《模拟电子技术基础(第4版_周良权)》电子教案 12
中职《电子技术基础》第四版电子教案
电路搭建
根据实验要求,选择合适的电子元件搭建电路。
实验操作步骤与注意事项
实验结果的分析与总结
数据整理
将实验数据整理成表格或图表,便于分析。
结果分析
根据实验数据,分析电路性能,验证电子技术的基本原理。
总结归纳
总结实验过程中的经验和教训,为后续的实验和实践提供参考。
THANKS
感谢您的观看。
应用实例2
非门可以用于实现逻辑非运算,例如实现信号的反相等。
应用实例3
逻辑门电路的应用实例
05
CHAPTER
电子技术实践
通过实验,使学生能够深入理解电子技术的基本原理,为后续的学习和实践打下坚实的基础。
掌握电子技术的基本原理
培养实践操作能力
提高问题解决能力
培养团队协作精神
实验是培养学生实践操作能力的重要途径,通过实验,学生能够掌握电子设备的基本操作和调试技能。
03
CHAPTER
模拟电子技术
模拟信号是连续变化的物理量,如声音、光线、温度等。模拟电路则是用于处理模拟信号的电子电路。
模拟信号
模拟电路通常由电阻、电容、电感等元件组成,具有连续的输入输出关系,能够实现信号的放大、滤波、振荡等功能。
模拟电路的特点
模拟电路广泛应用于通信、音频、视频、测量和控制等领域。
数字电路
数字电路是处理数字信号的电路,由逻辑门、触发器等基本逻辑单元组成,具有高可靠性、高稳定性等特点。
数字信号与数字电路
工作原理
逻辑门电路是数字电路的基本单元,其工作原理基于逻辑代数,实现逻辑运算和逻辑控制功能。
分类
按照逻辑功能的不同,逻辑门电路可以分为与门、或门、非门、与非门、或非门等类型。
模拟电子技术电子教案
模拟电子技术电子教案第一章:模拟电子技术概述1.1 教学目标了解模拟电子技术的基本概念理解模拟电子技术的主要应用领域掌握模拟电子技术的基本组成部分1.2 教学内容模拟电子技术的定义模拟电子技术与数字电子技术的区别模拟电子技术的主要应用领域模拟电子技术的基本组成部分1.3 教学方法采用讲授法,讲解模拟电子技术的基本概念和应用领域通过实物演示或图片展示,让学生了解模拟电子技术的实际应用通过小组讨论,让学生探讨模拟电子技术的基本组成部分及其作用1.4 教学评价课堂问答:了解学生对模拟电子技术基本概念的理解程度小组讨论:评估学生对模拟电子技术实际应用的掌握情况课后作业:检查学生对模拟电子技术基本组成部分的掌握情况第二章:放大电路基础2.1 教学目标理解放大电路的作用和原理掌握放大电路的主要参数学会分析放大电路的性能曲线2.2 教学内容放大电路的定义和作用放大电路的基本原理放大电路的主要参数放大电路性能曲线的分析方法2.3 教学方法采用讲授法,讲解放大电路的作用和原理通过实物演示或模拟软件,让学生了解放大电路的实际应用通过小组讨论,让学生探讨放大电路的主要参数及其作用2.4 教学评价课堂问答:了解学生对放大电路作用和原理的理解程度小组讨论:评估学生对放大电路主要参数的掌握情况课后作业:检查学生对放大电路性能曲线分析方法的掌握情况第三章:滤波器电路3.1 教学目标理解滤波器的作用和原理掌握滤波器的主要类型学会分析滤波器的性能指标3.2 教学内容滤波器的作用和原理滤波器的主要类型滤波器的性能指标3.3 教学方法采用讲授法,讲解滤波器的作用和原理通过实物演示或模拟软件,让学生了解滤波器的实际应用通过小组讨论,让学生探讨滤波器的主要类型及其作用3.4 教学评价课堂问答:了解学生对滤波器作用和原理的理解程度小组讨论:评估学生对滤波器主要类型的掌握情况课后作业:检查学生对滤波器性能指标的掌握情况第四章:振荡器电路4.1 教学目标理解振荡器的作用和原理掌握振荡器的主要类型学会分析振荡器的性能指标4.2 教学内容振荡器的作用和原理振荡器的主要类型振荡器的性能指标4.3 教学方法采用讲授法,讲解振荡器的作用和原理通过实物演示或模拟软件,让学生了解振荡器的实际应用通过小组讨论,让学生探讨振荡器的主要类型及其作用4.4 教学评价课堂问答:了解学生对振荡器作用和原理的理解程度小组讨论:评估学生对振荡器主要类型的掌握情况课后作业:检查学生对振荡器性能指标的掌握情况第五章:模拟集成电路5.1 