《模拟电子技术基础》基本概念复习题及答案
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础试题及答案
一、在括号内用“√"或“×”表明下列说法是否正确.(1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( ）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ )(3）放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( )(4）电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( ）（5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;（ )（6）由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；（ )（7）只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）【解答】 (1）×。
放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。
(2）√。
放大的特征就是功率的放大。
（3)×.应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。
(4）×。
．(5）√。
设置合适的静态工作点.(6）×。
任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。
(7）×。
二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由.设图中所有电对交流信号均可视为短路。
，【解答1 （a)不能。
因为输人信号被VBB所影响.（a）例1—-3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式？能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极？【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道, P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。
‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测.对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极.自测题分析与解答一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术基本概念复习题与答案
《模拟电子技术基础》基本概念复习题一、判断题1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
×2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。
√3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。
×4、 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。
×5、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
×6、 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。
√7、 温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。
√8、 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
×9、 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
×10、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
√ 11、稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。
× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。
×13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。
√ 14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。
× 15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
× 16、 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
×17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
√ 18、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。
√ 19、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
× 20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
× 21、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。
× 22、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
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模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
电子技术基础 模拟部分 课后复习思考题答案
解：
Rvi v i 2 R R 2 R R2 R2 R v o 2 v o1 1 v o2 2 R1 R1 R1 R2 R1 4 2 v o1 v A v o2 v B
10Ω 10Ω 1V 6 1V 10 5 V 1MΩ 10Ω 10 Ω
在拾音头与扬声器之间接入放大电路后，使用电压放大电路模型，则等效电路如下图所示
2
Vi
Ri 1MΩ Vs 1V 0.5V Rs Ri 1MΩ 1MΩ RL 10Ω AvoVi 1 0.5V 0.25V RL Ro 10Ω 10Ω
扬声器上的电压 Vo
四、试说明为什么常选用频率可连续变化的正弦波信号发生器作为放大电路的实验、测试信号源。用它可 以测量放大电路的哪些性能指标？ 答：因为正弦波信号在幅值、频率、初相位均为已知常数时，信号中就不再含有任何未知信息。并且任何 信号都可以展开为傅里叶级数表达式，即正弦波信号各次谐波分量的组合。正因为如此，正弦波信号常作 为标准信号用来对模拟电子电路进行测试。用它可以测量放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、频率响 应和非线性失真。 五、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为 10μA 和 25mV，输出端接 4kΩ 电阻负载，测量到正弦电压信号的峰—峰值 1V。试计算该放大电路的电压增益 Av、电流增益 Ai、功率增益 Ap，并分别换算成 dB 数表示。 解：
8．设 计 一 反 相 放 大 器 ，电 路 如 图 所 示 ，要 求 电 压 增 益 A v = v o / v i =- 10 ，当 输 入 电 压 v i =- 1V 时 ， 流 过 R 1 和 R 2 的 电 流 小 于 2m A ， 求 R 1 和 R 2 的 最 小 值 。
《模拟电子技术基础》复习资料
