三极管命名方法-课件PPT(精)
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集电结处于反向偏置，且|VCB|＞1V；
NPN管集电极电位比发射极电位高， PNP管集电极电位比发射极电位低。
例 题
一个BJT在电路中处于 正常放大状态，测得A、 B和C三个管脚对地的直 流电位分别为6V，0.6V， 1.3V。试判别三个管脚 的极名、是硅管还是锗 管？NPN型还是PNP型？
另一例题参见P30 2.2.2-1
IB •dvCE
d iC
iC iB
VCE
•
diB
iC vCE
IB •dvCE
用相关符号取代上式 中的微分量后得
微分量用交流量 取代，偏微分量
用H参数取代
vbehieibhrevce
ic hfeibhoevce
hie(vBE /iB) VCE
输出端交流短路时的输入电阻，即 rbe。
H 参
hre(vBE /vCE ) IB
vCCEE = 0V vCE
0V
1V
iB b +
c + iC
vCE
vBE - e -
VCC
VBB
共射极放大电路
BJT的特性曲线
2. 输出特性曲线 输出电流与输出电压间的关系曲线
iCv=CfB(vCEvC )EiB=vcBoE nst
输饱出和特区性：曲vCE线<v的BE 三的个区区域域，: 发射结正偏，集电结正 偏。 iC明显受vCE控制 的截区放止域大区，区：但：i不此B=随时0的i，B的输发增出射曲结线正 加以而偏下增，的大集区。电域在结。饱反此和偏时区。，，iC不发随射 可结近vC和似E变集认化电为，结v但C均E随保反i持B偏的不。增i大C只而有
程度（即斜率）的参数
vB E
Q
NPN管集电极电位比发射极电位高， PNP管集电极电位比发射极电位低。
例 题
一个BJT在电路中处于 正常放大状态，测得A、 B和C三个管脚对地的直 流电位分别为6V，0.6V， 1.3V。试判别三个管脚 的极名、是硅管还是锗 管？NPN型还是PNP型？
另一例题参见P30 2.2.2-1
IB •dvCE
d iC
iC iB
VCE
•
diB
iC vCE
IB •dvCE
用相关符号取代上式 中的微分量后得
微分量用交流量 取代，偏微分量
用H参数取代
vbehieibhrevce
ic hfeibhoevce
hie(vBE /iB) VCE
输出端交流短路时的输入电阻，即 rbe。
H 参
hre(vBE /vCE ) IB
vCCEE = 0V vCE
0V
1V
iB b +
c + iC
vCE
vBE - e -
VCC
VBB
共射极放大电路
BJT的特性曲线
2. 输出特性曲线 输出电流与输出电压间的关系曲线
iCv=CfB(vCEvC )EiB=vcBoE nst
输饱出和特区性：曲vCE线<v的BE 三的个区区域域，: 发射结正偏，集电结正 偏。 iC明显受vCE控制 的截区放止域大区，区：但：i不此B=随时0的i，B的输发增出射曲结线正 加以而偏下增，的大集区。电域在结。饱反此和偏时区。，，iC不发随射 可结近vC和似E变集认化电为，结v但C均E随保反i持B偏的不。增i大C只而有
程度（即斜率）的参数
vB E
Q
三极管 教学ppt课件
+++
c + + +
++++ -
++++
+++
b
UBB RB UCC RC
5
1、发射区的电子大量地扩散注 入到基区，基区空穴的扩散可
忽略。
发射结正偏
集电结反偏
外电场方向
NP
N
++++
e ++++ ++++
+++
c + + +
++++ -
++++
IE
b
+++
UBB RB UCC RC
6
1、大量电子N2通过很 薄1、的发射基区极的被电子集大电量极地扩吸散注 收入忽到略，基。少区量，基电区子空穴N的1在扩基散可 极与空穴复合。N2和 N2、1的电子比扩例散由的同三时极，在管基内区将 部与空结穴构相决遇产定生。复合在。不由考于基 虑区薄空，IC穴因BO浓此时度，低复：，合且的基电区子做是得极很 少 数。 IC/IB=N2/N1=β 2、以上公式是右方电 路3扩、散满绝到大足集多发电数结射到处基结，区并正的在偏电集子、电均结能 集电场电作结用反下到偏达时集电得区到。的，
工作状态
放大 截止 饱和 倒置
发射结电压
正向 反向 正向 反向
集电结电压
反向 反向 正向 正向
• 由放大状态进入截止状态 的临界情况是发射结电压 为零，此时基区的反向电 流分别流入发射极和集电 极。
三极管命名及使用
同一器件的
