硅片检验标准

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硅片电池片检验标准141009

硅片电池片检验标准141009

一、尺寸类 A.边长 125/156 B.对角线Φ C.厚度 (180/200)
多晶检验项目
二、性能类 一、尺寸类 A.边长 B.对角线Φ C.厚度 A.少子寿命 B.导电类型 C.电阻率
三、外观类 A.梯形片 菱形片 B.弯曲片 翘曲片 C.台阶片 线痕片 D.崩边 E.微晶 分布晶 大晶粒 F.碎片 缺口 亮边 裂 纹/裂痕 划痕 亮线 沾污 色差 针孔 密集线痕 硅晶脱落 边缘毛糙
31 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南红太阳光电科技有限公司
3-10其他不良—大晶粒
大晶粒 多晶硅片上某个连续 分布的晶粒面积占总 面积的1/4以上。 合格:无大晶粒
32 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南红太阳光电科技有限公司
21 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南红太阳光电科技有限公司
多晶-线痕片
密集线痕
凹痕
22 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 凸痕 湖南红太阳光电科技有限公司
针孔 针孔
硅晶脱落
27 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南红太阳光电科技有限公司
其他不良—沾污
硅片表面肉眼可见的某种 颜色的花样。如:指纹、水 渍、有机物、灰尘以及腐蚀 氧化。

硅检检验标准培训

硅检检验标准培训
1.数据交接 ①根据<IQC硅片检验质量统计表>,对表中各项不良品汇总数量与实 物数量一一进行确认核实。
②根据<送检单>,查看已检数量和来料总数,确认待检数量。
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2. 5S及工具交接 ①5S方面(ATM机器、地面、垃圾箱、桌面)是否干净整洁,各类物品 是否按规定区域有序摆放。 ②工具方面(推车、游标卡尺、外径千分尺、封箱器、计算器、塞尺、 同心度模板、花岗岩平台、面粗糙度计及其标准片、四探针测试 仪及其标准片,ATM机器校准片)是否完好无损,并且按规定区域 有序摆放。
2-2导电类型
导电类型:P型和N型; 目前我们执行的是P型工艺,N型为不合格; 测量仪器ATM机器。
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2-3电阻率
电阻率: 用来表示各种物质电阻特性的物理量。电阻率 ρ 单位 为欧姆·厘米 (ohm*cm )
(单晶 ) 合格:0.5-3 让步:3-6 不合格:>6或<0.5 (多晶 ) 合格:0.5-3 无让步 不合格:>3或<0.5 测量仪器:四探针测试仪或ATM自动分选机 注:测试硅片中心点。
A.少子寿命 B.导电类型 C.电阻率
3
1-1边长
边长(规格):125S 156S 156E
合格范围:±0.5mm 例:125合格范围124.50-125.50 让步范围:±0.6mm 例:125让步范围124.40-124.49或125.51-125.60 不合格范围:<-0.6或>0.6mm 例:125不合格范围<124.40或>125.60
孪晶 不合格
未加工好 不合格
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3-7其它不良
裂纹 不合格
针孔 不合格
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硅片检验要求
1.只接受掺硼片,不接受掺镓片及氧施主片。 2.等外片、让步接收片中不允许有多种缺陷让步,否则作为不合格。 3.正品片试检合格率单晶<95%、多晶<98%,作为批退处理;合格率 单晶≥95%、多晶≥98%,进行试投。 4.等外品片试检合格率<85%(包括单晶、多晶),作为批退处理;合 格率≥85%,进行试投。 5.硅片试检抽样 来料数量 抽检数量 ≤50000pcs 3000pcs 50001-100000pcs 6000-7000pcs >100000pcs 10000-12000pcs

硅片检验标准

硅片检验标准

光为绿色新能源有限公司硅片检验标准编号:LW-BZ-009-A1版本:A/1版受控状态:编制部门:技术中心发放编号:编制:日期:审核:日期:批准:日期:实施日期:发布日期:文件更改申请单硅片检验标准1目的规范多晶硅片检测标准。

2适用范围本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据,适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。

3定义3.1检测工具:数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS20血阻率测试、少子寿命测试 WT-200Q3.2检测术语斑点定义:在光强430-650LUXCF,距离眼睛40cm,成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。

翘曲度:硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差(即 a值)。

弯曲度:硅片中心凸起处于参考平面距离差值(即 z值)硅落:硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。

崩边:以硅片边缘为参考线向内部延伸深度0 0.5mm长度0 1.5mmt不能崩透的缺损属于崩边c 缺口:光强430-650LUX,目光与硅片成30-45 ° ,距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口, 看不到的不属于缺口。

水印:未充分烘干,水分蒸发后残留物。

表面玷污:硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。

游离碳黑线:清洗后距离硅片上边缘 5mrmA内的黑色区域。

微晶:每1cm2长度上晶粒个数> 10个。

4 职责权限4.1技术部负责制定硅片检验标准;4.2质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。

5正文5.1表面质量表面质量通过生产人员的分选判定,目测外观符合附表1相关要求。

对整包硅片重点查看B4 (崩边),B7 (线痕)、B8 (厚度差值)、缺口、碎片、油污等情况;整包里的 B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗;B7、B8片手感表现较重,不易区分或存在争议时,利用分选机重新分选。