教学目标理解模拟集成电路的作用和原理掌握模拟集成电路的主要类型学会分析模拟集成电路的性能指标5.2 教学内容模拟集成电路的作用和原理模拟集成电路的主要类型模拟集成电路的性能指标5.3 教学方法采用讲授法,讲解模拟集成电路的作用和原理通过实物演示或模拟软件,让学生了解模拟集成电路的实际应用通过小组讨论,让学生探讨模拟集成电路的主要类型及其作用5.4 教学评价课堂问答:了解学生对模拟集成电路作用和原理的理解程度小组讨论:评估学生对模拟集成电路主要类型的掌握情况课后作业:检查学生对模拟集成电路性能指标的掌握情况第六章:模拟电子技术在通信系统中的应用6.1 教学目标理解通信系统的基本原理掌握模拟电子技术在通信系统中的应用学会分析通信系统的性能指标6.2 教学内容通信系统的基本原理调制与解调技术模拟电子技术在无线通信和有线通信中的应用通信系统的性能指标分析6.3 教学方法采用讲授法,讲解通信系统的基本原理和模拟电子技术在通信系统中的应用通过实物演示或模拟软件,让学生了解通信系统的实际应用通过小组讨论,让学生探讨通信系统的性能指标及其作用6.4 教学评价课堂问答:了解学生对通信系统基本原理的理解程度小组讨论:评估学生对模拟电子技术在通信系统中的应用的掌握情况课后作业:检查学生对通信系统性能指标的掌握情况第七章:模拟电子技术在信号处理中的应用7.1 教学目标理解信号处理的基本概念掌握模拟电子技术在信号处理中的应用学会分析信号处理系统的性能指标7.2 教学内容信号处理的基本概念滤波器在信号处理中的应用放大器在信号处理中的应用信号处理系统的性能指标分析7.3 教学方法采用讲授法,讲解信号处理的基本概念和模拟电子技术在信号处理系统中的应用通过实物演示或模拟软件,让学生了解信号处理系统的实际应用通过小组讨论,让学生探讨信号处理系统的性能指标及其作用7.4 教学评价课堂问答:了解学生对信号处理基本概念的理解程度小组讨论:评估学生对模拟电子技术在信号处理中的应用的掌握情况课后作业:检查学生对信号处理系统性能指标的掌握情况第八章:模拟电子技术在电力系统中的应用8.1 教学目标理解电力系统的基本原理掌握模拟电子技术在电力系统中的应用学会分析电力系统的性能指标8.2 教学内容电力系统的基本原理模拟电子技术在电力系统中的应用,如电压调节、电流检测等电力系统的性能指标分析8.3 教学方法采用讲授法,讲解电力系统的基本原理和模拟电子技术在电力系统中的应用通过实物演示或模拟软件,让学生了解电力系统的实际应用通过小组讨论,让学生探讨电力系统的性能指标及其作用8.4 教学评价课堂问答:了解学生对电力系统基本原理的理解程度小组讨论:评估学生对模拟电子技术在电力系统中的应用的掌握情况课后作业:检查学生对电力系统性能指标的掌握情况第九章:模拟电子技术的测量与调试9.1 教学目标理解模拟电子技术测量与调试的基本原理掌握模拟电子技术测量与调试的方法和技巧学会分析测量数据和进行故障排查9.2 教学内容模拟电子技术测量与调试的基本原理测量仪器的基本使用方法,如示波器、万用表等模拟电子技术调试方法与技巧故障排查与解决方法9.3 教学方法采用讲授法,讲解模拟电子技术测量与调试的基本原理和方法通过实物演示或模拟软件,让学生了解测量与调试的实际应用通过小组讨论,让学生探讨测量数据分析和故障排查的技巧9.4 教学评价课堂问答:了解学生对模拟电子技术测量与调试基本原理的理解程度小组讨论:评估学生对测量与调试方法和技巧的掌握情况课后作业:检查学生对故障排查和解决方法的掌握情况第十章:模拟电子技术的创新与应用10.1 教学目标激发学生对模拟电子技术应用的兴趣和热情培养学生运用模拟电子技术解决实际问题的能力了解模拟电子技术在现代科技领域的发展趋势10.2 教学内容模拟电子技术在现代科技领域的应用实例,如智能手机、无线充电等模拟电子技术的创新研究方向,如纳米电子技术、生物电子学等学生分组进行模拟电子技术应用的创新项目设计和实践10.3 教学方法采用讲授法,讲解模拟电子技术在现代科技领域的应用实例和创新研究方向组织学生进行小组讨论和项目实践,鼓励学生提出创新应用的想法提供相关资料和指导,帮助学生进行创新重点和难点解析教案编辑中需要重点关注的环节包括:1. 教学目标:确保每个章节的教学目标明确、具体,并与课程的整体目标相一致。
