模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结【考试专用】汇编
电子技术基础模拟部分(模电)考试复习总结
CH5场效应管放大电路
• 内容：MOSFET及其放大电路；JFET；各种 放大器件电路性能比较。 • 重点：①了解场效应管的工作原理和场效应管 的输出特性、转移特性和主要参数；②掌握场 效应管放大电路的组成、工作原理和电路特点， 以及分析放大电路静态和动态参数的一般方法。
• 内容：BJT；基本放大电路；以及放大电路的 参数性能指标分析计算。 • 重点：①了解BJT的放大原理及输入、输出特 性曲线；②理解基本放大电路的组成和工作原 理；③掌握放大电路的静态、动态指标的分析 计算；④理解CE、CC、CB三种基本放大电路的 组成及特点；⑤掌握多级放大电路的分析计算； ⑥掌握放大电路频率响应的分析方法。
• 重点：①掌握虚短、虚断的重要概念；②掌握 由集成运算组成的基本运算电路及其分析方法。
CH3二极管及其基本电路
• 内容：半导体的基本知识；PN结的形成及特 性；二极管；二极管的基本电路及其分析方法； 特殊二极管。
• 重点：①二极管与稳压管的伏安特性和主要参 数；②二极管基本电路及其分析方法。
CH4BJT及其放大电路基础
小结（ch1-5）
CH1绪论
• 内容：电子学基本概念、信号的频谱、模拟信 号和数字信号、放大电路类型、放大电路的主 要性能指标。
• 重点：①了解四种类型的放大电路模型；②了 解输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非 线性失真等放大电路的主要性能指标的概念。
CH2信号的运算
• 内容：集成电路运算放大器；理想运算放大器； 基本线性运放电路及其他应用（集成运放均工 作在线性区）。
模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结【考试专用】
1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
特性:热敏性、光敏性、掺杂性。
2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。
3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体,空穴为多子，电子为少子。
4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素,形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。
5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的,而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。
6、硅管Uo n和Ube:0.5V和０.7V ;锗管约为0.1Ｖ和0.3V。
7、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为０.7V，)②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿(即满足Ｕ﹥ＵZ)时便稳压为U Z。
8、二极管主要用途:开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离(门电路)等。
9、三极管的三个区:放大区、截止区、饱和区。
三种状态:工作状态、截止状态、饱和状态,放大时在放大状态,开关时在截止、饱和状态。
三个极：基极B、发射极E和集电极Ｃ。
二个结：即发射结和集电结。
饱和时:两个结都正偏；截止时:两个结都反偏;放大时:发射结正偏,集电结反偏。
三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C／I B（或I C=β I B)和开关作用.10、当输入信号Ｉi很微弱时,三极管可用Ｈ参数模型代替（也叫微变电路等效电路）。
11、失真有三种情况：⑴截止失真原因I B、ＩC太小，Q点过低,使输出波形正半周失真。
调小R B,以增大I B、IＣ,使Q点上移。
⑵饱和失真原因I B、I C太大,Ｑ点过高，使输出波形负半周失真。
调大R B,以减小I B、ＩC，使Q点下移。
⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真,消除办法是调小信号源。
1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。
（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路)。
共射电路的输出电压U０与输入电压ＵＩ反相,所以又称反相器。
模电知识点总结讲义
模电知识点总结讲义第一部分：基本概念1. 电子元件电子元件是指能处理信息的基本部件，包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。
- 电阻：用于限制电流或降低电压的元件。
- 电容：用于储存电荷或储存能量的元件。
- 电感：用于储存磁场能量或阻碍电流变化的元件。
- 二极管：用于整流、开关、放大等功能的元件。
- 晶体管：用于放大、开关、稳压等功能的元件。
2. 电路电路是由电子元件连接而成的路径，用于传输电流或信号。
- 直流电路：电流方向不变的电路。
