GE公司LightSpeed探测器理论及操作指导 ppt课件
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最新办公文档ge公司lightspeed 应用培训-药学医学精品资料
Helical Interface
3.75 5.0 7.5 10.0
选择层厚、扫描方式、床速 系统将显示基于事先探测器结构基础上的后重建层厚的选 择 在 HQ 扫描方式中，床速为探测器结构宽度的３倍 在HS 扫描方式中，床速为探测器结构宽度的６倍 08/07/98 38
螺旋扫描界面
层厚 (mm) 1.25 2.5 扫描方式 HQ HS 床速(mm/rot) 3.75 7.5 11.25 15.0 22.5 30.0
球管旋转一周，8 个探测器收集4个 信号，每2个探测 器收集1个信号
由于两个 1.25 mm 探测器收集一个信 号，所以2.5mm为 最薄层
二极管
08/07/98
FET Switching Array
9
探测器结构 4 x 3.75mm
球管旋转1周，12 个探测器收集4个 信号，每3个探测 器收集1个信号 由于3个1.25mm的 探测器收集 1个信 号，所以3.75 mm 为最薄层
LightSpeed
应用培训
Diode
08/07/98 Vicki Hanson
FET Switching Array
改编 1
镶嵌式探测器
Z轴方向16个探测器单元 -- 1.25 mm/单元 (Z轴)16 个单 元 (纵向) x 912 个单元 (横向) = 14592 单元，信号由4 个通道/2个弯曲的连接器（flex connector)传输
08/07/98
17
轴位扫描的界面
层厚 (mm)
1.25
2.5
图象数目/周
3.75
5
7.5
10.0
1
2
4
例如: 如果选择5mm层厚和4层/周，则后重建层厚可为5mm 和10mm
探测器PPT学习课件PPT课件
常见热释电红外传感器的外形 第27页/共29页
• 可在室温下使用、光谱响应宽、工作频率宽，灵敏度与波长无关，容易使用。 这种探测器，灵敏度高，探测面广，是一种可靠性很强的探测器。
• 因此广泛应用于各类入侵报警器，自动开关、非接触测温、火焰报警器等。
❖ 热释电红外传感器 ❖ 热释电红外自动节能灯 ❖ ……
第25页/共29页
当温度升高到一定值，自发极化突然消失，这个温度常 被称为“居里温度”或“居里点”。 在居里点以下，极化强度PS是温度T的函数。
第26页/共29页
• 热释电探测器的特点是它只在由于外界的辐 射而引起它本身的温度变化时，才会给出一 个相应的电信号，当温度的变化趋于稳定后， 就再没有信号输出，即热释电信号与它本身 的温度的变化率成正比。因此，热释电传感 器只对运动的人体或物体敏感。
第20页/共29页
若在晶体的两个相对的极板上敷上电极，在两极间 接上负载RL，则负载上就有电流通过。由于温度变化在 负载上产生的电流可以表示为
is
dQ dt
A
dT dt
• 2. 基本电路
热释电器件为电容性元 件，输出阻抗特别高 （>1010 ）。
第21页/共29页
热释电器件为电容性元件，输出阻抗特别高（>1010 ）。因此，必须配高阻抗的负载。常用JFET(junction field effect transistor 结晶型场效应晶体管 )器件作热释电探测器的前置 放大器。
第17页/共29页
大部分半导体热敏电阻由各种 氧化物按一定比例混合，经高 温烧结而成。多数热敏电阻具 有负的温度系数，即当温度升 高时，其电阻值下降，同时灵 敏度也下降。由于这个原因， 限制了它在高温情况下的使用。
• 可在室温下使用、光谱响应宽、工作频率宽，灵敏度与波长无关，容易使用。 这种探测器，灵敏度高，探测面广，是一种可靠性很强的探测器。
• 因此广泛应用于各类入侵报警器，自动开关、非接触测温、火焰报警器等。
❖ 热释电红外传感器 ❖ 热释电红外自动节能灯 ❖ ……
第25页/共29页
当温度升高到一定值，自发极化突然消失，这个温度常 被称为“居里温度”或“居里点”。 在居里点以下，极化强度PS是温度T的函数。
第26页/共29页
