太阳能多晶硅片来料检验标准
原料检验标准
原生多晶硅原料检验标准1.规格：纯度：≥99.9999%颗粒状硅料粒度范围为1 mm～3mm破碎的块状多晶具有无规则的形状和随机的尺寸分布，即线型尺寸最小为3mm，最大可达200mm。
块状多晶的分布范围：1）3mm～25mm的重量占总重量的比重≤15%2）25mm～100mm的重量占总重量的比重15%～35%3）100～200mm的重量占总重量的比重≥65%2.物化特性：断面结构应致密，无色班、变色，无目视可见的污染物和氧化的外表面，不允许出现氧化夹层。
3.材料明细：（产品内在技术指标）太阳能多晶硅等级及技术要求应符合表1规定。
表1：块状、棒状多晶硅断面结构应致密。
多晶硅免洗或经过表面清洗，都应使其达到直接使用要求。
所有多晶硅的外观应无色班、变色，无目视可见的污染物和氧化的外表面。
多晶硅中不允许出现氧化夹层。
埚底料1、外观检验1.1块状埚底料为规则的形状。
1.2埚底料表面应无氧化夹层、杂质、色斑、变色，无目视可见的污染物。
1.3埚底料的表面经酸腐蚀后表面应无色斑、变色、无可见的污染物（石墨、石英片、胶等）。
2、指标检验2.1型号检验：N型、P型；2.2电阻率检验：最低电阻率作如下分类：N型＞7Ω.cmP型＞5Ω.cm2.3规格尺寸单块埚底料尺寸必须大于2厘米（非线性）边皮/头尾料1、外观检验1.1块状边皮/头尾料为规则的形状。
1.2边皮/头尾料表面应无氧化夹层、杂质、色斑、变色，无目视可见的污染物。
1.3边皮/头尾料的表面经酸腐蚀后表面应无色斑、变色、无可见的污染物（石墨、石英片、胶等）。
2、指标检验2.1型号检验：N型、P型；2.2电阻率检验：最低电阻率作如下分类：N型＞10Ω.cmP型＞1Ω.cm2.3规格尺寸单块边皮/头尾料尺寸必须大于2厘米（非线性）。
太阳能组件来料检验标准
太阳能电池组件原材料检验项目及方法一．太阳能电池片1。
检验内容及方式:1）电池片厂家，包装（内包装及外包装），外观，尺寸，电性能，可焊性,珊线印刷，主珊线抗拉力，切割后电性能均匀度.(电池片在未拆封前保质期为一年)2）抽检（按来料的千分之二），电性能和外观以及可焊性在生产过程全检。
2。
检验工具设备:单片测试仪,游标卡尺,电烙铁，橡皮，刀片，拉力计，激光划片机.3。
所需材料:涂锡带，助焊剂。
4。
检验方法:1）包装：良好，目检。
2）外观：符合购买合同要求。
3）尺寸：用游标卡尺测量,结果符合厂家提供的尺寸的±0.5mm4)电性能：用单体测试仪测试，结果±3%。
5）可焊性:用320-350℃的温度正常焊接，焊接后主珊线留有均匀的焊锡层为合格。
（要保证实验用的涂锡带和助焊剂具有可焊性）6）珊线印刷:用橡皮在同一位置反复来回擦20次，不脱落为合格。
7）主珊线抗拉力:将互链条焊接成△状，然后用拉力计测试，结果大于2。
5N。
8）切割后电性能均匀度：用激光划片机将电池片化成若干份,测试每片的电性能保持误差在±0。
15w。
5。
检验规则:以上内容全检，若有一项不符合检验要求则对该批进行千分之五的检验。
如仍不符合4）.5）.7）8)项内容,则判定该批来料为不合格。
二.涂锡带1。
检验内容及方式：1)厂家,规格，包装，保质期（六个月），外观,厚度均匀性，可焊性，折断率，蛇形弯度及抗拉强度。
2）每次来料全检（盘装），外观生产过程全检。
2。
检验所需工具：钢尺,游标卡尺，烙铁,老虎钳，拉力计。
3.所需材料:电池片，助焊剂。
4.检验方法：1)外包装目视良好，保质期限，规格型号及厂家.2)外观：目视涂锡带表面是否存在黑点，锡层不均匀，扭曲等不良现象。
3）厚度及规格：根据供方提供的几何尺寸检查，宽度±0.12mm,厚度±0.02mm视为合格。
4）可焊性：同电池片检验方法5)折断率：取来料规格长度相同的涂锡带10根，向一个方向弯折180°,折断次数不得低于7次。
《太阳能级多晶硅》国家标准
《太阳能级多晶硅》国家标准前言本标准是为习惯我国光伏产业日益进展的需要，在修改采纳SEMI 16-1296《硅多晶规范》标准的基础上，结合我国多晶硅生产、试验、使用的实际情形而制定的。
本标准的制定能满足市场及用户对太阳能级多晶硅的质量要求。
本标准考虑了目前市场上的大部分用于太阳能光伏产业的多晶硅料，包括：棒状料、块状料、颗粒料、粉状料等，按照不同种类的多晶硅加工、生产太阳能电池其转换率情形，将太阳能级多晶硅纯度分为三级。
与SEMI 16-1296相比增加了基体金属杂质内容。
本标准的术语与有关标准和谐一致。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、中国电子材料行业协会、西安隆基硅材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限公司。
太阳能级多晶硅1 范畴本标准规定了太阳能级多晶硅的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。
本标准适用于使用（改良）西门子法和硅烷等方法，生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅。
