半导体器件物理(第二版)第二章答案
半导体物理学-微电子器件基础-第二章习题解答

2.2 As(砷)是5价元素,将其掺杂到半导体锗晶体中,砷占据格点位置, (替位式杂质),砷的4个价电子与最近邻4个锗原子形成共价键,剩 余1个价电子受到砷离子(除该价电子以外形成的砷离子)的轻微束缚, 只要比较小的能量就可以摆脱束缚(电离),成为自由电子,表现出 施主性,掺入一定浓度的砷杂质,使半导体锗的导带电子浓度大大增 加,远大于价带空穴浓度,使半导体成为N型半导体。
第二章 习题解答参考
2.1 理想半导体是一种模型,是研究的出发点。在绝对零度下,理想半导体的 导带为空(没有电子),价带为满带(没有空穴),所以没有载流子。 实际半导体与理想半导体的主要区别是: 1、在一定温度下,半导体格点原子不是静止在平衡位置上,而是围绕其 平衡位置振动,热统计涨落使部分原子迁移,形成空位、间隙基质原子等 本征缺陷。理想半导体忽略本征缺陷。 2、实际半导体总存在一定种类、一定量的杂质。而理想半导体忽略杂质 存在。 3、实际半导体中存在各种缺陷(空位、间隙原子、位错、层错等),而 理想半导体忽略缺陷存在。
Ge As
锗晶体中砷杂质性质的能带图表示,
释放到导带的电子
Ec
ED Ec ED 束缚电子
施主电离
砷离子 + +
ED 施主能级
Ei
E
2.5 施主杂质和受主杂质在提供有效载流子方面具有的相互抵消作用的 性质称为杂质补偿。实际半导体的导电类型、载流子(导带电子、价带 空穴)浓度由杂质补偿决定,半导体的特性参数(迁移率、寿命等)与 杂质补偿存在密切关系。杂质补偿是制作各种半导体器件的基础。
A、弱补偿 N D N A
Ec ED
EA
导带电子浓度,
施主释放的电子填满
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
施敏-课后习题答案2

ni (9.65 10 ) n p 5 1015 1.86 10 4 cm 3
1 qp p
2
9 2
1 1.6 10 19 5 1015 350 3.57cm
(c) 51015硼原子/cm3、1017砷原子/cm3及1017镓 原子/cm3
(a) q
a q kT n N 0 exp( ax) q a kT n N 0 exp( ax ) a kT n N D q n N D a kT q
注,可用题十中的公式:
kT dN D ( x) 1 E(x) q N ( x) dx D
4 4 22 3 2 . 2 10 cm a 3 (5.65 108 )3
密度 = 每立方厘米中的原子数× 原子量/阿伏伽德罗常数
(69.72 74.92) 3 2.2 10 g / cm 23 6.02 10
22
2.2 144.64 g / cm 3 60.2
解:在能量为dE范围内单位体积的电子数N(E)F(E)dE, 而导带中每个电子的动能为E-Ec 所以导带中单位体积电子总动能为
Ec
( E Ec ) N ( E ) F ( E )dE
N ( E ) F ( E )dE
而导带单位体积总的电子数为
Ec
导带中电子平均动能:
Ec
( E Ec ) N ( E ) F ( E )dE
Slr vth p N st 107 2 1016 1010 20cm / s
半导体器件物理 习题答案
第二章
热平衡时的能带和载流子浓度
《半导体物理》习题答案第二章

补充 1、在硅晶体的深能级图中添加铒 (Er)、钐 (Sm)、钕(Nd)及缺陷深中心(双空位、E 中心、A
第2章