不同档次
符 意义
号
A、 B、 C…
表 器 改 型
示 件 进
例如 1N4148 表示开关二极管，2N3464 表示高频大功率 NPN 型硅管。
2.3 日本半导体器件命名法
表 2-17 日本半导体器件命名法
第一部分
第二部分
用数字表示器件 用 字 母 表 示 半
的电极数目
导体器件
符 意义 符
号
号
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
用符号表示器 件的等级
符 意义
号 J 军品
非军品 无
用数字表示 PN 结 数目
符 意义
号 1 二极管 2 三极管
3 四极管
用字母表示材 料
符 意义
号
表示不加 热即半导 N 体器件
用数字表示器 件登记序号
符号 意 义
2～4 登 记 位 顺序 数字 号
用字母表示
CS9018 310 100 12
8050 1000 1500 25
0.5
0.6
0.5
0.6
0.05 0.3 0.5
0.05 0.7 0.05 0.3 0.05 0.5 0.05 0.5
64
78
96
118 150
144
64
78
96 118 150
144
60
60
100 200 150
400
60 50
60
第四部分 用 2～3 位数字 表示器件登记 顺序号
第五部分 用拉丁字母表 示同一种型号 器件的改进型
例如 2SA53 表示高频 PNP 型三极管，1S92 表示半导体二极管。
三极管
达林顿三极管又称达林顿结构的复合管，有时简称复 合管。这种复合管由内部的两只输出功率大小不等的 三极管复合而成。它主要作为功率放大管和电源调整 管
达林顿三极 管
贴片三极管
贴片三极管引脚很短，它装配在电路板铜箔线路一面
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课题1
晶体三极管的认识
NPN型三极管电路符号识图信息示意图
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课题1
晶体三极管的认识
（2）PNP型三极管电路符号识图信息。 图所示是PNP型三极管电路符号识图信息示意图，根据电路符 号中的发射极箭头方向可以判断出三个电极的电流方向。
PNP型三极管电路符号识图信息示意图
晶体三极管的认识
说 输出功率PC<0.5W，用于前级放大器 输出功率PC在0.5W~1W，用于功率放大器输出级或末级电路 明
大功率三极管
按封装材 料划分 塑料封装三极 管 金属封装三极 管
输出功率PC>1W，用于功率放大器输出级
小功率三极管常采用这种封装 一部分大功率三极管和高频三极管采用这种封装
按安装形 式划分 按用途划 分
金属封装大 功率三极管
金属封装高 频三极管
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课题1
晶体三极管的使用
常见三极管实物图形及说明（续表）
带阻三极管是一种内部封装有电阻器的三极管，它主 要构成中速开关管，这种三极管又称为反相器或倒相 器
带阻三极管
带阻尼管的 三极管
主要在电视机的行输出级电路中作为行输出三极管， 它将阻尼二极管和电阻封装在管壳内
PNP型三极管
硅三极管 锗三极管 PNP型硅管
按极性和 材料组合 划分
按工作频 率划分
达林顿三极 管
贴片三极管
贴片三极管引脚很短，它装配在电路板铜箔线路一面
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课题1
晶体三极管的认识
NPN型三极管电路符号识图信息示意图
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课题1
晶体三极管的认识
（2）PNP型三极管电路符号识图信息。 图所示是PNP型三极管电路符号识图信息示意图，根据电路符 号中的发射极箭头方向可以判断出三个电极的电流方向。
PNP型三极管电路符号识图信息示意图
晶体三极管的认识
说 输出功率PC<0.5W，用于前级放大器 输出功率PC在0.5W~1W，用于功率放大器输出级或末级电路 明
大功率三极管
按封装材 料划分 塑料封装三极 管 金属封装三极 管
输出功率PC>1W，用于功率放大器输出级
小功率三极管常采用这种封装 一部分大功率三极管和高频三极管采用这种封装
按安装形 式划分 按用途划 分
金属封装大 功率三极管
金属封装高 频三极管