- 交流电路：电流方向时而正时而负的电路。
- 数字电路：用于处理数字信号的电路。
- 模拟电路：用于处理模拟信号的电路。
3. 电路分析电路分析是指根据电路中元件的特性和连接关系，计算电压、电流等参数的过程。
- 基尔霍夫定律：电路中各节点的电流代数和为零。
- 欧姆定律：电流与电压成正比，电阻是电压和电流的比值。
- 诺顿定理：任意线性电路均可用一个等效的电压源和串联电阻来替代。
- 戴维南定理：任意线性电路均可用一个等效的电流源和并联电阻来替代。
4. 信号处理信号是指传输信息的载体，信号处理是对信号进行增强、滤波、调制等操作的过程。
- 放大器：用于增强信号幅度的电路。
- 滤波器：用于去除或增强特定频率的电路。
- 调制器：用于将低频信号调制到高频载波上的电路。
第二部分：放大器1. 放大器类型- 基本放大器：包括共射、共集、共底极等类型。
- 差分放大器：用于抑制共模信号的放大器。
- 电压跟随器：用于输出跟随输入信号的放大器。
2. 放大器设计- 选型：根据放大器的功率、频率、噪声等性能要求选择适当的器件。
- 偏置：通过电阻、电容等元件来设置放大器工作点。
- 反馈：通过串联或并联的电阻、电容等元件来控制放大器的增益、带宽等性能。
3. 放大器应用- 信号放大：用于将传感器输出的微弱信号放大到可测量范围。
- 信号传输：用于增强信号以便传输到远处或驱动加载。
第三部分：滤波器1. 滤波器类型- 低通滤波器：允许低频信号通过，阻断高频信号。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电必考知识点总结
模电必考知识点总结一、基本电路理论1. 电路基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律、电路中的功率计算等基本电路定律是模拟电子技术学习的基础，了解和掌握这些定律对于学习模拟电子技术是非常重要的。
2. 电路分析了解如何对电路进行简化、等效电路的转换、戴维南定理和诺依曼定理等电路分析的基本方法。
3. 电路稳定性掌握电路的稳定性分析方法，包括如何对直流放大电路和交流放大电路进行稳定性分析。
4. 传输线理论了解传输线的基本特性，包括传输线的阻抗、反射系数、传输线的匹配等知识。
二、放大电路1. 二极管放大电路了解二极管的基本特性和放大电路的设计原理，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的二极管放大电路。
2. 晶体管放大电路了解晶体管放大电路的基本原理和设计方法，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的晶体管放大电路。
3. 放大电路的频率响应了解放大电路的频率响应特性，包括截止频率、增益带宽积等相关知识。
4. 反馈电路掌握反馈电路的基本原理和分类，了解正反馈和负反馈电路的特点和应用。
三、运算放大电路1. 运算放大器的基本特性了解运算放大器的基本特性，包括输入输出阻抗、放大倍数、共模抑制比等相关知识。
2. 运算放大器的电路应用了解运算放大器在反馈电路、比较电路、滤波电路、振荡电路等方面的应用，掌握运算放大器的基本应用方法。
四、滤波器电路1. RC滤波器和RL滤波器了解RC滤波器和RL滤波器的基本原理、特性和应用，包括一阶和二阶滤波器的设计和性能分析。
2. 增益电路和阻抗转换电路掌握增益电路和阻抗转换电路的设计原理和方法，了解它们在滤波电路中的应用。
3. 模拟滤波器设计了解低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻（陷波）滤波器的设计方法和特性，掌握模拟滤波器的设计技巧。
五、功率放大电路1. BJT功率放大电路了解晶体管功率放大电路的基本原理和设计方法，包括类A、类B、类AB和类C功率放大电路的特点和应用。
(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电基础知识总结
模电基础知识总结导言模拟电子技术（Analog Electronics）是电子学的一个重要分支，包括分析和设计各种电子电路，以便于对在电子系统中表现为连续值的信号进行处理。
模拟电子技术是电子技术的核心内容之一，广泛应用于各种电子系统中。
本文将对模拟电子技术的基础知识进行总结。
电路基础电压、电流与电阻•电压：电荷的偏移量，单位为伏特（V）。
•电流：电荷单位时间通过导体的速度，单位为安培（A）。
•电阻：导体抵抗电流的能力，单位为欧姆（Ω）。
电路定律•欧姆定律: $ V = IR $•基尔霍夫定律:–基尔霍夫电压定律：节点电压之和为零。
–基尔霍夫电流定律：分支电流之和为零。
放大器放大器概述放大器是一种电子电路，用于增加信号的幅度。
放大器可以分为电压放大器、电流放大器和功率放大器等类型。
放大器特性•增益（Gain）：输出信号幅度与输入信号幅度的比值。
•带宽（Bandwidth）：放大器能够放大信号的频率范围。
•输入/输出阻抗：放大器的输入和输出接口的阻抗匹配对信号传输至关重要。
滤波器滤波器概述滤波器是一种能够选择特定频率信号的电路。
常见的滤波器类型包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
滤波器设计•利用电容和电感可以设计无源RC和RL滤波器。
•主动滤波器使用放大器来增强滤波效果。
•数字滤波器基于离散时间信号进行设计。
零件及器件二极管与晶体管•二极管：具有单向导电特性，用于整流和电压调节。
