现代分析测试技术SIMS
南京大学现代分析技术之SIMS
（3）基体效应 同一元素的二次离子产额因其它成分的存在而改变。
二次离子的发射与中性原子溅射不同， 由于涉及电子转 移，因此与化学态密切相关，其它成分的存在影响了电子态。
（4）与入射离子种类关系 惰性元素离子：Ar+, Xe+ 电负性离子：O2+, O－, F－, Cl－, I－ 电正性离子：Cs+ 电负性离子可大大提高正二次离子产额 电正性离子可大大提高负二次离子产额 它们随靶原子序数变化规律不同，在实际应用中
硅的二次离子质谱－－负谱图
Si(111)注O2表面二次离子质谱－－正谱图
Si(111)注O2表面二次离子质谱－－负谱图
2．二次离子产额 S＋或S－：一个一次离子平均打出的二次离子个数。
（1）与样品原子序数关系 明显的周期性关系 S＋： 电离能 ↗ S＋ ↘ S－： 电子亲和势↗ S－ ↘ 各种元素离子产额差异大，可达4个数量级
Δ 在分析过程中，表面单分子层寿命长达几小时。
SIMS设பைடு நூலகம்示意图
高真空静态SIMS设备外观
SIMS设备中的离子枪
TOF－SIMS系统示意图
TOF－SIMS系统外观图
实验条件： 一次离子能量 < 5 keV 一次离子束流密度 < nA/cm2 在低的一次束流密度下，为提高灵敏度，采用： 一次束大束斑＋离子计数＋高传输率分析器
（2）动态SIMS－－ 离子微探针 一次束流密度 J > 10-7A/cm2 溅射效果显著 非表层分析：微区扫描成象 深度剖面分析
3. 主要部分介绍
（1）离子源种类及参数
现代分析测试技术-SIMS
俄歇电子能谱（AES）—大本讲义
AES分析方法原理 AES谱仪基本构成 AES谱仪实验技术 AES谱图分析技术 SIMS基本结构及技术特点 XPS/AES/SIMS方法比较
离子溅射与二次 离子质谱
离子溅射过程：一定能量的离子打到固体表面→ 引起表面原子、分子或原子团的二次发射—溅射 离子；溅射的粒子一般以中性为主，有＜1%的 带有正、负电荷—二次离子；
质量分析器
添加标题
检测器
添加标题
二次离子深度分析
添加标题
二次离子分布图像
添加标题
二次离子质谱系统 结构示意图
添加标题
二次离子质谱
二次离子质谱仪基本部件
• 初级离子枪：热阴极电离型离子源，双等离子体离子源，液态金属场离子源；离子束的纯度、电 流密度直接影响分析结果；
• 二次离子分析器：分析质荷比→磁偏式、四极式（静态SIMS ）、飞行时间式（流通率高，测量 高质量数离子）质度剖面分析 微区分析 软电离分析
动态SIMS—深度剖面分析
分析特点：不断剥离下进行SIMS分析—获得 各种成分的深度分布信息；
深度分辨率：实测的深度剖面分布与样品中真 实浓度分布的关系—入射离子与靶的相互作用、 二次离子的平均逸出深度、入射离子的原子混 合效应、入射离子的类型，入射角，晶格效应 都对深度分辨有一定影响。
可以在超高真空条件下得到表层信息；
可检测正、负离子；
可检测化合物，并能给出原子团、分 子性离子、碎片离子等多方面信息； 对很多元素和成分具有ppm甚至ppb 量级的高灵敏度；
可检测包括H在内的全部元素； 可检测同位素； 可进行面分析和深度剖面分析；
二次离子质谱 分析技术
表面元素定性分析 表面元素定量分析
二次离子质谱法(SIMS)
二次离子质谱法（SIMS）扎卡里·沃拉斯（Zachary Voras）1.分类二次离子质谱法（secondary ion mass spectrometry，SIMS）是一种灵敏的表面分析质谱技术，可对样品进行光谱分析、成像或深度剖面分析。
这是一种侵入式技术，不能进行原位检测。
2.说明SIMS是一种超高真空（ultra-high vacuum，UHV）表面分析技术，可以观察样品表面的原子和分子种类。
该技术用离子源发出一次离子束，聚焦并加速轰击样品，样品受碰撞脱落的二次离子直接进入质量分析仪（通常为飞行时间质量分析仪）（Vickerman，2009）。
这种碰撞级联会将一次离子的势能转化为脱落的二次离子碎片的动能。
质量碎片的大小则与脱落部位和初始碰撞位置的远近有关。