模拟电子技术基础实验指导书(第四版)
实验一电子仪器的使用【实验目的】1.学习电子电路实验中常用的电子仪器—数字示波器、函数信号发生器、直流稳压电源、交流毫伏表、数字万用表等的主要技术指标、性能及正确使用方法。
2.初步掌握用数字示波器正确观测正弦信号波形和读取波形参数的方法。
【实验原理】在模拟电子电路实验中,经常使用的电子仪器有示波器、函数信号发生器、直流稳压电源、交流毫伏表及频率计等。
它们和万用表一起,可以完成对模拟电子电路的静态和动态工作情况的测试。
实验中要对各种电子仪器进行综合使用,可按照信号流向,以连线简捷、调节顺手、观察与读数方便等原则进行合理布局,各仪器与被测实验装臵之间的布局与连接如图1-1所示。
接线时应注意,为防止外界干扰,各仪器的公共接地端应连接在一起,称“共地”。
信号源和交流毫伏表的引线通常用屏蔽线或专用电缆线,示波器接线使用专用电缆线,直流电源的接线使用普通导线。
图1-1 模拟电子电路中常用电子仪器布局图1.示波器DS1000系列数字示波器,是一款高性能指标、经济型的数字示波器。
其中,DS1052E型为双通道加一个外部触发输入通道的数字示波器。
前面板设计清晰直观,完全符合传统仪器的使用习惯,方便用户操作。
为加速调整,便于测量,您可以直接使用 AUTO 键,将立即获得适合的波形显示和档位设臵。
(1)前面板DS1000系列数字示波器向用户提供简单而功能明晰的前面板,以进行基本的操作。
面板上包括旋钮和功能按键,旋钮的功能与其它示波器类似。
显示屏右侧的一列5 个灰色按键为菜单操作键(自上而下定义为1 号至5 号)。
通过它们,您可以设臵当前菜单的不同选项;其它按键为功能键,通过它们,您可以进入不同的功能菜单或直接获得特定的功能应用。
图1-2 DS1000系列前面板使用说明图(2)后面板DS1000系列数字示波器的后面板主要包括以下几部分:① Pass/Fail 输出端口:通过/失败测试的检测结果可通过光电隔离的Pass/Fail 端口输出。
第3章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
·12· 第3章 多级放大电路与频率特性3.1 乘积、输入电阻、交流负载。
3.2 电压放大倍数、幅频特性、相位差、相频特性。
3.3 零、–270°、–90°。
3.4 b 、e3.5 a 、e 、f3.6 b 、f 、j3.7 (√)3.8 (×)3.9 (√)3.10 (1)图题3.10(a)第一级为分压式射极偏置放大电路,第二级为固定偏置共射放大电路;图题(b )第一级为分压式射极偏置共射放大电路,第二级为射极跟随器(共集电极放大电路)(2)图题3.10(a) i1b1b2be11e1////[(1)]R R R r R β=++i2b3be2//R R r =1c1i21be11e1(//)(1)u R R A r R ββ=-++,2c22be2u R A r β=- 总12i i1b1b2be11e1,////[(1)]u u u A A A R R R R r R β===++o o2c R R R ==图3.10(b),i1b1b2be1i2b3be22e2L ////,//[(1)//]R R R r R R r R R β==++1c1i22e2L 12be1be22e2L (//)(1)(//),(1)(//)u u R R R R A A r r R R βββ+=-=++ 总be2b3c112i i1b1b2be1o o2e22(//),////,//1u u u r R R A A A R R R R r R R R β⎡⎤+=====⎢⎥+⎣⎦3.11 (1)总的电压增益A u =20 dB+24 dB+18 dB=62 dB=20 lg A u ,故电压放大倍数162lg 1258.920A -==倍,O 2.51258.9mV =3147 mV =3.147V u =⨯。
