硅片检验标准2016-2-1
硅片电池片检验标准141009
一、尺寸类 A.边长 125/156 B.对角线Φ C.厚度 (180/200)
多晶检验项目
二、性能类 一、尺寸类 A.边长 B.对角线Φ C.厚度 A.少子寿命 B.导电类型 C.电阻率
三、外观类 A.梯形片 菱形片 B.弯曲片 翘曲片 C.台阶片 线痕片 D.崩边 E.微晶 分布晶 大晶粒 F.碎片 缺口 亮边 裂 纹/裂痕 划痕 亮线 沾污 色差 针孔 密集线痕 硅晶脱落 边缘毛糙
31 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南红太阳光电科技有限公司
3-10其他不良—大晶粒
大晶粒 多晶硅片上某个连续 分布的晶粒面积占总 面积的1/4以上。 合格：无大晶粒
32 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南红太阳光电科技有限公司
21 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南红太阳光电科技有限公司
多晶-线痕片
密集线痕
凹痕
22 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 凸痕 湖南红太阳光电科技有限公司
针孔 针孔
硅晶脱落
27 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南红太阳光电科技有限公司
其他不良—沾污
硅片表面肉眼可见的某种 颜色的花样。如：指纹、水 渍、有机物、灰尘以及腐蚀 氧化。
硅片标准
≤80 μm 氧含量≤ 1x1018atoms/cm 3 ；碳含量≤ 1.5x1017atoms/c m3
目检
抽检
Nicolet6700
硅棒保证
编制：
审核：
批准：
太阳能单,多晶硅片质量等级分类方法 A 序号 1 2 检验项目 导电类型 A P A2 P B B1、B2、B3…B7 C D 检测方法 硅片分选设 备 硅片分选设 备 目测 检验方式 硅棒保证 抽检
隐裂、针孔 无隐裂、无针孔 无隐裂、无针孔 长度≤1 mm，深 度≤0.5 mm，每 片崩边总数≤2 处； ≤30 μm 200±20 μm 125±0.5 mm/156±0.5 mm 150±0.5 mm/200±0.5 19.9722.13/14.4616.39mm 长度≤1 mm，深 度≤0.5 mm，每 片崩边总数≤3 处； B1— 1mm＜崩边 长度≤5mm，1mm ＜深度≤2mm，1 ＜崩边总数≤3 B2— 30μm＜ ≤30 μm TTV≤50μm； B3— 厚度偏差 200±20 μm 超过±20μm但小 于±40μm B4— 硅片尺寸 125±0.5 mm/156 偏差超过±0.5mm ±0.5 mm 但小于±1.0mm 150±0.5 mm/200 B5— 150± ±0.5 mm 1mm/200±1 mm 19.9722.13/14.4616.39mm
3
崩边
全检
4 5
TTV 厚度
MS-202 MS-203
抽检 抽检
6 7 8
边长 对角线 角长
游标卡尺 游标卡尺 / 目测、必要 时使用表面 粗糙度仪帮 助判定 四探针/RT110 少子寿命测 试仪
硅片检验标准
菱形片0.6-1.0㎜线痕片20-50um弯曲片0.5-0.8㎜（任意一条边以测量最大值计算）（凹进或凸出20-50um）（包括应力片）外形片0.6-1.0mm倒角偏差0.6-1.5mm超厚片220-250um (任意一角以测量最大值计算)（以任意两角最大值相加计算）超薄片150-160um硅晶脱落≤0.3mm 毛边≤0.3mm（双面缺损不在同一位置）尺寸不良124.50-126.00mm 尺寸不良148.00-149.50mm 尺寸不良150.50-151.50mm（两边相差不超过1.0mm ）B 等品电阻率6-10Ω.cm台阶片≤20um厚薄不均最薄不低于150um 最厚不超过280um TTV50-70um边道翘曲0-80um 边道翘曲边缘测量值280umC等品倒角偏差1.5-2.0mm外形片1.0-2.0mm菱形片1.0-1.5mm（以任意两角最大值相加计算）(任意一角以测量最大值计算)（任意一条边以测量最大值计算）线痕片50-80um超厚片250-280um硅晶脱落≤0.5mm（凹进或凸出）（双面缺损不在同一位置）C 等品毛边≤0.5mm尺寸不良124.00-124.50mm尺寸不良126.00-127.00mm尺寸不良151.50-153.00mm 尺寸不良146.50-148.00mm 电阻率退火后6-10Ω.cmC等品边道翘曲80-150um边道翘曲边缘测量值350um厚薄不均150-280um TTV70-100um不合格品倒角偏差＞2.0mm外形＞2.0mm硅晶脱落＞0.5mm毛边＞0.5mm超薄片＜150um弯曲＞0.8mm电阻率＞10Ω.cm电阻率＜0.5Ω.cm超厚片＞280um边道翘曲＞150um孪晶片台阶片＞20um线痕＞80um缺角孔洞外形〉2.0mm隐裂纹。
硅片检验标准
版本状态临时版文件名称硅片检验页码1/5编制/日期：审核/日期批准/日期：1．目的监测硅片质量，确保电池片质量稳定。
J2．适用范围适用于本公司品质部对所有来料硅片质量的监视和测量。
3．职责3.1 品质部负责制订硅片检验文件。
3.2 品质部负责来料硅片质量的控制。
4．检验4.1核对对照送检单，核对硅片的来源、规格和数量，供方所提供的参数、如电阻率、厚度、对角线长、边长。
检查供方出具的材质报告（碳含量、氧含量、晶向及位错密度），如有不符，须先与采购部沟通，无误后进行检验。