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课题1
晶体三极管的使用
常见三极管实物图形及说明（续表）
带阻三极管是一种内部封装有电阻器的三极管，它主 要构成中速开关管，这种三极管又称为反相器或倒相 器
带阻三极管
带阻尼管的 三极管
主要在电视机的行输出级电路中作为行输出三极管， 它将阻尼二极管和电阻封装在管壳内
PNP型三极管
硅三极管 锗三极管 PNP型硅管
按极性和 材料组合 划分
按工作频 率划分
三极管命名及使用
管 B 材料
G 3MHz,PC＜1W）
C NPN 型锗 D 高 频 小 功 率 管 （ fT ≥
D 材料
A 3MHz,PC＜1W）
E PNP 型硅 U 低频大功率（fT≤3MHz,PC
材料
K ≥1W）
NPN 型硅
高频大功率（fT≥3MHz,PC
材料
≥1W）
化合物材
光电器件
料
开关管
I 可控整流器 Y 体效应器件 B 雪崩管 J 阶跃恢复管
表 2-18 欧洲半导体器件命名法
第一部分 用字母表示 器件使用的 材料 符 意义 号
A 锗材 料
B 硅材 料
C 砷化 镓
D 锑化 铟
R 复合 材料
第二部分 用字母表示器件的类型及主要特性
符意义
符意 义
号
号
检波二极管、
A 开关二极管、 P 混频二极管
光敏器件
B 变容二极管 Q 发光器件
C 低频小功率三 R 小功率可
CS 场效应器件 BT 半导体特殊器件 FH 复合管 PIN PIN 型管 JG 激光器件
例如 3AD50C 表示低频大功率 PNP 型锗管；3DG6E 表示高频小功率 NPN 型硅管。
2.2 美国半导体器件命名法
根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表 2-16 所示。
表 2-16 美国半导体器件型号的命名法
第四部分 用 2～3 位数字 表示器件登记 顺序号
第五部分 用拉丁字母表 示同一种型号 器件的改进型
例如 2SA53 表示高频 PNP 型三极管，1S92 表示半导体二极管。
2.4 欧洲半导体器件命名法
由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法，故他们大都使用国际电
三极管ppt课件完整版
常见故障现象及诊断方法
诊断方法
测量三极管的耐压值是否降低，观察电路是否有过载现象，若确认 损坏则更换三极管。
故障现象3
三极管漏电流过大。
诊断方法
测量三极管的漏电流是否超过规定值，若过大则检查电路是否存在漏 电现象，并更换三极管。
常见故障现象及诊断方法
故障现象4
三极管热稳定性差。
诊断方法
检查三极管的散热条件是否良好，测量其热稳定性参数是否在规定范围内，若异常则改善散热条件或 更换适合的三极管型号。
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
共基放大电路的特点是输入回路与输出回路共用一个电极，即基极。输入信号加在三极管的发射极和基极之间， 输出信号从集电极取出。由于共基放大电路的输入阻抗低，输出阻抗高，因此具有电压放大倍数大、频带宽等优 点。
共集放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源 。
真加剧。而截止频率则限制了三极管能够放大的信号频率范围。
03
三极管基本放大电路分析
共射放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
利用三极管的电流放大作用，将输入信号放大并输出。输入信号加在三极管的基 极和发射极之间，输出信号从集电极取出，经过耦合电容与负载相连。
共基放大电路组成及工作原理
偏置电路类型及其作用
固定偏置电路
01
提供稳定的基极电流，使三极管工作在放大区。
分压式偏置电路
02
通过电阻分压为基极提供合适的偏置电压，使三极管具有稳定
的静态工作点。
集电极-基极偏置电路
03
利用集电极电阻的压降为基极提供偏置电压，适用于某些特殊
三极管 教学 ppt课件
（2）当IB>IBS时，三极管处于饱和状态
3、当只有IC已知时：
（1）当UCE=UCC-ICRC>UCES时，三极管处于放大状态
（2）当0<UCE≤UCES时，三极管处于饱和状态
ppt课件
25
三极管状态电流判断条件说明
思考：射极加上电阻后的IBS变化吗？如变化如何变化？
射极无电阻时：
Rb Ubb
c b UCE