要获得最佳信号速率和质量分辨率，必须对一次离子和二次离子进行高水平控制，而一次离子源到分析仪之间的路程超过1 m，因此仪器应保持超高真空条件，才能将平均自由程碰撞控制在最低限度。
图1为SIMS表面分析概述。
在一次离子束入射能量和种类设置最优的情况下，可最大限度地提高单一碰撞事件的二次离子产额。
通过观察原子离子或分子离子都可以表征样品的表面材料，但使用下文所述的团簇离子源则可能减少残余对材料的损伤。
图1 SIMS表面分析概述为获得较高的质量分辨率，二次离子质谱仪通常采用飞行时间（time-of-flight，TOF）质量分析器，因为TOF可匹配脉冲式一次离子束。
TOF质量分析器的作用是让进入的离子先通过漂移管加速，再撞击探测装置（通常为微通道板）（Tang等，1988）。
为确保获得最佳质量分辨率，一次离子束的脉冲必须和质量分析仪的提取／加速阶段完全同步（Niehuis等，1987）。
要进一步提高质量分辨率，离子束的脉冲宽度就必须尽可能窄（＜1ns）（Eccles和Vickerman，1989）。
与其他质量分析器（如四极杆分析器和扇形磁场分析器）相比，TOF质量分析器有着最高的传输率和灵敏度，可满足静态SIMS分析对数据速率的要求（Vickerman，2009）。
二次离子质谱在电池中的应用
二次离子质谱在电池中的应用二次离子质谱（Secondary Ion Mass Spectrometry，SIMS）是一种用于表面分析的高灵敏度技术，具有很高的化学和空间分辨率。
在电池科学和工程领域，SIMS被广泛应用于电池材料分析、电池失效分析、电池老化分析、电池安全性研究和电池回收利用等方面。
1.电池材料分析SIMS在电池材料分析中发挥着重要作用，可用于研究电极材料、电解质、隔膜等关键组件的化学组成和表面元素分布。
SIMS可以提供有关材料表面和界面化学状态的信息，有助于理解电池材料的性能和反应机制。
2.电池失效分析电池失效通常是由电池内部发生的化学反应、机械应力和热失控等因素引起的。
SIMS可以通过分析电池失效后的表面成分和形貌，推断出失效的原因。
此外，SIMS还可以用于研究电池的电化学性能，如循环寿命、充放电速率等，以帮助优化电池设计和性能。
3.电池老化分析电池老化是指电池在使用过程中性能逐渐降低的过程，通常是由电池内部的化学反应和结构变化引起的。
SIMS可以通过分析电池老化过程中的表面成分和形貌变化，研究电池老化的机制和影响因素。
此外，SIMS还可以用于评估电池老化对电池安全性和环境的影响。
4.电池安全性研究电池安全性是电池科学和工程领域的重要问题之一，涉及到电池的过充电、过放电、短路等危险情况。
SIMS可以通过分析电池在这些情况下的表面成分和形貌变化，研究电池安全性问题。
此外，SIMS 还可以用于研究电池热失控的机制和防止措施，提高电池的安全性能。
5.电池回收利用随着电动汽车和便携式电子设备的普及，废旧电池的数量不断增加。
废旧电池中含有许多有价值的材料，如锂、钴、镍等，可以回收再利用。
SIMS可以用于研究废旧电池的成分和结构，优化回收流程，提高回收效率和准确性。
此外，SIMS还可以用于检测废旧电池是否经过处理或篡改，保证回收材料的质量和安全性。
总之，二次离子质谱作为一种强大的表面分析技术，在电池科学和工程领域中具有广泛的应用前景。
现代分析测试技术教学大纲
《现代分析测试技术》教学大纲课程名称：《现代分析测试技术》英文名称：Modern Analysis and Testing Technology课程性质：专业选修课程课程编号：F132039周学时：2学时总学时：32学时学分：2学分开设学期：第三学年第六学期教学对象：化学专业本科学生一、课程简介《现代分析测试技术》是化学专业学科专业教育平台课程的专业选修课程。
现代分析测试技术是以近几十年分析科学成果为主要授课内容，主要讲授大型仪器分析的原理、应用及进展，结合实际应用使学生能够基本掌握常见的大型分析仪器的原理和应用。