4.2 外观检验4.2.1用刀片划开封条，划时刀片不宜切入太深，刀尖深入不要超过5mm，防止划伤泡沫盒内的硅片。
塑封好的硅片，用刀尖轻轻划开热缩膜四个角，然后撕开热缩膜。
4.2.2 抽出两边的隔版，观察盒内有没有碎片，如有则要及时清理碎片。
4.2.3 检验时戴PVC手套。
从盒内拿出100片硅片（不得超过100片），先把硅片并齐并拢后观察硅片四边是否对齐平整,并用硅片模板进行对照，鉴别是否存在尺寸不对的现象，如不符合，则用游标卡尺测量，并及时记录于硅片外观检验原始记录表上。
4.2.4 再将100片硅片分出一部分使其旋转90度或180度，再并拢观察硅片间是否有缝隙，如有则说明有线痕或是TTV超标的现象。
将缝隙处的硅片拿出来，用MS-203测硅片上不固定的数点厚度(硅片边缘2-5cm以内取点),根据厚度结果确定是否超标。
将线痕、TTV超标片区别放置。
再观察四个倒角是否能对齐，如有偏差，对照硅片模板进行鉴别，把倒角不一致硅片分开放置。
并在硅片外观检验原始记录表上分别记录数量。
4.2.5 观察硅片是否有翘曲现象，翘曲表现为硅片放在平面上成弧形或是一叠硅片并拢后容易散开。
如有，则要把硅片放在大理石平面上，用塞尺测量其翘曲度，将翘曲度超标片区别放置，在硅片外观检验原始记录表上记录数量。
4.2.6 逐片检验硅片，将碎片、缺角、崩边、裂纹、针孔、污物、微晶（特指多晶硅片）等不合格品单独挑出，分别存放，并在硅片外观检验原始记录表上记录。
IEC61215：2016-2地面光伏组件-测试内容 中文
地面光伏组件——设计鉴定和定型第二部分：测试步骤1.范围和目的此国际标准系列基于IEC 规定了地面用光伏组件设计鉴定和定型的要求，该组件是在IEC 60721-2-1中所定义的一般室外气候条件下长期使用。
这部分IEC 61215适用于全部地面光伏组件材料，例如晶体硅光伏组件和薄膜组件。
本标准不适用于带聚光器的组件，尽管此项标准能可能用于低聚光组件（1-3个太阳光）。
对于低聚光组件，全部测试使用的电流，电压和功率等级均满足设计要求。
本试验程序的目的是在尽可能合理的经费和时间内确定组件的电性能和热性能，表明组件能够在规定的气候条件下长期使用。
通过此试验的组件的实际使用寿命期望值将取决于组件的设计以及它们使用的环境和条件。
2.引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中全部或部分引用而构成了本标准的条文。
标注日期的标准，仅引用的版本有效。
未标注日期的标准，可使用最新版本标准（包括任何修订）。
IEC 60050，国际电工词汇（网址：）IEC 60068-1 环境测试-第一部分：总述和指导IEC 60068-2-21 环境测试-第2-21部分测试-测试U：引出端强度以及整体支架安装设备IEC 60068-2-78 环境测试-第2-78部分：测试Cab：湿热，稳定状态IEC 60721-2-1 环境状态的分类-第2-1部分：在自然条件下的环境状态-温度和湿度 IEC 60891 光伏设备-温度和辐照度的修正来测量I-V特性的步骤IEC 60904-1 光伏设备-第一部分：光电流-电压特性的测量IEC 60904-2 光伏设备-第二部分：光伏标准设备的要求IEC 60904-3 光伏设备-第三部分：地面光伏设备和标准光谱福照度数据的测量原则 IEC 60904-7 光伏设备-第七部分：光伏设备光谱错配修正的测量IEC 60904-8 光伏设备-第八部分：光伏设备光谱响应率的测量IEC 60904-9 光伏设备-第九部分：太阳光模拟器操作要求IEC 60904-10 光伏设备-第十部分：线性测试的方法IEC 61215-1 地面光伏组件-设计鉴定和定型-第一部分：测试要求IEC TS 61836 太阳光伏系统能量-术语，定义和符号IEC 61853-2 光伏组件测试结果和能量等级-第二部分：光谱响应，入射角，和组件操作测试温度IEC 62790 光伏组件的接线盒-安全要求和测试ISO 868 塑料和橡胶-通过硬度测验器测量压痕硬度（回跳硬度）3.术语和定义本文件的目的，术语和定义由IEC 60050和IEC TS 61836中给出，其他如下。
硅片检验
硅片进货检验规程
1、从仓库领取同一硅片供应商一定数量的硅片。
2、用“BD-86A型半导体电阻率测试仪”测出每片硅片的原始方块电阻，
并按照20 Ω/□一档进行分档存放。
（详见《硅片进货检验报告单》）
3、用测厚仪测出每片硅片的厚度并按20μm一档进行分档存放。
（详见《硅片进货检验报告单》）
4、在检测硅片方块电阻和厚度的同时，挑出外观不良的硅片另外存放。
（外观不良包括：裂纹、划痕、污垢、崩边、缺角、厚度不一、边距不一、形状不规则等）
5、检验结束后按要求填写好《硅片检验报告单》。
6、将检验好的硅片统一摆放的固定位置。
IEC61215：2016-2地面光伏组件-测试内容中文
IEC61215：2016-2地面光伏组件-测试内容中文地面光伏组件——设计鉴定和定型第二部分：测试步骤1.范围和目的此国际标准系列基于IEC规定了地面用光伏组件设计鉴定和定型的要求，该组件是在IEC -2-1中所定义的一般室外气候条件下长期使用。
这部分IEC 适用于全部地面光伏组件材料，例如晶体硅光伏组件和薄膜组件。
本标准不适用于带聚光器的组件，尽管此项标准能可能用于低聚光组件（1-3个太阳光）。
对于低聚光组件，全部测试使用的电流，电压和功率等级均满足设计要求。
本试验程序的目的是在尽可能合理的经费和时间内确定组件的电性能和热性能，表明组件能够在规定的气候条件下长期使用。
通过此试验的组件的实际使用寿命期望值将取决于组件的设计以及它们使用的环境和条件。
