哈工大模拟电子书后习题答案第4章
哈工大数电课本课后习题答案
[00100011-00010010]补=[00100011]补+[-00010010]补=00010001=[00010001]补
00100011-00010010=00010001
(b) [00001100]补=00001100
[-00100000]补=11100000
[00001100-00100000]补=[00001100]补+[-00100000]补=11101100=[10010100]补
= AC + BC + AB
【3-12】解：
CD AB 00
CD AB 00 01 11 10
00
11 1
01 1 1 1 1
11 1 1
1
11 1 1
1
10 1 1 1 1
10 1 1 1 1
四种： F1 = AB + CD + AC + BD F2 = AB + CD + AD + BC
先画出 Y1 和 Y2 的卡诺图，根据与、或和异或运算规则直接画出 Y1 ⋅ Y2 ，Y1 + Y2 ，Y1 ⊕ Y2
的卡诺图，再化简得到它们的逻辑表达式：
CD AB 00 01 11 10
00
111
01
11
11 1 1 1 1
10
11
CD AB 00 01 11 10
00
11
01
1
11
1
10
111
00001100-00100000=10010100
(c) [01111100]补=01111100
[-01000011]补=10111101
[01111100-01000011]补=[01111100]补+[-01000011]补=00111001=[00111001]补
哈工大数字电路书后答案第4章
(a) 图 A4.3
(b)
【4-4】解： 当 C = 1 时， F = AB ； 当 C = 0 时， F = A B = A + B 。
于是， F = ABC + ( A + B )C ，波形如图 A4.4 所示。
图 .4
【4-5】解： G2 有一输入端悬空，结果如表 A4.1 所示。
表 A4.1 C 1 1 0 0 S通 UO1 =1.4V UO2 =0.3V UO1 =3.6V UO2 =0.3V S断 UO1 =0V UO2 =0.3V UO1 =3.6V UO2 =0.3V
1.4 V 1.4 V 1.4 V 1.4 V 1.4 V
0.3 V 0.3 V 0.3 V 0.3 V 0.3 V
【4-7】解： 电压表读数 V1=1.4V，V2=1.4V，V3=0.3V，V4=3V，V5=0.3V。 【4-8】解： 当 C=0 时， 输出端逻辑表达式为 F= A + B ； C=1 时， = A ， 当 F 即， = A + B C + A C。 F 波形如图 A4.8 所示。
解答 问题 1.G1 悬空 2.波段开关 S 接到①端 3.波段开关 S 接到②端 4.波段开关 S 接到③端 5.波段开关 S 接到④端 表 A4.3 C=0 C=1 uO 万用表的读数 uO
万用表的读数 0.3 V 0.3 V 1.4 V 1.4 V 0.3 V
3.6 V 3.6 V 0.3 V 0.3 V 3.6 V
G2 悬空的输入端接至 0.3V，结果如表 A4.2 所示。
表 A4.2
C
S通
S断
1 1 0 0
UO1 =0.3V UO2 =3.6V UO1 =3.6V UO2 =3.6V
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【3-1】 填空 1、与模拟信号相比，数字信号的特点是它的 离散 性。一个数字信号只有两种取值分
别表示为 0 和 1 。 2、布尔代数中有三种最基本运算： 与 、 或 和 非 ，在此基础上又派生出五种
基本运算，分别为与非、或非、异或、同或和与或非。 3、与运算的法则可概述为：有“0”出 0 ，全“1”出 1；类似地或运算的法则为
Y1 Y2 = ABD ABC CD
Y1 Y2 = AB C B D
Y1 Y2 = ABC D ABC BCD ACD
ABCD ABCD
ABCD ABCD
(8,9,10,13,14,15) BC BC D
d
对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术关，系电，力根保通据护过生高管产中线工资敷艺料设高试技中卷术资配0料不置试仅技卷可术要以是求解指，决机对吊组电顶在气层进设配行备置继进不电行规保空范护载高高与中中带资资负料料荷试试下卷卷高问总中题体资，配料而置试且时卷可，调保需控障要试各在验类最；管大对路限设习度备题内进到来行位确调。保整在机使管组其路高在敷中正设资常过料工程试况中卷下，安与要全过加，度强并工看且作护尽下关可都于能可管地以路缩正高小常中故工资障作料高；试中对卷资于连料继接试电管卷保口破护处坏进理范行高围整中，核资或对料者定试对值卷某，弯些审扁异核度常与固高校定中对盒资图位料纸置试，.卷保编工护写况层复进防杂行腐设自跨备动接与处地装理线置，弯高尤曲中其半资要径料避标试免高卷错等调误，试高要方中求案资技，料术编试交写5、卷底重电保。要气护管设设装线备备置敷4高、调动设中电试作技资气高，术料课中并中3试、件资且包卷管中料拒含试路调试绝线验敷试卷动槽方设技作、案技术，管以术来架及避等系免多统不项启必方动要式方高，案中为；资解对料决整试高套卷中启突语动然文过停电程机气中。课高因件中此中资，管料电壁试力薄卷高、电中接气资口设料不备试严进卷等行保问调护题试装，工置合作调理并试利且技用进术管行，线过要敷关求设运电技行力术高保。中护线资装缆料置敷试做设卷到原技准则术确：指灵在导活分。。线对对盒于于处调差，试动当过保不程护同中装电高置压中高回资中路料资交试料叉卷试时技卷，术调应问试采题技用，术金作是属为指隔调发板试电进人机行员一隔，变开需压处要器理在组；事在同前发一掌生线握内槽图部内纸故，资障强料时电、，回设需路备要须制进同造行时厂外切家部断出电习具源题高高电中中源资资，料料线试试缆卷卷敷试切设验除完报从毕告而，与采要相用进关高行技中检术资查资料和料试检，卷测并主处且要理了保。解护现装场置设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。
