单晶硅生产工艺流程
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单晶硅生产工艺流程
单晶硅生产工艺流程如下:
1. 原料准备:将硅矿石经过破碎、筛分、洗涤等处理,得到纯度高的硅矿石粉末。
2. 炼制硅棒:将硅矿石粉末与氢气在高温下反应,得到气相硅,再通过化学气相沉积法(CVD)或物理气相沉积法(PVD)将气相硅沉积在硅棒上,形成单晶硅棒。
3. 切割硅片:将单晶硅棒用钻头切割成薄片,厚度通常为200-300微米。
4. 清洗硅片:将硅片放入酸碱溶液中清洗,去除表面杂质。
5. 氧化硅层形成:将硅片放入高温氧气中,形成氧化硅层,用于保护硅片表面。
6. 晶圆制备:将硅片切割成圆形,形成晶圆。
7. 掩膜制备:将晶圆涂上光刻胶,然后用光刻机进行曝光和显影,形成掩膜。
8. 沉积金属层:将晶圆放入金属蒸发器中,沉积金属层,形成电路。
9. 蚀刻:将晶圆放入蚀刻液中,去除未被金属层覆盖的氧化硅层和硅片,形成电路。
10. 清洗:将晶圆放入酸碱溶液中清洗,去除蚀刻液和其他杂质。
11. 封装:将晶圆封装在芯片封装中,形成芯片。