• 热释电探测器的特点是它只在由于外界的辐 射而引起它本身的温度变化时，才会给出一 个相应的电信号，当温度的变化趋于稳定后， 就再没有信号输出，即热释电信号与它本身 的温度的变化率成正比。因此，热释电传感 器只对运动的人体或物体敏感。
第20页/共29页
若在晶体的两个相对的极板上敷上电极，在两极间 接上负载RL，则负载上就有电流通过。由于温度变化在 负载上产生的电流可以表示为
is
dQ dt
A
dT dt
• 2. 基本电路
热释电器件为电容性元 件，输出阻抗特别高 （>1010 ）。
第21页/共29页
热释电器件为电容性元件，输出阻抗特别高（>1010 ）。因此，必须配高阻抗的负载。常用JFET(junction field effect transistor 结晶型场效应晶体管 )器件作热释电探测器的前置 放大器。
第17页/共29页
大部分半导体热敏电阻由各种 氧化物按一定比例混合，经高 温烧结而成。多数热敏电阻具 有负的温度系数，即当温度升 高时，其电阻值下降，同时灵 敏度也下降。由于这个原因， 限制了它在高温情况下的使用。
光 电 探 测 器ppt课件
*
PIN 光电二极管
(1)结构与工作原理： 为改善PN结耗尽层只有几 微米，长波长的穿透深度 比耗尽层宽度还大，大部 分入射光被中性区吸收， 使光电转换效率低，响应 时间长，响应速度慢的特 性，在PN结中设置一层掺 杂浓度很低的本征半导体 （称为I），这种结构便是 PIN光电二极管。
P+
I
N+
耗尽层
c
hc Eg
• 量子效率的光谱特 性取决于半导体材 料的吸收系数 α (λ)
0.2 0 0.7 0.9 1.1
10%
1.3
1.5
1.7
PIN响应度、量子效率 与波长的关系
3. 响应时间及频率特性
当光电二极管具有单一的时间常数 前沿和脉冲后沿相同，且接近函数 exp(t / 0 ) 和 exp(t /0 ) ， 由此得到脉冲响应时间为 2 . 2 r f 0
R
P+
N+
PIN光电二极管原理图
抗反射膜
电极
Ⅱ(N) 掺杂浓度很低； P P+和N+掺杂浓度很高 Ⅱ(N) 。 且I层很厚，约有 N 5~5 0μm，吸收系数 电极 很小，入射光很容易进 PIN光电二极管结构 入材料内部被充分吸收 而产生大量的电子-空 穴对 ,因而大幅度提高 P+层和N+层很薄，吸 了光电转换效率，两侧
0
时，其脉冲
具有一定时间常数的光电二极管，对于幅度一定 ，频率为 f c 的正弦调制信号，截止频率 2 f 1 0.35
fc
20
r
谢谢！
响应度分为电压响应度和电流响应度
• 电压响应度Rv
光电探测器件输出电压与入射光功率之比 • 电流响应度RI
PIN 光电二极管
(1)结构与工作原理： 为改善PN结耗尽层只有几 微米，长波长的穿透深度 比耗尽层宽度还大，大部 分入射光被中性区吸收， 使光电转换效率低，响应 时间长，响应速度慢的特 性，在PN结中设置一层掺 杂浓度很低的本征半导体 （称为I），这种结构便是 PIN光电二极管。
P+
I
N+
耗尽层
c
hc Eg
• 量子效率的光谱特 性取决于半导体材 料的吸收系数 α (λ)
0.2 0 0.7 0.9 1.1
10%
1.3
1.5
1.7
PIN响应度、量子效率 与波长的关系
3. 响应时间及频率特性
当光电二极管具有单一的时间常数 前沿和脉冲后沿相同，且接近函数 exp(t / 0 ) 和 exp(t /0 ) ， 由此得到脉冲响应时间为 2 . 2 r f 0
R
P+
N+
PIN光电二极管原理图
抗反射膜
电极
Ⅱ(N) 掺杂浓度很低； P P+和N+掺杂浓度很高 Ⅱ(N) 。 且I层很厚，约有 N 5~5 0μm，吸收系数 电极 很小，入射光很容易进 PIN光电二极管结构 入材料内部被充分吸收 而产生大量的电子-空 穴对 ,因而大幅度提高 P+层和N+层很薄，吸 了光电转换效率，两侧
0
时，其脉冲
具有一定时间常数的光电二极管，对于幅度一定 ，频率为 f c 的正弦调制信号，截止频率 2 f 1 0.35
fc
20
r
谢谢！
响应度分为电压响应度和电流响应度
• 电压响应度Rv
光电探测器件输出电压与入射光功率之比 • 电流响应度RI
GE Lightspeed CT使用规程
GE Lightspeed CT使用规程一、检查前准备：1.检查并确认室内温度、湿度、通风情况良好。