(2)A u =20 lg 4 000 dB=72 dB 。
模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
模拟电⼦技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)第2章半导体三极管及其基本放⼤电路⼀、填空题2.1 BJT ⽤来放⼤时,应使发射结处于偏置,集电结处于偏置;⽽⼯作在饱和区时,发射结处于偏置,集电结处于偏置。
2.2 温度升⾼时,BJT 的电流放⼤系数β,反向饱和电流CBO I ,发射结电压BE U 。
2.3⽤两个放⼤电路A 和B 分别对同⼀个电压信号进⾏放⼤,当输出端开路时,OB OA U U =;都接⼈负载L R 电阻时,测得OB OA U U ?,由此说明,电路A 的输出电阻⽐电路B 的输出电阻。
2.4对于共射、共集和共基三种基本组态放⼤电路,若希望电压放⼤倍数⼤,可选⽤组态;若希望带负载能⼒强,应选⽤组态;若希望从信号源索取电流⼩,应选⽤组态;若希望⾼频性能好,应选⽤组态。
2.5 FET 是通过改变来改变漏极电流(输出电流)的,所以它是⼀个器件。
2.6 FET ⼯作在可变电阻区时,D i 与DS u 基本上是关系,所以在这个区域中,FET 的d 、s 极间可以看成⼀个由GS u 控制的。
2.7 FET 的⾃偏压电路只适⽤于构成的放⼤电路;分压式⾃偏压电路中的栅极电阻S R ⼀般阻值很⼤,这是为了。
⼆、选择正确答案填写(只需选填英⽂字母)2.8 BJT 能起放⼤作⽤的内部条件通常是:(1)发射区掺杂浓度 (a 1.⾼,b 1.低,c 1.⼀般);(2)基区杂质浓度⽐发射区杂质浓度 (a 2.⾼,b 2.低,c 2.相同),基区宽度 (a 3.⾼,b 3.窄,c 3.⼀般);集电结⾯积⽐发射结⾯积 (a 4.⼤,b 4.⼩,c 4.相等)。
2.9 测得BJT I B =30µA 时,I C = mA ;I B =40µA 时,I C =3 mA ,则该管的交流电流放⼤系数β为 (a .80,b .60,c .75)。
2.10⽤万⽤表判别放⼤电路中处于正常⼯作的某个BJT 的类型(指NPN 型还是PNP 型)与三个电极时,以测出最为⽅便(a .各极间电阻,b .各极对地电位,c .各极电流)。
模拟电子技术基础(第四版)
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模拟电子技术基础完整版电子教案最全ppt整本书课件全套教学教程(最新)
第1章 电子元器件基本知识
1.1 半导体基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 场效应管
1.1 半导体基本知识
1.1.1 半导体的特点
1.本征半导体 所谓本征半导体就是结构完整的、纯净的不掺杂任何杂质
的半导体。 2.自由电子和空穴
共价键中的电子不是自由的,不能自由运动。即本征半导 体是不导电的。
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1.3 半导体三极管
1.3.5 复合三极管
在放大电路中,有时单只三极管难以满足某些方面的特殊 要求,通常把两个或两个以上三极管按一定方式连接成一个电 路来达到所要求的参数,这个电路可以等效的看成一只参数特 别的管子,称为复合管。复合管又称达林顿管。 1.两只同类型(NPN或PNP)三极管组成的复合管
由于外加电源产生的电场与PN结内电场方向相同,加强了 内 电场,使PN结变宽,阻碍了P区和N区多数载流子向对方的扩散。 在外电场作用下,只有少数载流子形成了极为微弱的电流,称 为 反向电流。此时PN结处于反向截止状态。应当指出,反向电流 是 少数载流子由于热激发产生,因而反向电流受温度影响很大。
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1.4 场效应管