产品要紧用于太阳能级单晶硅棒和多晶硅锭的生产。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓舞按照本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1551 硅、锗单晶电阻率测试直流两探针法GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测试直排四探针法GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸取测量方法GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸取测量方法GB/T 4059 硅多晶气氛区熔磷检验法GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验法GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T 14264 半导体材料术语SEMI MF1389 光致荧光光谱测单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质SEMI MF1535 用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法SEMI MF1630 低温傅立叶变换红外光谱法测量单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质SEMI MF1723 利用区熔生长和光谱法评判多晶硅产品规范SEMI MF1724 利用酸提取原子吸取光谱法测量多晶硅表面金属沾污的测试方法3 要求3.1分类产品按外型分为棒状、块状和颗粒状，按照等级的差别分为三级。
硅片检验标准
版本状态临时版文件名称硅片检验页码1/5编制/日期：审核/日期批准/日期：1．目的监测硅片质量，确保电池片质量稳定。
J2．适用范围适用于本公司品质部对所有来料硅片质量的监视和测量。
3．职责3.1 品质部负责制订硅片检验文件。
3.2 品质部负责来料硅片质量的控制。
4．检验4.1核对对照送检单，核对硅片的来源、规格和数量，供方所提供的参数、如电阻率、厚度、对角线长、边长。
检查供方出具的材质报告（碳含量、氧含量、晶向及位错密度），如有不符，须先与采购部沟通，无误后进行检验。
4.2 外观检验4.2.1用刀片划开封条，划时刀片不宜切入太深，刀尖深入不要超过5mm，防止划伤泡沫盒内的硅片。
塑封好的硅片，用刀尖轻轻划开热缩膜四个角，然后撕开热缩膜。
4.2.2 抽出两边的隔版，观察盒内有没有碎片，如有则要及时清理碎片。
4.2.3 检验时戴PVC手套。
从盒内拿出100片硅片（不得超过100片），先把硅片并齐并拢后观察硅片四边是否对齐平整,并用硅片模板进行对照，鉴别是否存在尺寸不对的现象，如不符合，则用游标卡尺测量，并及时记录于硅片外观检验原始记录表上。
4.2.4 再将100片硅片分出一部分使其旋转90度或180度，再并拢观察硅片间是否有缝隙，如有则说明有线痕或是TTV超标的现象。
将缝隙处的硅片拿出来，用MS-203测硅片上不固定的数点厚度(硅片边缘2-5cm以内取点),根据厚度结果确定是否超标。
将线痕、TTV超标片区别放置。
再观察四个倒角是否能对齐，如有偏差，对照硅片模板进行鉴别，把倒角不一致硅片分开放置。
并在硅片外观检验原始记录表上分别记录数量。
4.2.5 观察硅片是否有翘曲现象，翘曲表现为硅片放在平面上成弧形或是一叠硅片并拢后容易散开。
如有，则要把硅片放在大理石平面上，用塞尺测量其翘曲度，将翘曲度超标片区别放置，在硅片外观检验原始记录表上记录数量。
4.2.6 逐片检验硅片，将碎片、缺角、崩边、裂纹、针孔、污物、微晶（特指多晶硅片）等不合格品单独挑出，分别存放，并在硅片外观检验原始记录表上记录。
多晶硅片检验标准
检验分类：1.正常晶 2.雪花晶 3.微晶 4.分布晶
定义：
正常晶——无典型分布晶、微晶、雪花晶和其他异常晶粒特征的正常多晶硅片。
雪花晶——除典型微晶、分布晶和正常晶外的所有多晶硅片。
包括典型雪花晶和除分布晶和微晶以外的所有非正常晶。
微晶——晶粒尺寸小于等于2mm，呈连续分布具有一定面积的晶体。
分布面积大于1cm2，不具有典型分布晶特征（如图所示）。
分布晶——大晶粒上分布的具有“圈点”特征的小晶粒（如图所示）。
检验流程：
关键点：
1.典型分布晶的特征——“圈点”特征小晶粒。
2.典型微晶特征——密集型连续分布的小晶粒，无典型分布晶特征。
3.对具有一定面积密集型小晶粒分布的多晶硅片要严格把握，尽量归入分布晶（具有典型分
布晶特征）或微晶中。
4.对于极度分散的非典型分布晶，不要归入分布晶。
可归入雪花晶。
典型微晶图
典型分布晶图
以每1000片计算，因原料问题造成的损失为：
1000*返工比例*返工成本+1000*返工比例*返工碎片率*硅片价格+1000*返工比例*降低的转换效率*电池价格/平均转化效率+1000*C级色斑比例*（A级片价格-C级片价格）+1000*B级色斑比例*（A级片价格-B级片价格）。
进料检验规范(太阳能电池)
文件编号 材料名称 产品类别
KMC_MI-01 太阳能电池
页次 版本
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A
■材料 □外购品 □外发加工 □其它
MIL-STD-105E
正常检验 II 级
AQL：CR:S-2 AC=0；MJ: AQL=1.0；MN:AQL=2.5