•晶体管：根据不同类型（NPN/PNP），可作为放大器、开关或振荡器使用。
集成电路•集成电路（IC）：将多个电子元器件集合在一起形成的整体，方便应用到复杂的电路中。
结论本文对模拟电子技术领域的基础知识进行了总结，涵盖了电路基础、放大器、滤波器和常见零部件等内容。
这些基础知识是深入理解模拟电子技术的关键，也是进行电路设计和分析的基石。
希望读者通过本文的学习，能够对模拟电子技术有更深入的了解。
以上是本文对模拟电子基础知识的总结，希望对您有所帮助。
（完整版）模拟电子技术基础总结
（完整版）模拟电子技术基础总结第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。
前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs 是微波毫米波半导体器件和IC 的重要材料）。
·纯净（纯度>7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。
本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。
温度越高，本征激发越强。
+载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶·空穴是半导体中的一种等效q+电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。
格中的空位，使局部显示q·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。
复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。
2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体（N型：图1-5，P型：图1-6）。
·在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。
·由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
·在常温下，多子>>少子（图1-7）。
多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。
·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。
3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
4．PN结·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN结（图1-8）。
模电知识点复习总结
模电知识点复习总结模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要基础学科之一，主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。
下面是我对模电知识点的复习总结：一.基础知识1.电路基本定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。
2.信号描述与频域分析：时间域与频域的关系。
傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。
3.理想放大器：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。
4.放大器基本电路：共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。
二.放大器设计1.放大器的参数：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。
2.放大器的稳定性：稳态稳定性和瞬态稳定性。
3.放大器的频率响应：截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。
4.放大器的非线性失真：交趾略失真、交调失真、互调失真等。
5.放大电路的优化设计：负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。
三.运算放大器1.运算放大器的基本性质：增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。
2.电压放大器：非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。
3.运算放大器的应用电路：比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。
4.运算放大器的非线性失真：输入失真、输出失真、交调失真等。
四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理：输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。
2.双向可调电源的电路结构：移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。
3.双向可调电源的控制方式：串行控制和并行控制。