漏源击穿电压U(BR)DS 栅源击穿电压U(BR)GS 在实际使用中加在场效应管各电极之间的电压不允许超过 上述两个击穿电压,否则会损坏场效应管。 5.漏极最大允许耗散功率PDM 场效应管工作时要消耗电功率,继而转变成热能,使场效 应管的温度升高。所以场效应管在工作时实际消耗的功率不允 许超过PDM,否则会因温度过高而烧毁场效应管。
图1-6
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1.2 半导体二极管
2.类型 依据不同的分类方法,可对二极管的类型做以下归类:
(1)按制造材料分:有硅二极管、锗二极管等。 (2)按用途分:有整流、稳压、检波、开关等二极管。 (3)按结构分:有点接触型、面结型和平面型二极管。 (4)按功率分:有大功率、中功率、小功率二极管。 (5)按封装形式分:有金属封装和塑料封装二极管。
2020年模拟电子技术基础电子版_《模拟电子技术基础》电子教案
《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。
其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数,掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。
2、本课程教学要求1.掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。
2.掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析,熟悉改进放大电路,理解多级放大电路的耦合方式及分析方法,理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法,理解放大电路的频率特性概念及分析。
3.掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算,了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。
4.了解集成运算放大器的组成和典型电路,理解理想运放的概念,熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路;掌握一般直流电源的组成,理解整流、滤波、稳压的工作原理,了解电路主要指标的估算。
3、使用的教材杨栓科编,《模拟电子技术基础》,高教出版社主要参考书目康华光编,《电子技术基础》(模拟部分)第四版,高教出版社童诗白编,《模拟电子技术基础》,高等教育出版社,张凤言编,《电子电路基础》第二版,高教出版社,谢嘉奎编,《电子线路》(线性部分)第四版,高教出版社,陈大钦编,《模拟电子技术基础问答、例题、试题》,华中理工大学出版社,唐竞新编,《模拟电子技术基础解题指南》,清华大学出版社,孙肖子编,《电子线路辅导》,西安电子科技大学出版社,谢自美编,《电子线路设计、实验、测试》(二),华中理工大学出版社,绪论本章的教学目标和要求要求学生了解放大电路的基本知识;要求了解放大电路的分类及主要性能指标。
第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1.1 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。
1.2 在N型半导体中,多子是,少子是;在P型半导体中,多子是,少子是。
1.3二极管具有性;当时,二极管呈状态;当时,二极管呈状态。
1.4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的;2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。
1.5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后,输出电压较未加C时,二极管的导通角,输出电压随输出电流的增大而。