本课程是在学生学完《高等数学》、《无机化学》、《分析化学》、《有机化学》、《物理化学》等专业基础课程和专业课程的基础上开设的，与该门课程同时开设的还有《物理化学》、《结构化学》等课程，这些课程都为该课程的学习打下了良好的理论基础。
通过《现代分析测试技术》课程的学习，使学生在《毕业设计（论文）》等后续实践课程中自觉运用能够运用现代分析手段，解决科研、工作中遇到的实际问题。
二、课程教学目标课程教学目标1：掌握常见分析仪器的原理、结构、基本操作方法和实验数据的处理，重点掌握仪器原理、仪器主要操作参数及其对分析结果的影响。
课程教学目标2：在以后的工作中，能够熟练运用这些知识去分析、设计和评价复杂体系的处理。
课程教学目标3：树立强烈的社会责任感，能够对产品质量、安全、环保事件起-1-到监督作用，养成严谨的科学作风和良好的实验素养。
-2-四、课程教学要求（含教学重点、难点）：第一章绪论（2学时）【教学要求/目的】1．了解仪器分析中各种分析方法，了解仪器分析涉及面广、内容丰富以及在工业生产和科学研究中的重要地位；2．理解仪器分析特点和仪器分析与化学分析之间密切关系；3．掌握仪器分析的分类、定量分析方法的评价指标；4．熟练掌握仪器分析的概念、特点和分类、定量分析方法的评价指标。
【教学内容】1. 仪器分析方法的分类；2.标准曲线的绘制及分析；3.灵敏度、精密度、检出限、准确度；-3-4.仪器分析方法的特点。
现代材料分析方法(8-SIMS)
Al+的流强随时间变化的曲线
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
Si的正二次离子质谱
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
聚苯乙烯的二次离子质谱
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
在超高真空条件下，在清 洁的纯Si表面通入20 L的氧 气后得到的正、负离子谱， 并忽略了同位素及多荷离 子等成份。除了有硅、氧 各自的谱峰外，还有SimOn (m,n = 1, 2, 3……)原子团离 子发射。应当指出，用氧 离子作为入射离子或真空 中有氧的成分均可观察到 MemOn (Me为金属)
SIMS 二次离子质谱仪
定性分析Biblioteka SIMS定性分析的目的是根据所获取的二次离子
质量谱图正确地进行元素鉴定。样品在受离子照射时，
一般除一价离子外，还产生多价离子，原子团离子，
一次离子与基体生成的分子离子。带氢的离子和烃离 子。这些离子有时与其它谱相互干涉而影响质谱的正 确鉴定。
SIMS 二次离子质谱仪
溅射产额与元素的升 华热倒数的对比
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
溅射产额与晶格取向的关系
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
在100~1000 eV下，用Hg+垂直入射Mo和Fe的溅射粒子的角分布
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
= 60o时W靶的溅射粒子的角分布
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
是入射方向与
样品法向的夹角。
当 = 60o~ 70o时， 溅射产额最大， 但对不同的材料， 增大情况不同。
相对溅射产额与离子入射角度的关系
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
溅射产额与入射离子原子序数的关系
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
二次离子质谱仪(SIMS)分析技术及其在半导体产业中的应用
二次离子质谱仪（SIMS）分析技术及其在半导体产业中的应用作者：昌鹏来源：《科学导报·学术》2020年第28期摘要：二次离子质谱仪（SIMS）是一种成熟的应用广泛的表面分析技术，具有高灵敏度（ppm-ppb）和高分辨率。