五.滤波器设计1.常见滤波器类型：低通、高通、带通和带阻滤波器。
2.滤波器的频率响应特性：通频带、截止频率、衰减量。
3.滤波器的传输函数：频率选择特性、阶数选择。
4.滤波器的实现方法：RC、RL、LC和电子管等。
六.可控器件1.二极管：理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。
2.可控硅：双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。
3.功率晶体管：NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。
模电计算公式汇总
模电专题复习一：计算公式一、二极管整流电路1.半波整流电路2.全波整流电路Uo=0.45U2U RM=√2U2I v=I o Uo=0.9U2U RM=2√2U2I v=0.5I o3.桥式整流电路4.半波整流滤波电路Uo=0.9U2U RM=√2U2I v=0.5I o Uo=U2U RM=2√2U2I v=I o 5.桥式整流滤波电路Uo=1.2U2U RM=√2U2I v=0.5I o6.滤波空载电路U o=√2U2≈1.4U2二、三极管放大电路1.共射级基本放大电路2.分压式偏置放大电路静态：I BQ =V CC −U BEQR B静态：U BQ =V CC ×R b2Rb1+R b2I CQ =βI BQ I CQ ≈I EQ =U BQ −U BEQR EU CEQ =V CC -I C R C I BQ =I CQ β动态：r be =300+（1+β）26I EQU CEQ =V CC -I C R C -I E R E ≈V CC -I C （R C +R E ） A U =-βR L‘r be（R L ’=R L //R C ） 动态：r be =300+（1+β）26I EQR i =r be //R b ≈r be A U =-βR L‘r be（R L ’=R L //R C ）R o =R C R i =r be //R b1//R b2 R o =R C3.旁路电容开路的放大电路静态：U BQ =V CC ×R b2R b1+R b2I CQ ≈I EQ =U BQ −U BEQ R f +R EI BQ =I CQ βU CEQ =V CC -I C R C -I E R e -R f ≈V CC -I C （R C +R e +R f ） 动态：r be =300+（1+β）26I EQA U =-βR L‘r be +（1+β）R f（R L ’=R L //R C ）R i =（r be +（1+β）R f ）//R b1//R b2R o=R C4.带发射极电阻的基本放大电路静态：I B R2+U BEQ+I E R4=V CC 动态：r be=300+（1+β）26I EQI BQ=V CC−U BEQR2+（1+β）R4A U=-βR L‘r be（RL’=RL//R C）I EQ≈I CQ=βI BQ R i=r be//R b≈r beU CEQ=V CC-I C（R3+R4）R o=R C5.共集电极放大电路静态：I BQ=V CC−U BEQR B+（1+β）R E动态：Ri大I CQ≈I EQ=（1+β）I BQ Ro小U CEQ=V CC-I E R E A U≈1，略小于1三、集成运算放大器1.反向比例运算电路2.同相比例运算电路Uo=−Rf R 1U i R 3=R 1//R 2 Uo=（1+Rf R 1）U i R 3=R 1//R 2 R i =R 1 Ro=0 R i =∞ Ro=0 3.反向加法运算电路Uo=−（R 2R 1U i1+R2R 3U i2） R P =R 1/ / R 2/ / R 34.同相加法运算电路i1i2i1i2P 345P3434(////)u u u u u R R R R R R R R ⎛⎫⎛⎫=+=+ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭P 345////R R R R =22P P o N i1i2113411R R R Ru u u u R R R R ⎛⎫⎛⎫⎛⎫=+=++ ⎪⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭⎝⎭ N12//R R R = 4.减法运算电路ou i1uUo =（1+R 3R 1）（R pR2+R p）U i −R3R 1U i四、稳压电源电路 1.并联型稳压电路I Z =I-I L =U i −U Z R−UL R L2.串联型稳压电路Uo=U Z -U BE3.串联可调型稳压电路Uo =R 1+R 2+R pp 下2（U Z +U BE ）3.317可调电源电路Uo=1.25×（1+R2R1）五、低频功率放大器1.OCL电路P om=U o2L=U om2L=（U CC−U CES）2L≈U cc2L P v=2V cc U omπR L≈2U cc2πR Lη=P ov =πU omcc≈π=78.5%2.OTL电路P om=U o2L=U om2L=（12U CC−U CES）2L≈U cc2L P v=V c c U omL≈U cc2LP o P v =π4U omV cc≈π4=78.5%η=。
考研模拟电子技术知识点浓缩
考研模拟电子技术知识点浓缩电子技术是现代社会中非常重要的一门学科，它涉及到无线通信、计算机、电子设备等众多领域。
对于准备考研的学生来说，电子技术知识点的掌握至关重要。