二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1.6二极管正向电压从0.7 V增大15%时,流过的电流增大(a.15%;b.大于15%;c.小于15%)。
1.7当温度升高后,二极管的正向压降将,反向电流将(a.增大;b.减小;c.不变)。
1.8利用二极管的组成整流电路(a1.正向特性;b1.单向导电性;c1.反向击穿特性)。
稳压二极管工作在状态下,能够稳定电压(a2.正向导通;b2.反向截止;c2.反向击穿)。
三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1.9在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质,可以改型为P型半导体。
( )1.10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述其反向击穿特性。
( )1.11 在桥式整流电路中,如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V,则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。
( ) 1.12光电二极管是受光器件,能将光信号转换为电信号。
( ) 解答:1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性 正向偏置 导通 反向偏置 截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大 减小 减小1.6 (b )1.7 (b ) (a )1.8 (b 1) (c 2)1.9 (√)1.10 (×)1.11 (√)1.12 (√)1.13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ,求外加正向电压为0.2 V 、0.4 V 时二极管的直流电阻R D 。
模拟电子技术基础(第四版)完整版本
第一讲 绪论
本课程是入门性质的技术基础课
第一讲 绪论
一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、“模拟电子技术基础”课程的特 点四、如何学习这门课程 五、课程的目的 六、考查方法
一、电子技术的发展
很大程度上反映在元器件的发展上 : • 1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管 • 1958年 集成电路 • 1969年 大规模集成电路 • 1975年 超大规模集成电路
三、“模拟电子技术基础”课程的特点
2. 实践性 实用的模拟电子电路几乎都需要进行调试
才能达到预期的目标,因而要掌握以下方法: ➢ 常用电子仪器的使用方法 ➢ 电子电路的测试方法 ➢ 故障的判断与排除方法 ➢ EDA软件的应用方法
四、如何学习这门课程
1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法
➢ 基本概念:概念是不变的,应用是灵活的, “万 变不离其宗”。 ➢ 基本电路:构成的原则是不变的,具体电路是多种 多样的。 ➢ 基本分析方法:不同类型的电路有不同的性能指标 和描述方法,因而有不同的分析方法。
➢ 数字信号 在时间和数值上均具有离散性,u或 i 的变化在 时间上不连续,总是发生在离散的瞬间;且它们的 数值是一个最小量值的整数倍,当其值小于最小量 值时信号将毫无意义。 大多数物理量所转换成的信号均为模拟信号。
二、模拟信号与模拟电路
4. 模拟电路
➢ 模拟电路:对模拟量进行处理的电路。 ➢ 最基本的处理是对信号的放大。 ➢ 放大:输入为小信号,有源元件控制电源使负载获
1. N型半导体
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多数载流子
空穴比未加杂质时的数目 多了?少了?为什么?
