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《传感器技术》作业（3）

一、填空题

1.导体在磁场中运动切割磁力线，导体两端会出现感应电动势E，闭合导体回路中感应电动势e=-N；当线圈垂直于磁场方向切割磁力线时，感应电动势e=-NBlv；若线圈以角速度ω转动，、则感应电动势e=-NBSω。

2.只要线圈磁通量发生变化，就有感应电动势产生，其实现的主要方法有线圈与磁场发生相对运动，磁路中磁阻变化，恒定磁场中线圈面积变化。当传感器结构参数确定后，感应电动势e与线圈相对磁场的运动速度v或ω成正比。所以，可用磁电式传感器测量线速度和角速度，对测得的速度进行积分或微分就可求出位移和加速度。

3.磁电式传感器直接从被测物体吸收机械能并转换成电信号输出，且输出功率大，性能稳定，它的工作不需要电源，调理电路非常简单，由于磁电式传感器通常具有较高的灵敏度，所以一般不需要高增益放大器，适用于振动、转速、扭矩的测量。

4.电磁流量传感器的结构如图6-8所示，传感器安装在工艺管道中，当导电流体沿测量管在磁场中与磁力线成垂直方向运动时，导电流体切割磁力线而产生感应电动势E=BD，其中B是磁感应强度，是平均流速，D是距离，常与测量管内径相等。流经测量管流体的瞬时流量Q与流速的关系为Q=а=。

5.在如图6-9所示的金属或半导体薄片两端通以控制电流I，在与薄片垂直方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在垂直于电流和磁场方向的薄片的另两侧会产生大小正比于控制电流I和磁感应强度B的现象，这一现象称为霍尔效应，利用霍尔效应制成的传感元件称霍尔传感器。在薄片两侧之间建立的电场E，称为霍尔电场，相应的电势U称为霍尔电势。霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛仑磁力作用的结果。

6.霍尔电势U==KHIB，其中R是霍尔系数（m3/c）、I是控制电流（A）、B是磁感应强度（T）、d是半导体薄片厚度（M）、KH是灵敏度系数，R=，其中为载流体的电阻率，为载流子的迁移率，半导体材料（尤其是N型半导体）电阻率较大，载流子迁移率很高，因而可以获得很大的霍尔系数，适于制造霍尔传感器。

7.霍尔电势的大小正比于控制电流I和磁感应强度B，灵敏度k表示在单位磁感应强度和单位控制电流时输出霍尔电势的大小，一般要求越大越好，元件的厚度d越薄，k越大，所以霍尔元件的厚度都很薄。当载流材料和几何尺寸确定后，霍尔电势的大小只和I和B有关，因此霍尔传感器可用来探测磁场和电流，由此可测量压力、振动等。

8.霍尔元件的输出与灵敏度有关，灵敏度系数k越大，输出U越大。灵敏度系数的大小，取决于元件的材料和几何尺寸，材料的和越大，霍尔系数R越大，输出的U越大，为了提高霍尔灵敏度，要求材料的R尽可能的大。元件的厚度d越小，k越大，U也越大，所以霍尔元件的厚度要小，但太小会使元件的输入、输出电阻增加。

9.当霍尔元件的控制电流采用交流时，由于建立霍尔电势所需时间很短，因此交流电频率可高达几千兆赫，且信噪比较大。当磁场为交变，电流为直流时，由于交变磁场在导体内产生涡流而输出附加霍尔电势，所以霍尔元件不能在交变频率为几千赫的磁场中工作。

10.对霍尔元件可采用恒流驱动或恒压驱动；恒压驱动电路简单，但性能较差，随着磁感应强度增加，线性变坏，仅用于精度要求不太高的场合；恒流驱动线性度高，精度高，受温度影响小。

11.霍尔元件对温度的变化很敏感，霍尔元件的输入电阻、输出电阻、霍尔电势等都会随温度变化，这将给测量带来较大的误差。为了减小由于温度影响带来的测量误差，除选用温度系数小的元件或采取恒温措施外，还可以采用恒流源、利用输入回路串、并电阻、利用输出回路的负载、利用热敏电阻等方法进行补偿。

12.以霍尔元件做探头的特斯拉计（或高斯计、磁强计）可用来测量磁场，锗和砷化镓器件的霍尔电势温度系数小，线性范围大，适用于做测量磁场的探头，把探头放在待测磁场中，探头的磁敏感面与磁场方向垂直，控制电流恒定，则霍尔输出电势UH正比于磁场B，故可以利用它来测量磁场。进行测量时，采用高导磁的磁性材料（如坡莫合金）集中磁通来增强磁场的集束器可降低器件噪声、提高信噪比。

13.磁栅传感器由磁栅、磁头和检测电路组成。磁栅是检测位置的基准尺，尺身的磁性薄膜上预先录有相同间距的栅状磁信号，磁头读取磁信号。当磁栅与磁头

的相对位置发生变化时，磁头的输出发生相应变化，将位移量转换为电信号，然后通过检测电路转换成脉冲，并以数字形式显示出来。磁栅传感器有长磁栅式和圆磁栅式两种，分别用来测量线位移和角位移。

14.磁头的功能是读取磁栅上记录信号，可分为静态磁头和动态磁头。动态磁头仅有输出绕组，只有与磁栅相对运动才有信号输出，输出信号的幅值随相对运动速度而变化，动态磁头在使用上有一定的局限性，不适合长度测量。为了保证一定幅值的输出，通常规定磁头以一定速度运动。

15.磁栅传感器的误差包括零位误差和细分误差。零位误差是由磁栅的节距不均匀、磁栅的安装与变形、磁栅剩磁变化所引起的零点漂移、外界磁场干扰等因素造成的；细分误差是由磁膜不均匀或录制过程不完善造成磁栅上信号幅度不相等、两个磁头在空间位置偏离正交较远、两个磁头参数不对称、磁场高次谐波分量和感应电势高次谐波的分量的影响等因素造成的。

16.压电效应是当某些晶体沿着一定方向受到外力作用时，内部会产生极化现象，同时在某两个表面上产生大小相等符号相反的电荷；当外力去掉后，又恢复到不带电状态；当作用力方向改变时，电荷的极性也随着改变；晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比。

17.对压电晶体施加电场，晶体将在一定方向上产生机械变形；当外加电场撤去后，该变形也随之消失。这种现象称为逆压电效应，也称作电致伸缩效应。

18.石英晶体的x轴称为电轴，垂直于x轴的平面上压电效应最强；y轴称为机械轴，沿y轴的机械变形最明显；z轴称为光轴或中性轴，z轴方向上没有压电效应。

19.压电式传感器既可等效为电荷源，又可等效为电容器，其等效电路可认为是二者的并联，也可认为是一个电压源和一个电容器的串联。

20.压电式传感器中常用两片以上压电晶片组合在一起使用，两片压电晶体构成的传感器有串联和并联两种接法。

21.压电材料可分为三大类：压电晶体、压电陶瓷和新型压电材料。

22.原始的压电陶瓷不具有压电效应，只有经过极化处理后，才具有压电性，即在一定温度下，以强电场使其电畴趋向外加电场规则排列，从而呈现出压电性，当极化电场撤去后，电畴基本保持基本不变，形成很强的剩余极化，从而呈现压