(完整版)哈工大模电习题册答案
【2-1】 填空：1．本征半导体是 ，其载流子是 和 。
两种载流子的浓度 。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。
3．漂移电流是 在 作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是 和 。
5．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。
它工作在 。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 、 、 、和 。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。
1. 完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。
2. 杂质浓度，温度。
3. 少数载流子，(内)电场力。
4. 单向导电性，正向导通压降U F 和反向饱和电流I S 。
5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z ），工作电流（I Emin ），最大管耗（P Zmax ）和动态电阻（r Z ）6. 增大;【2-2】电路如图2.10.4所示，其中u i =20sinωt (mV)，f =1kHz ，试求二极管VD 两端电压和通过它的电流。
假设电容C 容量足够大。
-+-+C R+k 5ΩV 6iu VD+-D u Di a)(图2.10.4 题2-5电路图1．静态分析静态，是指u i =0，这时u i 视作短路，C 对直流视作开路，其等效电路如图1.4.2(a)所示。
不妨设U D =0.6V则D D 6V (60.6)V1.08mA 5kU I R --===Ω 对于静态分析，也可以根据二极管的伏安特性曲线，用图解法求解。
2．动态分析对于交流信号，直流电源和电容C 视作短路；二极管因工作在静态工作点附近很小的范围内，故可用动态电阻r d 等效，且D d D1ir u ∆=∆，由此可得等效电路如图1.4.2(b)所示。
二极管伏安特性方程：)1e (TD/S D -=U u I i (1.4.1)由于二极管两端电压U D ?U T =26 mV ，故式1.4.1可简化为：TD/S D e U u I i ≈TD D Dd d d 1U I u i r ≈=Ω==≈07.241.08mA26mVD T d I U r 所以d i d d d 0.02sin (V)0.83sin (mA)24.07()u u t i t r r ωω===≈Ω 3．交流和直流相叠加)(mA sin 83.008.1d D D t i I i ω+=+=)(V sin 02.06.0d D D t u U u ω+=+=4．u D 和i D 波形如图1.4.2(c)、(d)所示。
第4章 习题解答 哈工大习题册
第四章 正弦交流电路习题解答4.1 已知图示电路中100cos( 10)V u t ω=+︒，12cos( 100)A i t ω=+︒，24cos( 190)A i t ω=-+︒，35sin( 10)A i t ω=+︒。
试写出电压和各电流的有效值、初相位，并求电压越前于电流的相位差。
3图 题4.1解：将2i 和3i 改写为余弦函数的标准形式，即234cos(190)A 4cos(190180)A 4cos(10)A 5sin(10)A 5cos(1090)A 5cos(80)A i t t t i t t t ωωωωωω=-+︒=+︒-︒=+︒=+︒=+︒-︒=-︒电压、电流的有效值为12370.7V, 1.414A 2.828A, 3.54AU I I I ========初相位 12310,100,10,80u i i i ψψψψ====-相位差 111010090u i ϕψψ=-=-=- 11u i u i 与正交，滞后于；2210100u i ϕψψ=-=︒-︒= u 与2i 同相；3310(80)90u i ϕψψ=-=︒--︒= u 与3i 正交，u 超前于3i4.2 写出下列电压、电流相量所代表的正弦电压和电流(设角频率为ω)： (a)o m 1010V U =∠- (b)(6j8)V U =--(c)m (0.2j20.8)V I =- (d)I =-30A解：()()()().2a 10cos(10)V-8b arctg10233.1V,233.1)V -6-20.8c 0.2arctg 20.889.4A,20.8cos(89.4)A 0.2d 30180A,180)Am u t U u t I i t I i t ωωωω=-︒==∠︒=+︒==∠-︒=-︒=∠︒=+︒4.3 图示电路中正弦电流的频率为50Hz 时，电压表和电流表的读数分别为100V 和15A ；当频率为100Hz 时，读数为100V 和10A 。
哈尔滨工业大学 第7版 理论力学 第4章 课后习题答案