目测方法：在距 40W 荧光灯 1m-1.2m 光线内,眼睛距物 30-50cm，视物约３-5 秒 判定 检验项目 检验方法及标准 1、表面无破损，无断裂，大小一致。 2、铝膜面不能有水浸入发黑，不能有手指印。 3、表面或铝膜面不能有划痕、划伤。 4、同一太阳片不能有明显色差，发红等现象。 5、四周不能有白边及加工不均。 来料尺寸： 1、635mm*1245mm*3mm,电压方向宽度：635mm±3mm,电流方向长度： 1245mm±3mm,厚度为 3mm-3.2mm。 2、需含有 39 个完整电池，每节电池宽的为:15.7mm,正极方向宽度 大于 4.5mm 3、暗线（黑线）为电池正极，亮线（白线）为电池负极，正负极 线间宽度小于 1mm。 切割尺寸： 1、根据不同灯的电压电流要求，它的长宽（分别控制电压和电流） 尺寸不同，误差：±0.5mm。 2、 太阳片规格有： 38*38、 39*35、 52.5*52.5、 59*59、 63*63、 87*67、 70*70、94.5*79.5、110*130 3、外发江西锐秀使用的 38*38 太阳片尺寸控制在 38.0~38.5 之间 每块太阳片之间要有绵纸隔离 包装 装配 太阳片与木框间要有泡沫绵隔离 每箱木框包装箱内不可留有活动间隙，以免物流过程中产生损坏 1、与顶盖配合，无翘高，无变形，无缝隙。 1.用照度计对卤素灯进行调试,光源亮度为 9 万 LUX 时灯光对非晶 太阳片进行检测.不同规格的太阳片充电电流及弱光性要求不一样, 按开发部提供的标准进行检测 2.非晶太阳片每节开路电压为:0.96V 以上,电流为:1cm 为 8-10mA 即 I=8mA/cm，整块太阳片的电压电流参数以此推算测量判定。 来料时已开好焊盘的可焊锡面不低于焊盘的 75%，二次焊接无不良 可焊性 生产过程自开焊盘的焊盘无氧化变色，无不上锡或不上铝情况 √ 目测 C R M J M N 检测 工具 备注
太阳能多晶硅片质量等级分类方法
BA1A2B1、B2、B3…B91导电类型P P硅片分选设备抽检2隐裂、针孔无隐裂、无针孔无隐裂、无针孔硅片分选设备抽检3崩边长度≤1 mm，深度≤0.5 mm，每片崩边总数≤2 处；长度≤1 mm，深度≤0.5mm，每片崩边总数≤2 处；B1— 1mm＜崩边长度≤5mm，1mm＜深度≤2mm，1＜崩边总数≤3目测全检4TTV ≤30 μm ≤30 μm B2— 30μm＜TTV≤50μm；硅片分选设备抽检5厚度200±20 μm 200±20 μm B3— 厚度偏差超过±20μm但小于±40μm硅片分选设备抽检6尺寸156±0.5 mm 156±0.5 mm B4— 硅片尺寸偏差超过±0.5mm但小于±1.0mm 硅片分选设备抽检7倒角1±0.5 mm、45°±10º1±0.5 mm、45°±10ºB5— 倒角尺寸偏差超过±0.5mm但小于±0.8mm 硅片分选设备抽检8线痕深度≤8 μm 深度≤15 μmB6— 15μm＜深度≤30μm目测、必要时使用表面粗糙度仪帮助判定全检9电阻率0.5-3Ω•cm；3-6Ω•cm0.5-3Ω•cm；3-6Ω•cmB7— 电阻率＜0.5Ω.cm硅片分选设备抽检10少子寿命≥2μs≥2μsB8— 0.5μs≤少子寿命＜2μs少子寿命测试仪按硅块检验规程进行抽检11表面质量状况硅片表面及侧面无凹坑，无沾污，无氧化，无穿孔，无裂纹，无划伤；硅片表面及侧面无凹坑，无明显沾污（表面沾污总面积小于3mm 2，每一百片单边侧面沾污总面积小于20mm 2）（判断时参照沾污样本片进行判定），无氧化，无穿孔，无裂纹，无划伤；B9— 硅片表面有沾污但硅片颜色不发黑；油点或其他赃物不得有3处，每处沾污或其他赃物面积≤1mm2目测全检12弯曲度≤80 μm ≤80 μm ≤80 μm塞尺抽检13氧碳含量氧含量≤8x1017atoms/cm 3 ；碳含量≤6.0x1017atoms/cm3氧含量≤8x1017atoms/cm 3；碳含量≤6.0x1017atoms/cm 3氧含量≤8x1017atoms/cm 3 ；碳含量≤6.0x1017atoms/cm 3氧碳含量测试仪客户要求时才抽检检测方法检验方式可划片（不合格产品），但在划为小规格尺寸（125×125）硅片后，其他性能符合A 级硅片标准不合格产品，即不满足A、B、C级要求的硅片均归为D级可划片（不合格产品），但在划为小规格尺寸（125×125）硅片后，其他性能符合A 级硅片标准不合格产品，即不满足A、B、C级要求的硅片均归为D级表1 太阳能多晶硅片质量等级分类方法序号检验项目A CD。
太阳能多晶硅片来料检验标准
（盖章）文件分发明细受文部门份数受文部门份数受文部门份数受文部门份数文件制修订记录修订日期文件版本修订摘要拟定审批（盖章）1.0目的:规范硅片的来料检验过程,使采购的硅片质量符合公司规定要求和标准。
2.0范围：适用于公司所有的晶体硅片来料检验。
3.0内容：5.1 IQC收到仓库提供的“入库单”后，按照入库单上的来料信息进行抽样检查。
5.2抽样方案：抽样量按照国标GB/T2828.1-2012标准，正常检验一次抽样方案，一般检验水平Ⅱ。
5.3抽样接收标准及检验程序：5.3.1抽样接受标准为AQL=1.0,若不良品（机碎除外）超标则按不合格处理（《不合格品控制程序》），不再进行重复抽检。
5.3.2抽取样品及与硅片接触的任何操作过程中，均需要戴上乳胶防护手套。
5.4 检验项目及检验标准序号检验项目/检验步骤抽样方案检验工具检验方法及判定标准注意事项图标1 检验外箱包装外观质量全数检查(Ac=00，Re=1)目视要求堆放整齐，外包装箱及托盘无损坏、变形、脏污等不良现象。
发现异常时，应拍照取证，并立即报告，以便及时通知供应商2 核对到货单信息与外箱标识信息的一致性全数检查(Ac=00，Re=1)目视要求到货单上显示的硅片型号、规格，数量与外箱标识一致发现异常时，应拍照取证，并立即报告，以便及时通知供应商3 抽取样品GB/T2828.1正常检验一次性抽样方案，一般检验水平Ⅱ目视(1)记录所抽样盒子上显示的晶体编号,将晶体编号写在《硅片检验记录表》(2)在抽样的盒子中抽取检测样片到指定泡沫盒中.