2.引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中全部或部分引用而构成了本标准的条文。
标注日期的标准，仅引用的版本有效。
未标注日期的标准，可使用最新版本标准（包括任何修订）。
IEC ，国际电工词汇（网址：IEC -1情况测试-第一部分：总述和指导IEC-2-21环境测试-第2-21部分测试-测试U：引出端强度以及整体支架安装设备IEC -2-78情况测试-第2-78部分：测试Cab：湿热，稳定状况IEC -2-1情况状况的分类-第2-1部分：在自然前提下的情况状况-温度和湿度IEC 光伏设备-温度和辐照度的修正来测量I-V特征的步骤IEC -1光伏设备-第一部分：光电流-电压特征的测量IEC -2光伏设备-第二部分：光伏标准设备的要求IEC -3光伏设备-第三部分：地面光伏设备和标准光谱福照度数据的测量原则IEC -7光伏设备-第七部分：光伏设备光谱错配修正的测量IEC -8光伏设备-第八部分：光伏设备光谱相应率的测量IEC -9光伏设备-第九部分：太阳光模拟器操作要求IEC -10光伏设备-第十部分：线性测试的方法IEC -1地面光伏组件-设计鉴定和定型-第一部分：测试要求IEC TS 太阳光伏系统能量-术语，定义和符号IEC -2光伏组件测试结果和能量等级-第二部分：光谱相应，入射角，和组件操作测试温度IEC 光伏组件的接线盒-安全请求和测试ISO 868塑料和橡胶-通过硬度测验器测量压痕硬度（回跳硬度）3.术语和定义本文件的目的，术语和定义由IEC 和IEC TS 中给出，其他如下。
多晶硅片检测标准
多晶硅片技术标准1范围1.1 本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件2.1 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法2.2 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法2.3 ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的试验方法3 术语和定义3.1 TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；3.2 TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5 点厚度：边缘上下左右4点和中心点）；3.4崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；3.5 裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.6 垂直度：硅片相邻两边与标准90°相比较的差值。
3.7 密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4 分类多晶硅片的等级有A级品和B级品，规格有：125⨯125；156⨯156；210⨯210。
5 技术要求5.1 外观5.1.1无孪晶、隐裂、裂痕、裂纹、孔洞、缺角、V形（锐形）缺口，崩边、缺口长度≤0.5mm，深度≤0.3mm，且每片不得超出2个；5.1.2表面需清洗干净，无可见斑点、玷污及化学残留物；5.1.3硅片表面局部凹凸不平深度（如表面划痕、凹坑、台阶等）≤20μm，切割线痕深度≤20μm；当在硅片正反两面的同一个位置出现线痕加和小于20um。
无密集型线痕。
5.1.4 弯曲度≤30μm，，翘曲度≤30μm；5.1.5切片前的棒/锭要经化学腐蚀或机械抛光去除损伤层，即切完的硅片边沿是光亮的。
5.2外形尺寸5.2.1 标称厚度系列为200±20μm；220±20μm；240±20μm；对于每单合同需要明确规定标称厚度。
硅片分级检验标准
项 目 等 级
尺寸要求
缺陷类型 厚片 薄片 翘曲度 弯曲度 电阻率 厚度公差 总厚度变化 220μm≤厚度≤225μm （中心点测量值） 175μm≤厚度≤180μm (中心点测量值） ≤30μm ≤100μm 1Ω.cm-3Ω*cm ±20μm ≤30μm 缺陷类型 崩边 线痕 密集线痕 划伤 TTV 应力片 表面清洁度 列痕 色差 亮点 硅脱 亮线 棱面黑斑黄斑 外形片 硅脱 崩 边 线痕 脏污 亮点 亮线 花斑 划伤 边缘 应力片 倒角黑印 大崩边 硅脱 手写缺陷
A 级
B 级
电阻率 厚片 77V 倒角差 菱形片 翘曲度 弯曲度
1Ω.cm-3Ω.cm 225＜厚度≤235μm（中心测量值） 30μm＜77V≤50μm ≥0.5μm 外凸-内凸≤1.0μm ≤200μm ≤20μm
C 级
电阻率 尺寸不Βιβλιοθήκη 翘曲度 弯曲度电阻率不分档 超B级规格上限于下限 ﹥200μm ﹥200μm
外观要求
深≤0.3㎜、长≤0.5㎜、数量≤2个 15μm≤单面线痕≤20μm同一位置 双面线痕深度相加≤30μm 15μm≤单面线痕≤20μm同一位置 双面线痕深度相加≤30μm 长≤0.2㎜、宽≤0.2㎜、数量≤2个 ≤30μm 无 表面无可见花斑、脏污 无 允许 ≤2个 直径＜0.5㎜、深度≤20μm、数量≤2个 数量≤2个 允许（包括四边及倒角脏污） ≤1.0μm（含边距，直径，倒角圆弧 尺寸不良） 深度≤30μm、直径＜0.5㎜、数量≤2个 长≤1㎜、深≤1㎜、数量≤2个 20μm≤单面线痕≤25μm同一位置双面线痕 深度相加＞30μm 允许 允许 允许 允许 长≤0.2㎜、宽≤0.2㎜、数量≤2个 允许 允许 允许 0.5㎜＜尺寸＜2㎜（少于3处）或0.3㎜≤深 ≤0.5、长度≤0.5、总数＞5个 尺寸＞0.5㎜，数量≤3个 不能归B级或D级部分又不能做原料回收的 其他不良：“C+缺名称”整盒包装标示清楚