成考复习资料《模拟电子技术基础》复习资料1一、单选题1. 用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：Vb＝－12.3Ｖ，Ve ＝－12Ｖ，Vc＝－18Ｖ。
则三极管的工作状态为（）。
A. 放大B. 饱和C. 截止2. 某仪表放大电路，要求R i大，输出电流稳定，应选（）。
A. 电流串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压串联负反馈3. 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）。
A. 差B. 好C. 差不多4. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）Uz。
A. 0. 45B. 0. 9C. 1. 25. 某场效应管的转移特性如图2所示，该管为（）。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道结型场效应管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管6. 某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（）。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道耗尽型MOS 管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管7. 在如图2所示电路中，电阻RE的主要作用是（）。
A. 提高放大倍数B. 稳定直流静态工作点C. 稳定交流输出D. 提高输入电阻8. 利用二极管的（）组成整流电路。
A. 正向特性B. 单向导电性C. 反向击穿特性9. 根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。
A. 可能B. 不能10. 带射极电阻Re的共射放大电路，在Re上并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（）。
A. 减小；B. 增大；C. 不变；D. 变为零。
二、判断题1. ( )功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
2. ( )反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
3. （）负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
4. （）任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。
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《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。
2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。
3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。
4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。
7.木征硅中若掺入五价元素的原了，则多数载流了应是一电子,掺杂越多，则其数量一定越一多，而少数载流子应是—空穴，掺杂越多，则其数量一定越一少。
8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的.电子。
9.N型半导体小的多数载流子是_电子，少数载流子是一空穴。
10.杂质半导体分N型（电子）和P型（空穴）两大类。
11.N型半导体多数载流了是一电了，少数载流了是_空穴。
P型半导体多数载流了是一空穴，少数载流子是_电子。
12.朵质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。
13.PN结的主要特性是一单向导电性。
14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。
15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。
16.PN结在无光照、无外加电压吋，结电流为零°17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。
18.二极管是由—个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特件。
19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述，其数学式是上去屋佟LL，其曲线又口J分三部分：1I-：向特性、反向特性、击穿特性。
20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止，击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的［3二200, /CEO=200M A； B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同，相比之下旦管的性能较好。
模拟电子基础考试题及答案
模拟电子基础考试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是什么？A. 信号调制B. 信号解调C. 信号放大D. 信号滤波答案：C2. 运算放大器的开环增益通常在什么范围内？A. 10^2B. 10^3C. 10^4D. 10^5 至 10^6答案：D3. 负反馈在放大器中的作用是什么？A. 增加增益B. 降低增益C. 改善稳定性D. 减小失真答案：B、C、D4. 什么是共模抑制比（CMRR）？A. 差模增益与共模增益的比值B. 差模增益与共模抑制的比值C. 共模增益与差模增益的比值D. 共模抑制与差模增益的比值答案：B5. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化性C. 可模拟性D. 可存储性答案：B6. 在模拟电路设计中，电源去耦电容的主要作用是什么？A. 提供额外的电流B. 过滤高频噪声C. 增加电路的增益D. 改变电路的工作频率答案：B7. 什么是理想运算放大器？A. 具有无限增益的放大器B. 具有零输入偏置电流的放大器C. 具有无限带宽的放大器D. 所有选项都是答案：D8. 什么是非线性失真？A. 信号幅度的变化B. 信号频率的变化C. 信号波形的变化D. 信号相位的变化答案：C9. 在模拟电路中，带宽是指什么？A. 电路可以处理的最大信号频率B. 电路可以处理的最小信号频率C. 电路可以处理的信号频率范围D. 电路的增益答案：C10. 什么是积分器？A. 一个放大器，其输出是输入的积分B. 一个放大器，其输出是输入的微分C. 一个滤波器，通过高频信号D. 一个滤波器，阻止高频信号答案：A二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述理想运算放大器的基本特性。
答：理想运算放大器具有以下特性：无限增益、无限输入阻抗、零输出阻抗、零输入偏置电流和电压、无限带宽以及无饱和。
2. 解释什么是负反馈，并说明其在放大器设计中的作用。
答：负反馈是指将放大器的输出信号的一部分或全部反馈到输入端，形成闭合回路。
模拟电子技术基础考试试题答案
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。
2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式b I Ic β=才成立。
3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。
4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。
5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。