中心)的能级。 (略) 补充 2、参照上列 GaN 中常见杂质及缺陷的电离能参数表(或参考书表 2-4)回答下列问题: 1)表中哪些杂质属于双性杂质? 2)表中还有哪些杂质可能跟这些杂质一样起双重作用,未发现其双重作用的可能原因是什 么? 3)Mg 在 GaN 中起施主作用的电离能为什么比 Si、C 施主的电离能大,且有两个不同值? 4)Ga 取 N 位属何种缺陷,有可能产生几条何种能级,其他能级观察不到的可能原因是什 么? 5)还能不能对此表提出其他问题?试提出并解答之。 答:1)按表中所列,Si、C、Mg 皆既为施主亦为受主,因而是双性杂质。 2)既然 II 族元素 Mg 在 N 位时能以不同电离能 0.26eV 和 0.6eV 先后释放其两个价电子,那么 表中与 Mg 同属 II 族元素的 Be、Zn、Cd、Hg 似也有可能具有类似能力,I 族元素 Li 更有可能在 N 位上释放其唯一的外层电子而起施主作用。现未发现这些杂质的施主能级,原因可能是这些元素释 放一个电子的电离能过大,相应的能级已进入价带之中。 3)Mg 在 GaN 中起施主作用时占据的是 N 位,因其外层电子数 2 比被其置换的 N 原子少很多, 因此它有可能释放其价电子,但这些电子已为其与最近邻 Ga 原子所共有,所受之约束比 Si、C 原子 取代 Ga 原子后多余的一个电子所受之约束大得多,因此其电离能较大。当其释放了第一个电子之后 就成为带正电的 Mg 离子,其第二个价电子不仅受共价环境的约束,还受 Mg 离子的约束,其电离能 更大,因此 Mg 代 N 位产生两条深施主能级。 4)Ga 取 N 位属反位缺陷,因比其替代的 N 原子少两个电子,所以有可能产生两条受主能级, 目前只观察到一条范围在价带顶以上 0.59eV1.09eV 的受主能级, 另一能级观察不到的原因可能是其 二重电离(接受第二个共价电子)的电离能太大,相应的能级已进入导带之中。 (不过,表中所列数 据变化范围太大,不合情理,怀疑符号有误,待查。 ) 5)其他问题例如: 为什么 C 比 Si 的电离能高?答:因为 C 比 Si 的电负性强。 Li 代 Ga 位应该有几条受主能级?答:Li 比 Ga 少两个价电子,应该有两条受主能级。 ……….
半导体器件基础习题答案(完美版)

p n ND N A n / 2 n ND 0 N D n / 2 ni / 2 0.707 1013 / cm 3
2.17 Q: 求在下列条件下,均匀掺杂硅样品中平衡状态的空穴和电子浓度: 1. T 300K , N A N D , N D 1015 / cm3 A: T 300 K , ni 1010 / cm 3
可认为是本征半导体 n p ni 1016 / cm 3
2.21 Q:编写计算机程序, 画出类似图 2.21 的 Ef-Ei 与 NA 或 ND 的变量关系。
(注:本题及以下相关题目的 matlab 程序不是标准答案,仅供参考! )
1062109053 杨旭一整理 (仅供参考)
3
gv ( E )[1 f ( E )]
f (E)
1 1 e
( E E F ) / kT
e ( E EF ) / kT , E EF 3kT
gc (E) f (E)
* * mn 2mn ( E Ec ) ( E EF ) / kT e 2 3 * * mn 2mn 2 3
1062109053 杨旭一整理 (仅供参考) 2
半导体器件习题答案
(e) Q: 非简并锗样品,在平衡条件下温度保持在接近室温时,已知: ni 1013 / cm3 , n 2 p, N A 0 求 n 和 ND A: 由非简并,得 n 2 np n 2 / 2 n 2n 1.414 1013 / cm3
(f) 温度趋向于 0 K 时,受主对多数载流子空穴的冻结 (g) 在不同能带上载流子的能量分布 (h) 本征半导体
(i) n 型半导体
(j) p 型半导体
半导体第二章习题解析

等m效0玻尔半径
(Ge: ,Si:
)试,计基r 算质16G相e对r,S价i浅h电施q2常2r主rm数n*0的12束缚
2-2
硅中掺入某种施主杂质,设其电子有效质
量 mn* ,0计.2算6m电0 离能为多少?若
,其电
离能又m为n* 多 0少.4?m0这两种值中哪一种更接近实验值?