半导体硅片的检验准则
半导体硅片的检验准则半导体硅片的检验准则导语：半导体硅片检验是半导体制造过程中非常重要的环节。
本文将深入探讨半导体硅片的检验准则，包括其基本原理、常见的检验方法和标准，以及对检验结果的分析和评估。
一、背景介绍在半导体工业中，半导体硅片是制造集成电路的重要基础材料。
而半导体硅片的质量直接影响着电子器件的性能和可靠性。
在半导体生产过程中进行严格的检验至关重要。
二、基本原理半导体硅片的检验是通过测量和分析其物理参数和工艺特征来判断其质量。
主要包括以下几个方面：1. 外观检验：包括观察硅片表面是否有裂纹、划痕、污染等缺陷，以及检查硅片的尺寸和平整度是否符合要求。
2. 电特性检验：通过测量硅片的电阻、电容、电压等参数，判断其电性能是否满足设计要求。
3. 表面特性检验：通过使用显微镜、扫描电子显微镜等设备，观察硅片表面的形貌、晶粒结构等特征，以评估其晶体质量和晶粒大小的均匀性。
4. 化学污染检验：通过使用化学分析方法，检测硅片中的有害杂质、金属离子等污染物的含量，以评估其纯度。
三、常见的检验方法和标准1. 外观检验：通常采用目视检查和显微镜观察的方式进行，以国家相关标准为准。
2. 电特性检验：包括电阻测量、电容测量、霍尔效应测量等方法，仪器主要包括多用电表、LCR桥、霍尔效应测试仪等。
3. 表面特性检验：常用的方法有显微镜观察、原子力显微镜观察、扫描电子显微镜观察等，根据不同应用领域制定相应的表面粗糙度、晶粒尺寸等标准。
4. 化学污染检验：一般通过化学分析方法，如电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、能谱仪或质谱仪等，以国际标准或公司内部标准为依据。
四、检验结果的分析和评估半导体硅片的检验结果通常会输出各项参数的数值以及对应的标准值。
根据数值的大小和与标准值的偏差，可进行以下分析和评估方面的工作：1. 质量评估：将检验结果与已设定的标准进行对比，评估硅片是否合格，是否可继续用于下一工序的制造。
2. 偏差分析：对超出标准范围的数据进行分析，找出问题所在，进一步改进生产工艺。
(太阳能光伏)硅片等级分类及标准
硅片等级分类及标准一、优等品1：硅片表面光滑洁净。
2：TV：220±20μm。
3：几何尺寸：边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3。
二、合格品一级品：1：表面有少许污渍、轻微线痕。
2：220±20μm ≤TV≤220±30μm。
3：几何尺寸：边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5。
二级品：1：表面有少许污渍、线痕、凹痕，轻微崩边。
2：220±30μm ≤TV≤220±40μm。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30μm。
4：崩边范围：崩边口不是三角形状，崩边口长度≤1mm，深度≤0.5mm 5：几何尺寸：边长125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；边长103±0.52mm、对角135±0.52mm；边长150±0.52mm 、156±0.52mm、对角203±0.52mm、200±0.52mm。
半导体硅片检验标准
半导体硅片检验标准
半导体硅片检验标准
半导体硅片是半导体器件制造的基础材料之一，因此其检验标准至关重要。
以下是半导体硅片检验标准的详细说明。
1. 外观检查
外观检查是半导体硅片检验的最基本要求。
在检查外观时，应检查硅片表面是否有裂纹、破损、划痕、气泡等缺陷，同时也应检查硅片的形状是否符合要求。
2. 表面检测
表面检测可以通过使用光学显微镜、SEM（扫描电子显微镜）等仪器来完成。
该检测可以用来评估硅片表面的平整度、颗粒数量、颗粒大小等因素。
需要注意的是，有些表面缺陷可能在目测外观检查时并不明显，因此表面检测往往会被认为是最灵敏的检测方法之一。
3. 清洗检验
清洗检验可以确定硅片表面是否存在落在硅片上的污染物。
在检查过程中，应确保清洗剂、气氛和温度等条件正确，从而保证检验的可靠性。
4. 检测杂质
杂质是半导体硅片中一个普遍而重要的概念。
在检测杂质时，可以使用玻璃齐墩试剂等方法，对硅片进行表面浸泡。
此外，还可以使用SIMS（二次离子质谱）等方法，对硅片内部的杂质进行检测。
5. 检测电性能
在半导体硅片的制造和生产过程中，电性能的检测是至关重要的。
可以使用四点探针法、霍尔效应仪等方法，对硅片的电性能进行检测。
总之，半导体硅片检验标准非常严格，因此需要依靠多种检测手段确保硅片质量的稳定性和可靠性。
只有通过科学的检验方法，才能确保半导体器件的品质和性能。
硅片检测材料
硅单晶方棒检验标准1目的：为了明确产品的质量要求，加强产品的质量控制，特制定本标准。
2范围：本标准适用于硅单晶切方后的晶棒检测。
3主要内荣：A 、检验项目、标准及抽检方案：（见下图及表格）B 、判定上端面 下端面1.对整根方棒进行检测后，若所有的项目满足检验要求，则判定整根晶棒合格。
2.若晶棒表面存在着明显的刀痕、锉痕等外观不良现象，或物理尺寸超出标准范围，则将该方棒进行返工或报废，返工后需从新检测。
3.检测时，若发现晶棒外观存在着裂纹、孪晶、孔洞等现象或部分段位到点型号呈N型或电阻率不在标准范围之内，或晶棒两截面崩边大于要求，则将该段位明确标识，判为返工，返工后重新进行检测4.检测时，若发现整根晶棒为N型，或整根晶棒电阻率不在标准范围内，则将整根晶棒作报废处理。