杂质半导体主要靠多数载 流子导电。掺入杂质越多, 多子浓度越高,导电性越强, 实现导电性可控。
《模拟电子技术基础(第4版_周良权)》电子教案 72
2
R2 R1
Rp' C
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f
1 T
2( Rp'
1 Rp'' )C
R1 R2
1 2RpC
R1 R2
二、三角波发生器
8 8
R3 u-1 u+1 A1
D1
R4 uO1
RR6p
C A2
uO
D2
R2
R1 DZ UZ
R5
uO1
uO
+UZ UT+
0 UT-
t1 t2 t3 t4 t5
t
-UZ
TL TH f 1 R1
R4 uO1
Rp
D2 DZ UZ
C
Rp'
Rp''
A2
R5
uO 设电位器 Rp 调 节于R’p R’’p
uO1
uO
+UZ UT+
0 UT-
t1
t2
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t3
t4
UT
UZ
R2 R1
t5
t
UT-
-U Z
R2 R1
+UZ UT+
0 UT-UZ
uO1
uO
t1
t2
t3
t4
TL TH TL
UT
UZ
R2 R1
2. 阈值电压(门槛电压) UT — 比较器从一个电平跳变到另一个电平时所对应的输入电压
uO +UOM
O
-UOM
UREF
UT = UREF
比较器中运放工作的特点: uI (1) 工作在非线性区
(2) 不存在虚短 (除uI = UREF 时) (3) 存在虚断
第4章2模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
4.17(1)E3E12300 I I ==μA ,因I R 2=I C3,所以BE 2210100.7k 31 k 0.3R U R I --==Ω=Ω(2)因单端输出,差模电压放大倍数为 1d be 160=6022u R A r β⨯20==⨯10差模输入电阻: id be =220 k R r =Ω(3)静态时,U o =10–I C2·R 1=(10– 0.15×20) V=7 V ,输入信号U 后,U o =4 V ,则输出变化量ΔU o =(4–7)V= –3 V 故 o d 3V 50 m V 60u U U A ∆-===- 4.18 CC BE REF 1260.7mA 1.1 mA 4.70.051V U I R R --===++2C2REF 32C3REF 451 m m 50051 m m 200R I I R R I I R ≈=⨯1.1A =0.11A ≈=⨯1.1A =0.28 A4.19 如表题解4.19所示。
续表4.20 理想运放的主要特点:开环差模电压放大倍数o u A →∞;输入阻抗R id →∞;输出阻抗o 0R →;共模抑制比CMR K →∞;带宽BW →∞;转换速率R S →∞;失调电压、失调电流及温漂均为零。
由于实际运放的技术指标与理想运放的技术指标比较接近。
在分析运放组成的电路时,用理想运放代替实际运放使分析计算大大简化,而带来的误差并不大,在工程计算中是完全允许的。
但是若需要对运算结果专门进行误差分析时,则必须考虑实际运放的运放参数。
因运算精度直接与实际运放的技术指标有关。
4.21 理想运放工作在线性区的特点:u +=u –,i +=i –=0。
理想运放工作在非线性区时的特点:当+u u ->,u o = –U om ,当+u u -<时,U o = +U om ,且i +=i –=0。
其中U om 是运放正向或反向的最 大值。
模拟电子技术基础教学设计(超全面)(精华版)
期末考试形式及内容安排
考试形式
闭卷考试,包括选择题、填空题、 简答题和计算题等多种题型。
考试内容
涵盖模拟电子技术的基本概念、电 路分析、放大器设计、滤波器、振 荡器、稳压电源等核心内容。
考试难度
试题难度适中,旨在检验学生对课 程内容的掌握程度和应用能力。
总评成绩计算方法及标准
总评成绩计算方法
平时成绩占40%,期末考试成绩占60%,综合计算得出总评成 绩。
其他应用实例
模拟乘法器
实现两个模拟信号的相乘运算,可用于调制、解调、混频等场合。
模拟开关
在模拟信号控制下实现电路的通断操作,具有低导通电阻和高截止 电阻的特点。
压控振荡器(VCO)
输出频率受输入电压控制的振荡器,可用于调频、调相等场合。
04 实验教学内容与方法
实验教学内容安排
基础实验
包括常用电子仪器的使 用、基本电子元件的测 量与识别等。