5.2外型尺寸几何尺寸符合附表1相关要求,在研磨倒角处控制。

光伏硅片标准

光伏硅片标准

光伏硅片标准
光伏硅片的标准主要包括以下几个方面:
1. 尺寸标准:光伏硅片通常采用方形或圆形,其尺寸标准主要包括长度、宽度和厚度。

2. 电气性能标准:光伏硅片的电气性能主要包括开路电压、短路电流、最大功率点电压、最大功率点电流等。

3. 光学性能标准:光伏硅片的光学性能主要包括透光率、反射率、吸收率等,这些性能直接决定了硅片的光电转换效率。

4. 表面质量标准:光伏硅片的表面质量直接影响到光伏电池的能量转换效能。

表面缺陷、裂纹等都会降低硅片的光电转换效率。

5. 材料纯度标准:光伏硅片的材料纯度对于光电转换效率至关重要。

杂质的含量和分布会影响到硅片的电子传导和光吸收性能。

除了上述标准之外,还有一些特殊的标准,如抗剪切标准、耐热性标准、耐腐蚀性标准等,这些标准根据具体的应用需求而定,有助于确保光伏硅片在各种环境和工作条件下的性能稳定性和可靠性。

多晶硅片检验标准

多晶硅片检验标准

检验分类:1.正常晶 2.雪花晶 3.微晶 4.分布晶
定义:
正常晶——无典型分布晶、微晶、雪花晶和其他异常晶粒特征的正常多晶硅片。

雪花晶——除典型微晶、分布晶和正常晶外的所有多晶硅片。

包括典型雪花晶和除分布晶和微晶以外的所有非正常晶。

微晶——晶粒尺寸小于等于2mm,呈连续分布具有一定面积的晶体。

分布面积大于1cm2,不具有典型分布晶特征(如图所示)。

分布晶——大晶粒上分布的具有“圈点”特征的小晶粒(如图所示)。

检验流程:
关键点:
1.典型分布晶的特征——“圈点”特征小晶粒。

2.典型微晶特征——密集型连续分布的小晶粒,无典型分布晶特征。

3.对具有一定面积密集型小晶粒分布的多晶硅片要严格把握,尽量归入分布晶(具有典型分
布晶特征)或微晶中。

4.对于极度分散的非典型分布晶,不要归入分布晶。

可归入雪花晶。

典型微晶图
典型分布晶图
以每1000片计算,因原料问题造成的损失为:
1000*返工比例*返工成本+1000*返工比例*返工碎片率*硅片价格+1000*返工比例*降低的转换效率*电池价格/平均转化效率+1000*C级色斑比例*(A级片价格-C级片价格)+1000*B级色斑比例*(A级片价格-B级片价格)。

单晶硅片成品检验规范

单晶硅片成品检验规范
4.2用螺旋测微仪测量总厚度偏差TTV。
4.3检测硅片的外观:
4.3.1目测硅片无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损,边缘缺损或缺口长≤0.5mm,深度≤0.3mm,每片崩边数量≤2个;
批准
审核
编制
修改履历
页码
内容
状态
Hale Waihona Puke 备注4.3.2目测硅片表面无异常斑点、玷污;
4.3.3目测表面无凹坑,使硅片表面局部凹凸不平≤20μm;
4.3.4目测表面无明显的切割线,切割刀痕深度≤20μm。
6、验收规则
抽样频率为500PCS为一个单位即20%,每25PCS为一篮,每一篮抽5PCS,记录在《线切割硅片返工卡》、《#机硅片检验记录表》中,电阻率、少子寿命及尺寸全检记录在表单编号:TNGWQ-OO1-01《圆棒检验记录》、表单编号:TNGWQ-OO2-01《方棒检验记录》中。
附表三 《退片检验反馈单》表单编号:TNGWQ-005-03
附表四《单晶硅片电阻率抽测记录》表单编号:TNGWQ-005-04
附表五 《厚度抽测简易图》表单编号:TNGWQ-005-05
7.5检验工序必须保证及时正确的检验校验的成品几半成品及原料,防止因产品积压影响上下工序的正常生产。
7.6对已经检验完成的成品、废品,要及时办理入库手续,不得随意阻滞交验的物品,必须及时反馈检验信息给相关人员检验结果。
8、相关记录
附表一《线切割返工卡》表单编号:TNGWQ-005-01
附表二 《#机检验记录表》表单编号:TNGWQ-005-02
3.4.1无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损,边缘缺损或缺口长≤0.5mm,深度≤0.3mm,每片崩边数量≤2个;
3.4.2表面无异常斑点、玷污;