解答:利用类氢原子模型:
E Di
mn* m0
E0
2 r
E0 13.6eV , 对Si : r 12
mn*
0.26m0 , Eni
第二章
PowerPoint2003
《半导体物理》第二章
2-1 2-2 2-3 2-4 2-5 2-5(2)
2-6 2-6(2) 2-7 2-8 2-8(2)
2-1
掺入锗,硅晶体中的杂质通常有磷,铟,锑,硼, 砷,铝,镓,铋,
其中哪些是施主杂质? 哪些是受主杂质?
解答:
磷,砷,铋,锑为Ⅴ族元素,为施主杂质 硼,铝,镓,铟为Ⅲ族元素,为受主杂质。
解答: 施主能级和受主能级分别以D和A表示: 如下图:
硅晶体中(eV)
锗晶体中(eV)
类型
Au D A
Ag D A
Cu A Fe D Zn A Cd A Ni A
位置
类型
EV 0.35
D
EC 0.54
A
EV 0.32
A
EC 0.29
A EV 0.24, EV 0.37, EV 0.52
E1
a
Z
2 e ff
25 128
5 4
Z eff
E2
aZ
2 eff
将 E2 0.055 2.475 2 0.3365 eV EAi2
半导体器件物理(第二版)第二章答案

2—1.P N +结空间电荷区边界分别为p x -和n x ,利用2T V Vi np n e =导出)(n n x p 表达式。
给出N 区空穴为小注入和大注入两种情况下的)(n n x p 表达式.解:在n x x =处 ()()⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧⎪⎭⎫ ⎝⎛-=⎪⎭⎫⎝⎛-=KT E E n x n KT E E n x p i Fn in n FP i i nn exp exp()()VT V i Fp Fn i n n n n e n KT E E n x n x p 22exp =⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-= 而()()()000n n n n nn n n n n n n p x p p p n x n n n p x =+∆≈∆=+∆=+ (n n n p ∆=∆)()()TTV V in n n V V in n n en p n p e n n n p 2020=∆+⇒=∆+2001TV V n i n n n p n p e n n ⎛⎫⇒+=⎪⎝⎭ T V V 22n n0n i p +n p -n e =0n p =(此为一般结果) 小注入:(0n n n p <<∆)T T V V n V V n i n e p e n n p 002== ()002n n i p n n =大注入: 0n n n p >>∆ 且 n n p p ∆= 所以 TV V inen p 22=或 TV Vi n en p 2=2-2.热平衡时净电子电流或净空穴电流为零,用此方法推导方程20lni ad T p n n N N V =-=ψψψ。
解:净电子电流为()n nn nI qA D n xμε∂=+∂ 处于热平衡时,I n =0 ,又因为 d dxψε=-所以nn d n n D dx x ψμ∂=∂,又因为n T nDV μ=(爱因斯坦关系) 所以dn nV d T=ψ, 从作积分,则2002ln ln ln ln ln i a d n p T n T po T d T T a in N NV n V n V N V V N n ψψψ=-=-=-=2-3.根据修正欧姆定律和空穴扩散电流公式证明,在外加正向偏压V 作用下,PN 结N 侧空穴扩散区准费米能级的改变量为qV E FP =∆。
施敏-课后习题答案

exp(ax)
aq
kT q
n N0
exp(ax)
a kTn N0 exp(ax)
a kTn N D qn N D
akT q
注,可用题十中的公式:
E(x)
kT q
1 N D (x)
dN D (x) dx
(b) E(x) a kT 1106 0.026 260V / cm q
(1) 低温情况(77K)
由于低温时,热能不 足以电离施主杂质,大部 分电子仍留在施主能级, 从而使费米能级很接近施 主能级,并且在施主能级 之上。(此时,本征载流 子浓度远小于施主浓度)
EF
EC
ED 2
kT 2
ln
ND NC
0.027
0.022
0.005eV
(2) 常温情况(T=300K)
n
ni 2 p
(9.65109 )2 5 1015
1.86104 cm3
1 qp p
1 1.6 1019 5 1015 150 8.33cm