本文介绍了SIMS基本原理和分类及其在半导体产业中材料分析、掺杂和杂质沾污等方面的应用。
关键词：SIMS;半导体;表面分析;材料分析1 前言SIMS作为一种成熟的表面分析技术已经发展了半个世纪，最初主要是用在半导体产业的工艺研发、模拟和失效分析等，在近二、三十年来得到迅速发展，并逐渐推广到应用于金属、多层膜、有机物等各个领域。
SIMS具有很高的微量元素检测灵敏度，达到ppm-ppb量级。
其检测范围广，可以完成所有元素的定性分析，并能检测同位素和化合物。
SIMS具有高的深度分辨率，通过逐层剥离实现各成分的纵向分析，深度分辨率最高能到一个原子层。
半导体材料通过微量掺杂改变导电性质和载流子类型，并且特征尺寸降到亚微米乃至纳米量级。
上述特点使SIMS在半导体生产中的材料分析、掺杂和杂质沾污等方面得到广泛应用。
2 SIMS基本原理SIMS是溅射和质谱仪的结合，可识别样品中的元素，因此是许多分析方案的首选测试手段。
作为半定量的手段，在SIMS质谱图中二次离子的峰值并不能直接反应样品中元素的浓度。
SIMS原理示意图如图1所示。
能量在250 eV到30 keV的离子束轰击样品表面即可产生溅射现象。
一次离子进入基体后会产生大量高强度但存在时间短促的碰撞级联，基体中的原子发生位置迁移。
接近表面的原子得到足够能量会离开样品表面，称为溅射原子。
溅射原子会以原子或分子团的形式离开表面并带上正电或负电，经过电场和磁场的筛选和偏转输入到质谱仪，由此SIMS可以得到样品表面的元素组成和分布。
图1 SIMS原理示意图3 SIMS仪器类型SIMS机台主要部分包括离子源、一次电镜、二次电镜、样品交换室、质谱仪、信号探测器等，整个腔体处于高真空状态之下。
现代分析测试技术-SIMS
二次离子质谱分析技术 二次离子质谱分析技术
表面元素定性分析 表面元素定量分析技术 元素深度剖面分析 元素深度剖面分析 微区分析 软电离分析
动态SIMS 动态SIMS—深度剖面分析 SIMS—
分析特点：不断剥离下进行SIMS分析 获得各种成分的深度分布信息 分析特点：不断剥离下进行SIMS分析—获得各种成分的深度分布信息； SIMS分析 获得各种成分的深度分布信息； 深度分辨率：实测的深度剖面分布与样品中真实浓度分布的关系—入射 深度分辨率：实测的深度剖面分布与样品中真实浓度分布的关系 入射 离子与靶的相互作用、二次离子的平均逸出深度、 离子与靶的相互作用、二次离子的平均逸出深度、入射离子的原子混合效 入射离子的类型，入射角，晶格效应都对深度分辨有一定影响。 应、入射离子的类型，入射角，晶格效应都对深度分辨有一定影响。
离子溅射与二次离子质谱
离子溅射过程：一定能量的离子打到固体表面→引起表面原子、 离子溅射过程：一定能量的离子打到固体表面→引起表面原子、分子或原子 团的二次发射—溅射离子 溅射的粒子一般以中性为主， 溅射离子； 1%的带有正 的带有正、 团的二次发射 溅射离子；溅射的粒子一般以中性为主，有＜1%的带有正、负 电荷—二次离子 二次离子； 电荷 二次离子； 二次离子质谱：利用质量分析器接收分析二次离子质量 电荷比值（m/Z） 二次离子质量—电荷比值 二次离子质谱：利用质量分析器接收分析二次离子质量 电荷比值（m/Z） 获得二次离子质谱，判断试样表面的元素组成和化学状态； 获得二次离子质谱，判断试样表面的元素组成和化学状态； 溅射产额：影响二次离子产额因素→与入射离子能量、入射角度、 溅射产额：影响二次离子产额因素→与入射离子能量、入射角度、原子序数 均有一定关系，并与靶原子的原子序数、晶格取向有关； 均有一定关系，并与靶原子的原子序数、晶格取向有关；
现代测试技术（总结版）
现代测试技术（总结版）绪论现代分析测试技术概论仪器分析法⼀般都有较强的检测能⼒。
绝对检出限可达：毫克10_3 g 微克10_6 g 纳克 10_9 g ⽪克10_12 g 飞克10_15g 阿克10_18g现代测试技术主要发展趋势:⑴以“三微”技术为主流：“三微”——微量、微束、微区。