6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。
7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。
8、放大电路的直流通路用于研究。
9、理想运放的两个输入端虚短是指。
10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。
若输出电压置零后反馈仍然存在则为。
11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。
12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。
13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。
14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。
二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管。
A ：稳压效果变差B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大C ：反向截止D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。
A ：饱和状态B ：截止状态 C ：放大状态D ：不能确定3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。
关于这两只三极管，正确的说法是。
模拟电子基础考试题及答案
模拟电子基础考试题及答案一、选择题1. 在理想运算放大器中，输入电阻理论上是：A. 有限值B. 无穷大C. 0欧姆D. 1欧姆答案：B2. 一个二极管的正向压降通常在：A. 0.3VB. 0.7VC. 3VD. 7V答案：B3. 稳压二极管的工作原理是利用二极管的：A. 正向特性B. 反向特性C. 温度特性D. 反向击穿特性答案：D4. 一个理想的电压源与一个电阻串联，其输出电压：A. 等于电压源电压B. 等于电阻上的电压C. 等于电压源电压与电阻电压之和D. 等于电压源电压与电阻电压之差答案：A5. 一个电路的增益定义为输出电压与输入电压的比值，如果增益为-10，这表示：A. 电路是放大器B. 电路是衰减器C. 电路是相位反转放大器D. 电路是相位反转衰减器答案：D二、填空题6. 在模拟电路中，_________ 是用来放大电流的电子元件。
答案：晶体管7. 运算放大器的开环增益通常非常高，可以达到_________ 级别。
答案：兆或更高8. 一个理想的电流源的内阻为_________。
答案：0欧姆9. 滤波器按照通过频率的不同可以分为低通滤波器、高通滤波器、_________ 和_________。
答案：带通滤波器；带阻滤波器10. 负反馈可以提高放大电路的_________ 和_________。
答案：稳定性；线性度三、简答题11. 简述什么是负反馈，并说明其在放大电路中的作用。
答案：负反馈是指将放大电路的输出信号的一部分以相反的相位反馈到输入端的过程。
在放大电路中，负反馈可以提高电路的稳定性，减少非线性失真，增加带宽，降低噪声等。
12. 解释什么是共模抑制比，并说明其在差分放大电路中的重要性。
答案：共模抑制比（CMRR）是指差分放大电路对差模信号的放大能力与对共模信号放大能力的比值。
它反映了差分放大电路抑制共模信号干扰的能力。
在信号处理中，高CMRR可以确保电路只放大所需的差模信号，而抑制共模噪声，从而提高信号的信噪比。
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案一、填空〔18分〕1．二极管最要紧的特性是 单向导电性 。
2．假如变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，通过电容滤波后为 12 V ，二极管所承担的最大反向电压为 14 V 。
3．差分放大电路，假设两个输入信号u I1u I2，那么输出电压，u O0 ；假设u I1=100μV ，u I2=80μV 那么差模输入电压u Id =20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；期望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。
5．假设三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，那么其总电压增益为 80 dB ，折合为 104倍。
6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。
这类功放的能量转换效率在理想情形下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。
7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。
二、选择正确答案填空〔20分〕1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，那么这只三极管是〔 A 〕。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如下图，该管为〔 D 〕。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采纳差动放大电路，这是因为它的〔 C 〕。
A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应〔 D 〕。
《模拟电子技术基础》复习题
模拟电子技术基础复习题图1 图2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是，输入电阻最小的电路是，输出电阻最小的电路是，频带最宽的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是；只能放大电流，不能放大电压的电路是；只能放大电压，不能放大电流的电路是。
2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。
填空：（1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为，U CEQ的表达式为（2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为（3）若减小R B，则I CQ将，r bc将，A 将，R i将，R o将。
uA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生失真。
A.饱和B.截止3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数A =；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则u放大电路的输入电阻R i=。
（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 。
（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将增大或将减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以、、和各为一臂而组成的。
5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为、和三种电路，其中振荡电路的振荡频率最为稳定。
6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振蒎电路。
7、稳压电源一般由、和三部分电路组成。
8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用滤波电路，而负载电流较大时应采用滤波电路。