8. 给定一个未知掺杂的硅晶样品,霍耳测量提供了以下的 信息:W = 0.05 cm,A = 1.610-3 cm2(参考图3.8),I = 2.5 mA,且磁场为30T(1特斯拉(T)= 10-4 Wb/cm2)。若 测量出的霍耳电压为 +10 mV,求半导体样品的霍耳系数、 导体型态、多数载流子浓度、电阻率及迁移率。
因为霍耳电压为正的,所以该样品为p型半导体(空穴导电)
多子浓度:
p
IBZW qVH A
2.5103 30104 0.05 1.61019 10103 1.6103
半导体器件物理(第二版)第二章答案解析

半导体器件物理(第⼆版)第⼆章答案解析2-1.P N +结空间电荷区边界分别为p x -和n x ,利⽤2TV V i np n e=导出)(n n x p 表达式。
给出N 区空⽳为⼩注⼊和⼤注⼊两种情况下的)(n n x p 表达式。
解:在n x x =处 ()()??-=??-=KT E E n x n KT E E n x p i Fn in n FP i i nn exp exp()()VT V i Fp Fn i n n n n e n KT E E n x n x p 22exp =-= ⽽()()()000n n n n nn n n n n n n p x p p p n x n n n p x =+?≈?=+?=+ (n n n p ?=?)()()TTV Vin n n V V in n n en p n p e n n n p 2020=?+?=?+2001TV V n i n n n p n p e n n +=T V V 22n n0n i p +n p -n e =0n p =(此为⼀般结果)⼩注⼊:(0n n n p <2== ()002n n i p n n =⼤注⼊: 0n n n p >>? 且 n n p p ?= 所以 TV V ine n p 22=或 TV Vi n en p 2=2-2.热平衡时净电⼦电流或净空⽳电流为零,⽤此⽅法推导⽅程20lniad T p n n N N V =-=ψψψ。
解:净电⼦电流为()n nn nI qA D n xµε?=+?处于热平衡时,I n =0 ,⼜因为d dxψε=-所以nnd nn D dx xψµ?=?,⼜因为n T n D V µ=(爱因斯坦关系)所以dn nV d T=ψ,从作积分,则2002ln ln ln ln ln i a d n p T n T po T d T T a in N NV n V n V N V V N n ψψψ=-=-=-=2-3.根据修正欧姆定律和空⽳扩散电流公式证明,在外加正向偏压V 作⽤下,PN 结N 侧空⽳扩散区准费⽶能级的改变量为qV E FP =?。
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2-1.P N +结空间电荷区边界分别为p x -和n x ,利用2TV V i np n e=导出)(n n x p 表达式。
给出N 区空穴为小注入和大注入两种情况下的)(n n x p 表达式。
解:在n x x =处 ()()⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧⎪⎭⎫ ⎝⎛-=⎪⎭⎫⎝⎛-=KT E E n x n KT E E n x p i Fn in n FP i i nn exp exp()()VT V i Fp Fn i n n n n e n KT E E n x n x p 22exp =⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-= 而()()()000n n n n nn n n n n n n p x p p p n x n n n p x =+∆≈∆=+∆=+ (n n n p ∆=∆)()()TTV Vin n n V V in n n en p n p e n n n p 2020=∆+⇒=∆+2001TV V n i n n n p n p e n n ⎛⎫⇒+=⎪⎝⎭ T V V 22n n0n i p +n p -n e =0n p =(此为一般结果)小注入:(0n n n p <<∆)T TV V n V V n i n e p e n n p 002== ()002n n i p n n =大注入: 0n n n p >>∆ 且 n n p p ∆= 所以 TV V inen p 22=或 TV Vi n en p 2=2-2.热平衡时净电子电流或净空穴电流为零,用此方法推导方程20lni ad T p n n N N V =-=ψψψ。
