE0、1）、显示输出（PTB口） 通过键盘输入一个字符，可以通过液晶 显示出来； 端口开关量的状态（0或者1），通过 LCD显示出来
9.2.3 Flash存储器的编程过 程

2.整体擦除操作 ⑴ $6→FLCR(1→ERASE位，1→MASS位):进行 整体擦除； ⑵ 读Flash块保护寄存器FLBPR； ⑶ 向被擦除的Flash任意一个地址写入任意 值，为方便起见，一般向首地址写入0； ⑷ 延时tnvs(>10μ s)； ⑸ $E→FLCR(1→HVEN位、MASS位、ERASE位)；