2.开机合上电源开关，接通机器电源。
3.球管预热待显示扫描硬件重置成功后运行球管预热程序重要提示：●球管2小时未行扫描，会弹出Tube Warm-Up对话框，如需要执行扫描任务，请执行球管加热，如不执行扫描任务，请勿随便关闭此对话框，以保证图像质量及球管寿命。
●每星期必须进行一次空气校准，安排于每星期天早上8时进行。
4.仔细阅读申请单，了解CT检查的目的、要求和检查部位。
5.对复诊患者应阅读既往记录或照片。
二、检查注意事项：1.根据申请单要求，设置患者体位，移除患者检查部位体表金属异物，使用内/外定位标志进行复位。
2.输入患者信息。
3.根据CT检查申请单的要求选择最佳扫描程序。
检查自动存储、自动传送开始/结束位置、kV、mA和自动语音（如果可用）。
重要提示：●定位像扫描完成后一定要点击Next Series才能进入划定位线步骤●如定位像上未显示定位线，点击扫描监视器上的Show Localizer●请务必检查定位器模拟患者的方向及解剖参考点●检查扫描技术参数、定时参数、显示参数养成从左到右的逐个检查习惯●DFOV、Start/End Location、AP Center 、RL Center的设置可通过直接输入数字或通过定位线改变●如预制了两组或三组显示参数，请务必激活：Recon Enable—Y，表现为定位线起始和结束部位各出现红线4.注意辨别各种伪影。
5.CT检查必须在屏蔽室内等防护设施内进行曝光，期间除受检者外其他人员不应于检查室内停留，婴幼儿、危重病人等必须家属陪护除外，且受检者及陪护人员应采取必要的防护措施。
三、检查结束：1．每一患者结束检查，及时结束扫描程序，进行相应的后处理后选用适当的窗宽窗位拍片并向服务器上传数据，2．每天下班前做好数据存储、备份工作。
3．关闭机器电源，切断电源开关。
GE LightSpeed VCT
Toshiba
LightSpeed VCT每秒175mm高分辨覆盖速度，64层CT的佼佼者
8
Volume CT Evolution
Coverage Speed
V-Res™ 容积探测器技术
+
+
+
64-Row HiLight™
Backlit
二极管
高密度 互连
稀土陶瓷
Volara™ DAS
8:1 高度集成化
Conventional CRI
传统重建算法采用相邻探测器的180o插值样本重建，两样本距 离太大，Z轴分辨率降低。 GE独有的CRI采用距重建层面最近的180o共轭样本，采样数据最 真实，并且基于样本可动态调整插值算法,提高了Z轴分辨率。
14
Performix ProTM — V8大力神球管
LightSpeed VCT
CT发展历史
扫描速度
高分辨率覆盖速度
全高分辨率覆盖 (40mm@0.625mm) 实现图像质量和覆盖 范围的完全统一 扫描速度 扫描速度 扫描速度
三者部分统一 三者部分统一
图象质量
？
覆盖范围
图象 图象质量 质量
覆盖 覆盖范围 范围
三者相互牵制 单层螺旋CT
2
四层螺旋 32 / 40层 CT CT
15
临床应用的开拓
LightSpeed VCT
1秒单器官
大
40mm
5秒心脏
小
10秒全身
高
800mA
快
175mm/s
0.30mm
技术创新的硬件平台 + 独有的重建算法
技术创新为临床应用开拓之本
18
光 电 探 测 器ppt课件
2
(W )
4.探测度D与归一化探测度D*
• 探测度D 为噪声等效功率的倒数，即
• 归一化探测度D*
1 D NEP
由于D与探测器的面积Ad 和放大器带宽 Δ f乘积的平方根成正比，为消除这一影 响，定义： D*越大的探测器其探测能力越强。
1 1 / 2 D DAf ( ) d * N E P
出下降到稳定值所需要的时间。
2.量子效率
量子效率：是指每入射一个光子光电探测器所释放 的平均电子数。它与入射光能量有关。其表达式
为:
I /e P / h
式中，I是入射光产生的平均光电流大小，e是电子 电荷，P是入射到探测器上的光功率。I/e为单位时 间产生的电子数,P/hυ 为单位时间入射的光子数。
光电探测器
光电检测器件
光子器件
真空器件
光电管 光电倍增管 真空摄像管 变像管 像增强管
热电器件
固体器件
光敏电阻 热电偶/热电堆 热辐射计/热敏电 阻 热释电探测器