1.对进厂的多晶原料及时进行称重，分批次记录清楚并按来料品质进行分类，筛选，与库房统计员做好交接工作并妥善保管。
2.对进厂的圆棒按清单与送货人当面核对并及时检测，主要检测硅棒的长度、直径、表面质量、电阻率和勺子寿命，察看有无崩边或磕碰，有参数超标的硅棒单独放置，做好记录，及时向领导反映并与库房统计员交接清楚后妥善保管。
3. 对进厂的方棒按清单与送货人当面核对并及时检测，主要检测硅棒的长度、直径、边长、表面质量、电阻率和少子寿命，察看有无崩边、磕碰和未磨，有参数超标的硅棒单独放置，做好记录，及时向领导反映并与库房统计员交接清楚后妥善保管。
4.对开方厂家返还的边皮料要按清单和方棒一一对应，称过重量后做好记录工作与库房统计员交接清楚后妥善保管。
5.及时把检测合格的方棒按照线切车间要求的长度配刀并集中放置，放料时要与领料人员交接清楚，认真负责的填写硅棒随工单，不允许随意涂改。
6.整个仓库要按照材料的不同划分区域，不乱摆乱放，做到一目了然、井井有序。
7.平时在搬运硅棒过程中要轻拿轻放，安全堆放，避免人为的损毁和磕碰。
8.熟练掌握各种检测仪器的使用，正确开关机，不随意更改设备参数，平时注意对设备的维护和保养。
硅片检验标准2016-2-1
文件更改申请单编号:LW-CX-001-A1-03硅片检验标准1 目得规范多晶硅片检测标准。
2 适用范围本标准规定了多晶硅片得电性能、外观尺寸得检验项目、测量器具、判定依据,适用于正常生产得多晶硅片得质量检验。
3 定义3、1检测工具:数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS203电阻率测试、少子寿命测试WT-2000。
3、2检测术语斑点定义:在光强430-650LUX下,距离眼睛40cm,成30-45°角目视能瞧到颜色异于周围颜色得点即为斑点。
翘曲度:硅片得中面与参考面之间得最大距离与最小距离之差(即a值)。
弯曲度:硅片中心凸起处于参考平面距离差值(即z值)。
硅落:硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。
崩边:以硅片边缘为参考线向内部延伸深度≤0、5mm、长度≤1、5mm及不能崩透得缺损属于崩边。
缺口:光强430-650LUX,目光与硅片成30-45°,距离25-35cm可以瞧到贯通硅片得称为缺口,瞧不到得不属于缺口。
水印:未充分烘干,水分蒸发后残留物。
表面玷污:硅片得表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。
游离碳黑线:清洗后距离硅片上边缘5mm以内得黑色区域。
微晶:每1cm2长度上晶粒个数＞10个。
4 职责权限4、1 技术部负责制定硅片检验标准;4、2 质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。
5 正文5、1 表面质量表面质量通过生产人员得分选判定,目测外观符合附表1相关要求。
对整包硅片重点查瞧B4(崩边),B7(线痕)、B8(厚度差值)、缺口、碎片、油污等情况;整包里得B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗;B7、B8片手感表现较重,不易区分或存在争议时,利用分选机重新分选。
5、2 外型尺寸几何尺寸符合附表1相关要求,在研磨倒角处控制。
如认为硅片尺寸存在问题使用分选机进行检验。
5、3 电性能依据硅锭／硅块测试数据判定,必要时用相关测试仪器核实。
硅片电阻率测量一点数值,当超出B级范围时,测量五个晶粒得电阻率,计算平均值X,以X值作为最终判定值。
南京中电公司硅片检验标准
多晶硅片
导电类型
（Conductivity type）
P
电阻率范围（Resistivity）
Ω.cm
1-3Ω.cm
少子寿命（Lifetime）
us；
≥2us
碳含量
（Carbon concentration）
atoms/cm3
≤5.0×1017atoms/cm3
氧含量
（Oxygen concentration）
规格尺寸
（Dimension）
宽度（Width）
mm
156±0.5mm
硅片对角
（Wafer Diagonal）
mm
219.2±0.5mm
Bevelangle0.5～2mmin450
厚度（Thickness）
um
200±20μm
电学性能参数
（perf长方法
（Growth method）
1、目的
为了规范硅片的检验工作，明确硅片检验的项目和检验标准，特制定本文件。
2、范围
适用于对南京中电电气公司硅片的分选工序。
3、职责
品质管理中心：负责对硅片进行检验，确保分选后的硅片等级达到客户的要求。
4、作业内容
多晶硅片检验项目和标准
类别（Sort）
项目（Item）
单位（Unit）
指标/参数/要求（Index/Parameter/Request）
小亮边（Tiny Luminance Edge）
长度≤硅片边长的1/2，宽度≤片厚的
1/3
边缘缺陷（Edge defact）
深不大于0.5mm；长不大于1.5mm；
原片检测
关于原始硅片的检验标准
<1>材料性质的规定:
1.1导电类型:
P型,掺杂剂:硼
1.2硅片电阻率检测按以下分档:
A 0.5≤ρ≤3Ω.cm
B 3≤ρ≤6 Ω.cm
C 6≤ρ≤10Ω.cm
少子寿命≥10us
1.3对于晶向的要求:
表面晶向<100>
1.4关于氧碳含量:
氧含量:≤1*1018atoms/cm3,碳含量: ≤5*1016atoms/cm3;
<2>外观的规定:
2.1不得有孪晶,多晶,穿孔,裂痕,缺角,裂纹.崩边的缺口长度≤0.5mm,深度≤0.3mm,且每片崩边不能超过2个.