⑵以⾼度⾃动化控制为主要趋势⑶分析数据处理的⾼度计算机化⑷分析⼿段综合化⑸分析功能多样化⑹测试分析⽹络化现代分析测试仪器基本⼯作模式:⼀、⽤⼀束“粒⼦”或某种⼿段作为探针来探测、激发物质—⼊射粒⼦或激发源主要有电⼦、离⼦、光⼦、中性粒⼦、电场、磁场、热场和声波；⼆、在探针的作⽤下，⼊射粒⼦与物质相互作⽤，从样品中出射、带有物质信息的粒⼦（发射谱）—电⼦、离⼦、中性粒⼦、光⼦；三、检测这些粒⼦的能量、动量、质荷⽐、束流强度等特征，或出射波的频率、⽅向、强度、偏振等—记录、处理、分析，获得有关物质的信息；现代测试技术分类按仪器探测及发射粒⼦分类⼀、发射粒⼦：1、电⼦束-SEM、TEM、EPMA、AES、2、X射线-XPS、XRF、XRD；3、离⼦源-SIMS、ISS；4、特殊光源-IR、LR、UPS、AAS、ICP-AES、ICP-MS；⼆、探测粒⼦：1、电⼦谱—探测粒⼦或发射粒⼦是电⼦；2、光谱—探测粒⼦及发射粒⼦都是光⼦；3、离⼦谱：探测粒⼦及发射粒⼦都是离⼦；4、光电⼦谱—探测粒⼦是光⼦，发射粒⼦是电⼦；按仪器检测性能分类⼀、物理化学性质测试： 1、成分分析2、化合物结构分析3、表⾯原⼦动态和受激态分析⼆、物理性质测试：1、微观形貌分析2、晶体结构分析3、表⾯电⼦结构分析按照应⽤特点分类1⽤以测定原⼦或离⼦的分析测试⽅法原⼦吸收光谱法、X射线荧光光谱法、电化学分析2⽤以分析鉴定分⼦的分析测试⽅法紫外吸光光度法、红外吸收光谱法、拉曼光谱法、质谱法、核磁共振波谱法、X射线衍射分析3分离分析⽅法⽓相⾊谱、液相⾊谱、超临界流体⾊谱、⽑细管电泳4表⾯和界⾯分析X光电⼦能谱、透射电⼦显微镜、扫描电⼦显微镜、X射线技术分析测试仪器的选择和使⽤：1、物理性质/物理化学性质分析2、定性/半定量/定量分析3、⾮破坏/破坏分析4、⾦属/⾮⾦属样品分析5、固体/粉末/液体试样分析6、表⾯/表层/体相分析7、微区/深度分析分析测试⽅法主要性能参数：标准曲线、灵敏度、精密度、准确度、检出限。
二次离子质谱
二次离子质谱(SIMS)基本原理及其应用*********************************************摘要：二次离子质谱( Secondary-ion mass spectrometry，SIMS) 是一种固体原位微区分析技术，具有高分辨率、高精度、高灵敏等特征，广泛应用于地球化学、天体化学、半导体工业、生物等研究中。
本文主要阐明了SIMS 技术的原理、仪器类型，简要介绍了其主要应用，分析了其特点。
关键词：二次离子质谱；同位素分析；表面分析；深度剖析二次离子质谱仪(Secondary-ion mass spectrometry，SIMS)也称离子探针，是一种使用离子束轰击的方式使样品电离，进而分析样品元素同位素组成和丰度的仪器，是一种高空间分辨率、高精度、高灵敏度的分析方法。
检出限一般为ppm-ppb级，空间分辨率可达亚微米级，深度分辨率可达纳米级。
被广泛应用于化学、物理学、生物学、材料科学、电子等领域。
1.SIMS分析技术一定能量的离子打到固体表面会引起表面原子、分子或原子团的二次发射，即离子溅射。
溅射的粒子一般以中性为主，其中有一部分带有正、负电荷，这就是二次离子。
利用质量分析器接收分析二次离子就得到二次离子质谱[1,2]。
图1[2]是二次离子质谱工作原理图。
图1 二次离子质谱工作原理图离子探针实际上就是固体质谱仪，它由两部分组成：主离子源和二次离子质+、Cs+、Ga+……从离子源引出的谱分析仪。
常见的主离子源有Ar＋、Xe＋、O-、O2带电离子如Cs+、或Ga+等被加速至keV～MeV能量，被聚焦后轰击样品表面。
高能离子进入样品后，一部分入射离子被大角度反弹出射，即发生背散射，而另一部分则可以深入到多个原子层，与晶格原子发生弹性或非弹性碰撞。
这一过程中，离子所带能量部分或全部转移至样品原子，使其发生晶格移位、激发或引起化学反应。
经过一系列的级联碰撞，表面的原子或原子团就有可能吸收能量而从表面出射，这一过程称为离子溅射。
SIMS和SEM
SEM特点