解:净电子电流为()n nn nI qA D n xμε∂=+∂ 处于热平衡时,I n =0 ,又因为 d dxψε=-所以nnd nn D dx xψμ∂=∂,又因为n T n D V μ=(爱因斯坦关系) 所以dn nV d T=ψ, 从作积分,则2002ln ln ln ln ln i a d n p T n T po T d T T a in N NV n V n V N V V N n ψψψ=-=-=-=2-3.根据修正欧姆定律和空穴扩散电流公式证明,在外加正向偏压V 作用下,PN 结N 侧空穴扩散区准费米能级的改变量为qV E FP =∆。
证明:n P PdP J qD (1)dx=-P P P FP P d J (x)dxdE P(2)dxϕσμ=-=(1)(2)=FP P nP n nTn dE qD dP dx P dxdP 1qV P dxμ-==-从12x x →积分:n 2n 1P (x )FP T nP (x )E qV ln P ∆=-将Tn 2n0V /V 1n0P (x )P Pn(x )P e=⎧⎪⎨=⎪⎩代入 得FP E qV ∆=2-4. 硅突变结二极管的掺杂浓度为:31510-=cm N d ,320104-⨯=cm N a ,在室温下计算:(a )自建电势(b )耗尽层宽度 (c )零偏压下的最大内建电场。
解:(a )自建电势为V n N N V i d a T p n 913.01025.210410ln 026.0ln 20201520=⨯⨯⨯==-=ψψψ (b )耗尽层宽度为14114002219152211.88.854100.913()() 1.09101.61010n d k W x cm qN εψ---⨯⨯⨯⨯====⨯⨯⨯ (с) 零偏压下最大内建电场为191544140 1.61010 1.0910 1.6710V/cm 11.88.85410d n m qN x k εε---⨯⨯⨯⨯=-=-=⨯⨯⨯2–5.若突变结两边的掺杂浓度为同一数量级,则自建电势和耗尽层宽度可用下式表示)(2)(020d a p n d a N N K x x N qN ++=εψ ⎥⎦⎤⎢⎣⎡+=)(200d aa a n N N qN N K x ψε2100)(2⎥⎦⎤⎢⎣⎡+=d aa d p N N qN N K x ψε试推导这些表示式。
解:由泊松方程得:()()220220p an dd x qN dxk d x qN dx k ψεψε⎧=⎪⎪⎨⎪=-⎪⎩()()n p x x x x ≤≤≤≤-00积分一次得()()12p an d d x qN x c dxk d x qNx c dx k ψεψε=+=-+()()n px x x x≤≤≤≤-00由边界条件()()00pn p x x n x x d x dx d x dx ψψ=-=⎧=⎪⎪⎪⎨⎪=⎪⎪⎩⇒1020a p d nqN c x k qN c x k εε⎧=⎪⎪⎪⎨⎪⎪=⎪⎩所以()()()()00p ap n d n d x qN x x dxk d x qN x xdx k ψεψε⎧=+⎪⎪⎨⎪=--⎪⎩()()n p x x x x ≤≤≤≤-00 再积分一次得()()()()21022022a p p d n n qN x x x D k qN x x x D k ψεψε⎧=++⎪⎪⎨⎪=--+⎪⎩()()n p x x o x x ≤≤≤≤-0令 ()()00p p n n x x ψψψ⎧-=⎪⎨=⎪⎩得:10D = , 20D ψ=于是()()()()2020022a p p d nn qN x x x k qN x x x k ψεψψε⎧=+⎪⎪⎨⎪=--+⎪⎩()()n p x x o x x ≤≤≤≤-0再由电势的连续性,当x =0时 , ()()00p n ψψ=: 所以 ()22002a p d n q N x N x k ψε=+ 再由 ⎪⎩⎪⎨⎧=+=n d pa np x N x N x x W 得⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧+=+=d a d p da a n N N W N x N N W N x故 ()()()22222020022a d n p a dd a a d a d qN N x x N N W N N W q k k N N N N ψεε⎡⎤++==⎢⎥++⎢⎥⎣⎦将 p a n dx N x N =代入上式,得()12002d p a a d k N x qN N N εψ⎡⎤=⎢⎥+⎣⎦ ()12002a n d ad k N x qN N N ψε⎡⎤=⎢⎥+⎣⎦2–6.推导出线性缓变PN 结的下列表示式:(a )电场(b )电势分布(c )耗尽层宽度(d )自建电势。