9、为了使输出电压有比较大的调节范围，应采用稳压电路。
二、判断题（下列各题是否正确，对者打“√”错者打“×”）1、半导体中的空穴带正电。
模拟电子技术基础复习题(基础知识填空和简答)
模拟电子技术基础复习题（基础知识填空和简答）习题1一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要依赖于混入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度存有非常大关系。
2、当pn结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3、在n型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
二．判断题1、由于p型半导体中所含大量空穴载流子，n型半导体中所含大量电子载流子，所以p型半导体拎正电，n型半导体拎负电。
（×）2、在n型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为p型半导体。
（√）3、蔓延电流就是由半导体的杂质浓度引发的，即为杂质浓度小，蔓延电流小；杂质浓度大，蔓延电流大。
（×）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（×）5、pnl并无光照并无另加电压时，结电流为零。
（√）6、温度增高时，pn吴厝庄的逆向饱和电流将增大。
（×）7、pn结加正向电压时，空间电荷区将变窄。
（×）三．简答题1、pn吴厝庄的伏安特性有何特点？v答：根据统计物理理论分析，pn结的伏安特性可用式id?is?(evt?1)表示。
式中，id为穿过pn吴厝庄的电流；is为pn吴厝庄的逆向饱和电流，就是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与i的单位一致；v为另加电压；vt=kt/q，为温度的电压当量（其单位23与v的单位一致），其中玻尔兹曼常数k?1.38?10j/k，电子电量q?1.60217731?10?19c(库伦)，则vt?t4951.2(v)，在常温（t=300k）下，vt=25.875mv=26mv。
vv当外加正向电压，即v为正值，且v比vt大几倍时，evt??1，于是i?is?evt，这时正向电流将随着正向电压的减少按指数规律减小，pn结成正凡塘通在状态.另加逆向电压，即v为v负值，且|v|比vt大几倍时，evt??1，于是i??is，这时pn结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随其另加电压而变，pn吴厝庄呈圆形逆向截至状态。
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《模拟电子技术基础》基本概念复习题一、判断题1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
×2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。
√3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。
×4、 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。
×5、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
×6、 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。
√7、 温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。
√8、 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
×9、 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
×10、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
√ 11、稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。
× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。
×13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。
√ 14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。
× 15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
× 16、 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
×17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
√ 18、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。
√ 19、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
× 20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
× 21、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。
× 22、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
× 23、放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。
× 24、输出电阻越大，放大电路带负载的能力越弱。
√25、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共射放大电路的输入电阻最小。
× 26、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共基放大电路的输出电阻最小。
× 27、阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，它只能放大交流信号。
√ 28、放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。
× 29、场效应管也是一种由PN 结组成的半导体器件，是电流控制器件，沟道越宽电流越大。
×30、由MOSFET 管组成的放大电路中0G i 。
√ 31、在由耗尽型N 沟道MOSFET 管组成的放大电路中，若GS V 小于零，则i D ＝0。
× 32、若增强型N 沟道MOS 管的v GS 大于开启电压V T ，则输入电阻会明显变小。
× 33、N 沟道JFET 在正常工作时的v GS 不能大于零。
√ 34、耗尽型MOS 管在栅源电压u GS 为正或为负时均能实现压控电流的作用。
√ 35、 结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。
√36、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。
× 37、增强型MOS 管采用自给偏压时，漏极电流i D 必为零。
√ 38、 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。
×39、通频带BW 等于放大电路的上限频率H f 和下限频率L f 的平均值。
× 40、集成运放内部第一级是差动放大电路，因此它有两个输入端。
√ 41、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
√ 42、集成运放内部是直接耦合的多级放大电路。
√ 43、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