硅片检验

硅片检验

硅片进货检验规程
1、从仓库领取同一硅片供应商一定数量的硅片。

2、用“BD-86A型半导体电阻率测试仪”测出每片硅片的原始方块电阻,
并按照20 Ω/□一档进行分档存放。

(详见《硅片进货检验报告单》)
3、用测厚仪测出每片硅片的厚度并按20μm一档进行分档存放。

(详见《硅片进货检验报告单》)
4、在检测硅片方块电阻和厚度的同时,挑出外观不良的硅片另外存放。

(外观不良包括:裂纹、划痕、污垢、崩边、缺角、厚度不一、边距不一、形状不规则等)
5、检验结束后按要求填写好《硅片检验报告单》。

6、将检验好的硅片统一摆放的固定位置。

硅片检验标准

硅片检验标准

M2多晶硅片规格Specification for M2项目Items 规格Specification尺寸Wafer Size 125×125mm±0.5mm ;156×156mm±0.5mm厚度Thickness 190μm±19μm;156:219.2±0.5mm175.36±0.5mm对角线长度Diagonal 125:垂直度Edge Angle 90°±0.25°倒角角度45°±10°Bevel edge Angle倒角尺寸1.5±0.5mmChamfer LengthTTV ≤30μm翘曲度Bow/Warping ≤50μm微晶Micro-crystal ≤10pcs(个)/cm2线痕Saw marks ≤15μm表面Wafer Surface 表面无明显黑斑、污渍No stain, splash on surface obvious 裂纹Crack 无可视裂纹No crack visible with naked eyes孔洞Pine Hole 无孔洞No pin holeP型P-type(Boron Doped)导电类型Conductivity Type替位碳含量≤4×1017 at/cm3Cs Concentration间隙氧含量≤8×1017 at/cm3Oi Concentration电阻率Resistivity 1~3.0Ω·cm少子寿命Life Time ≥2μs (Brick硅块)崩边Chip None缺口Indentation NoneM3多晶硅片规格Specification for M3项目Items 规格Specification尺寸Wafer Size 125×125mm±0.5mm ;156×156mm±0.5mm厚度Thickness 190μm±19μm;156:219.2±0.5mm175.36±0.5mm对角线长度Diagonal 125:垂直度Edge Angle 90°±0.25°倒角角度45°±10°Bevel edge Angle倒角尺寸1.5±0.5mmChamfer LengthTTV ≤30μm翘曲度Bow/Warping ≤50μm微晶Micro-crystal ≤10pcs(个)/cm2线痕Saw marks ≤15μm表面Wafer Surface 表面无明显黑斑、污渍No stain, splash on surface obvious 裂纹Crack 无可视裂纹No crack visible with naked eyes孔洞Pine Hole 无孔洞No pin holeP型P-type(Boron Doped)导电类型Conductivity Type替位碳含量≤4×1017 at/cm3Cs Concentration间隙氧含量≤8×1017 at/cm3Oi Concentration电阻率Resistivity 1~3.0Ω·cm少子寿命Life Time ≥2μs (Brick硅块)崩边Chip None缺口Indentation None。

多晶硅片检测标准

多晶硅片检测标准

多晶硅片技术标准1范围1.1 本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。

2 规范性引用文件2.1 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法2.2 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法2.3 ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的试验方法3 术语和定义3.1 TV:硅片中心点的厚度,是指一批硅片的厚度分布情况;3.2 TTV:总厚度误差,是指一片硅片的最厚和最薄的误差(标准测量是取硅片5 点厚度:边缘上下左右4点和中心点);3.4崩边:晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域,当崩边在晶片边缘产生时,其尺寸由径向深度和周边弦长给出;3.5 裂纹、裂痕:延伸到晶片表面,可能贯穿,也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕;3.6 垂直度:硅片相邻两边与标准90°相比较的差值。

3.7 密集型线痕:每1cm上可视线痕的条数超过5条4 分类多晶硅片的等级有A级品和B级品,规格有:125⨯125;156⨯156;210⨯210。

5 技术要求5.1 外观5.1.1无孪晶、隐裂、裂痕、裂纹、孔洞、缺角、V形(锐形)缺口,崩边、缺口长度≤0.5mm,深度≤0.3mm,且每片不得超出2个;5.1.2表面需清洗干净,无可见斑点、玷污及化学残留物;5.1.3硅片表面局部凹凸不平深度(如表面划痕、凹坑、台阶等)≤20μm,切割线痕深度≤20μm;当在硅片正反两面的同一个位置出现线痕加和小于20um。