解 （1）方法 1，如图 4-6b 所示，由已知得
Fxy = F cos 60° ， Fz = F cos 30°
F = F cos 60°cos 30°i − F cos 60°sin 30° j − F sin 60°k = 3 i − 1 Fj − 3 Fk 44 2
41
理论力学（第七版）课后题答案 哈工大.高等教育出版社
A
F
β
MA
C
MB
F
10 N
β M θ − 90° C
MB
(a)
(b)
(c)
图 4-11
解 画出 3 个力偶的力偶矩矢如图 4-11b 所示，由力偶矩矢三角形图 4-11c 可见
MC =
M
2 A
+
M
2 B
=
3 0002 + 4 0002 = 5 000 N ⋅ mm
由图 4-11a、图 4-11b 可得
3 = 250 N 13
FRz = 100 − 200 ×
1 = 10.6 N 5
M x = −300 ×
3 × 0.1 − 200 × 1 × 0.3 = −51.8 N ⋅ m
13
5
M y = −100 × 0.20 + 200 ×
2 × 0.1 = −36.6 N ⋅ m 13
M z = 300 ×
z
F45° F3 F3′ B
F2A
E
F1
C
F5
F6
F F4 45°
D
y
K x
M
(a)
(b)
图 4-9
解 (1) 节点 A 为研究对象，受力及坐标如图 4-9b 所示
哈工大编译原理习题及答案
1.1何谓源程序、目标程序、翻译程序、编译程序和解释程序?它们之间可能有何种关系?1.2一个典型的编译系统通常由哪些部分组成?各部分的主要功能是什么?1.3选择一种你所熟悉的程序设计语言，试列出此语言中的全部关键字，并通过上机使用该语言以判明这些关键字是否为保留字。
1.4选取一种你所熟悉的语言，试对它进行分析，以找出此语言中的括号、关键字END以及逗号有多少种不同的用途。
1.5试用你常用的一种高级语言编写一短小的程序，上机进行编译和运行，记录下操作步骤和输出信息，如果可能，请卸出中间代码和目标代码。
第一章习题解答1.解：源程序是指以某种程序设计语言所编写的程序。
目标程序是指编译程序（或解释程序）将源程序处理加工而得的另一种语言（目标语言）的程序。
翻译程序是将某种语言翻译成另一种语言的程序的统称。
编译程序与解释程序均为翻译程序，但二者工作方法不同。
解释程序的特点是并不先将高级语言程序全部翻译成机器代码，而是每读入一条高级语言程序语句，就用解释程序将其翻译成一段机器指令并执行之，然后再读入下一条语句继续进行解释、执行，如此反复。
即边解释边执行，翻译所得的指令序列并不保存。
编译程序的特点是先将高级语言程序翻译成机器语言程序，将其保存到指定的空间中，在用户需要时再执行之。
即先翻译、后执行。
2.解：一般说来，编译程序主要由词法分析程序、语法分析程序、语义分析程序、中间代码生成程序、代码优化程序、目标代码生成程序、信息表管理程序、错误检查处理程序组成。
3.解：C语言的关键字有：auto break case char const continue default do double else enum externfloat for goto if int long register return short signed sizeof static struct switch typedef union unsigned void volatile while。
哈尔滨工业大学第7版理论力学第4章课后习题答案_图文(精)
0=∑z M ,0m 075.0m 2.0=+×−×z y x M F F (6解得N 150=Ox F ,N 75=Oy F ,N 500=Oz F ;
m N 100⋅=x M ,m N 5.37⋅−=y M (与图示反向,m N 4.24⋅−=z M (与图示反向4-14图4-14a所示电动机以转矩M通过链条传动将重物P等速提起,链条与水平线
bn20n20cmam90n10n10abmcffa?90mbmcmabc图411解画出3个力偶的力偶矩矢如图411b所示由力偶矩矢三角形图411c可见40003bacmmm由图411a图411b可得mf解mmn00050002222?mm100fmcn50mm100c由图411b图411c可得41433tanbam?m5236873608180412图412a所示手摇钻由支点b钻头a和1个弯曲的手柄组成
6.10250345(R k j i ++−=F主矩
m N 12222
2⋅=++=
z y x O M M M M ,m N 1046.368.51(⋅+−−=k j i O M
4-2 1平行力系由5个力组成,力的大小和作用线的位置如图4-2所示。图中小正方格
的边长为10 mm。求平行力系的合力。
解由题意得合力R F的大小为
解得
kN 4.26−==B A F F (压kN 5.33=C F (拉
x y
P
D
z
A
F C F °30°
45°
15C
°45B F O
(a (b
图4-7
4-8在图4-8a
所示起重机中,已知:
AB=BC=AD=AE ;点A ,B ,D和E等均为球铰链连接,如三角形ABC的投影为AF线,AF与y轴夹角为α。求铅直支柱和各斜杆的内力。
大学精品课件：哈工大_结构力学(王焕定第二版)第四章习题参考答案解密版
4-2(b) 答：本题三次超静定，但在横向荷载下轴力为零，因此可如下求解：
FP
X1 FP
X2
A l/2
B l/2
A B
基本体系
FP A
B FPl/4 MP 图
1
1
A X1 =1
B
M 1图
FPl/8
FPl/8
A