本文将对考研模拟电子技术知识点进行浓缩，帮助考生更好地复习和备考。
一、模拟电子技术基础知识1. 电路基本定律- 基尔霍夫定律- 电压分压定律- 电流分流定律2. 二极管与晶体管- 二极管的结构与特性- 晶体管的结构与特性3. 放大电路- 放大器的分类和基本特性- 单管放大电路- 多级放大电路4. 滤波电路- RC滤波电路- LC滤波电路5. 振荡电路- LC振荡电路- 压控振荡器- 相移振荡器二、数字电子技术基础知识1. 数字电路基础- 数制及其转换- 布尔代数- 逻辑门电路2. 组合逻辑电路- 编码器和译码器- 多路选择器与多路数据选择器 - 加法器和减法器3. 时序逻辑电路- 触发器与锁存器- 移位寄存器4. 存储器- RAM和ROM- 随机存储器和只读存储器- 快速存储器三、模拟与数字混合电子技术知识1. 模数/数模转换器- DAC的基本原理- DAC的应用场景2. 数模/模数转换器- ADC的基本原理- ADC的应用场景3. 运算放大器- 运放的基本原理- 运放的应用范围和特性4. 电源管理电路- DC-DC转换器- 电源管理IC的应用四、通信电子技术知识1. 信号与系统- 信号描述与分类- 系统的特性与分类- 傅里叶变换与拉普拉斯变换2. 调制与解调技术- 模拟调制与解调技术- 数字调制与解调技术3. 数字通信技术- 信道编码与解码- 错误控制编码4. 通信网络与传输介质- 数据传输介质- 光纤通信技术- 无线通信技术五、其他相关知识1. 工程电磁场基础- 电磁场的基本概念- 麦克斯韦方程组2. 微电子技术基础- MOS场效应管- 半导体器件制造工艺3. 消费电子技术- 数字电视技术- 智能手机技术- 智能家居技术综上所述，电子技术知识点众多，并且涵盖的内容广泛。
模电知识点总结专升本
模电知识点总结专升本一、模拟电子技术的基本概念1. 模拟电子技术的定义模拟电子技术是指用电子器件制作的用来处理、传输、采集模拟信号的技术。
2. 模拟信号与数字信号模拟信号是连续变化的信号，可以用连续的函数来表示；数字信号是非连续的信号，只能取有限个值，用数值来表示。
3. 模拟电子技术的应用领域模拟电子技术广泛应用于通信、广播、电视、医疗、工业自动化等领域，是现代电子科技的重要组成部分。
二、模电电路的基本器件1. 二极管二极管是一种具有非线性特性的电子器件，主要用于整流、放大、开关等电路中。
2. 晶体管晶体管是一种可以放大电信号的器件，种类有NPN型和PNP型两种，广泛应用于放大、开关、振荡电路中。
3. 电容器电容器是一种储存电荷的器件，主要用于滤波、耦合、定时等电路中。
4. 电感电感是一种储存磁场能量的器件，主要用于滤波、谐振、耦合等电路中。
5. 变压器变压器是一种用来变换交流电压的器件，主要用于功率增益、隔离等电路中。
三、常用模拟电子电路1. 放大电路放大电路是模拟电子技术中最基本的电路之一，包括共射放大、共集放大、共基放大等不同类型的放大电路。
滤波电路主要用于对信号的频率进行选择性的衰减或增强，包括低通滤波、高通滤波、带通滤波、带阻滤波等不同类型的滤波电路。
3. 振荡电路振荡电路是能够产生周期性信号的电路，包括正弦波振荡器、方波振荡器、三角波振荡器等不同类型的振荡电路。
4. 整流电路整流电路是用来将交流信号转换为直流信号的电路，包括单相整流电路、三相整流电路等类型的整流电路。
5. 调制电路调制电路是用来将基带信号调制到载波上的电路，包括调幅、调频、调相等不同类型的调制电路。
四、基本运算放大器1. 运算放大器的基本概念运算放大器是一种高增益、差分输入、单端输出的集成电路器件，主要用来实现模拟信号的放大、滤波、积分、微分等基本运算。
2. 运算放大器的基本参数运算放大器的基本参数包括增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比、带宽等。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。
3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体，空穴为多子，电子为少子。
4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素，形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。
5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。
6、硅管Uo n和Ube：0.5V和0.7V ；锗管约为0.1V和0.3V。
7、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）
②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
8、二极管主要用途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。
9、三极管的三个区：放大区、截止区、饱和区。
三种状态：工作状态、截止状态、饱和状态，放大时
在放大状态，开关时在截止、饱和状态。
三个极：基极B、发射极E和集电极C。
二个结：即发射结和集电结。
饱和时：两个结都正偏；截止时：两个结都反偏；放大时：发射结正偏，集电结反偏。
三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C / I B (或I C=β I B)和开关作用.