光电池
光电二极管 光电三极管
光纤传感器
电荷耦合器件 CCD
光电探测器的种类
光电探测器能检测出入射在其上面的光功率，并完成光/电信 号的转换。对光检测器的基本要求是：
+ +
E
收入射光的比例很小，I层几乎占据整个耗尽 层，因而光生电流中漂移分量占支配地位， 从而大大提高了响应速度。还可以通过控制 耗尽层的厚度，来改变器件的响应速度。
为使入射光功率有效转换成光电流，它须在耗尽区内被半 导体材料有效吸收，故要求耗尽区足够厚、材料对入射光 的吸收系数足够大。在厚度W内被材料吸收的光功率可表 W 示为 ： P W P 1 e
(W )
4.探测度D与归一化探测度D*
• 探测度D 为噪声等效功率的倒数，即
• 归一化探测度D*
1 D NEP
由于D与探测器的面积Ad 和放大器带宽 Δ f乘积的平方根成正比，为消除这一影 响，定义： D*越大的探测器其探测能力越强。
1 1 / 2 D DAf ( ) d * N E P
出下降到稳定值所需要的时间。
2.量子效率
量子效率：是指每入射一个光子光电探测器所释放 的平均电子数。它与入射光能量有关。其表达式
为:
I /e P / h
式中，I是入射光产生的平均光电流大小，e是电子 电荷，P是入射到探测器上的光功率。I/e为单位时 间产生的电子数,P/hυ 为单位时间入射的光子数。
光电探测器
光电检测器件
光子器件
真空器件
光电管 光电倍增管 真空摄像管 变像管 像增强管
热电器件
固体器件
光敏电阻 热电偶/热电堆 热辐射计/热敏电 阻 热释电探测器
光电池
光电二极管 光电三极管
光纤传感器
电荷耦合器件 CCD
光电探测器的种类
光电探测器能检测出入射在其上面的光功率，并完成光/电信 号的转换。对光检测器的基本要求是：
+ +
E
收入射光的比例很小，I层几乎占据整个耗尽 层，因而光生电流中漂移分量占支配地位， 从而大大提高了响应速度。还可以通过控制 耗尽层的厚度，来改变器件的响应速度。
为使入射光功率有效转换成光电流，它须在耗尽区内被半 导体材料有效吸收，故要求耗尽区足够厚、材料对入射光 的吸收系数足够大。在厚度W内被材料吸收的光功率可表 W 示为 ： P W P 1 e
最新常用光电探测器PPT课件
V
Pmax Rg
RL Rg
光敏电阻
时间响应特性
光敏电阻受光照后或被遮光后，回路电流并不立即增 大或减小，而是有一响应时间。响应时间常数是由电流上 升时间和衰减时间表示。
光敏电阻的响应时间与入射光的照度，所加电压、负 载电阻及照度变化前电阻所经历的时间（称为前历时间） 等因素有关。
光敏电阻
稳定特性
P3
－ V
+
u2 RL1
u1 o i1
RL2
i2
i
RL1
RL2 RL
i
▪ 第三象限是反偏压状态。这时iD=iS0，是普通二极管中的反向饱和电流，
称为暗电流(对应于光功率P=0)，数值很小，这时的光电流(等于i-iS0)是 流过探测器的主要电流，对应于光导工作模式。通常把光导工作模式的
光伏探测器称为光电二极管，因为它的外回路特性与光电导探测器十分
几种国产硅光电池的特性
硅光电池——太阳电池
硅光电池——太阳电池
硅光电池——太阳电池
硅光电池——太阳电池
硅光电池——太阳电池
硅光电池——太阳电池
硅光电池——太阳电池
短路电流和开路电压
短路电流——RL=0 开路电压——RL=∞
光电池等效电路
Cj：结电容 ish：pn结漏电流，很小 Rsh：等效泄露电阻，很大 Rs：引出电极－管芯接触电阻
HgxCd1-xTe探测器：化合物本征型光电导探测器，由 HgTe和GdTe两种材料混在一起的固溶体，其禁带宽度 随组分x呈线性变化。当x=0.2时响应波长为8~14μm， 工作温度77K，用液氮致冷；内电流增益约为500，低 内阻，广泛用于10.6μm的CO2激光探测。
光敏电阻
最新GE公司LightSpeed16探测器理论及操作指导ppt课件
0.5625:1模式——床速：5.625mm/转 0.9375:1模式——床速：9.375mm/转 1.375:1模式——床速：13.75mm/转 1.75:1模式——床速：17.5mm/转
GEMSC CT APPL. TiP
螺旋扫描定制
16x1.25 mm