√ 44、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。
× 45、 对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模输入交流通路中，长尾电阻R e 一概可视为短路。
×46、用电流源代替R e 后电路的差模电压放大倍数增加。
× 47、 带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。
√48、集成运放的输入失调电压V IO 是两输入端电位之差。
×49、反馈量仅仅决定于输出量。
√50、稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压串联负反馈。
√51、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
×52、稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压并联负反馈。
×53、任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。
√54、反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
×55、共集放大电路A u<1，电路不可能有反馈。
×56、单管共射放大电路通过电阻引入负反馈有可能产生自激。
×57、负反馈能扩大放大电路的通频带，因此在负反馈电路中可以用低频管代替高频管。
×58、负反馈可以抑制一切干扰。
×59、在深度负反馈条件下，A f＝1÷F与原来的A无关，所以可以任选管子。
×60、在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
×61、由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以微变等效电路已不再适用。
√62、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
√63、输入信号越大，非线性失真也越大。
交越失真属于非线性失真，因此，大信号时更为严重。
×64、乙类互补对称功率放大电路存在交越失真。
√65、功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
×66、在OTL功放电路中,若在负载8Ω的扬声器两端并接一个同样的8Ω扬声器,则总的输出功率不变,只是每个扬声器得到的功率比原来少一半。
×67、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管时）才能组成复合管。
×68、复合管的类型取决于第一个管子的类型。
√69、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。
√70、只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
×71、RC桥式振荡电路只要R f ≤2R1就能产生自激振荡。
×72、因为正反馈使放大器诸多的性能变坏，故在任何情况下放大器均不采用正反馈。
×73、比较器是模拟电路和数字电路的“接口”。
√74、在电压比较器中，其输出只有两种状态。
√75、在电压比较器中，集成运放一直处于非线性工作状态。
×76、为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平，一般情况电路中使集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入正反馈。
√77、单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。
×78、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使性能得到改善。
×79、放大电路的级数越多，引入的反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。
×80、一个理想对称的差分放大电路，能放大差模输入信号，也能放大共模输入信号。
×81、负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
×82、正反馈放大电路有可能产生自激振荡。
√83、满足自激振荡平衡条件的反馈放大电路，就一定能产生正弦波振荡。
×84、凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。
×85、对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就有可能自行起振。
×86、石英谐振器相当于一个高Q值的RC电路。
×87、当只想要放大频率为10kHz以上的信号时，应采用带通有源滤波器。
√88、直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。
×89、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。
√90、整流的目的是将交流变为单向脉动的直流。
√91、滤波就是将正弦交流电压滤波为单向脉动电压。
×92、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
√二、选择题1、关于理想运算放大器错误的叙述是( A )。
A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零B．输入信号为零时，输出处于零电位C．频带宽度从零到无穷大D．开环电压放大倍数无穷大2、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是（A）。
A．反相输入端为虚地；B．输入电阻大；C．电流并联负反馈；D．电压串联负反馈。
3、欲将方波转换为三角波，应选用（ D ）。
A．反相比例运算电路B．同相比例运算电路C ．求和运算电路D ．积分运算电路4、 当温度下降高时，二极管的反向饱和电流将 （ ）。
A ．增大B ．不变C ．减少5、 P 型半导体主要靠（ B ）导电A ． 正电荷B ． 空穴C ．自由电子D ．负电荷6、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ C ）。
A ．温度B ．掺杂工艺的类型C ．杂质浓度D ．晶体中的缺陷7、 PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。
A ．变窄B ．基本不变C ．变宽D ．不定8、 外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。
A ． 增大B ． 减小C ． 不变9、 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ A ）。
A ． 大B ． 小C ． 相等10、 对于稳压二极管，它正常工作时是处于（ B ）状态。
A ． 正向导通B ． 反向击穿C ． 截止D ．随外加电压变化而变化11、 根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B ＝－6.3V ，V E ＝－7V ，V C ＝－4V ，可以判定此晶体管是 管，处于 。
（ D ）A ． NPN 管，饱和区B ． PNP 管， 放大区C ． PNP 管，截止区D ． NPN 管， 放大区12、 处于饱和状态的晶体管其特点有：( B )A ．b ,1C CE I i U β><B ．b ,1C CE I i U β<<C ．b ,1C CE I i U β<>D ．b ,1C CE I i U β=>13、 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 （ C ）。
A ．83B ．91C ．10014、 一个晶体管的极限参数为P CM =100mW ，I CM =20mA ，U (BR)CEO =15V ，则下列( A ）是正常工作状态。