X2 =1 B
M 2图
A M图
B FPl/4
在上述荷载及单位弯矩图下，可图乘求系数、建立力法方程并求解，最后叠加出最终
F
G
3 C
3 3D
E 3
X1 =1
A
B
48 120
M 1图
F
G
72
E
CD
72
120 48
A
B
M (kN ⋅ m)
4-4 (c)本题求解过程如下面图形所示
A
MB
D
C l
基本体系
X1 l
M
M
M
M
图
P
l
M 1图
X1 =1
0.75M 0.25M
M图
δ11 X1 + ∆1P = 0
∑ ∫ δ11 =
2
M1 dx =
A
M图
本体也可取变 B 结点为铰以一对力矩为未知力求解，工作量和上述解法相同。
4-3 (b) 本题也一次超静定，基本体系、荷载与单位弯矩图如下所示
10 kN/m
10 kN/m
B
C
20 kN
B
C
20 kN
X1
3m 3m
A 6m
A
基本体系
180 B
180
哈工大模电答案 (最新详细版)
b
rbe
e
c
b
c
Ui
Rb1 Rb2
Rc RL
Uo
图 2.4.5 例 2.4.3 微变等效电路
根
据
微
变
路 求 解 电 压 放 大 倍 （mV） 26 26 rbe= rbb (1 ) 300 61 1502 ； (2.4.1) I EQ （mA） 1.32 U o I c ( RC // RL ) RL 60 ； A u r U I r
人 体 电 阻
黑笔
c b e
红笔
μA
图 1.4.13 测试示意图
【3-2】 图3.11.1所示电路中，当开关分别掷在1、2、3 位置时，在哪个位置时IB最大， 在哪个位置时IB 最小？为什么?
图 3.11.1 题 3-2 电路图
[解] 当开关处于位置2 时，相当一个发射结，此时IB 最大。当开关处于位置1时，c、 e短路，相当于晶体管输入特性曲线中UCE=0V的那一条，集电极多少有一些收集载流子的作 用，基区的复合还比较大，IB次之。当开关处于位置3 时，因集电结有较大的反偏，能收集 较多的载流子，于是基区的复合减少，IB最小。 【3-3】 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地电位如图 3.11.2 所示，试判断晶 体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)？
正极红笔
NPN
图1.4.11 万用表等效图
图1.4.12 NPN和PNP管等效图
(1) 晶体管可视为两个背靠背连接的二极管，如图1.4.12所示。 (2) 晶体管3个区的特点：发射区杂质浓度大，基区薄且杂质浓度低，集电区杂质浓度 很低。因此，发射结正偏时，射区有大量的载流子进入基区，且在基区被复合的数 量有限，大部分被集电极所收集，所以此时的电流放大系数β大。如果把发射极和 集电极调换使用，则集电结正偏时，集电区向基区发射的载流子数量有限，在基区 被复合后能被发射极吸收的载流子比例很小，所以β反很小。 2．判断方法 (1) 先确定基极：万用表调至欧姆×100或×1k挡，随意指定一个管脚为基极，把任一 个表笔固定与之连接， 用另一表笔先后测出剩下两个电极的电阻。 若两次测得电阻都很大 （或 很小）。把表笔调换一下再测一次，若测得电阻都很小（或很大），则假定的管脚是基极。 若基极接红表笔时两次测得的电阻都很大，为NPN型，反之为PNP型。 (2) 判断集电极： 在确定了基极和晶体管的类型之后， 可用电流放大倍数β的大小来确 定集电极和发射极。现以NPN型晶体管为例说明判断的方法。 先把万用表的黑笔与假定的集电极接在一起， 并用一只手的中指和姆指捏住， 红表笔与 假定的发射极接在一起，再用捏集电极的手的食指接触基极，记下表针偏转的角度，然后两 只管脚对调再测一次。这两次测量中，假设表针偏转角度大的一次是对的。这种测试的原理 如图1.4.13所示。当食指与基极连接时，通过人体电阻给基极提供一个电流IB ，经放大后有 较大的电流流过表头，使表针偏转,β大，表针偏转角度就大。因为β>>β反, 所以表针偏转 角度大的一次假设是正确的。
哈工大模拟电子技术基础习题册
模拟电子技术基础习题册班级：XXXX姓名：XXXX学号：XXXXXXXXX年XXX月1 模拟电子技术基础习题册第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是纯净的晶体结构的半导体，其载流子是自由电子和空穴。
载流子的浓度相等（空穴与自由电子数目相等）。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂，而少数载流子的浓度则与温度_有很大关系。
3．漂移电流是少数载流子在电场力作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是PN结具有单向导电性，它的两个主要参数是最大整流电流和最高反向工作电压。
5．稳压管是利用了二极管的反向击穿陡直的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在反向击穿区。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是稳定工作电压、稳定工作电流、额定功率、和动态电阻。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将升高。
7．双极型晶体管可以分成PNP型和NPN型两种类型，它们工作时有空穴和电子两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成结型场效应管和绝缘栅场效应管两种类型，它的导电过程仅仅取决于多数载流子的流动；因而它又称做单极性晶体管器件。