无密集型线痕。

5.1.4 弯曲度≤30μm,,翘曲度≤30μm;5.1.5切片前的棒/锭要经化学腐蚀或机械抛光去除损伤层,即切完的硅片边沿是光亮的。

5.2外形尺寸5.2.1 标称厚度系列为200±20μm;220±20μm;240±20μm;对于每单合同需要明确规定标称厚度。

soi硅片检验标准

soi硅片检验标准

soi硅片检验标准一、尺寸检查1.1 检查内容:硅片的尺寸应符合规定的尺寸要求,包括长度、宽度和厚度。

1.2 检查方法:使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。

1.3 判定标准:若实际尺寸与规定尺寸的偏差在±0.05mm范围内,则判定为合格。

二、表面质量2.1 检查内容:硅片的表面应光滑、洁净,无划痕、裂纹、凹坑等缺陷。

2.2 检查方法:通过目视或使用5倍放大镜进行检查。

2.3 判定标准:若硅片表面存在上述缺陷,则判定为不合格。

三、厚度测量3.1 检查内容:硅片的厚度应符合规定的厚度要求。

3.2 检查方法:使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。

3.3 判定标准:若实际厚度与规定厚度的偏差在±0.02mm范围内,则判定为合格。

四、翘曲度测量4.1 检查内容:硅片的翘曲度应符合规定的翘曲度要求。

4.2 检查方法:将硅片放置在水平面上,使用精度为0.01mm的直尺进行测量。

4.3 判定标准:若翘曲度超过规定范围,则判定为不合格。

五、电阻率测量5.1 检查内容:硅片的电阻率应符合规定的电阻率要求。

5.2 检查方法:使用电阻率测试仪进行测量。

5.3 判定标准:若电阻率超过规定范围,则判定为不合格。

六、吸光度测量6.1 检查内容:硅片的吸光度应符合规定的吸光度要求。

6.2 检查方法:使用吸光度计进行测量。

6.3 判定标准:若吸光度超过规定范围,则判定为不合格。

七、化学成分分析7.1 检查内容:硅片的化学成分应符合规定的化学成分要求。

7.2 检查方法:使用光谱分析仪进行测量。

7.3 判定标准:若化学成分不符合规定要求,则判定为不合格。

八、机械强度测试8.1 检查内容:硅片的机械强度应符合规定的机械强度要求。

8.2 检查方法:使用万能材料试验机进行测试。

半导体硅片的检验准则

半导体硅片的检验准则

半导体硅片的检验准则半导体硅片的检验准则导语:半导体硅片检验是半导体制造过程中非常重要的环节。

本文将深入探讨半导体硅片的检验准则,包括其基本原理、常见的检验方法和标准,以及对检验结果的分析和评估。

一、背景介绍在半导体工业中,半导体硅片是制造集成电路的重要基础材料。

而半导体硅片的质量直接影响着电子器件的性能和可靠性。

在半导体生产过程中进行严格的检验至关重要。

二、基本原理半导体硅片的检验是通过测量和分析其物理参数和工艺特征来判断其质量。

主要包括以下几个方面:1. 外观检验:包括观察硅片表面是否有裂纹、划痕、污染等缺陷,以及检查硅片的尺寸和平整度是否符合要求。

2. 电特性检验:通过测量硅片的电阻、电容、电压等参数,判断其电性能是否满足设计要求。

3. 表面特性检验:通过使用显微镜、扫描电子显微镜等设备,观察硅片表面的形貌、晶粒结构等特征,以评估其晶体质量和晶粒大小的均匀性。

4. 化学污染检验:通过使用化学分析方法,检测硅片中的有害杂质、金属离子等污染物的含量,以评估其纯度。

三、常见的检验方法和标准1. 外观检验:通常采用目视检查和显微镜观察的方式进行,以国家相关标准为准。

2. 电特性检验:包括电阻测量、电容测量、霍尔效应测量等方法,仪器主要包括多用电表、LCR桥、霍尔效应测试仪等。

3. 表面特性检验:常用的方法有显微镜观察、原子力显微镜观察、扫描电子显微镜观察等,根据不同应用领域制定相应的表面粗糙度、晶粒尺寸等标准。

4. 化学污染检验:一般通过化学分析方法,如电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、能谱仪或质谱仪等,以国际标准或公司内部标准为依据。

四、检验结果的分析和评估半导体硅片的检验结果通常会输出各项参数的数值以及对应的标准值。

根据数值的大小和与标准值的偏差,可进行以下分析和评估方面的工作:1. 质量评估:将检验结果与已设定的标准进行对比,评估硅片是否合格,是否可继续用于下一工序的制造。