2.2硅片表面光滑洁净,无斑点，色泽均匀。
2.3关于厚度,翘曲度,TTV的规定:
厚度:范围200+30um
每隔10 um分为一档.
中心点厚度按200um计算
边薄发生形变,分档范围:
160um—150um
150um—130um
边厚发生形变, 分档范围:
230um—250um
250um—280um
翘曲度:范围≤50um
每隔10 um分为一档.
TTV:范围≤40μm
每隔10 um分为一档.
2.4关于花片,油污片,严重线痕片的规定:
花片面积不能超过50%，并按5%为一档分档。
污渍总数量不能超过5块。
油污片面积不能超过50%，并按5%分档。
（硅片表面有严重污渍且发黄发黑不能使用。
）
表面有明显的线切痕迹,触摸有明显感觉。
2.5单晶硅片尺寸规定:。
硅片检验标准
浙江金贝能源科技有限公司A级硅片检验标准AA11隐裂、针孔、缺角无无无目测全检2孪晶、微晶无无无目测全检序号检验项目B级检测方法检验方式特采不合格2表面沾污无无轻微沾污且超声清洗可去除超声清洗抽检3%3应力无无轻微应力摇晃手感全检4崩边长度≤0.5 mm，深度≤0.3mm，每片崩边总数≤2 处；长度≤1 mm，深度≤0.5mm，每片崩边总数≤3处；1mm＜崩边长度≤1.5mm，0.5mm ＜深度≤1mm，1＜崩边总数≤3目测全检5TTV ≤30 μm ≤30 μm 30-50μm；测厚仪抽检3%6厚度200±20 μm 200±20 μm 200±(20-30)μm 测厚仪抽检3%7对边距离125/156±0.5 mm125/156±0.5 mm125/156±0.5 mm游标抽检3%翘曲度弯曲度≤01≤01≤01根据实际不8翘曲度、弯曲度≤0.1mm≤0.1mm≤0.1mm塞尺抽检3%9对角线150/165/200/220±0.5 mm 150/165/200/220±0.5 mm 150/165/200/220±0.5 mm 游标抽检3%φ150：27.7±0.5mmφ150：27.7±0.5mm φ150：27.7±0.5mm φ165：12.2±0.5mm φ165：12.2±0.5mm 10倒角弦长游标卡尺抽检3%合同签订内容符合A 、B φ165：12.2±0.5mm φ200：21.8±0.5mmφ200：21.8±0.5mmφ200：21.8±0.5mm11斜边角度45°±10°45°±10°45°±10°倒齐观察抽检3%12垂直度90°±0.3°90°±0.3°90°±0.3°供应商提供抽检3%抽检检验，符合级检验标准测试报告13线痕深度≤10 μm 深度≤15μm 15μm＜深度≤30μm目测或触感，必要时用显微镜全检14电阻率0.5-3Ω•cm 1-3Ω•cm 1-3Ω•cm 四探针抽检3%少子寿命≥2152115少子寿命测试仪抽检3%合同要求15≥2μs 1.5-2μs 1-1.5μs 16位错密度（Nd)≤3000/cm 2≤3000/cm 2≤3000/cm 2EL测试抽检20%17氧含量单晶硅≤8×1017多晶硅≤8×1017单晶硅≤8×1017多晶硅≤8×1017单晶硅≤8×1017多晶硅≤8×1017供应商提供测试报告无18碳含量单晶硅≤5×1016多晶硅≤8×1017单晶硅≤5×1016多晶硅≤8×1017单晶硅≤5×1016多晶硅≤8×1017供应商提供测试报告无。
硅片接收和检验
原硅片接收检验标准1．目的：规定本公司的硅片检验流程，保证和持续提高产品质量2．范围：用于本公司硅片的来料检验过程3．职责：质量部门负责按照本标准严格执行硅片的来料检验工作。
4.内容4.1硅片中金属杂质和碳氧含量标准，见表1表一硅片中金属杂质和碳氧含量杂志种类基体总金属杂质含量（fe cr nicu）ppba表面总金属杂质含量（fe zn na）ppba氧（at0ms/cm3）碳（atoms/cm3）杂质含量（单晶N-type）≤50 ≤70 ≤9×1017≤5×1016杂质含量（单晶P-type）≤50 ≤70 ≤9×1017≤5×1016杂质含量（多晶P-type）≤50 ≤70 ≤3×1017≤5×10174.2硅片检验方法：Ltem检验项目Level检验水平AQL%Conductive type导电类型H 1Resistivity电阻率 1 Thickness tolerance厚度 1 TTV厚度变化量 1 Bow弯曲度 1Appearance外观Lndents凹坑 1 Chips崩边 1 Saw Marks切痕 1 Craters应力 1 Cracks裂纹 1 Else其他 14.2 P型单晶硅片检验标准见表2检验项目合格标准检验方法说明导电类型P型冷热探针测试仪器电阻率（∩.cm）1-3/3-6 四探针测试仪器径向电阻率不均匀度RRV<25% 四探针测试仪器对边宽(mm) 125±0.5 165±0.5数显游标卡尺对角钱(mm) 150±1 165±1200±1 205±1数显游标卡尺圆弧长(mm) 27.77-32.20/10.4-14.1119.93-23.80/14.43-18.16模具方片角度90°±0.3°角尺厚度(ｕm)200±20设备1.硅片的平均厚度为200微米;2.硅片表面所有厚度要在规定范围内,最薄处不低于180微米;3.同批硅片的厚度要呈正态分布,即测量数据的均值±3，＆应在厚度规定的范围内厚度不均匀度TT V≦30设备在保证硅片表面厚度情况,对硅片表面取五点测试(中心点以及距四周边缘6ｍｍ各取一点)来换算厚度变化量位错密度(个/cm²) ＜1000 供方保证项有效载流子寿命＞1.35ｕｓ，且＞1.4ｕｓ占90%以上WT-1000少子寿命测试仪体少子寿命＞15ｕｓSINTON少子寿命测试仪扩散后测试光致衰减LI D≤3%预投流程验证硅片中心低响应（黑心片）比例＜0.05% 预投流程验证弯曲度≦40 塞尺切痕无明显切痕手持式粗糙度测试仪允许的切痕深度≤10ｕｍ凹坑无凹坑目视硅片表面平整,无硅落现象穿孔无穿孔目视沾污无沾污目视不允许有肉眼可见的油污,硅粉,清洗剂,水痕崩边无崩边目视应力无应力手感当硅片拿在手上轻微晃动时不能有嘣咚嘣咚的响声孪晶无孪晶目视从外观看,出现两个及以上的晶体划伤无划伤目视只要在硅片表面有明显肉眼可见异物划过的痕迹,不论长度和面积大小都不合格氧化膜末磨无氧化膜末磨目视缺口无缺口目视缺角无缺角目视裂纹/隐裂无裂纹/隐裂目视偏心偏离度＜0.5ｍｍ模具4.3 P型多晶硅片检验标准见表3检验项目合格标准检验方法说明导电类型P型冷热探针测试仪电阻率（∩.cm）1-3/3-6 四探针测试仪径向电阻率不均匀RRV<25% 四探针测试仪对边宽（mm）125±0.5156±0.5数显游标卡尺对角线(mm) 175±1219±1数显游标卡尺倒角(mm) 1×45°模具方片角度90°±30°角尺厚度200±20数显千分表或硅片检片机1.