球管旋转一周由24排探测器收集16个信号，每1个信号由中心每2排探测 器或两侧每1个探测器收集，可后重建层厚为1.25, 2.5, 3.75, 5.0, 7.5, 10mm。
0.625:1模式——床速：6.25mm/转 0.875:1模式——床速：8.75mm/转 1.35:1模式——床速：13.5mm/转 1.675:1模式——床速：16.75mm/转
GEMSC CT APPL. TiP
螺旋扫描定制
8 x 2.5 mm
球管旋转一周由24排探测器搜集8个信号，中心每4排探测器收集1 个信号，两侧每2个探测器收集1个信号，图像后重建层厚为2.5, 3.75, 5.0, 7.5, 10mm。
准直器
Diode
FET Switching Array
GEMSC CT APPL. TiP
探测器结构
2 x 0.625mm
球管的焦点
准直器
球管旋转一周由2排探测 器收集2个信号。故最薄 层厚：0.625 mm
Diode
FET Switching Array
GEMSC CT APPL. TiP
轴位扫描模式
GEMSC CT APPL. TiP
轴位扫描的层间隔
层间隔=机架旋转一周的图像数目x层厚
例如: • 8 x 1.25 模式：机架旋转1周生成1.25mm层厚图像8幅，覆盖
10mm范围，层间隔为10mm。
GEMSC CT APPL. TiP
螺旋扫描定制
16x1.25 mm
球管旋转一周由24排探测器收集16个信号，每1个信号由中心每2排探测 器或两侧每1个探测器收集，可后重建层厚为1.25, 2.5, 3.75, 5.0, 7.5, 10mm。
0.625:1模式——床速：6.25mm/转 0.875:1模式——床速：8.75mm/转 1.35:1模式——床速：13.5mm/转 1.675:1模式——床速：16.75mm/转
GEMSC CT APPL. TiP
螺旋扫描定制
8 x 2.5 mm
球管旋转一周由24排探测器搜集8个信号，中心每4排探测器收集1 个信号，两侧每2个探测器收集1个信号，图像后重建层厚为2.5, 3.75, 5.0, 7.5, 10mm。
准直器
Diode
FET Switching Array
GEMSC CT APPL. TiP
探测器结构
2 x 0.625mm
球管的焦点
准直器
球管旋转一周由2排探测 器收集2个信号。故最薄 层厚：0.625 mm
Diode
FET Switching Array
GEMSC CT APPL. TiP
轴位扫描模式
GEMSC CT APPL. TiP
轴位扫描的层间隔
层间隔=机架旋转一周的图像数目x层厚
例如: • 8 x 1.25 模式：机架旋转1周生成1.25mm层厚图像8幅，覆盖
10mm范围，层间隔为10mm。
闪烁体探测器教学PPT分析
二、闪烁体的发光机制
无机闪烁体： 光输出产额高、线性好，发光时间较长。 有机闪烁体： 发光时间短，光输出产额低。 1、无机闪烁体的发光机制 2、有机闪烁体的发光机制(自学)
无机闪烁体的发光机制：
掺杂的无机晶体：NaI(Tl)、CsI(Tl)，也叫卤 素碱金属晶体。
导 体：Eg<0.1ev 半导体：Eg=0.6~2.5ev 绝缘体：Eg>3ev NaI(Tl): Eg=7.3ev
密度大， =3.67g/cm3 ，探测效率高；
Z高，碘(Z=53)占重量85% ，光电截面大； 相对发光效率高，为蒽的2.3倍； 发射光谱最强波长415nm，与PMT光谱响应配合； 晶体透明性能好； 能量分辨率较高，~7.5%,662keV-。
缺点：容易潮解。
1-硬质玻璃；
2-NaI(Tl)晶体； 3-光学耦合剂； 4-光反射层； 5-金属铝壳；
t N光子 t N 0 N t N 0 1 e
• 则单位时间内发出的光子数为(发光强度)：
dN光子 N0 t I t e dt
对大多数有机晶体和少数无机晶体，发光衰减有快 慢两种成份，其衰减规律为：
I t I f e
问题：
试解释NaI(T1)闪烁探测器的能量分辨率优于BGO 闪烁探测器的原因，为何后者的探测效率要更高一 些？
闪烁体 NaI(Tl)
原子序数Z 11, 53
密 3.67
度
发光效率 100
Bi4Ge3O12
83, 32, 8
7.13
7~14
§5.3 光学收集系统