(3)抽取的样品放置在规定的泡沫盒中，注：抽取样品时，要检验该盒硅片边缘部分是否有缺觉、硅晶脱落及开箱碎片等明显的不良(4)抽取样品后，在对应硅片的外箱标签处写上该抽样数量，以便核对硅片数量(1)刀片使用过程中注意事项，防止划伤(2)刀片伸出长度小于1cm，放置划破内包装，损伤硅片(3)取完硅片后，盖上盒盖，注意盒盖内没有异物及盒内硅片的整齐度，避免硅片破裂（盖章）4 硅片外观检查你GB/T2828.1正常检验一次性抽样方案，一般检验水平Ⅱ目视检查硅片表面切割纹路，判定切割类型：单向/双向(1)检验条件切割类型：距离眼部约5cm，700LX光照下，每包头、中，尾各随机抽一片检测其他：距离眼部约30-50cm，700LX光照下，目视垂直于硅片(2)注意两手捏硅片的力度(3)硅片正反两面都需要检查(4)每次检验不得超过100片目视表面清洁度，表面光滑干净，无油污，斑点，手指印或化学残留物目视硅片边缘横截面，必须光亮无毛糙（切片前的硅锭要经化学腐蚀去除损伤层目视阴阳片不允许目视微晶＜10个晶粒/平方厘米目视晶界走向与硅片表面垂直，无异常晶粒ATM检测仪不允许有裂纹，孔洞，隐裂ATM检测仪边缘缺陷：≤0.5mm，深度≤0.3mm，且每片不超过2个ATM检测仪硅落A级品：长度≤0.2mm，深度≤0.3mm，个数≤2个B级品：长度≤0.3mm，深度≤0.8mm，个数≤2个ATM检测仪线痕粗糙度A级品：≤15umA级品：≤40um5 检查硅片外观目视检查硅片形状，将部分硅片转向180度，检查外形，要求为正方形(1)检验条件：30-50cm，700LX光照下，垂直于硅片目视(2)注意两手握硅片的力度(3)硅片正反两面需要检查(4)每次检验不得超过100片目视多晶硅片晶粒分布：无雪花晶，分布晶，微晶，孪晶。
晶硅进料检验规范
晶硅进料检验规范（初稿）编制：审核：批准：发布日期：实施日期：1 目的1.1 为规范所有生产原材料进厂检验的标准，验证进厂原辅材料是否满足规定要求，正确地开展检验工作，确保未经检验或不合格的原辅材料不入库、不投入生产。
2 适用范围2.1 与本公司产品有关的原辅材料、外调品等均适用。
3 术语3.1 严重缺点：（CRITICAL DEFECT）影响人身安全、产品安全的缺陷，违反相关法律法规要求。
3.2 主要缺点：(MAJOR DEFECT)使用后丧失其功能，或不能达到设计者所期望的目的、显著降低其实用性的缺陷。
3.3 次要缺点：(MINOR DEFECT)不影响产品的使用性能，在使用和操作效果上无影响的缺陷。
4 职责4.1 质量管理部：进料检验员负责原辅材料的检验及判定。
4.2 采购物流部：负责与供应商处理来料检验不合格事项及追踪不良改善效果。
4.3 调度中心：负责对质量管理部检验合格的产品清点数量后入库管理。
5 工作内容5.1 抽样检验时取样原则依《抽样计划》规定要求执行。
5.1.1 外观检验依据《GB/T 2828.1-2003/ISO2859-1:1999正常检验单次抽样计划表》正常单次抽样。
严重缺点：CR=0 ；主要缺点：MA(AQL)=0.40 ；次要缺点5.2 外观检测条件: 检验光源：一般日光灯光源之正下方30cm左右。
距离：眼睛离被测物约 20~50cm。
角度：上下左右45度观察。
检测位置：产品六个面均需检验。
6 技术规格及相关内容6.1 产品外型检验要求及质量等级分类。
6.2 正面印刷质量与反面印刷质量的检测与分类。
6.3 性能测试。
6.1：外型尺寸要求3（共12页）6.1.2：外观要求4（共12页）5（共12页）6.2：正面印刷质量6（共12页）7（共12页）6.2.1：背面印刷质量8（共12页）备注：对外观、印刷质量和外形进行检测时，可用标准样片进行对比。
9（共12页）6.3：性能测试缺损不满足A、B 级要求归为C2 级。
太阳能组件原材料检验标准
辅助材料检验标准(太阳电池组件)太阳电池组件玻璃检验标准1. 适用范围本规范适用于各种规格型号太阳能组件专用玻璃的进厂质量检验。
2. 引用标准GB/T9963-1998钢化玻璃国家检验标准GB2828-1987周期检查计数抽样程序及抽样标准3. 检验项目外观检验，几何尺寸检验和性能检验。
3.2.1 长度，宽度符合订货协议要求，允许偏差为±1.0mm。
3.2.2 厚度尺寸公差为±0.2mm。
3.2.3 直角度误差小于其所在边长的±2‰。
钢板尺或钢卷尺、游标卡尺或千分尺、钢球。
5. 检验方法5.1 外观检验在较好的自然光或自然散射光下，距玻璃表面600mm用肉眼进行观察，必要时使用放大镜进行检查。
5.2 尺寸检验依据订货协议技术要求用钢板尺或钢卷尺进行多点长宽尺寸测量，取其平均值；用精度为0.01mm的千分尺测量玻璃各边中心的厚度，取其平均值。
5.3 弯曲度检验以平面钢化玻璃制品为试样。
试样垂直立放，水平放置直尺贴紧试样表面进行测量。
弓形时以弧的高度与弦的长度之比的百分率表示。
波形时，用波谷到波峰的高与波峰到波峰或波谷到波谷的距离之比的百分率表示。
5.4 机械强度检验5.4.1 将试样放置在高50mm宽15mm与试样外形尺寸大小一致的木框上。
5.4.2 将重1024g的钢球自1.0m高度自由落下，冲击点应距试样中心25mm范围内。
每块试样中心只限一次。
（备注：试样玻璃单独放置，不可流入生产线使用）5.4.3 试样完好无损。
5.5 其它各项性能检验以采购部从厂家索取的性能检验报告为准，性能检验报告完全符合3.3标准条款时方可认为性能合格，否则认为性能指标不合格。
（针对不同厂家、不同项目定期进行委托检验）.6．检查规则6.1 在检验前要求采购部提供相关材质证明及检验报告。
在确定性能指标完全符合3.4标准条款时，再根据GB2828标准要求进行抽检。
抽检采用一般检查水平II，合格质量水平AQL ＝4.0（见附表）。
太阳能多晶硅片的检测
1目的为加强成品质量控制，规范成品检验方法及步骤，特制定此规程。
2范围本文件规定了对成品进行检验的标准等。
本文件适用于硅片公司品管部硅片分选包装检验员。
3设备、工模具、材料Manz硅片分选设备、PVC手套、标签打印机、工作台、包装盒、包装箱、封口胶带等。
4内容4.1 检验方式4.1.1 外观全检，即对全部生产的硅片外观逐件用肉眼进行检测，从而判断每一件产品是否合格。
4.1.2 电学及其他性能抽检，每个硅块抽取200片用Manz硅片分选设备对其导电类型、电阻率、、厚度、TTV、少子寿命等进行检验。