硅片的平均厚度为200微米;2.硅片表面所有厚度要在规定范围内,最薄处不低于180微米;3.同批硅片的厚度要呈正态分布,即测量数据的均值±3，＆应在厚度规定的范围内厚度不均匀度TT V≦30数显千分表在保证硅片表面厚度情况,对硅片表面取五点测试(中心点以及距四周边缘6ｍｍ各取一点)来换算厚度变化量有效载流子寿命＞1.35ｕｓ，且＞1.4ｕｓ占90%以上WT-1000少子寿命测试仪体少子寿命＞2ｕｓSINTON少子寿命测试仪扩散后测试光致衰减LI D≦2%预投流程验证弯曲度≦40 塞尺微晶1厘米长度内≦5个晶粒目视硅片表面任一方向明显切痕无明显切痕手持式粗糙度测试仪允许的切痕深度≤10ｕｍ凹坑无目视硅片表面平整,无硅落现象穿孔无目视粘污无目视不允许有肉眼可见的油污,硅粉,清洗剂,水痕崩边无目视应力无当硅片拿在手上轻微晃动时不能有嘣咚嘣咚的响声划伤无只要在硅片表面有明显肉眼可见异物划过的痕迹,不论长度和面积大小都不合格缺口无缺角无裂纹/隐裂无4.4 N型单晶硅片检验标准，见表4检验项目合格标准检验方法说明导电类型N型冷热探针测试仪器电阻率（∩.cm）1-3/3-6 四探针测试仪器径向电阻率不均匀度RRV<25% 四探针测试仪器对边宽(mm) 125±0.5 156±0.5数显游标卡尺对角钱(mm) 165±1200±1 205±1数显游标卡尺圆弧长(mm) 10.40-14.1119.93-23.80/14.43-18.16模具方片角度90°±0.3°角尺厚度(ｕm)200±20数显千分表或硅片检片机1.硅片的平均厚度为200微米;2.硅片表面所有厚度要在规定范围内,最薄处不低于180微米;3.同批硅片的厚度要呈正态分布,即测量数据的均值±3，＆应在厚度规定的范围内厚度不均匀度TT V≦30数显千分表在保证硅片表面厚度情况,对硅片表面取五点测试(中心点以及距四周边缘6ｍｍ各取一点)来换算厚度变化量位错密度(个/cm²) 无供方保证项体少子寿命＞1000ｕｓSINTON少子寿命测试仪扩散后测试光致衰减LI D≤0.5%预投流程验证硅片中心低响应（黑心片）比例＜0.05% 预投流程验证弯曲度(um) ≦40 塞尺切痕无明显切痕手持式粗糙度测试仪允许的切痕深度≤10ｕｍ凹坑无凹坑目视硅片表面平整,无硅落现象穿孔无穿孔目视沾污无沾污目视不允许有肉眼可见的油污,硅粉,清洗剂,水痕崩边无崩边目视应力无应力手感当硅片拿在手上轻微晃动时不能有嘣咚嘣咚的响声孪晶无孪晶目视从外观看,出现两个及以上的晶体划伤无划伤目视只要在硅片表面有明显肉眼可见异物划过的痕迹,不论长度和面积大小都不合格氧化膜末磨无氧化膜末磨目视缺口无缺口目视缺角无缺角目视裂纹/隐裂无裂纹/隐裂目视偏心偏离度＜0.5ｍｍ模具。
硅片技术标准
精心整理单晶硅片技术标准1范围1.1本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。
2规范性引用文件2.1ASTMF42-02????半导体材料导电率类型的测试方法2.2ASTMF26???????半导体材料晶向测试方法2.3?ASTMF84???????直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法2.4ASTMF1391-93?太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法33.1TV3.2TTV：；3.33.43.53.63.73.84分类5技术要求5.1外观???5.25.2.1?5.2.2?5.2.3?5.2.4?5.2.5?表1???????????????????????图1????硅单晶片尺寸示意图号，不同晶体编号放在同一包装要能明确区分开。
7.2产品应储存在清洁、干燥的环境中：温度：10℃～40℃；湿度：≤60%；避免酸碱腐蚀性气氛；避免油污、灰尘颗粒气氛。
7.3产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施。
??（标准测5点厚度：4点和晶片边缘或部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；3.4裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.5四角同心度：多晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
3.6密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4分类多晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：156mm?′156mm。
5技术要求5.1外观????见附录表格中检验要求。
5.2外形尺寸5.2.1?方片TV为200±20um,测试点为中心点；5.2.2?方片TTV小于30um，测试点为边缘6mm处4点、中心1点；5.2.3?硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%；5.2.4?相邻C段的垂直度：90?o±0.3o。
5.2.5?其他尺寸要求见表1。
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硅片检验标准
1 目的
规多晶硅片检测标准。
2 适用围
本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。