9．场效应管属于-----电压控制电流控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将增大，反向饱和电流I CEO增大正向结压降U BE降低。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出电位最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为发射结正偏和集电结反偏；饱和区，偏置为_发射结正偏和集电结正偏；截止区，偏置为发射结反偏和发射结反偏。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将左移，输出特性曲线将上移，而且输出特性曲线之间的间隔将增大。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
哈工大电路原理基础课后习题
第一章习题图示元件当时间t<2s时电流为2A，从a流向b；当t>2s时为3A，从b流向a。
根据图示参考方向，写出电流的数学表达式。
图示元件电压u=(5-9e-t/t)V，t>0。
分别求出t=0 和t→¥时电压u的代数值及其真实方向。
图题图题图示电路。
设元件A消耗功率为10W，求；设元件B消耗功率为-10W,求；设元件C发出功率为-10W，求。
图题求图示电路电流。
若只求，能否一步求得图示电路，已知部分电流值和部分电压值。
(1) 试求其余未知电流。
若少已知一个电流，能否求出全部未知电流(2) 试求其余未知电压u14、u15、u52、u53。
若少已知一个电压，能否求出全部未知电压图示电路，已知,,,。
求各元件消耗的功率。
图示电路，已知，。
求(a)、(b)两电路各电源发出的功率和电阻吸收的功率。
求图示电路电压。
求图示电路两个独立电源各自发出的功率。
求网络N吸收的功率和电流源发出的功率。
求图示电路两个独立电源各自发出的功率。
求图示电路两个受控源各自发出的功率。
图示电路，已知电流源发出的功率是12W，求r的值。
求图示电路受控源和独立源各自发出的功率。
图示电路为独立源、受控源和电阻组成的一端口。
试求出其端口特性，即关系。
讨论图示电路中开关S开闭对电路中各元件的电压、电流和功率的影响，加深对独立源特性的理解。
第二章习题图(a)电路，若使电流A,，求电阻；图(b)电路，若使电压U=(2/3)V，求电阻R。
求图示电路的电压及电流。
图示电路中要求，等效电阻。
求和的值。
求图示电路的电流I。
求图示电路的电压U。
求图示电路的等效电阻。
求图示电路的最简等效电源。
图题利用等效变换求图示电路的电流I。
(a) (b)图题求图示电路的等效电阻R。
求图示电路的电流和。
列写图示电路的支路电流方程。
图题图示电路，分别按图(a)、(b)规定的回路列出支路电流方程。
图题用回路电流法求图示电路的电流I。
用回路电流法求图示电路的电流I。
第4章 习题解答 哈工大习题册
第四章 正弦交流电路习题解答4.1 已知图示电路中 , , , 。
试写出电压和各电流的有效值、初相位, 并求电压越前于电流的相位差。
3图 题4.1解: 将 和 改写为余弦函数的标准形式, 即234cos(190)A 4cos(190180)A 4cos(10)A 5sin(10)A 5cos(1090)A 5cos(80)A i t t t i t t t ωωωωωω=-+︒=+︒-︒=+︒=+︒=+︒-︒=-︒电压、电流的有效值为12370.7V, 1.414A 2.828A, 3.54AU I I I ========初相位 12310,100,10,80u i i i ψψψψ====-相位差 111010090u i ϕψψ=-=-=-11u i u i 与正交，滞后于；2210100u i ϕψψ=-=︒-︒= u 与2i 同相；与 正交, 超前于4.2 写出下列电压、电流相量所代表的正弦电压和电流(设角频率为 ): (a)o m 1010V U =∠- (b)(6j8)V U =--(c)m (0.2j20.8)V I=- (d)I =-30A解：()()()().2a 10cos(10)V-8b arctg10233.1V,233.1)V -6-20.8c 0.2arctg 20.889.4A,20.8cos(89.4)A 0.2d 30180A,180)Am u t U u t I i t I i t ωωωω=-︒==∠︒=+︒==∠-︒=-︒=∠︒=+︒4.3 图示电路中正弦电流的频率为50Hz 时, 电压表和电流表的读数分别为100V 和15A ；当频率为100Hz 时, 读数为100V 和10A 。
试求电阻R 和电感L 。
图 题4.3解: 电压表和电流表读数为有效值, 其比值为阻抗模, 即/U I =将已知条件代入, 得100V 15A100V 10⎧=⎪⎪=Ω 联立方程, 解得4.4 图示各电路中已标明电压表和电流表的读数, 试求电压 和电流 的有效值。
模电第4章习题解答 哈工大
第 4 章 半导体二极管和晶体管 习题解答