在有特殊要求时，按一定比例对硅片的氧碳含量进行抽检。
4.2 检验步骤a)每个硅块抽取200片用Manz硅片分选设备对其导电类型、电阻率、少子寿命等进行检验；b)在抽检的200片当中如果有30及30片以上的硅片（导电类型、电阻率、厚度、TTV、少子寿命等不符合要求硅片数的总计）不满足4.3中相关要求，则对该硅块所有的硅片用Manz硅片分选设备进行检验，之后再对所有硅片进行外观上的检验；c)在抽检的200片当中如果只有30片以下的硅片（导电类型、电阻率、厚度、TTV、少子寿命等不符合要求硅片数的总计）不满足4.3中相关要求，则将这些硅片判定为导电类型不符、电阻率不符等，该硅块其他硅片不再进行导电类型、电阻率、厚度、TTV、少子寿命等的检验，连同抽检的200片硅片中剩下的硅片进行外观上的全检；例如：如某一硅块理论切片数为535片，抽检了200片，当中有29片不满足4.3中相关要求。
则将29片判定为导电类型不符、电阻率不符等，剩下的171（200-29）片连同前面的335片（535-200）进行外观上的全检；d)依据4.3中相关要求对硅片进行分类。
4.3 技术要求按质量要求将硅片分为A级硅片、B级硅片、C级硅片、D级硅片四级，如下表1。
其中将A级硅片按电阻率分为A1（0.5～3Ω.cm），A2（3～6Ω.cm）2个类别，B级硅片按部分性能不满足A级硅片要求分为B1，B2，B3，B4，B5，…，B9共9种类别；C级硅片指由清洗、检测和包装过程中产生的碎片，经判定能将其划成一定尺寸的小规格硅片（如125mm×125mm），其他检验参数符合A级硅片标准。
多晶硅标准
多晶硅标准
多晶硅（Polycrystalline silicon）是一种晶体结构不完整的硅材料，由多个小晶体（晶粒）组成。
多晶硅是太阳能电池、集成电路等高技术领域的关键材料之一。
为了保证多晶硅材料的质量和性能，制定了一系列的标准和规范。
1. 多晶硅质量标准（GB/T 5420-2010）：该标准规定了多晶硅的分类、包装、标志、试样制备和性能测试等要求，对多晶硅的质检提供了参考依据。
2. 多晶硅材料及其中晶粒度测定方法（GB/T 6699-2017）：该标准规定了多晶硅材料的晶粒度测试方法，包括显微镜观察法和X射线衍射法等方法。
3. 太阳能电池用多晶硅片（GB/T 16532-2017）：该标准规定了太阳能电池用多晶硅片的分类、要求、检验方法等内容，包括外观、尺寸、电气性能等方面的要求。
4. 半导体级多晶硅材料（GB/T 16534-2017）：该标准规定了半导体级多晶硅材料的分类、要求、检验方法等内容，主要涉及杂质含量、电阻率、位错密度等方面的要求。
这些标准和规范旨在保证多晶硅材料的质量和稳定性，为相关行业的产品生产和质检提供统一的技术要求，促进多晶硅技术的发展和应用。
同时，这些标准也为消费者选择和购买多晶硅产品提供了参考依据。
太阳能级多晶硅标准
太阳能级多晶硅标准
太阳能级多晶硅是太阳能电池的主要原料，其质量和性能直接影响着太阳能电池的转换效率和稳定性。
因此，制定和执行太阳能级多晶硅标准对于保障太阳能电池的质量和推动太阳能产业的发展至关重要。
首先，太阳能级多晶硅标准需要明确多晶硅的化学成分和物理性能要求。
多晶硅的纯度、晶格结构、杂质含量等关键指标需要在标准中进行详细规定，以确保多晶硅的质量稳定和可控。
其次，太阳能级多晶硅标准还需要规定多晶硅的加工工艺要求。
多晶硅在制备太阳能电池时需要进行切割、抛光、清洗等多道工序，这些工艺对多晶硅的表面质量和纯度要求极高，因此标准需要对加工工艺进行严格规定，确保多晶硅的加工质量符合太阳能电池制造的要求。
此外，太阳能级多晶硅标准还需要考虑多晶硅的环境适应性和耐久性。
多晶硅在太阳能电池中需要长期暴露在室外环境下，因此其耐候性和抗老化性能也是制定标准时需要考虑的重要因素。
总的来说，太阳能级多晶硅标准的制定需要考虑多方面的因素，包括多晶硅的化学成分、物理性能、加工工艺、环境适应性和耐久性等。
只有通过严格的标准规范，才能保障太阳能电池的质量和性能，推动太阳能产业的健康发展。
因此，制定太阳能级多晶硅标准是当前太阳能产业发展的迫切需求，也是提高太阳能电池质量和竞争力的关键举措。
希望相关部门和行业组织能够加强合作，制定出科学合理的太阳能级多晶硅标准，为太阳能产业的发展注入新的动力。
多晶硅来料检验及掺硼计算
二）注浆成型单面吸浆法
赛瑞丹坩埚
三）注凝成型
中材坩埚
多晶硅原料
• 用途 是制作多晶硅太阳电池片的最直接原料 • 包装 包装应无破损或浸水，包装上注明硅料批 号，导电类型，B、P含量，总金属含量， 随货提供每批次硅料的检验报告 • 外观 块状，结构应致密、平整、无氧化夹层，
原料检验以及多晶 硅掺杂计算
一、原料检验
• Si3N4 • 石英坩埚（SiO2） • 多晶硅原料
Si3N4
• 作用 经搅拌喷涂后形成一层隔绝涂层，介于 石英坩埚和硅之间，起到：1）防止液态硅 与石英坩埚接触；2）使硅锭与坩埚容易分 离 • 为何选择Si3N4作涂层材料
Si3N4
• 因为Si3N4具有耐高温、化学稳定性好、耐 腐蚀、抗氧化、导热性能好等优点。 • 另一个重要优点是因为Si3N4不含任何金属 元素，对熔融硅具有优异的不反应性。 • 技术要求 1）α-相Si3N4 ＞90% 2）N含量＞38%
多晶硅掺杂计算
再把M硼转换成M母 M母=0.03045÷10.8×6.02E23÷2.613E19×2.33 =151.35g （其中2.613E19是通过关系式②计算得的） 可以简化成： M母=420×1000×9.41745E15÷2.613E19 =151.35g 该公式的含义是硅锭中B的含量与所加入硼母合金 中B的含量相等
Si3N4