• 反射层、耦合剂和光导。 • 反射层作用： 把闪烁体中向各个 方向发射的光有效地反 射到光电倍增管的光阴 极上。 氧化镁、二氧化钛、 聚四氟乙烯塑料袋等。
光电检测技术精品光电子发射探测器
•4. 负电子亲和势（NEA: Negative Electro-affinity）光电阴极
• 常规的光电阴极属于正电 子亲和势(PEA)类型，即表面的 真空能级位于导带之上。
• 如果给半导体(Ⅲ-Ⅴ族)的 表面作特殊处理，使表面区域 能带弯曲，真空能级降低到导 带之下，从而使有效的电子亲 和势为负值，这种能带弯曲势 必影响导带中电子逸出所需的 能量，也就改变了光电逸出功。
•（1) 光谱灵敏度 • 定义在单色（单一波长）辐射作用于光电阴极时，
光电阴极输出电流Ik与单色辐射通量φe,λ之比为光电阴
极的光谱灵敏度Se,λ。
•（µA/W或A/W）
PPT文档演模板
光电检测技术精品光电子发射探测器
•（2） 积分灵敏度 • 定义：在某波长范围内的积分辐射作用于光电 阴极时，光电阴极输出电流Ik与入射辐射通量φe之比。
比为光电阴极的量子效率ηλ（或称量子产额）。即
• 量子效率和光谱灵敏度是一个物理量的两种表 示方法。它们之间的关系为
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光电检测技术精品光电子发射探测器
•3. 光谱响应曲线
• 光电发射阴极的光谱灵敏度或量子效率与入射辐 射波长的关系曲线称为光谱响应。
•4. 暗电流
• 光电发射阴极中少数处于较高能级的电子在室温下
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光电检测技术精品光电子发射探测器
•1、光电管的工作原理
•真空型光电管
• 当入射光透过光窗照射到光电阴
极面上时，光电子从阴极发射出去，
在阴极和阳极之间的电场作用下作加
•或充 气
速运动，被高电位的阳极收集，其光
电流的大小主要由阴极灵敏度和入射
辐射的强度决定。
• 充气型光电管
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探测器结构采用8x2.5mm模式，最薄层厚2.5mm，覆盖范围20mm/周 。
1 2 3 45
67
8i mode = 中心4个信号由每4个探测器 收集成1个信号（4x0.625)，周边4个信
8 号由每2个探测器收集成1个信号(2x1.25)
。
1
2
4i mode = 中心2个信号由每8个探测器收
集成1个信号（8x0.625)，周边2个信号由
1
2
3
4
4i mode = 中心每3个单元探 测器收集1个信号
1234 5678
8i mode =中心4个信号由每 4个 探测器（4x0.625)收集成1个信 号 ，周边 4个信号由每2个探测 器各收集1个信号（ 2x1.25 ）。
GEMSC CT APPL. TiP
轴位扫描模式
探测器结构采用16x1.25mm模式，最薄层厚1.25mm，覆盖范围 20mm/周，另可重建层数和层厚为8层@2.5mm, 4层@5mm和2层 @10mm。
1 2 3 4 5 6 7 8 9 1011 12 13 14 15 16
16i mode: 图像层厚0.625
1 2 3 4 5 67 8
8i mode : 图像层厚1.25mm
12 3 4
4i mode: 图像层厚2.5mm
1
2
2i mode :图像层厚5mm
1
1i mode ：图像层厚10mm
探测器结构
2 x 0.625mm
球管的焦点
准直器
球管旋转一周由2排探测 器收集2个信号。故最薄 层厚：0.625 mm
Diode
FET Switching Array
GEMSC CT APPL. TiP
轴位扫描模式
探测器结构采用16x0.625mm模式，最薄层厚0.625mm，覆盖范围 10mm/周，重建层数和层厚如下：
探测器结构
8 x 2.5mm
球管的焦点
球管旋转一周由24排探测 器收集8个信号，每1个信 号由2或4排探测器收集， 故最薄层厚：2.5 mm
准直器
中心每4排探测器收集成1 个信号（4x0.625=2.5)，两 侧各收集2个信号（2x 1.25=2.5)
Diode