3 定义
3.1检测工具：
数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS203电阻率测试、少子寿命测试WT-2000。
3.2检测术语
斑点定义：在光强430-650LUX下，距离眼睛40cm，成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。
翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即a值）。
弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即z值）。
硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。
崩边：以硅片边缘为参考线向部延伸深度≤0.5mm、长度≤1.5mm及不能崩透的缺损属于崩边。
缺口：光强430-650LUX，目光与硅片成30-45°，距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口，看不到的不属于缺口。
水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。
表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。
游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘5mm以的黑色区域。
微晶：每1cm2长度上晶粒个数＞10个。
4 职责权限
4.1 技术部负责制定硅片检验标准；
4.2 质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。
5 正文
5.1 表面质量
表面质量通过生产人员的分选判定，目测外观符合附表1相关要求。
对整包硅片重点查看B4（崩边），B7（线痕）、B8（厚度差值）、缺口、碎片、油污等情况；整包里的B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗；B7、B8片手感表现较重，不易区分或存在争议时，利用分选机重新分选。
5.2 外型尺寸
几何尺寸符合附表1相关要求，在研磨倒角处控制。
如认为硅片尺寸存在问题使用分选机进行检验。
5.3 电性能
依据硅锭／硅块测试数据判定，必要时用相关测试仪器核实。
硅片电阻率测量一点数值，当超出B级围时，测量五个晶粒的电阻率，计算平均值X，以X值作为最终判定值。
5.4抽检方法
（1）对硅片车间自检合格的包装硅片或直传片，采取一次抽检（抽检比例８％），不合格比例不高于0.5%。
每次抽检不合格率大于0.5%时，通知清洗班长重新分选，对重新分选片抽检合格后可入库。
（2）抽取８％硅片进行检测，其结果作为该批硅片合格的判定依据。
6 相关文件
无
7 相关记录
无
附表1：自检硅片检验项目及判定标准
附件1：B级硅片分类及标识方法
按优先级B2至B9无重复排序标示如下：
B2晶粒小，其它检验参数符合A级品标准。
B3少子寿命以硅块少子寿命为标准。
B4小崩边，其它检验参数符合A级品标准。
B5电阻率标准以硅块电阻率为标准。
B6 156mm*156mm硅片划片后的125mm*125mm硅片（以后存在划片可能）。
B7锯痕15～35μｍ或亮线B级（参考《亮线判定标准》。
），其它检验参数符合A级品标准。
B8 30μｍ<TTV≤50μｍ,其它检验参数符合A级品标准。
B9表面沾污
如果存在两种以上的B级缺陷，以级别较高的等级作为归类依据，优先级别排列如下：第一级第二级第三级第四级第五级第六级第七级第八级第九级
B1 B2 B5 B3 B8 B7 B4 B9 B6
附件2 ：硅片“亮线”的判定标准
2.1亮线片：硅片表面存在由于钢线直接和硅片摩擦出现的类似抛光的硅片。
2.1.1亮线处，测试深度小于10µm的硅片
2.1.1.1单面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/2，为 B7
亮线面积小于硅片面积的1/2，为A 级
2.1.1.2双面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/4，为 B7
亮线面积小于硅片面积的1/4，为A 级
2.1.2亮线处，测试深度10～20µm的硅片
2.1.2.1单面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/4，为 B7
亮线面积小于硅片面积的1/4，为A 级
2.1.2.2双面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/2，为不合格
亮线面积小于硅片面积的1/2，为B7
2.2黑色带状区：断线处理往复升降工作台或类似操作导致钢线带着砂浆将硅片表面摩擦，清洗后出现黑色矩形区域。
2.2.1 带状区小于20mm 硅片，按照附表1检验标准判定；
2.2.2 带状区大于20mm 硅片，若满足附表1A 、B 级标准，则判定为B ；不满足B 级标准的，判定为不合格；
注：检测亮线及黑色带状区域线痕深度使用自动分选设备。
附件3 TTV 测试点选取
TTV 测试5点，分别为硅片中心点和边角处距离边角各边10-15mm 处硅片厚度。
见下图：
附件4 崩边
崩边:硅片分选机在测量边缘崩边时受硅片厚度、光学衍射、成像精度限制，容易出现误判。
针对B4档硅片需要人工搓开硅片进行检测。
微晶：硅片上细小晶粒连续密集分布区域，使用带刻度光学放大镜进行检测。
此类硅片属于不合格硅片。
此点测定电阻率
此点中心距边10-15mm
杂质片
硬点杂质：表现为硅片表面有凸起线痕，线痕上能够发现黑点。
硅片清洗后表面有絮状黑斑或者密集小黑点的，使用无水乙醇擦拭不能够去除为不合格硅片，此类硅片为不合格硅片。
孔洞片检测方法：
眼睛与硅片平面及光源成直线，距硅片40cm观察有无光线透过或者发现亮点。
若存在以上情况，挑选出来硅片为不合格产品。