3）C含量＜0.2% 4）O含量＜1.5% 5）金属杂质含量＜0.02% • 外观、包装 外观：灰白色、无味，粉末（分散、无团聚 ） 包装：双层密封包装：外层铁通，内层塑料
Si3N4
• 生产工艺 硅粉直接氮化法(德国H.C.Starck) 1）3Si+2N2 →Si3N4 2）3Si+4NH3 → Si3N4 +6H2 优点：工艺流程简单、成本低、能大规模 生产 缺点：粒径分布较宽、纯度相对较低、β相 含量较高
多晶硅片检测标准
多晶硅片技术标准1范围1.1 本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件2.1 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法2.2 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法2.3 ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的试验方法3 术语和定义3.1 TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；3.2 TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5 点厚度：边缘上下左右4点和中心点）；3.4崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；3.5 裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.6 垂直度：硅片相邻两边与标准90°相比较的差值。
3.7 密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4 分类多晶硅片的等级有A级品和B级品，规格有：125⨯125；156⨯156；210⨯210。
5 技术要求5.1 外观5.1.1无孪晶、隐裂、裂痕、裂纹、孔洞、缺角、V形（锐形）缺口，崩边、缺口长度≤0.5mm，深度≤0.3mm，且每片不得超出2个；5.1.2表面需清洗干净，无可见斑点、玷污及化学残留物；5.1.3硅片表面局部凹凸不平深度（如表面划痕、凹坑、台阶等）≤20μm，切割线痕深度≤20μm；当在硅片正反两面的同一个位置出现线痕加和小于20um。
无密集型线痕。
5.1.4 弯曲度≤30μm，，翘曲度≤30μm；5.1.5切片前的棒/锭要经化学腐蚀或机械抛光去除损伤层，即切完的硅片边沿是光亮的。
5.2外形尺寸5.2.1 标称厚度系列为200±20μm；220±20μm；240±20μm；对于每单合同需要明确规定标称厚度。
太阳能级多晶硅的国家标准
太阳能级多晶硅的国家标准 链接：/tech/9067.html
5.1.1 产品应有供方质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。 5.1.2 需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本标准规定不符时，应在收到产品之日起一个月内向供方提出， 由供需双方协商解决。 5.2 组批 产品应成批提交验收，每批应有同一牌号、具有相同标称纯度和特性，以类似工艺条件生产并可追溯生产条件的硅多 晶或同一反应炉次的硅多晶组成。 5.3 检验项目 每批产品应进行N型电阻率、P型电阻率、少数载流子寿命、氧碳浓度、结构、表面质量和尺寸的检验，基体金属杂 质进行抽检或由供需双方协商。 5.4 取样与制样 5.4.1 供方取样、制样时，对棒状硅多晶N型电阻率、P型电阻率、制样应按GB4059、GB4060 、GB4061进行，铸造块状硅多晶应在具有代表性的部位参照GB4059、GB4060取样、制样。 5.4.2 仲裁抽样方案由供需双方商定，取样部位和制样按6.4.1进行。 5.5 检验结果判定 5.5.1 多晶硅的纯度由N型电阻率、P型电阻率、氧碳浓度判定，少数载流子寿命和基体金属杂质属参考项目。 5.5.2 在判定项目中若检验结果有一项不合格，则加倍取样对该不合格的项目进行重复试验。若重复试验仍不合格， 则该批产品为不合格或降级使用。 6 包装、标志、运输及贮存 6.1 包装 硅多晶免洗或经过一定方式洗净、干燥后，装入洁净的聚乙烯包装袋内，密封，然后再将包装袋装入包装箱或包装桶 内。块状硅多晶包装规格为每袋净重为5000g±25g或10000g±50g。棒状硅多晶每根单独包装，并用箱子固定、封状。 包装时应防止聚乙烯包装袋破损，以避免产品外来沾污，并按最佳方法提供良好保护。 6.2 标志 包装箱（桶）外应标有“小心轻放”及“防腐、防潮”字样或标志，并标明： a）需方名称； b）产品名称、牌号； c）产品数量、净重； d）供方名称 6.3 质量证明书 每批产品应附有质量证明书，注明： a）供方名称；
太阳能级多晶硅 标准
太阳能级多晶硅标准
太阳能级多晶硅是太阳能电池的主要材料之一，其质量和性能直接影响着太阳
能电池的转换效率和稳定性。
因此，对太阳能级多晶硅的标准化要求非常严格，以确保太阳能电池的质量和性能达到预期的要求。
首先，太阳能级多晶硅的晶体结构需要符合一定的标准。
晶体结构的完整性和
稳定性对于硅片的电学性能和机械性能至关重要。
因此，标准需要规定太阳能级多晶硅的晶体结构应具有一定的晶格完整性和无明显的晶界缺陷，以确保硅片的质量和稳定性。
其次，太阳能级多晶硅的杂质含量也是一个重要的标准。
杂质的存在会影响硅
片的载流子寿命和电学性能，因此标准需要规定太阳能级多晶硅中各种杂质元素的含量限制，以确保硅片的纯度和稳定性。
此外，太阳能级多晶硅的晶粒尺寸和晶界特性也需要被纳入标准范围。
晶粒尺
寸的大小和均匀性对硅片的光电转换效率有着直接的影响，而晶界的性质则关系着硅片的机械强度和稳定性。