2. 偏差分析:对超出标准范围的数据进行分析,找出问题所在,进一步改进生产工艺。

半导体硅片检验标准

半导体硅片检验标准

半导体硅片检验标准
半导体硅片检验标准
半导体硅片是半导体器件制造的基础材料之一,因此其检验标准至关重要。

以下是半导体硅片检验标准的详细说明。

1. 外观检查
外观检查是半导体硅片检验的最基本要求。

在检查外观时,应检查硅片表面是否有裂纹、破损、划痕、气泡等缺陷,同时也应检查硅片的形状是否符合要求。

2. 表面检测
表面检测可以通过使用光学显微镜、SEM(扫描电子显微镜)等仪器来完成。

该检测可以用来评估硅片表面的平整度、颗粒数量、颗粒大小等因素。

需要注意的是,有些表面缺陷可能在目测外观检查时并不明显,因此表面检测往往会被认为是最灵敏的检测方法之一。

3. 清洗检验
清洗检验可以确定硅片表面是否存在落在硅片上的污染物。

在检查过程中,应确保清洗剂、气氛和温度等条件正确,从而保证检验的可靠性。

4. 检测杂质
杂质是半导体硅片中一个普遍而重要的概念。

在检测杂质时,可以使用玻璃齐墩试剂等方法,对硅片进行表面浸泡。

此外,还可以使用SIMS(二次离子质谱)等方法,对硅片内部的杂质进行检测。

5. 检测电性能
在半导体硅片的制造和生产过程中,电性能的检测是至关重要的。

可以使用四点探针法、霍尔效应仪等方法,对硅片的电性能进行检测。

总之,半导体硅片检验标准非常严格,因此需要依靠多种检测手段确保硅片质量的稳定性和可靠性。

只有通过科学的检验方法,才能确保半导体器件的品质和性能。

硅片质量的七大标准

硅片质量的七大标准

硅片质量的七大标准硅片是半导体行业中至关重要的材料之一,它被广泛用于制造集成电路和太阳能电池等应用。

为了确保硅片的质量和性能,有七个关键标准需要被考虑。

本文将详细介绍硅片质量的七大标准。

1. 净度和杂质控制硅片的净度和杂质控制是硅片质量的首要标准。

杂质的存在会对硅片的电学和光学性能产生负面影响。

硅片应该具有极高的净度,特别是对于一些高纯度硅片,杂质的控制尤为重要。

常见的杂质包括金属杂质和非金属杂质,如铁、铜、氧和碳等。

通过严格的杂质控制和净化工艺,可以确保硅片的高纯度和杂质含量的极低水平。

2. 厚度均匀性硅片的厚度均匀性是评估硅片质量的重要指标之一。

硅片的厚度在制造过程中需要被精确控制,以确保产品的一致性和可靠性。

任何过大或过小的厚度变化都可能导致硅片的性能降低。

通过使用先进的制造工艺和仪器设备,可以实现硅片的高度均匀性。

3. 表面平整度硅片的表面平整度是衡量硅片质量的重要指标之一。

表面平整度不仅影响硅片的外观,还直接影响到硅片在后续工艺中的加工性能。

高度平整的表面能够提供更好的光学特性和更高的精度加工。

通过表面处理和抛光工艺,可以实现硅片表面的高度平整度。

4. 晶体结构和晶格质量硅片的晶体结构和晶格质量是评估硅片质量的重要指标之一。

硅片应具有高度有序的晶体结构和完整的晶格。

任何晶体结构和晶格缺陷都可能对硅片的性能和可靠性产生负面影响。

通过严格的制造和质量控制工艺,可以实现硅片的高质量晶体结构和晶格。

5. 衬底的平整度和晶向硅片的衬底平整度和晶向也是评估硅片质量的重要指标之一。

衬底平整度是指硅片表面的平整度和平坦度,对于一些高精度的应用尤为重要。

晶向指的是硅片中晶体的方向,它会对硅片的电学性能和加工特性产生影响。

通过精密的加工和晶体生长工艺,可以实现硅片衬底的高平整度和理想的晶向。

6. 绝缘性能硅片的绝缘性能是评估硅片质量的重要指标之一,特别是对于一些应用需要电绝缘的场景。

绝缘性能可以通过测量硅片的绝缘电阻和击穿电压来评估。

硅片检测材料

硅片检测材料

硅单晶方棒检验标准1目的:为了明确产品的质量要求,加强产品的质量控制,特制定本标准。

2范围:本标准适用于硅单晶切方后的晶棒检测。

3主要内荣:A 、检验项目、标准及抽检方案:(见下图及表格)B 、判定上端面 下端面1.对整根方棒进行检测后,若所有的项目满足检验要求,则判定整根晶棒合格。

2.若晶棒表面存在着明显的刀痕、锉痕等外观不良现象,或物理尺寸超出标准范围,则将该方棒进行返工或报废,返工后需从新检测。

3.检测时,若发现晶棒外观存在着裂纹、孪晶、孔洞等现象或部分段位到点型号呈N型或电阻率不在标准范围之内,或晶棒两截面崩边大于要求,则将该段位明确标识,判为返工,返工后重新进行检测4.检测时,若发现整根晶棒为N型,或整根晶棒电阻率不在标准范围内,则将整根晶棒作报废处理。

1.对进厂的多晶原料及时进行称重,分批次记录清楚并按来料品质进行分类,筛选,与库房统计员做好交接工作并妥善保管。

2.对进厂的圆棒按清单与送货人当面核对并及时检测,主要检测硅棒的长度、直径、表面质量、电阻率和勺子寿命,察看有无崩边或磕碰,有参数超标的硅棒单独放置,做好记录,及时向领导反映并与库房统计员交接清楚后妥善保管。

3. 对进厂的方棒按清单与送货人当面核对并及时检测,主要检测硅棒的长度、直径、边长、表面质量、电阻率和少子寿命,察看有无崩边、磕碰和未磨,有参数超标的硅棒单独放置,做好记录,及时向领导反映并与库房统计员交接清楚后妥善保管。

4.对开方厂家返还的边皮料要按清单和方棒一一对应,称过重量后做好记录工作与库房统计员交接清楚后妥善保管。

5.及时把检测合格的方棒按照线切车间要求的长度配刀并集中放置,放料时要与领料人员交接清楚,认真负责的填写硅棒随工单,不允许随意涂改。

6.整个仓库要按照材料的不同划分区域,不乱摆乱放,做到一目了然、井井有序。

7.平时在搬运硅棒过程中要轻拿轻放,安全堆放,避免人为的损毁和磕碰。

8.熟练掌握各种检测仪器的使用,正确开关机,不随意更改设备参数,平时注意对设备的维护和保养。

硅片技术标准

硅片技术标准

单晶硅片技术标准1范围1.1 本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。

2 规范性引用文件2.1 ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法2.2 ASTM F26 半导体材料晶向测试方法2.3 ASTM F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法2.4 ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法2.5 ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法2.6 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3 术语和定义3.1 TV:硅片中心点的厚度,是指一批硅片的厚度分布情况;3.2 TTV:总厚度误差,是指一片硅片的最厚和最薄的误差(标准测量是取硅片5点厚度:边缘上下左右6mm处4点和中心点);3.3位错:晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷;3.4位错密度:单位体积内位错线的总长度(cm/cm3),通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示;3.5 崩边:晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域,当崩边在晶片边缘产生时,其尺寸由径向深度和周边弦长给出;3.6 裂纹、裂痕:延伸到晶片表面,可能贯穿,也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕;3.7 四角同心度:单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。

3.8 密集型线痕:每1cm上可视线痕的条数超过5条4 分类单晶硅片的等级有A级品和B级品,规格为:125´125Ⅰ(mm)、125´125Ⅱ(mm)、156 ´156(mm)。

5 技术要求5.1 外观见附录表格中检验要求。

5.2外形尺寸5.2.1 方片TV为200±20 um,测试点为中心点;5.2.2 方片TTV小于30um,测试点为边缘6mm处4点、中心1点;5.2.3 硅片TTV以五点测量法为准,同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%;5.2.4 相邻C段的垂直度:90 o±0.3o;5.2.5 其他尺寸要求见表1。

硅片质量的七大标准

硅片质量的七大标准

硅片质量的七大标准
硅片质量的七大标准主要包括以下七个方面:
1. 物理尺寸:硅片的直径、厚度、晶向位置和尺寸、定位边和硅片形变等都必须符合规定,以满足芯片生产中器件制造的要求以及适合硅片制造自动传送设备的要求。

2. 平整度:硅片表面的平整度是硅片最主要的参数之一,它是指在通过硅片的直线上的厚度变化。

平整度不达标会造成许多工艺问题,如光刻工艺对局部位置的平整度非常敏感。

3. 微粗糙度:指硅片表面的微观粗糙度,它对硅片表面的摩擦和磨损性能有重要影响。

4. 氧含量:指硅片中氧的含量,它对硅片的机械性能和电学性能有重要影响。

5. 晶体缺陷:指硅片中的晶体缺陷,如位错、层错、微裂纹等,这些缺陷会影响硅片的机械性能和电学性能。

6. 颗粒:指硅片表面的颗粒状物质,这些物质会影响硅片的表面质量和光刻工艺。

7. 体电阻率:指硅片的电阻率,它对硅片的导电性能有重要影响。

以上信息仅供参考,如有需要,建议查阅专业书籍或咨询专业人士。

硅片接收和检验

硅片接收和检验

原硅片接收检验标准1.目的:规定本公司的硅片检验流程,保证和持续提高产品质量2.范围:用于本公司硅片的来料检验过程3.职责:质量部门负责按照本标准严格执行硅片的来料检验工作。

