材料分析测试技术左演声课后答案

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材料分析测试技术左演

声课后答案

第一章 电磁辐射与材料结构

一、教材习题

1-1 计算下列电磁辐射的有关参数:

(1)波数为3030cm -1的芳烃红外吸收峰的波长(μm ); 答:已知波数ν=3030cm -1

根据波数ν与波长λ的关系)

μm (10000

)cm (1λν=-可得: 波长μm 3.3μm 3030

10000

1

≈=

=

ν

λ

(2)5m 波长射频辐射的频率(MHz ); 解:波长λ与频率ν的关系为λ

νc

=

已知波长λ=5m ,光速c ≈3×108m/s ,1s -1=1Hz

则频率MHz 6010605/103168=⨯=⨯=

-s m

s

m ν (3)588.995nm 钠线相应的光子能量(eV )。 答:光子的能量计算公式为λ

νc

h

h E ==

已知波长λ=588.995nm=5.88995⨯10-7m ,普朗克常数h =6.626×10-34J ⋅s ,光速c ≈3×108m/s ,1eV=1.602×10-19J 则光子的能量(eV )计算如下:

eV eV J m

s

m s J E 107.210

602.110

375.3 10375.31088995.5/10310626.619

19

197

834

≈⨯⨯=

⨯=⨯⨯⨯⋅⨯=-----

1-3 某原子的一个光谱项为45F J ,试用能级示意图表示其光谱支项与塞曼能级。

答:对于光谱项45F J ,n =4,L =3,M =5;S =2(M =2S +1=5),则J =5,4,3,2,

1,当J =5,M J =0,±1,±2,···±5;……J =1,M J =0,±1。光谱项为45F J 的能级示意图如下图:

1-4辨析原子轨道磁矩、电子自旋磁矩与原子核磁矩的概念。

答:原子轨道磁矩是指原子中电子绕核旋转的轨道运动产生的磁矩;电子自旋磁矩是指电子自旋运动产生的磁矩;原子核磁矩是指原子中的原子核自旋运动产生的磁矩。

1-5下列原子核中,哪些核没有自旋角动量?

12C6、19F9、31P15、16O8、1H1、14N7。

答:12C6和16O8没有自旋角动量。

1-8分别在简单立方晶胞和面心立方晶胞中标明(001)、(002)和(003)面,并据此回答:干涉指数表示的晶面上是否一定有原子分布?为什么?答:简单立方晶胞的(001)、(002)和(003)面如下图左、中、右所示:

(001)(002)(003)

如上图所示,晶面指数(001)表示的所有晶面上都有原子分布,而干涉指数(002)表示的晶面中C面无原子分布,干涉指数(003)表示的晶面中C面和D面无原子分布。

面心立方晶胞的(001)、(002)和(003)面如下图左、中、右所示:

(001)(002)(003)

如上图所示,晶面指数(001)和干涉指数(002)表示的所有晶面都有原子分布,而干涉指数(003)表示的晶面中C面和D面无原子分布。

所以,干涉指数表示的晶面上不一定有原子分布。

1-9已知某点阵∣a∣=3Å,∣b∣=2Å,γ=60︒,c∥a×b,试用图解法求r*110与

r*210。

答:已知∣a∣=3Å,∣b∣=2Å,γ=60︒,c∥a×b,所以这个点阵是一个简单单斜点阵。

根据倒易矢量与相应正点阵晶面之间的关系可知,所求倒易矢量的方向分别为正点阵中(110)和(210)晶面的法向,倒易矢量模长分别为晶面间距

d110和d210的倒数。

因为c∥a×b,即c垂直于a、b所在平面,所以可用a、b所在平面的二维坐标系表述该三维点阵,(110)和(210)晶面变成两组平行直线,平行直线间距分别就是d110和d210。因此,只要根据条件画出(110)和(210)晶面,就可求出r*110与r*210。

r*110与r*210是矢量,其模长∣r*110∣与∣r*210∣分别是d110和d210的倒数,作图只能量出d110和d210,∣r*110∣与∣r*210∣需要计算。

以a作为x轴的基矢,以b为y轴的基矢,则x轴的单位长度为3Å,y轴的单位长度为2Å。作图时,2cm代表1Å,所做示意图见下图。

1-10 下列哪些晶面属于]111[晶带?

)331(),011(),101(),211(),231(),132(),111(。

答:根据晶带定律(方程),可判断)101(),211(),132(属于]111[晶带。 二、补充习题

1、试求加速电压为1、10、100kV 时,电子的波长各是多少?考虑相对论修正

后又各是多少?

解:根据电子的波长λ(单位nm )与加速电压V (单位V )的关系V

225

.1≈

λ 1kV=1000V 时,)nm (0387.01000

225

.1=≈

λ 10kV=10000V 时,)nm (0123.010000

225

.1=≈

λ 100kV=100000V 时,)nm (00387.0100000

225

.1=≈

λ

经相对论修正后,2

6

10225.1V

V ⨯+≈

1kV 时,)nm (0387.0)

1000(101000225.12

6

=⨯+≈

10kV 时,)(0122.0)

10000(1010000225

.12

6nm =⨯+≈

100kV 时,)nm (00370.0)

100000(10100000225

.12

6=⨯+≈

由计算可知,当加速电压较大时,电子的波长需经相对论校正。

第三章 粒子(束)与材料的相互作用

一、教材习题

3-1 电子与固体作用产生多种粒子信号(教材图3-3),哪些对应入射电子?

哪些是由电子激发产生的?

图3-3 入射电子束与固体作用产生的发射现象

答:图中I 0表示入射电子;背散射电子流I R 、吸收电流I A 和透射电子流I T 对应

入射电子;二次电子流I S 、X 射线辐射强度I X 、表面元素发射总强度I E 是由电子激发产生的。

3-2 电子“吸收”与光子吸收有何不同?

答:电子吸收是指由于电子能量衰减而引起的强度(电子数)衰减的现象。电

子吸收只是能量衰减到不能逸出样品,不是真的被“吸收”了。而光子吸收是因光子的能量与物质中某两个能级差相等而被吸收,光子被真的吸收了,转化成了另外的能量。

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