因此，标准需要规定太阳能级多晶硅的晶粒尺寸和晶界特性应符合一定的要求，以确保硅片的性能和稳定性。
最后，太阳能级多晶硅的表面质量和平整度也是一个重要的标准。
表面质量的
好坏直接关系着硅片的光电转换效率，而平整度则关系着硅片的加工和组装性能。
因此，标准需要规定太阳能级多晶硅的表面质量和平整度应符合一定的要求，以确保硅片的性能和稳定性。
总的来说，太阳能级多晶硅的标准化是保障太阳能电池质量和性能的重要手段。
通过严格的标准要求，可以确保太阳能级多晶硅的质量和性能达到预期的要求，从而推动太阳能电池产业的健康发展。
希望未来能够有更加严格和完善的标准体系，为太阳能电池产业的可持续发展提供有力支持。
太阳能组件原料检验标准
宁波市鑫友光伏有限公司太阳能组件原材料检验标准此检验标准作为太阳能组件原材料的验收规范1. 电池片类：1.1 外观检验：在同一方向，同一角度用肉眼观察电池片表面颜色，应呈褐色、无水痕、手印，电极图形清晰，完整，无断线，背面铝电极完整，无明显凸起的铝珠，尺寸符合规定的要求。
1.2电池片受光面不规则缺损处面积小于1mm2数量不能超过2个，电池片边缘缺角面积小于1mm2，数量不能超过2个；电池片上不允许出现肉眼可见裂纹，正放电池片于工作台上，用塞尺测量电池的弯曲度，弯曲度不能超过0.75mm.。
1.3 电池片的电性能检验在常温下用“模拟太阳能标准电池片测试系统”进行测试，根据测试的最大功率Pm的参数按要求进行分档放置并标示清楚。
1.4 电池片外观，电性能100%检验，电池片存储条件：通风，干燥，相对湿度小于60%，环境温度25℃±2，单组独存放，存放期限6个月。
2. 钢化玻璃类：2.1外观检验：采用低铁钢化玻璃（又称为白玻璃）的标准厚度为3.2㎜，允许偏差±0.2㎜，长*宽的尺寸要符合相应定单的技术文件要求，允许偏差±0.5㎜，两对角线的尺寸应相等，允许偏差0.7㎜。
2.2 钢化玻璃允许每米边上有长度不超过1㎜，自玻璃边缘向玻璃板表面延伸度不超过1㎜，自板面向玻璃另一面延伸不超过三分之一的爆边，钢化玻璃上不允许有长度大于1㎜的集中气泡，对于长度小于1㎜的气泡，每平方米不能超过6个，钢化玻璃不允许有结石，裂纹缺角的情况发生。
2.3钢化玻璃表面允许有每平方米的宽度小于0.1㎜，长度小于50㎜的划伤数量不多于4条，每平方米的宽度0.1至0.5㎜，长度小于50mm划伤不超过1条，钢化玻璃不允许有波形弯曲现象，弓形弯曲不允许超过0.2%。
2.4钢化玻璃表面要清洁无水疱，不得有裸手触摸过的痕迹，在太阳电池片光谱响应的波长范围在（320-1100nm）钢化玻璃的透明率达90%以上，对于大于1200nm的红外光有较高反射率，同时能耐太阳紫外光线的辐射并且透光率不下降。
单多晶硅片检验标准(新版)
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单多晶硅片检验标准1．目的规范马鞍山中弘光伏有限公司的硅片检验流程，保证和持续产品质量。
2．范围用于马鞍山中弘光伏有限公司硅片的来料检验过程。
3．职责质量部负责按照本标准严格执行硅片的来料检验工作。
4．内容4.1．硅片中金属杂质和碳氧含量标准，见表1.表1 硅片中的金属杂质浓度和氧、碳含量4.2硅片检验方法：4.3 P型单晶硅片检验标准，见表2表2 P型单晶硅片检验标准4.4 P型多晶硅片检验标准，见表3表3 P型多晶硅片检验标准4.5 P型多晶硅片检验标准，见表4表4 P型多晶硅片检验标准备注：检验过程中若发现以下异常现场处理：1. 少片：在检验过程中单盒少片随时记录盒号、箱号、晶体编号、并拍取照片。
单箱少片不得超过50片，超出50片马上单独隔离该箱并马上告知采购部，有采购部通知供应商，待供应商回复后继续检验该箱。
2. 碎片：在检验过程中允许出现缺角、裂纹，来料缺角、裂纹在千分之三之内视为正常范围，超出千分之三IQC停止检验并告知采购部通知供货商，得到供货商认可后方可继续检验。
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（盖章）
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受文部门份数受文部门份数受文部门份数受文部门份数
文件制修订记录
修订日期文件版本修订摘要拟定审批
（盖章）
1.0目的:规范硅片的来料检验过程,使采购的硅片质量符合公司规定要求和标准。
2.0范围：适用于公司所有的晶体硅片来料检验。
3.0内容：
5.1 IQC收到仓库提供的“入库单”后，按照入库单上的来料信息进行抽样检查。
5.2抽样方案：抽样量按照国标GB/T2828.1-2012标准，正常检验一次抽样方案，一般检验水平Ⅱ。
5.3抽样接收标准及检验程序：
5.3.1抽样接受标准为AQL=1.0,若不良品（机碎除外）超标则按不合格处理（《不合格品控制程序》），不再进行重复抽检。
5.3.2抽取样品及与硅片接触的任何操作过程中，均需要戴上乳胶防护手套。
5.4 检验项目及检验标准
序号检验项目/
检验步骤
抽样方案检验工具检验方法及判定标准注意事项图标
1 检验外箱包
装外观质量
全数检查
(Ac=00，Re=1)
目视
要求堆放整齐，外包装箱及托盘无损坏、变形、脏
污等不良现象。
发现异常时，应拍照取证，并立即报告，
以便及时通知供应商
2 核对到货单
信息与外箱
标识信息的
一致性
全数检查
(Ac=00，Re=1)
目视
要求到货单上显示的硅片型号、规格，数量与外箱
标识一致
发现异常时，应拍照取证，并立即报告，
以便及时通知供应商
3 抽取样品GB/T2828.1正
常检验一次性
抽样方案，一般
检验水平Ⅱ
目视
(1)记录所抽样盒子上显示的晶体编号,将晶体编
号写在《硅片检验记录表》
(2)在抽样的盒子中抽取检测样片到指定泡沫盒
中.