1、仪器分辨本领较高。二次电子像分辨本领可达 1.0nm(场发射),3.0nm(钨灯丝)； 2、仪器放大倍数变化范围大（从几倍到几十万倍） ，且连续可调； 3、图像景深大，富有立体感。可直接观察起伏较大 的粗糙表面（如金属和陶瓷的断口等）； 4、试样制备简单。块状或粉末的试样不加处理或稍 加处理，就可直接放到SEM中进行观察,比透射电子 显微镜（TEM）的制样简单。
聚苯乙烯的二次离子质谱
SIMS
主要功能
深度剖面分析
逐层剥离表面的原子层， 提取溅射坑中央的二次离 子信号。质谱仪同步监测 一种或数种被分析元素， 收集这些元素的二次离子 强度，即可形成二次离强 度-样品深度的深度剖析 图，就可以得到各种成分 的深度分
主要功能
成二次离子像
是利用二次离子对样品的 待测区域进行逐点扫描， 从而得到该区域内特点原 子和分子分布图像。
表面质谱和表面成像一般采用电流强度较低 的初级离子离子束，轰击仅影响表面原子层，对 样品损伤可忽略不计，也被称为静态二次离子质 谱（SSIMS)。静态SIMS主要用于聚合物材料的表 面分析。 相反，深度分析则一般使用电流强度较大的 初级离子束，将样品原子层逐层剥离，从而实现 深层原子溶度的测量，因此也被称为动态二次离 子质谱（DSIMS）。动态SIMS适用于金属及半导体 的表面及深度分布的分析。
二次离子质谱分析中使用两种基本方法：常规的 有质谱测定法和直接成像法。图1.6对这两种方法 概略地做了比较。
在常规方法中，它把样品上较大面积内发生的大 部分高能二次离子传输到灵敏度很高的离子探测 器中，经过质量分析后，各种离子在探测器的入 口狭缝处会聚在一个焦点上，对于这种静止的状 态来说，不易重新得到样品表面上二次离子接受 区产生的某一特定二次离子确切位置的信息。 直接成像法在分析器的聚焦面上产生一个无像散 的离子图像，而且通过选用适当的光阑，就能很 容易得到某一特定的二次离子出发点的信息。
用SIMS技术分析材料的组分要注意什么问题
用SIMS技术分析材料的组分要注意什么问题
SIMS是现代表面分析技术中重要的组成之一。
它是利用一次离子束轰击材料表面，通过质谱分析器检测溅射出来的带有正负电荷的二次离子的质荷比，从而得到样品表面元素组成的一种表面分析技术。
和AES、XPS、EDS等技术相比，SIMS可以获得材料更加表面的元素信息（1nm），同时具有极高的元素检出限（可以达到ppm级别）。
用此技术分析材料的组分要注意以下：
1、成分分析的绝对百分比含量的提供，需要标准样品做校准。
2、为提供准确的结果，溅射束必须束斑均匀，以至溅射坑的底部必须平整。
3、溅射束的强度不能太大，否则会造成样品中某些元素的辐照增强扩散，改变该元素本来的分布。
4、用Ar+枪有最大的溅射速率，但精度差;Se+枪精度高，但昂贵;O+枪可以减少二次离子的中性化。
5、样品中不能含有与溅射束相同的成分。
二次离子质谱(SIMS)
二次离子质谱(SIMS)美信检测
二次离子质谱分析技术(SIMS)是用来检测低浓度掺杂剂和杂质的分析技术。
它可以提供范围在数埃至数十微米内的元素深度分布。
SIMS是通过一束初级离子来溅射样品表面。
二次离子在溅射过程中形成并被质谱仪提取分析. 这些二次离子的浓度范围可以高达被分析物本体水平或低于ppm 痕量级以下。
SIMS可帮助客户解决产品研发、质量控制、失效分析、故障排除和工艺监测中的问题。
SIMS应用：
掺杂剂与杂质的深度剖析
薄膜的成份及杂质测定（金属、电介质、锗化硅、III-V族、II-V族）
超薄薄膜、浅植入的超高深度辨析率剖析
硅材料整体分析，包含B, C, O,以及N
工艺工具（离子植入）的高精度分析
SIMS应用优点：
优异的掺杂剂和杂质检测灵敏度。
可以检测到ppm或更低的浓度
深度剖析具有良好的检测限制和深度辨析率
小面积分析（10 µm 或更大）
检测包含H在内的元素及同位素
应用局限性：
破坏性分析
无化学键联信息
只能分析元素
样品必须是固态以及真空兼容
要分析的元素必需是已知的
二次离子激发示意图
硅的二次离子质谱－－负谱图。
SIMS
SIMS 二次离子分析方法
1. 定性分析 ——痕量杂质分析 2. 定量分析 ——检测到的离子流与样品成分间的关系