【4-1】 填空： 1．本征半导体是 ，其载流子是 和 。两 种载流子的浓度 。 2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子 的浓度则与 有很大关系。 3．漂移电流是 在 作用下形成的。 4．二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是 和 。 5 ．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。它工作 在 。 描 述 稳 压 管 的 主 要 参 数 有 四 个 ， 它 们 分 别 是 、 、 、和 。 6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。 7．双极型晶体管可以分成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参与导电。 8． 场效应管从结构上分成 和 两种类型， 它的导电过程仅仅 取决于 载流子的流动；因而它又称作 器件。 9．场效应管属于 控制型器件，而双极型晶体管是 控制 型器件。 10．当温度升高时，双极性晶体管的β将 ，反向饱和电流 ICEO 将 ， 正向结压降 UBE 将 。 11．用万用表判断电路中某个晶体管的工作状态时，测出 最为方便。 12．晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证 和 ； 在饱和区，应保证 和 ；在截止区，应保证 和 。 13 ．当温度 升高时 ，晶体管 的共射 输入特 性曲线将 ，输出特性曲线 将 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 。 解： 1. 化学成分纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。 2. 杂质浓度，温度。 3. 少数载流子，(内)电场。 4. 单向导电性，正向导通压降 UF 和反向饱和电流 IS。 5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（UZ） ，稳定电流（IZmin ） ，最大管耗 （P Zmax） ，动态电阻（rZ） 。 6. 增大。 7. NPN，PNP，自由电子，空穴。 8. 结型，绝缘栅型，多子，单极型。 9. 电压，电流。 10. 变大，变大，变小。 11. 各管脚对地电压。 12. 发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。 13. 左移，上移，增大。
《工程制图基础习题集哈工大》(李利群著)课后习题答案黑龙江教育出版社
工程制图基础哈尔滨工业大学习题答案课后答案网第一章 制图的基本知识第二章 点、直线和平面的投影第三章 立体第四章 平面与曲面立体相交、两曲面立体相交第五章 轴测图第六章 组合体第七章 机件的表达方法第八章 标准件与常用件第九章 零件图课后答案网第一章 制图的基本知识习题 1-6习题 1-7习题 1-8习题 1-9返回习题 1-10习题 1-11课后答案网第一章 制图的基本知识1-6 尺寸注法。
（1）注出各方向的尺寸（2）注出角度（3）注出直径（4）注出半径课后答案网1-7 尺寸注法（按1：1测量取整数）。
网案答后课1-8 几何作图（1）作正六边形（外接圆φ70）（2）作五角星（外接圆φ60）网案答后课1-9 几何作图 作带斜度和锥度的图形，并标注网案答后课第一章 制图的基本知识1-10 已知椭圆长轴为70，短轴为45，作椭圆（1） 同心圆法（2） 四心圆弧法第一章 制图的基本知识1-11 按给出的图形及尺寸，完成下面的作图网案答后课第二章 点、直线和平面的投影习题 2-1习题 2-2习题 2-3习题 2-4习题 2-5习题 2-6习题 2-7习题 2-8习题 2-9习题 2-10习题 2-11习题 2-12习题 2-13习题 2-14习题 2-15习题 2-16习题 2-17习题 2-18习题 2-19习题 2-20返回课后答案网2-1 根据立体图画点的投影图（按1：1量取）(1) (2)网案答后课2-2 根据点的坐标画出其投影图和立体图A（15,10,25）,B（25,15,20）,(15,15,20)(1) M（10,15,20）,(20,0,25),(10,20,20)(2)课后答案网2-3 根据点的两面投影作第三面投影，并比较各点的相对位置左后下 下 上C 后右B 前左B、C、D和A比较在A点的上下在A点的前后在A点的左右在A点的左右在A点的前后后下 左右后下 DC B 在A点的上下B、C和A比较(2)(1)课后答案网2-4 补画出直线的第三投影，并判断是什么位置直线(7)(6)(5)(8)(4)(3)(2) (1)一般位置侧垂水平铅垂侧垂正垂侧平正平线线线线线线线线课后答案网2-5 补画出三棱锥的侧面投影，并判断各棱线是什么位置直线一般一般一般一般正平正垂侧垂侧平水平水平一般一般( )cabscbsa OOXc b abY HcasWY Zs线线线线线线SASB SC AC BCAB 线BC线AC 线AB 线SC 线SB SA BCSA sscac (2)线abb(1)HWY Y ZX课后答案网2-6 根据所给的条件作出直线的三面投影Z Y Y WH(1)OXY HOYZXY HOZXY HOZ(2)(3)(4)Y WY Wa′aaa′a′abbbaaabbb ab b(a )b abbb已知线段点A（30,10,10），点B（10,20,25）。
哈工大概率论与数理统计课后习题答案四
习 题 四1．一个袋子中装有四个球，它们上面分别标有数字1,2,2,3，今从袋中任取一球后不放回，再从袋中任取一球，以,X Y 分别表示第一次，第二次取出的球上的标号，求(,)X Y 的分布列.解 (,)X Y 的分布列为其中 (1,1)(1)(1|1)P X Y P X P Y X =======(1,2)(1)(2|1)P X Y P X P Y X ======121436=⨯= 余者类推。