4.内容4.1硅片中金属杂质和碳氧含量标准,见表1表一硅片中金属杂质和碳氧含量杂志种类基体总金属杂质含量(fe cr nicu)ppba表面总金属杂质含量(fe zn na)ppba氧(at0ms/cm3)碳(atoms/cm3)杂质含量(单晶N-type)≤50 ≤70 ≤9×1017≤5×1016杂质含量(单晶P-type)≤50 ≤70 ≤9×1017≤5×1016杂质含量(多晶P-type)≤50 ≤70 ≤3×1017≤5×10174.2硅片检验方法:Ltem检验项目Level检验水平AQL%Conductive type导电类型H 1Resistivity电阻率 1 Thickness tolerance厚度 1 TTV厚度变化量 1 Bow弯曲度 1Appearance外观Lndents凹坑 1 Chips崩边 1 Saw Marks切痕 1 Craters应力 1 Cracks裂纹 1 Else其他 14.2 P型单晶硅片检验标准见表2检验项目合格标准检验方法说明导电类型P型冷热探针测试仪器电阻率(∩.cm)1-3/3-6 四探针测试仪器径向电阻率不均匀度RRV<25% 四探针测试仪器对边宽(mm) 125±0.5 165±0.5数显游标卡尺对角钱(mm) 150±1 165±1200±1 205±1数显游标卡尺圆弧长(mm) 27.77-32.20/10.4-14.1119.93-23.80/14.43-18.16模具方片角度90°±0.3°角尺厚度(um)200±20设备1.硅片的平均厚度为200微米;2.硅片表面所有厚度要在规定范围内,最薄处不低于180微米;3.同批硅片的厚度要呈正态分布,即测量数据的均值±3,&应在厚度规定的范围内厚度不均匀度TT V≦30设备在保证硅片表面厚度情况,对硅片表面取五点测试(中心点以及距四周边缘6mm各取一点)来换算厚度变化量位错密度(个/cm²) <1000 供方保证项有效载流子寿命>1.35us,且>1.4us占90%以上WT-1000少子寿命测试仪体少子寿命>15usSINTON少子寿命测试仪扩散后测试光致衰减LI D≤3%预投流程验证硅片中心低响应(黑心片)比例<0.05% 预投流程验证弯曲度≦40 塞尺切痕无明显切痕手持式粗糙度测试仪允许的切痕深度≤10um凹坑无凹坑目视硅片表面平整,无硅落现象穿孔无穿孔目视沾污无沾污目视不允许有肉眼可见的油污,硅粉,清洗剂,水痕崩边无崩边目视应力无应力手感当硅片拿在手上轻微晃动时不能有嘣咚嘣咚的响声孪晶无孪晶目视从外观看,出现两个及以上的晶体划伤无划伤目视只要在硅片表面有明显肉眼可见异物划过的痕迹,不论长度和面积大小都不合格氧化膜末磨无氧化膜末磨目视缺口无缺口目视缺角无缺角目视裂纹/隐裂无裂纹/隐裂目视偏心偏离度<0.5mm模具4.3 P型多晶硅片检验标准见表3检验项目合格标准检验方法说明导电类型P型冷热探针测试仪电阻率(∩.cm)1-3/3-6 四探针测试仪径向电阻率不均匀RRV<25% 四探针测试仪对边宽(mm)125±0.5156±0.5数显游标卡尺对角线(mm) 175±1219±1数显游标卡尺倒角(mm) 1×45°模具方片角度90°±30°角尺厚度200±20数显千分表或硅片检片机1.硅片的平均厚度为200微米;2.硅片表面所有厚度要在规定范围内,最薄处不低于180微米;3.同批硅片的厚度要呈正态分布,即测量数据的均值±3,&应在厚度规定的范围内厚度不均匀度TT V≦30数显千分表在保证硅片表面厚度情况,对硅片表面取五点测试(中心点以及距四周边缘6mm各取一点)来换算厚度变化量有效载流子寿命>1.35us,且>1.4us占90%以上WT-1000少子寿命测试仪体少子寿命>2usSINTON少子寿命测试仪扩散后测试光致衰减LI D≦2%预投流程验证弯曲度≦40 塞尺微晶1厘米长度内≦5个晶粒目视硅片表面任一方向明显切痕无明显切痕手持式粗糙度测试仪允许的切痕深度≤10um凹坑无目视硅片表面平整,无硅落现象穿孔无目视粘污无目视不允许有肉眼可见的油污,硅粉,清洗剂,水痕崩边无目视应力无当硅片拿在手上轻微晃动时不能有嘣咚嘣咚的响声划伤无只要在硅片表面有明显肉眼可见异物划过的痕迹,不论长度和面积大小都不合格缺口无缺角无裂纹/隐裂无4.4 N型单晶硅片检验标准,见表4检验项目合格标准检验方法说明导电类型N型冷热探针测试仪器电阻率(∩.cm)1-3/3-6 四探针测试仪器径向电阻率不均匀度RRV<25% 四探针测试仪器对边宽(mm) 125±0.5 156±0.5数显游标卡尺对角钱(mm) 165±1200±1 205±1数显游标卡尺圆弧长(mm) 10.40-14.1119.93-23.80/14.43-18.16模具方片角度90°±0.3°角尺厚度(um)200±20数显千分表或硅片检片机1.硅片的平均厚度为200微米;2.硅片表面所有厚度要在规定范围内,最薄处不低于180微米;3.同批硅片的厚度要呈正态分布,即测量数据的均值±3,&应在厚度规定的范围内厚度不均匀度TT V≦30数显千分表在保证硅片表面厚度情况,对硅片表面取五点测试(中心点以及距四周边缘6mm各取一点)来换算厚度变化量位错密度(个/cm²) 无供方保证项体少子寿命>1000usSINTON少子寿命测试仪扩散后测试光致衰减LI D≤0.5%预投流程验证硅片中心低响应(黑心片)比例<0.05% 预投流程验证弯曲度(um) ≦40 塞尺切痕无明显切痕手持式粗糙度测试仪允许的切痕深度≤10um凹坑无凹坑目视硅片表面平整,无硅落现象穿孔无穿孔目视沾污无沾污目视不允许有肉眼可见的油污,硅粉,清洗剂,水痕崩边无崩边目视应力无应力手感当硅片拿在手上轻微晃动时不能有嘣咚嘣咚的响声孪晶无孪晶目视从外观看,出现两个及以上的晶体划伤无划伤目视只要在硅片表面有明显肉眼可见异物划过的痕迹,不论长度和面积大小都不合格氧化膜末磨无氧化膜末磨目视缺口无缺口目视缺角无缺角目视裂纹/隐裂无裂纹/隐裂目视偏心偏离度<0.5mm模具。