解:在线性缓变结中,耗尽层内空间电荷分布可表示为 N d -N a =ax a 为杂质浓度斜率设 2W x x p n == 由泊松方程得 22d qax dx k ψε=- 积分为22d qa x A dx k ψε=-+ 当 2Wx ±=时 ε=0, 即20W x d dxψ=±= ⇒ 028εk qaW A =所以()22048d qax W dx k ψε=-- ()()2222max 0448qa x W x W k εεε=-=- 且max 08qak εε= 对d dxψ式再积分一次得 320483qa x W x B k ψε⎛⎫=--+ ⎪⎝⎭33320003332000481624481624W n x W x qaW qaW qaW B Bk k k qaW qaW qaW B B k k k ψεεεψεεε==⎧=-++=+⎪⎪⎪⎨⎪⎪=-+=-+⎪⎩⇒ 30012n p qaWk ψψψε=-=⇒310012⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=qa k W ϕε 因为 02ln ln ln a d a aT T i i i N N N N V V n n n ψ⎛⎫==+ ⎪⎝⎭当 2W x x n ==时 , a W N ax N N d a d 2=⇒=- 当 2W x x p -=-=时 , 2WN a =故2202ln 2ln 42T Ti ia W aWV V n n ψ== 2-7.推导出N N +结(常称为高低结)内建电势表达式。
解:+N N 结中两边掺杂浓度不同(d1d2N >N ),于是+N 区中电子向N 区扩散,在结附近+N 区形成+d N ,N 区出现多余的电子。
二种电荷构成空间电荷,热平衡时:d1n1T 2i N =V lnn ψ d2n2T 2i N =V ln n ψ n1n2>ψψ令0n1n2ψψψ≡- 则d10T d2N V lnN ψ= 0ψ即空间电荷区两侧电势差。
2-8.(a )绘出图2-6a 中31410-=cm N BC 的扩散结的杂质分布和耗尽层的草图。
解释为何耗尽层的宽度和R V 的关系曲线与单边突变结的情况相符。
(b )对于31810-=cm N m 的情况,重复(a )并证明这样的结在小R V 的行为像线性结,在大R V 时像突变结。
2-9. 对于图2-6(b )的情况,重复习题2-8。
2–10.(a )PN 结的空穴注射效率定义为在0=x处的0/I I p ,证明此效率可写成np p n p L L II σσγ/11+==(b )在实际的二极管中怎样才能使γ接近1。
证明(a ):()⎥⎦⎤⎢⎣⎡-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=1exp 0Tpn p n p V VL p qAD x I ⎥⎦⎤⎢⎣⎡-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=1exp 0Tpno p n p n V VL p qAD L n qAD I0011p n p p p n n I In L p L γμμ==+而q n n p n μσ0=,q p p n p μσ0=所以np p n p L L II σσγ+==11(b )1→γ则1n pn pp n p nL L L L σσσσ⇒因为 p T p p p p V D L τμτ==,n T n n n n V D L τμτ==而 q n n p n μσ0=,q p p n p μσ0=,p n ττ≈所以 即 0p n n p n p μμ所以 00p n n p ,即d a N N ,即 受主杂质浓度远大与施主杂质浓度。
2-11.长PN 结二极管处于反偏压状态,求:(1)解扩散方程求少子分布)(x n p 和)(x p n ,并画出它们的分布示意图。
(2)计算扩散区内少子贮存电荷。
(3)证明反向电流0I I -=为PN 结扩散区内的载流子产生电流。
解:(1)n n x x w ≤≤2n n0n p 2pp p d p D 0dx τ--=其解为pp-x L x L n n012p -p =K e +K e(1)边界条件:n n n n n0x =x , p =0x =w ,p -p =0⎧⎨⎩有 px L n n012p -p K e (K 0)-==n p-x L n01-p =K e将n px L 1n0K =-p e代入(1):n p-(x-x )L n n0n0p -p =-p e(2)此即少子空穴分布。