10、当输入信号I i很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。
11、失真有三种情况:
⑴截止失真原因I B、I C太小，Q点过低，使输出波形正半周失真。
调小R B，以增大I B、I C，使Q点上移。
⑵饱和失真原因I B、I C太大，Q点过高，使输出波形负半周失真。
调大R B，以减小I B、I C，使Q点下移。
⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。
1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。
（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是
发射极，故称共发射极电路）。
共射电路的输出电压U0与输入电压U I反相，所以又称反相器。
共集电路的输出电压U0与输入电压U I同相，所以又称同相器。
2、差模输入电压U id=U i1-U i2指两个大小相等，相位相反的输入电压。
（是待放大的信号）
共模输入电压U iC= U i1=U i2指两个大小相等，相位相同的输入电压。
（是干扰信号）
差模输出电压U0d 是指在U id作用下的输出电压。
共模输出电压U0C是指在U iC作用下的输出电压。
差模电压放大倍数A ud= U0d / /U id是指差模输出与输入电压的比值。
共模放大倍数A uc =U0C /U iC是指共模输出与输入电压的比值。
（电路完全对称时A uc =0）
共模抑制比K CRM=A ud /A uc是指差模共模放大倍数的比，电路越对称K CRM越大，电路的抑制能力越强。
3、差分电路对差模输入信号有放大作用，对共模输入信号有抑制作用，即差分电路的用途：用于直接
耦合放大器中抑制零点漂移。
（即以达到U I =0，U0=0的目的）
4、电压放大器的主要指标是电压放大倍数A U和输入输出电阻R i ，R0 。
功率放大器的主要指标要求是（1）输出功率大，且不失真；（2）效率要高，管耗要小，所以功率放大电路通常工作在甲乙类（或乙类）工作状态，同时为减小失真，采用乙类互补对称电路。
为减小交越失真采用甲乙类互补对称电路。
5、多级放大电路的耦合方式有：
直接耦合：既可以放大交流信号，也可以放大直流信号或缓慢变化的交流信号；
耦合过程无损耗。
常用于集成电路。
但各级工作点互相牵连，会产生零点漂移。
阻容耦合：最大的优点是各级工作点互相独立，但只能放大交流信号。
耦合过程有损耗，不利于集成。
变压器耦合：与阻容耦合优缺点同，已少用。
1、射极输出器特点：如图F-a（为共集电路，又称同相器、跟随器）
①电压放大倍数小于近似于1，U O与U i同相。
②输入电阻很大。
③输出电阻很小，所以带负载能力强。
反馈是指将输出信号的一部分或全部通过一定的方式回送到输入端。
1、反馈有正反馈（应用于振荡电路）和负反馈（应用于放大电路）之分。
2、反馈有直流反馈，其作用：稳定静态工作点。
有交流反馈，其作用：改善放大器性能。
包括：①提高电压放大倍数的稳定度；②扩展通频带；
③减小非线性失真；④改善输入输出电路。
3、反馈放大电路的基本关系式：A f =A /（1+AF），其（1+AF）称反馈深度，当（1+AF）远远大于是1
时为深度负反馈，其A f =1/ F，即负反馈后的放大倍数大大下降，且仅由反馈网络参数就可求放大倍数，而与运放器内部参数无关。
4、负反馈有四种类型：电压串联负反馈；电压反馈可减小输出电阻，从而稳定输出电压。
电压并联负反馈；
电流串联负反馈；电流反馈可增大输出电阻，从而稳定输出电流。
电流并联负反馈。
串联反馈可增大输入电阻。
并联反馈可减小输入电阻。
5、对集成运算放大器反馈类型的经验判断方法是：
当反馈元件（或网络）搭回到反相输入端为负反馈；搭回到同相输入端为正反馈。
当反馈元件（或网络）搭回到输入端为并联反馈，搭回到输入端的另一端为串联反馈。
当反馈元件（或网络）搭在输出端为电压反馈，否则为电流反馈。
而一般的判断方法：若反馈信号使净输入减少，为负反馈，反之为正反馈。
（用瞬时极性判断）
若满足Ui=Uid+Uf 为串联反馈，满足Ii=Iid+If为并联反馈。
若反馈信号正比输出电压，为电压反馈，反馈信号正比输出电流，为电流反馈。
（A）（B）
如（A）图，经验判断：反馈元件搭回到反相输入端，所以是负反馈；
反馈元件搭回到输入端，所以是并联反馈；
反馈元件搭在输出端，所以是电压反馈，所以图是电压并联负反馈。
如（B）图，由瞬时极性判得电路有两级的电流并联负反馈。
反馈元件为Rf
(因Rf搭在输入端，所以是并联，但不是搭在输出端，所以是电流反馈，即If是正比于输出电流IC2）
A、半波整流：U0=0.45U2 (U2为输入电压的有效值)
B、
C、半波整流滤波：U0= U2
D、
E、桥式整流：U0=0.9 U2
F、
G、桥式整流滤波：U0=1.2 U2
H、桥式整流滤波：U0=1.4 U2 (空载)。