FET Switching Array
1
2
3
ห้องสมุดไป่ตู้
4
4i mode = 中心2个信号由每8个 探测器收集成1个信号（8x0.625) ，周边每4个探测器收集1个信号 （4x1.25)。
2i mode = 每侧由8个0.625和4 个1.25探测器收集成1个信号。
1
2
GEMSC CT APPL. TiP
轴位扫描模式
探测器结构采用8x1.25mm模式，最薄层厚1.25mm，覆盖范围10mm/周 ，另可重建层数和层厚为4层@2.5mm, 2层@5mm和1层@10mm。
探测器结构
16 x 1.25mm
球管的焦点
球管旋转一周由24排探测器 收集16个信号，每1个信号 由1排或2排探测器收集，故 最薄层厚：1.25 mm
准直器
中心每2个探测器结合收集1 个信号（2x0.625=1.25)共8 个信号，两侧各收集4个信 号（1x1.25)，总共覆盖 20mm/周
Diode
3
4
每4个探测器收集成1个信号（4x1.25)。
2i mode = 由中心8个探测器和周边4个 探测器各收集1个信号。
1
2
GEMSC CT APPL. TiP
轴位扫描模式
Diode
FET Switching Array
探测器结构采用4x3.75mm模式，最薄层厚3.75mm，覆盖范围15mm/周。
1 23 4 567 8
8i mode = 中心每2个探测 器收集成1个信号。
1 2 34
4i mode = 中心每4个探 测器收集成1个信号。
1
2
2i mode = 中心每8个 探测器收集成1个信号。
1i mode = 中心16个探测器收集成1 个信号。
1
GEMSC CT APPL. TiP
轴位扫描模式
e
GE Medical Systems
LightSpeed 16
探测器理论及操作指导
（第一版）
GEMSC CT APPL. TiP
探测器结构
Z轴方向24排探测器单元 ——中心16排0.625mm/单元 ——周边各4排1.25 mm/单元 共24排（Z轴）x 912（横向）=21888个探测器单元
Diode
FET Switching Array
GEMSC CT APPL. TiP
探测器结构
8 x 1.25mm
球管的焦点 准直器
球管旋转一周由16个探测 器收集8个信号，每1个信 号由中心每2排探测器收集 ，故最薄层厚：1.25 mm
Diode
FET Switching Array
GEMSC CT APPL. TiP
FET switching array
GEMSC CT APPL. TiP
探测器结构
16 x 0.625mm
球管的焦点
准直器
球管旋转一周由16排探测器 收集16个信号，每1个信号 由1排探测器收集，故最薄 层厚：0.625 mm
Diode
FET Switching Array
GEMSC CT APPL. TiP
GEMSC CT APPL. TiP
探测器结构
4 x 3.75mm
球管的焦点
球管旋转一周由20排探测 器收集4个信号，每1个信 号由4或6排探测器收集， 故最薄层厚：3.75 mm
准直器
中心2个信号由6个探测器 收集（6x0.625=3.75)，另2 个信号由1.25和0.625各2个 探测器收集（2x1.25+ 2x0.625)
GEMSC CT APPL. TiP
轴位扫描模式
探测器结构采用16x1.25mm模式，最薄层厚1.25mm，覆盖范围 20mm/周，另可重建层数和层厚为8层@2.5mm, 4层@5mm和2层 @10mm。
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 131415 16
16i mode = 中心8个信号由每 2个 探测器（2x0.625)收集成1个信号 ，周边 8个探测器各收集1个信号（ 1x 1.25 ）。
Diode
FET Switching Array
GEMSC CT APPL. TiP
探测器结构
4 x 1.25mm
球管的焦点
球管旋转一周由8排探测器 收集4个信号，每1个信号 由2排探测器收集，故最薄 层厚：1.25 mm
准直器
Diode
FET Switching Array
GEMSC CT APPL. TiP