2. 工作于截止状态的半导体三极管
工作状态
放大 截止 饱和 倒置
发射结电压
正向 反向 正向 反向
集电结电压
反向 反向 正向 正向
• 由放大状态进入截止状态 的临界情况是发射结电压 为零，此时基区的反向电 流分别流入发射极和集电 极。
ppt课件
11
3. 工作于饱和状态的半导体三极管
工作状态
放大 截止 饱和 倒置
+VCC
例1-5 NPN: (3)2V, 5V, 1V
5V
1V NPN 2V
ppt课件
19
由引脚电压判断三极管管脚和工作状态
工作状态
放大 截止 饱和
发射结电压
正向 反向 正向
集电结电压
反向 反向 正向
1、无正向导通电压的处在截止状态 2、根据三个电位的集中程度判断是否饱和 例1-5 NPN: (1) 1V,0.3V,3V (2) 0.3V,0.3V,1V (3)2V,5V,1V
3、如果饱和则先判断基极，再判断集电极和发射极 例1-5 NPN:(2) 0.3V,0.3V,1V PNP: (1) -0.2V,0V,0V
NPN: 0.35V,0.3V,1V
+VCC PNP: -0.2V,0V,-0.05V
三极管PPT课件
所发出的功率 为：
IC ICM
PC =ICUCE
• 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。
PCPCM
安全工作区
ICUCE=PCM
U(BR)CEO
UCE
(1-18)
1.3.5三极管的识别和简单测试
用万用表 R ×100或R×1K电阻档测试。 (1) 找基极。 (2) 判管型。 (3) 找集电极、发射极。
___
IC IB
1.5 0.04
37.5
IC 2.3 1.5 40
IB 0.06 0.04
在以后的计算中，一般作近似处理： =
(1-14)
2.集-基极反向截止电流ICBO
ICBO A
ICBO是集 电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流，受温 度的变化 影响。
(1-15)
3. 集-射极反向截止电流ICEO
UCE =0.5V
UCE=0V IB(A) 80
UCE 1V
60
死区电 压，硅管
40
0.5V，锗 20
管0.1V。
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗管 UBE0.2~0.3V。
0.4 0.8 UBE(V)
(1-8)
二、输出特性
此区域满4 足IC=IB 称为线性3 区（放大 区）。 2
IC(mA )
第1－3节 三极管
(1-1)
1.3 半导体三极管
1.3.1 基本结构
C NPN型
集电极
集电极 C PNP型
N
B
P
基极
N
P
B
N
基极
P
E
发射极
E
发射极
(1-2)
集电区： 面积较大
IC ICM
PC =ICUCE
• 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。
PCPCM
安全工作区
ICUCE=PCM
U(BR)CEO
UCE
(1-18)
1.3.5三极管的识别和简单测试
用万用表 R ×100或R×1K电阻档测试。 (1) 找基极。 (2) 判管型。 (3) 找集电极、发射极。
___
IC IB
1.5 0.04
37.5
IC 2.3 1.5 40
IB 0.06 0.04
在以后的计算中，一般作近似处理： =
(1-14)
2.集-基极反向截止电流ICBO
ICBO A
ICBO是集 电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流，受温 度的变化 影响。
(1-15)
3. 集-射极反向截止电流ICEO
UCE =0.5V
UCE=0V IB(A) 80
UCE 1V
60
死区电 压，硅管
40
0.5V，锗 20
管0.1V。
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗管 UBE0.2~0.3V。
0.4 0.8 UBE(V)
(1-8)
二、输出特性
此区域满4 足IC=IB 称为线性3 区（放大 区）。 2
IC(mA )
第1－3节 三极管
(1-1)
1.3 半导体三极管
1.3.1 基本结构
C NPN型
集电极
集电极 C PNP型
N
B
P
基极
N
P
B
N
基极
P
E
发射极
E
发射极
(1-2)
集电区： 面积较大