（1）基本公式 I ±(xn, t) = A Jp S±(xn)f C(xn,t) = Ip S±(xn)f C(xn,t)
由于S±的不确定性，使按公式进行定量分析失去实际意义。
（2）实际定量分析方法 标样法：通用标样、专做标样 (离子注入标样) 利用大量经验积累或研究相对变化
3．深度剖面分析 边剥离边分析，通过溅射速率将时间转化为深度。
可同时检测几种元素。
绝对分辨与相对分辨 弧坑效应－电子门取样
4. 绝缘样品分析中的“中和”问题
SIMS 主要特点
优点
1. 检测极限可达ppm，甚至ppb量级； 2. 能检测包括氢在内的所有元素及同位素； 3. 分析化合物组分及有机大分子结构； 4. 获取样品表层信息； 5. 能进行微区成分的成象及深度剖面分析。
缺点
1. 定量差，识谱有一定难度； 2. 需要平整的表面进行分析； 3. 属破坏性分析技术 。
SIMS的原理示意图
SIMS 入射离子与样品的相互作用
利用聚焦的一次离子束在样品表面上进行稳 定的轰击，一次离子可能受到样品表面的背散射； 也有部分进入样品表面，这部分离子把能量传递给 晶格，当入射能量大于晶格对原子的束缚能是，部 分原子脱离晶格向表面运动，并且产生原子间的级 联碰撞，当这一能量传递到表面，并且大于表面的 束缚能时，促使表面原子脱离样品，谓之溅射；
硅的二次离子质谱－－正谱图
硅的二次离子质谱－－负谱图
Si(111)注O2表面二次离子质谱－－正谱图
sims测试原理
sims测试原理Sims测试原理是一种常用的心理测量方法，旨在评估个人的心理特征、能力和态度。
该测试方法由英国心理学家Charles Edward Spearman 于1904年首次提出，主要用于量化人类智力的不同方面。
以下是关于Sims测试原理的详细解释。
1.测量目标：Sims测试的主要目标是测量个体在不同认知和心理能力领域上的表现。
其中包括智力、记忆、注意力、空间感知、逻辑推理等。
2.测量原理：Sims测试主要基于两个心理学原理：g智力因子和专精智力因子。
g 智力因子指的是个体在各种认知和心理能力领域上的共同因素，例如在解决问题、理解复杂信息和适应新环境等方面的能力。
而专精智力因子是指个体在特定领域的专业知识和技能，例如在数学、音乐或艺术等方面的才能。
Sims测试通过衡量这两个因子来评估个体的综合智力水平。
3.测试内容：Sims测试包括多个子测试或试题，每个试题涉及不同的认知和心理能力领域。
这些试题可能包括数字和字母序列的记忆、模式识别、数学问题、空间定向、逻辑推理、文字解读等。
通过这些试题，测试者能够获得个体在每个领域上的得分，进而评估其整体智力水平。
4.测试过程：Sims测试通常由专业心理测试师进行，并在特定的测试环境下进行。
个体会被要求回答一系列与认知和心理能力相关的问题或完成一些特定任务。
他们的回答或表现将被记录下来，以便进行后续的数据分析和评估。
5.数据分析和结果解释：通过对个体的回答和表现进行数据分析，测试者可以计算出各个认知和心理能力领域的得分，并得出个体的综合智力水平。
测试结果通常以标准分数或百分位数的形式呈现，以便与其他被测试个体进行比较。
测试结果可以帮助确定个体在不同领域的优势和劣势，并为个体提供评估和发展的建议。
总结起来，Sims测试原理是一种基于心理学原理的测量方法，旨在评估个体在不同认知和心理能力领域上的表现。
通过对个体的回答和表现进行数据分析，可以得出个体的综合智力水平，并为个体提供评估和发展的建议。
二次离子质谱法_SIMS_在生物医学上的应用
去后 ,即能对结石进行分析 。表 2 是不同透明度 、 不 同色泽微体标本的元素相对含量测定 ( 各种元素的 离子流强度与碳的离子流强度之比) [4 ] 。由表可见 : 棕褐色结晶中的大部分元素高于淡黄色结晶 ; 不透 明结晶中的大部分元素高于透明结晶 ,同时 ,棕褐色 结晶中的铜较其它样品约高两个数量级 。表 3 同时 列出了用原子吸收光谱法测定以上样品的结果 , 由 表可见 ,不透明结晶中钙含量较透明结晶明显增高 , 棕褐色结晶中的铜明显高于其它样品 。因此 , 两种 分析方法的结果基本相符 。 此外 ,我们还拍摄了胆石样品的一些离子图像 ,