2．将一枚硬币连掷三次，以X 表示在三次中出现正面的次数，以Y 表示三次中出现正面次数与出现反面次数之差的绝对值，试写出(,)X Y 的分布列及边缘分布列。
解 一枚硬币连掷三次相当于三重贝努里试验，故1~(3,).2X B 331()(),0,1,2,32k P X k C k ===，于是(,)X Y 的分布列和边缘分布为其中(0,1)(0)(1|0)P X Y P X P Y X =======，13313(1,1)(1)(1|1)()128P X Y P X P Y X C =======⨯=，余者类推。
3．设(,)X Y 的概率密度为1(6),02,24,(,)80,.x y x y f x y ⎧--<<<<⎪=⎨⎪⎩其它又（1）{(,)|1,3}D x y x y =<<；（2）{(,)|3}D x y x y =+<。
求{(,)}P X Y D ∈解 （1）13021{(,)}(6)8P x y D x y dxdxy ∈=--⎰⎰1194368228-⎡⎤--=⎢⎥⎣⎦；13021{(,)}(6)8x P X Y D x y dxdy -∈=--⎰⎰ 11200113(1)[(3)4]82x x dx x dx ⎧⎫-----⎨⎬⎩⎭⎰⎰524.4．设(,)X Y 的概率密度为222(,(,)0,.C R x y R f x y ⎧+≤⎪=⎨⎪⎩其他求（1）系数C ；（2）(,)X Y 落在圆222()x y r r R +≤<内的概率.解 （1）22223201(R x y R CR dxdy C R C r drd ππθ+≤==-⎰⎰⎰⎰333233R R C R C πππ⎡⎤=-=⎢⎥⎣⎦，∴ 33C Rπ=. （2）设222{(,)|}D x y x y r =+≤，所求概率为22233{(,)}(x y r P X Y D R dxdy R π+≤∈=⎰⎰322323232133r r r Rr R R R πππ⎡⎤⎡⎤=-=-⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦. 5．已知随机变量X 和Y 的联合概率密度为4,01,01(,)0,.xy x y f x y ≤≤≤≤⎧=⎨⎩其它 求X 和Y 的联合分布函数.解1 设(,)X Y 的分布函数为(,)F x y ，则(,)(,)x y F x y f u v dudv -∞+∞=⎰⎰001001000,00,4,01,01,4,01,1,4,1,01,1,1, 1.x y x y x y uvdudv x y uydudy x y xvdxdv x y x y ⎧<<⎪⎪≤≤≤≤⎪⎪⎪=≤≤>⎨⎪⎪>≤≤⎪⎪>>⎪⎩⎰⎰⎰⎰⎰⎰或22220,00,,01,01,,01,1,,1,01,1,1, 1.x y x y x y x x y y x y x y ⎧<<⎪≤≤≤≤⎪⎪=≤≤>⎨⎪>≤≤⎪⎪>>⎩或解2 由联合密度可见，,X Y 独立，边缘密度分别为2,01,()0,;X x x f x ≤≤⎧=⎨⎩其他 2,01,()0,.Y y y f y ≤≤⎧=⎨⎩其它 边缘分布函数分别为(),()X Y F x F y ，则20,0,()(),01,1, 1.x X X x F x f u du x x x -∞<⎧⎪==≤≤⎨⎪>⎩⎰20,0,()(),01,1, 1.y Y X y F y f v dv y y y -∞<⎧⎪==≤≤⎨⎪>⎩⎰设(,)X Y 的分布函数为(,)F x y ，则22220,00,,01,01(,)()(),01,1,,1,01,1,1, 1.X Y x y x y x y F x y F x F y x x y y x y x y ⎧<<⎪≤≤≤≤⎪⎪=⋅=≤≤>⎨⎪>≤≤⎪⎪>>⎩或6．设二维随机变量(,)X Y 在区域:01D x <<，|率密度。
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【4-1】填空： 1．场效应管从结构上分成 和 两种类型，它的导电过程仅仅取决于 载流子的流动；因而它又称做 器件。
2．场效应管属于 控制型器件，而双极型晶体管是 控制型器件。
1. 结型，绝缘栅型，多数，单极型。
2. 电压，电流。
【4-2】两个场效应管的转移特性曲线分别如图4.7.1 (a)、(b)所示，分别确定这两个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压，低频跨导）。
测试时电流i D 的参考方向为从漏极D 到源极S 。
u GS / V
u GS / V
10V
=
(a)
(b)
图4.7.1 题4-2特性曲线
：
（a ）P 沟道增强型MOS 管，开启电压U GS （th ）＝－2V ，I DO = -1mA 在工作点（U GS ＝－5V ， I D ＝－2.25mA ）处，
g m GS(th)
1.5mS =-
（b ）N 沟道耗尽型MOSFET ，夹断电压GS(off)4V U =-，DSS 4mA I =
在工作点（U GS ＝－2V ， I D ＝1mA ）处，
g m GS(off)
mS
【4-3】已知图4.7.2(a)所示电路中场效应管的转移特性如图4.7.2(b)所示。
求解电路的Q 点和A u 。
u GS / V
(a)
(b)
图4.7.2 题4-3电路图
【4-4】电路如图4.7.3所示，设MOS 管的参数为U GS(th)=1V ，I DO =500uA 。