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版本状态临时版文件名称硅片检验页码1/5编制/日期:审核/日期批准/日期:1.目的监测硅片质量,确保电池片质量稳定。

J2.适用范围适用于本公司品质部对所有来料硅片质量的监视和测量。

3.职责3.1 品质部负责制订硅片检验文件。

3.2 品质部负责来料硅片质量的控制。

4.检验4.1核对对照送检单,核对硅片的来源、规格和数量,供方所提供的参数、如电阻率、厚度、对角线长、边长。

检查供方出具的材质报告(碳含量、氧含量、晶向及位错密度),如有不符,须先与采购部沟通,无误后进行检验。

4.2 外观检验4.2.1用刀片划开封条,划时刀片不宜切入太深,刀尖深入不要超过5mm,防止划伤泡沫盒内的硅片。

塑封好的硅片,用刀尖轻轻划开热缩膜四个角,然后撕开热缩膜。

4.2.2 抽出两边的隔版,观察盒内有没有碎片,如有则要及时清理碎片。

4.2.3 检验时戴PVC手套。

从盒内拿出100片硅片(不得超过100片),先把硅片并齐并拢后观察硅片四边是否对齐平整,并用硅片模板进行对照,鉴别是否存在尺寸不对的现象,如不符合,则用游标卡尺测量,并及时记录于硅片外观检验原始记录表上。

4.2.4 再将100片硅片分出一部分使其旋转90度或180度,再并拢观察硅片间是否有缝隙,如有则说明有线痕或是TTV超标的现象。

将缝隙处的硅片拿出来,用MS-203测硅片上不固定的数点厚度(硅片边缘2-5cm以内取点),根据厚度结果确定是否超标。

将线痕、TTV超标片区别放置。

再观察四个倒角是否能对齐,如有偏差,对照硅片模板进行鉴别,把倒角不一致硅片分开放置。

并在硅片外观检验原始记录表上分别记录数量。

4.2.5 观察硅片是否有翘曲现象,翘曲表现为硅片放在平面上成弧形或是一叠硅片并拢后容易散开。

如有,则要把硅片放在大理石平面上,用塞尺测量其翘曲度,将翘曲度超标片区别放置,在硅片外观检验原始记录表上记录数量。

4.2.6 逐片检验硅片,将碎片、缺角、崩边、裂纹、针孔、污物、微晶(特指多晶硅片)等不合格品单独挑出,分别存放,并在硅片外观检验原始记录表上记录。

版本状态临时版文件名称硅片检验页码2/54.2.7 逐片计数该盒中合格片数量及各类不合格片数量,并核对总数与硅片外包装计数是否一致,如有缺片的现象则必须记录相对应的盒号、箱号、晶体编号以及对方检验员号。

4.2.8 把硅片整理整齐,重新放入泡沫盒内,最后在硅片两侧放入泡沫垫板保护,盖上泡沫盒,用封箱带把盒子封好,在盒子的上方记录包装内的实际数量,下半部分盖上自己的检验工号或在合格证上写上检验工号。

4.2.9 按4.2.1-4.2.8步骤对所有硅片进行检验。

4.3 厚度的检验IQC使用MS-203检测。

每片测量5点,分别为硅片四周5mm处四点及硅片中心一点,在硅片厚度测试记录表上记录所测量的数据。

计算出所有记录的平均值。

4.4 导电类型检验每箱中随机抽取5片已经过外观检验的硅片用P-N导电类型鉴别仪测试硅片的导电类型(P型、N型),填写于导电类型测试记录表上。

5片中有一片导电类型与送检类型不一致,该批片子均不合格。

4.5 电阻率测试使用MS-203测量电阻率。

将结果填写于硅片电阻率测试记录表内。

4.6 少子寿命测试碘酒钝化后大于30us。

4.7 小批量试制4.7.1经包装检查、性能检验合格或对本批物料存在异议的硅片在正式批量投产前,需要经过小批量试产以验证硅片的所有特性是否满足批量生产需要;小批试产由IQC检验员根据抽样原则抽取本批所要试产的硅片,独立的放置于原材料仓并告知仓库发料人员;4.7.2 IQC检验员准备好试产硅片后填写《硅片试制跟踪单》通知PMC备料料,工艺确定试制产线,生产部到仓库领取经IQC确认的试产片。