2024版15三极管ppt课件(完整)pptx
输入信号加在基极与发射极之间， 输出信号从集电极取出。当输入 信号为正弦波时，输出信号也是 正弦波，但幅度被放大，相位与
输入信号相反。
放大倍数
共射放大电路的放大倍数主要由 三极管的β值决定，同时受输入 电阻、输出电阻和电源电压等因
素的影响。
2024/1/26
13
共基放大电路组成及工作原理
2024/1/26
2024/1/26
7
02
三极管主要参数及性能指标
2024/1/26
8
直流参数
2024/1/26
共射直流电流放大系数B
01
反映三极管对直流信号的放大能力，是三极管最重要的参数之
一。
共基直流电流放大系数α
02
反映三极管在共基极接法下对直流信号的放大能力。
极间反向电流ICBO和ICEO
03
反映三极管的漏电流大小，是三极管质量的重要指标。
考虑温度对偏置电阻的影响
温度变化会影响偏置电阻的阻值，因此在选取偏置电阻时应考虑其 温度系数。
18
偏置电路稳定性提高措施
2024/1/26
采用负反馈电路
通过引入负反馈电路，可以减小三极管静态工作点的漂移，提高 偏置电路的稳定性。
采用温度补偿电路
通过引入温度补偿电路，可以减小温度变化对三极管静态工作点的 影响，提高偏置电路的稳定性。
偏置电路
性能测试
设置合适的偏置电路，使三极管工作在放大 区，避免进入饱和或截止状态。
2024/1/26
对音频放大器进行性能测试，包括频率响应、 失真度、输出功率等指标，确保满足设计要 求。
31
THANKS
感谢观看
2024/1/26
32
输入信号相反。
放大倍数
共射放大电路的放大倍数主要由 三极管的β值决定，同时受输入 电阻、输出电阻和电源电压等因
素的影响。
2024/1/26
13
共基放大电路组成及工作原理
2024/1/26
2024/1/26
7
02
三极管主要参数及性能指标
2024/1/26
8
直流参数
2024/1/26
共射直流电流放大系数B
01
反映三极管对直流信号的放大能力，是三极管最重要的参数之
一。
共基直流电流放大系数α
02
反映三极管在共基极接法下对直流信号的放大能力。
极间反向电流ICBO和ICEO
03
反映三极管的漏电流大小，是三极管质量的重要指标。
考虑温度对偏置电阻的影响
温度变化会影响偏置电阻的阻值，因此在选取偏置电阻时应考虑其 温度系数。
18
偏置电路稳定性提高措施
2024/1/26
采用负反馈电路
通过引入负反馈电路，可以减小三极管静态工作点的漂移，提高 偏置电路的稳定性。
采用温度补偿电路
通过引入温度补偿电路，可以减小温度变化对三极管静态工作点的 影响，提高偏置电路的稳定性。
偏置电路
性能测试
设置合适的偏置电路，使三极管工作在放大 区，避免进入饱和或截止状态。
2024/1/26
对音频放大器进行性能测试，包括频率响应、 失真度、输出功率等指标，确保满足设计要 求。
31
THANKS
感谢观看
2024/1/26
32
三极管的识别PPT课件
3DG12B NPN高频小功率硅三极管
3AD PNP低频大功率锗三极管
20
3DD6 NPN低频大功率硅三极管
3DK NPN硅开关三极管
3AX31 PNP低频小功率锗三极管
3CG PNP高频小功率硅三极管
表示IB控制IC的能力越强， IC/IB的比值我们用表示。
IC IB
值即为电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管
放大能力。
值越大，表示我晶体管的放大能量越强~
2021/3/12
13
2. 穿透电流（ ICEO）
穿透电流（ ICEO ）是指三极管基极（b）开路时集电极（c） 与发射极（e）之间的反向电流（也叫c-e两极间的漏电电流）。
三极管的符号：
文字符号： VT
在电路中的符号：
c
c
b
b
2021/3/12
e
PNP型管
9
e
NPN型管
电源接法
c
iC
iB
VBB
VCC
iE
e
NPN型
b
iB
VBB
c
iC
VCC
iE
e
PNP型
1.电源极性不同 2.电流方向不同
2021/3/12
NPN，VC>VB>VE
PNP，VC<VB<VE NPN型电流从集电极流向发射极 PNP型电10 流从发射极流向集电极
晶体三极管
任务一、认识晶体三极管 任务二、晶体三极管的特性参数 任务三、晶体三极管的分类与命名 任务四、晶体三极管的检测
任务一: 认识晶体三极管
神奇的三极管
如图1所示是一个扩音器的示意图：
声音信号转换为电信号 声音