电路参数为V DD =5V ，－V SS =－5V ，R d =10kΩ，R =0.5kΩ，I DQ =0.5mA 。
若流过R g1、R g2的电流是I DQ 的1/10，试确定R g1和R g2的值。
u i
R S
s
u
图4.7.3 题4-4电路图 图4.7.4 题4-6电路图
【4-5】电路如图4.7.3所示，已知R d =10kΩ，R s =R =0.5kΩ，R g1=165 kΩ，R g2=35kΩ，U GS(th)=1V ，I DO =1mA ，电路静态工作点处U GS =1.5V 。
试求共源极电路的小信号电压增益A u =u o /u i 和源电压增益A us =u o /u s 。
【4-6】电路如图4.7.4，场效应管的r ds >>R D ，要求： 1. 画出该放大电路的中频微变等效电路；
2. 写出u
A 、R i 和R o 的表达式； 3. 定性说明当R s 增大时，u
A 、R i 和R o 是否变化，如何变化？ 4. 若C S 开路，u
A 、R i 和R o 是否变化，如何变化？写出变换后的表达式。
解：
此题的场效应管是增强型的，所以要用增强型的转移特性曲线方程式
2G S (t h )
G S Q
DO DQ )1(
-=U U I I
S DQ G2
G1G2
DD S G GSQ R I R R R V U U U -+=-=
DSQ
DD S D DQ ()U V R R I =-+
由以上三个式子可求出电路的静态工作点。
1. 略
2. 电压增益 A u =–g m （R d // R L ） 对转移特性曲线方程求导数，可得
DO DQ GS(th)
m 2I I U g =
输入电阻 )//(G2G1G i R R R R += 输出电阻 D o R R ≈
3. R s 的增大，会使U GS 有所下降，静态工作点的I D 下降，g m 有所减小，A u 有所下降，对R i 和R o 没有什么影响。
4. C s 开路，对静态工作点没有影响，但电压增益下降。
m D
u m S
1g R A g R =-
+
C s 开路，对R i 和R o 没有什么影响。
【4-7】在图4.7.5所示电路中，已知U GS =－2V ，管子参数I DSS ＝－4mA ，U p ＝U GS(off)=－4V 。
设电容在交流通路中可视为短路。
1. 求电流I DQ 和电阻R S 。
2. 画出中频微变等效电路，用已求得的有关数值计算A u ，R i 和R o （设r DS 的影响可以忽略不计）。
3. 为显著提高｜A u ｜，最简单的措施是什么？
图4.7.5 题4-7电路图 图4.7.6 题4-8电路图
解：
场效应管是耗尽型，漏极电流可由下式算出 mA 1)4
21(4)1(2
2GS(off)
GSQ DSS DQ =---
⨯=-=U U I I Ω=-=k 2DQ
GSQ S I U R
mS 1)1(2P
GS P DSS m =-=
U U
U I g 33.32
1110
11s m m u -=⨯+⨯=+-
=R g R g A D
Ω==M 1G i R R
Ω≈=k 10D o R R
为显著提高|A u |，应在R S 两端并联旁路电容。
【4-8】场效应管放大电路如图4.7.6所示，其中R g1=300Ωk ，R g2=120Ωk ，R g3=10ΩM ，R s =R d =10Ωk ，C S 的容量足够大，V DD ＝16V ，设FET 的饱和电流mA 1DSS =I ，夹断电压U p =U GS(off) = －2V ，求静态工作点，然后用中频微变等效电路法求电路的电压放大倍数。
若C S 开路再求电压放大倍数。
[解]
1. 求静态工作点
该放大电路采用耗尽型场效应三极管，分压偏置电路。
由于栅极回路无静态电流，所以R g3中无电流。
所以，R g1和R g2分压点的电位与栅极电位相等，这种分压偏置可以提高放大电路的输入电阻。
由电路得： s D g2
g1g2DD S G GS R I R R R V U U U -+=
-=
D d S DD DS )(I R R V U +-=
2
P
GS DSS D )1(U U I I -
= 上述方程组代入数据得两组解：
第一组：I D =0.46mA U GS = -0.6V 第二组：I D2=0.78mA U GS = -3.8V ＜U p
第二组数据不合理，故工作点为：I D =0.46mA ，U GS = -0.6V 2. 用微变等效电路求电压放大倍数
放大器的微变等效电路如图2-13（b ）；
&
&
图2-13(b) 2-13题的中频微变等效电路 图2-13(c) 无C S 的微变等效电路
i gs
o m gs d d (//)
U U U g U R r ==-
m d u A g R =-
对转移特性曲线方程式求导数，可得 mA/V 69.02DQ DSS p
m ≈-
=I I U g
A u =－6.9 3. C S 开路时的电压放大倍数
C S 开路实际上就是电路出现电流串联负反馈，电压增益下降。
如果没有学习反馈， 仍然可以用微变等效电路法求解。
放大器微变等效电路如图2-13(c)。
因为r d >>R d 、R s 故
gs m s d U g I I &&&≈= s
s gs i R I U U &&&+= o d d m gs d U I R g U R =-=-
于是
87.01s m d m s
gs m gs d gs m s s gs d gs m i o
u -=+-=+-=+-==R g R g R U g U R U g R I U R U g U U A &&&&&&&&。