表1 四种分析方法性能比较 仪器 性能 检测信息深度 化学元素检测 同位素检测 化合物检测 氢检测 灵敏度 相对 (原子比) (典型值) 绝对 (克) 相对灵敏度变化值 单原子层 可能 (Z > 5) 可能 可能 可能 不能 不能 不能 可能 (化学变换) (化学变换) 不能 可能 不能 不能 不能 可能
64 63 56
表3 原子吸收光谱法对不同结石样品中微量元素的测定结果 μ 含量 ( g/ g) 样品 淡黄色结晶 棕褐色结晶 透明结晶 图7 人类蛀牙珐琅处40Ca + 的分布 不透明结晶 ≈0 40. 0
10. 6 53. 1 15. 5 11. 0 21. 0 23. 0 45. 0 97. 5 19. 0 11. 5
棕褐色 结 晶
4. 2 0. 19 0. 62 0. 31 2. 4 1. 5 0. 019 0. 0058 0. 0058 0. 54 0. 0067
透明结晶
0. 22 0. 17 0. 13 0. 095 0. 28 0. 80 0. 014 0. 00070 0. 0011 0. 0014 0. 0036
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
聚苯乙烯的二次离子质谱
质量分析器
3
离子源二Leabharlann 离子质谱412
5
检测器
二次离子深度分析
二次离子分布图像
二次离子质谱系统结构示意图
二次离子质谱仪基本部件
初级离子枪：热阴极电离型离子源，双等离子体离子源，液态金属场 离子源；离子束的纯度、电流密度直接影响分析结果； 二次离子分析器：分析质荷比→磁偏式、四极式（静态SIMS ）、飞行 时间式（流通率高，测量高质量数离子）质量分析器；分析能力取决于 分析器的穿透率及质量解析能力； 离子探测器：离子流计数→高离子电流采用法拉第杯；低离子电流采 用电子倍增管； 数据采集和处理系统：控制分析工作的进行与数据处理； 主真空室：10-7 Pa—保持清洁表面； 辅助装置：电子中和枪—分析绝缘样品时，表面局部带电会改变二次 离子发射的→中和表面的荷电效应；
二次离子质谱—系统基本特性
可以在超高真空条件下得到表层信息； 可检测包括H在内的全部元素； 可检测正、负离子； 可检测同位素； 可检测化合物，并能给出原子团、分子性离子、碎片离子等多方面信息； 可进行面分析和深度剖面分析； 对很多元素和成分具有ppm甚至ppb量级的高灵敏度；
动态SIMS—面分布分析
SIM/IMS材料表面面分布技术：空间分辨率可达亚微米量级
静态SIMS—软电离分析技术
有机物分析:适合不挥发、热稳定较差的
精品课件！
精品课件！
XPS/AES/SIMS技术特点比较
表面探测深度：探测时对表面的破坏性 元素检测范围： 检测灵敏度：最小可检测的灵敏度，检测灵敏度对不同元素 的差别； 微区分析能力：空间分辨率； 谱峰分辨率：元素的化学态的判断；是否易于识谱； 最优势特性：化学信息；微区分析；检测灵敏度；
二次离子质谱分析技术
表面元素定性分析 表面元素定量分析技术 元素深度剖面分析 微区分析 软电离分析
动态SIMS—深度剖面分析
分析特点：不断剥离下进行SIMS分析—获得各种成分的深度分布信息； 深度分辨率：实测的深度剖面分布与样品中真实浓度分布的关系—入射 离子与靶的相互作用、二次离子的平均逸出深度、入射离子的原子混合效 应、入射离子的类型，入射角，晶格效应都对深度分辨有一定影响。
离子溅射与二次离子质谱
离子溅射过程：一定能量的离子打到固体表面→引起表面原子、分子或原子 团的二次发射—溅射离子；溅射的粒子一般以中性为主，有＜1%的带有正、负 电荷—二次离子； 二次离子质谱：利用质量分析器接收分析二次离子质量—电荷比值（m/Z） 获得二次离子质谱，判断试样表面的元素组成和化学状态； 溅射产额：影响二次离子产额因素→与入射离子能量、入射角度、原子序数 均有一定关系，并与靶原子的原子序数、晶格取向有关；