(3)抽取的样品放置在规定的泡沫盒中，注：抽
取样品时，要检验该盒硅片边缘部分是否有缺觉、
硅晶脱落及开箱碎片等明显的不良
(4)抽取样品后，在对应硅片的外箱标签处写上该
抽样数量，以便核对硅片数量
(1)刀片使用过程中注意事项，防止划
伤
(2)刀片伸出长度小于1cm，放置划破内
包装，损伤硅片
(3)取完硅片后，盖上盒盖，注意盒盖内没
有异物及盒内硅片的整齐度，避免硅片
破裂
（盖章）
4 硅片外观检
查
你GB/T2828.1正常
检验一次性抽
样方案，一般检
验水平Ⅱ
目视
检查硅片表面切割纹路，判定切割类型：单向/双
向
(1)检验条件
切割类型：距离眼部约5cm，700LX光
照下，每包头、中，尾各随机抽一片检
测
其他：距离眼部约30-50cm，700LX光
照下，目视垂直于硅片
(2)注意两手捏硅片的力度
(3)硅片正反两面都需要检查
(4)每次检验不得超过100片
目视
表面清洁度，表面光滑干净，无油污，斑点，手指
印或化学残留物
目视
硅片边缘横截面，必须光亮无毛糙（切片前的硅锭
要经化学腐蚀去除损伤层
目视阴阳片不允许
目视微晶＜10个晶粒/平方厘米
目视晶界走向与硅片表面垂直，无异常晶粒
ATM检测仪不允许有裂纹，孔洞，隐裂
ATM检测仪
边缘缺陷：≤0.5mm，深度≤0.3mm，且每片不超过
2个
ATM检测仪硅落
A级品：长度≤0.2mm，深度≤0.3mm，
个数≤2个
B级品：长度≤0.3mm，深度≤0.8mm，
个数≤2个
ATM检测仪
线痕
粗糙度
A级品：≤15um
A级品：≤40um
5 检查硅片外
观
目视
检查硅片形状，将部分硅片转向180度，检查外形，
要求为正方形
(1)检验条件：30-50cm，700LX光照下，
垂直于硅片目视
(2)注意两手握硅片的力度
(3)硅片正反两面需要检查
(4)每次检验不得超过100片
目视
多晶硅片晶粒分布：无雪花晶，分布晶，微晶，孪
晶。
(1雪花晶：呈连续分布，具有一定面积的晶体，
每2cm²内晶粒不超过50个
(2)分布晶：大晶粒上分布的具有特定圈点特征的
小晶粒
(3)微晶：每1cm²内晶粒不超过10个
6 检查硅片尺
寸
ATM测试仪
边长：P156：156±0.5mm
M156：156±0.5mm TV:硅片中心点的厚度，指一批硅片厚
度分布的情况
TTV：总厚度，指一批硅片最厚和最薄
的误差
TTV的最大值和最小值要在TV允许的范
围内
对角线：219.2±0.5mm
倒角长度：0.7-2.1mm
ATM测试仪
厚度(180~200)±20um(±10um的比例≥70%)
TTV:≤30um
（盖章）
7 电阻率测试 GB/T2828.1正
常检验一次性
抽样方案，一般
检验水平Ⅱ ATM 测试仪 硅片电阻率1-3.5 Ω.cm /
8 翘曲度 检测报告 翘曲度：≤40um
每批需附检测报告
9 垂直度
检测报告 两个边的垂直度：90°±0.3° 10 硅片P/N 检测报告 要求硅片类型为：P 型 11
少子寿命
测试
检测报告
少子寿命 ≥2us
12 氧碳含量
检测报告
氧含量≤8.0E17atoms/cm ³ 碳含量≤1E18atoms/cm ³
5.5 标识与记录
5.5.1 5.4中所有项目全部检验合格，方可判定整批合格； 5.5.2 检验完毕后，合格与不合格硅片分开放置，并标识清楚；
5.5.3在检验完的箱子上贴上相应的判定结果标签，抽检样片按原方式进行包装，并贴上标签做好标识； 5.5.4将不良品按不同种类单独包装，并贴上不合格标签，做好标识； 5.5.5填写《硅片检验记录表》，《硅片检验统计表》经领导签核后存档； 5.5.6入库。
5.6 硅片来料不良处理
整批使用完成后：
5.6.1来料不良率＞2‰ ：质量部通知采购联系供应商做不良片确认，确认完成后将不良片总数通知采购，采购办理不良片换货流程. 5.6.2来料不良率≤2‰ ，则按采购合同制造进行报废。
6.0 附表
6.1 《硅片来料检验记录表》。