试生产的硅片须优先流转。

4.7.3 为确保数据的准确性,小批量试验制作过程中的印刷、烧结、测试分选必须单独进行。

4.7.4 测试原始数据的保存在指定文件夹中。

IQC检验员从此文件夹中复制数据。

IQC最终汇总本批试产数据,并填在《硅片试制跟踪单》中。

4.7.5试产结果判定4.7.5.1经试产判定合格的判本批硅片合格;4.7.5.2经试产判定不合格的需将相关的试产数据及其它情况材料提供给工艺技术部,由其评定是否可以通过调整工艺满足生产要求,如果可以通过工艺调整达到要求的,经工艺调整二次试制。

若合格,则判本批合格;4.7.5.3经试产判定不合格且工艺技术部判定无法工艺调整或投入成本过高者,判本批硅片不合格,由IQC 通知原料仓安排退货。

若第一次试制不合格,则进行第二次试制。

若第二次试制不合格,则由工艺、质量共同分析原因,决定是否进行第三次试制或直接退货。

4.7.5.4试制合格后,小批量发至产线生产,如发现小批量生产不合格,没有投产的硅片作退货处理.具体试制流程如下图:合格 合格 不合格 不合格合格不合格 合格不合格4.7.6抽样试制原则来料硅片数量200000PCS 以下抽1200PCS 试产,合格则余下全部投入生产。

来料硅片数量200000-400000PCS 抽2400PCS 试产,合格后小批量生产3万。

来料硅片数量400000万以上抽40000PCS 试产,合格后小批量生产6万。

4.7.7 不同生产批次分开试制。

版本状态 临时版 文件名称硅片检验页 码3/5第一次试制 小批量生产退货第二次试制 第三次试制 退货退货投入生产4.7.8 品质部原材料检验员填写硅片试制跟踪单。

生产开始试制时要通知生产及工艺人员,每一道工序结束后生产人员要签字确认,确保跟踪数据准确性。

生产中心负责全程的试制生产,工艺负责试制工艺方案的确定及异常处理,IQC负责试制的全程监督。

4.7.9 试制结束后,原材料质量将试制数据进行收集、处理,并及时将试制结果反馈至工艺,工艺根据试制结果判断来料是否异常,并签字确认试制结果。

4.8 合格的判定品质部根据硅片的检验及试制结果,判定该批次来料是否合格,并及时将结果反馈至PMC。

4.9 入库4.9.1将各类检验结果汇总,填写“检验报告单”,交主管签字后,把入库单和坏片、合格片同时交给仓库,由仓库管理人员进行当场核对。

5.检验标准5.1外观检验标准检验项目检验要求检测器具抽样方案外包装外包装完整,防摔、污、潮的措施完备目测外形尺寸125×125或156×156见方尺寸允许误差±0.5mm游标卡尺千分表平台硅片模板塞尺GB/T2828.1一般检验标准Ⅱ多晶硅片156mm×156mm对角线219.12mm 允许误差为±0.5mm ;单晶误差为±0.5mm所检每片硅片的平均厚度值:基本尺寸±20µm硅片(同一片厚度)TTV≤30µm两个边的垂直度90°±0.3°(硅片模板)硅片无目视翘曲(翘曲度≤50µm)倒圆角误差≤0.5mm外观检验表面:洁净无残留硅粉,无污染、色斑、颜色均匀一致,无目视可见破损及针孔油污:表面无明显黑斑、污渍目测抽样量:2%不合格比≤0.3%线痕深(高)度≤10/15µm,整个硅片最多一处线痕目测、千分表晶粒(多晶片):≤10pcs/cm 直尺、目测硅片无可视裂纹、无应力、硅落。

目测版本状态临时版文件名称硅片检验页码4/5缺角:深度≤0.5mm,长度≤0.5mm,≤2处符合左侧标准的接受比率≤1%目测游标卡尺抽样量2%崩边:(亮点)深度≤0.5mm,长度≤1mm,≤2处;边缘边:深度≤0.5mm,一条边 不允许有“V ”字形缺口5.2试制标准试制检验单 晶 试制平均效率≥17.6%,综合碎片率≤2.%,低效片比例≤5%,良品率≥95%生产小批量试制多 晶试制平均效率≥16.4%,碎片率≤2 %,低效片比例≤5%,良品率≥95%低效片:多晶效率低于16%;单晶低于17%。

5.3 电性能检验标准项目 检验内容、要求检验方法(器具) 抽样方案 碳浓度 ≤5×1016/cm 3检查厂家出示的 材质报告 有争议时送第三方检测氧浓度 ≤1×1018/cm 3晶向 (100)±3°(单晶)检查厂家出示的 材质报告位错密度 3×103个/cm 2电阻率 要求符合以下范围:1~3Ω.cm 四探针测试仪GB/T2828.1一般检验标准Ⅱ 少子寿命(碘酒钝化) 单晶:≥35µs 多晶:≥30µs少子寿命仪 导电类型 P 型 导电型测试仪 扩散后开路电压 >630mvsunsvoc5.4注意5.4.1硅片检验结果只要其中任意一项达到不合格标准即判为不合格。

对于不合格信息,及时反馈采购部,由采购部门根据实际采购情况确定是否办理不合格品评审。

5.4.2 批量试制结果应在工艺稳定的条件下完成。

如有异常,需重新试制。

如因各类原因导致跟踪错误,需重新跟踪。

6. 引用文件7. 记录版本状态临时版 文件名称硅片检验 页 码5/5。

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