02
01
规范化的设计流程
遵循电路设计的一般流程,包括需求分析、 方案设计、电路仿真、实验验证等。
04
03
课程设计成果展示及评价
01
02
03
成果展示形式
采用报告、演示文稿、实 物展示等多种形式展示课 程设计成果;
评价标准
综合考虑设计方案的创新 性、实用性、可行性以及 团队协作能力等多个方面 进行评价;
反馈与改进
针对评价过程中发现的问 题,及时给予反馈并指导 学生进行改进。
06 考核方式及成绩评定方法
平时成绩评定方法
课堂表现
根据学生在课堂上的参与 度、讨论贡献、提问及回 答问题的质量等进行评分。
作业完成情况
检查学生是否按时提交作 业,以及作业完成的准确 性和创新性。
数字电子技术基础电子教案(周良权)
A B Y 逻辑表达式 开关 A 开关 B 灯 Y 规定: 0 开关闭合为逻辑 0 0 1 Y=A ·B 或 断 Y = AB灭 断 0 断开为逻辑 1 0 0 断 合 灭 灯亮为逻辑 1 1 0 0 合 断 与门 灭 灯灭为逻辑 0 开关 1 A、 1 B 都闭合时, 1 合 合 (AND 亮 gate) 灯 Y 真值表 才亮。 若有 0 出 0;若全 1 出 1
若相同出 1 若相异出 0
数 字 电 路 基 础
1.5逻辑函数的几种表示方法及其相互转换
主要要求: 1、已知真值表求逻辑表达式和逻辑图。 2、已知逻辑函数式求真值表和逻辑图。 3、已知逻辑图求逻辑函数式和真值表。
数 字 电 路 基 础
根据真值表求函数表达式的方法是:
将真值表中每一组使输出函数值为1的输入变量都写成一 个乘积项。在这些乘积项中,取值为1的变量,则该因子写成 原变量,取值为0的变量,则该因子写成反变量,将这些乘积 项相加,就得到了逻辑函数式。
第1章数字电路基础
概述 几种常用的数制和码制 逻辑函数中三种最基本的逻辑运算 复合逻辑函数 逻辑函数的几种表示方法及其相互转换 逻辑代数 逻辑函数的卡诺图化简法 关于正逻辑和负逻辑的规定及其转换
数 字 电 路 基 础
本章教学基本要求
1、数制和码制,各种数制间的转换;
2、与、或、非逻辑和其它复合逻辑函数;
有 8421 码 5421 码 0000 0000 0001 0001 0010 0010 0011 0011 0100 0100 0101 1000 0110 1001 0111 1010 1000 1011 1001 1100
权 码 2421(A) 2421(B) 0000 0000 0001 0001 0010 0010 0011 0011 0100 0100 0101 1011 0110 1100 0111 1101 1110 1110 1111 1111
第9章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
第9章直流稳压电源解答:9.1 电源变压器整流电路滤波电路稳压电路9.2 基准电压取样电路比较放大电路调整器件9.3 电网交流电压负载电流9.4 a9.5 b9.6 d9.7 (√)9.8 (√)9.9 (√)9.10解答:硅稳压管的稳压电路特点是属于并联型稳压电路,输出电压不能调节,能供给负载电流变化范围小,稳压精度不高,适用于固定的电压和轻负载的稳压电路。
串联型具有放大环节稳压电路特点,输出电压可调,负载电流变化范围较大,稳压精度较高,适用于电源稳压值可调,负载较大的稳压电路。
9.11解答:输入直流电压I 21.2 1.218V 21.6V U u ==⨯=,I max I 1.1 1.121.6V U U =⨯=⨯ 23.76V =;I min I 0.90.921.619.44V U U =⨯=⨯=。
由式I m in O I m ax O Z m in O m axZM O m inU U U U R I I I I -->>++19.44623.7665303810R -->>++ 得 384 Ω>R >370Ω9.12解答:(1)三极管T 组成射极跟随器电路,故O Z BE (8.20.7)V 7.5V U U U =-=-=。
(2)I I (10%)0.112 1.2V U U ∆=±=±⨯=± ,这电压通过R 1和Z r 上分压,反映跟随器的输出为Z O I1Z151.2V 0.0235V 23.5m V75015r U U R r ∆=∆=±=±=±++;O O0.02350.31%7.5U U ∆±==±。
(3)若O Z O BE B C CE U U U U I I U ↑↑↓↓↓↑→-=→→→,而趋于稳定。
O U↓9.13解答:(1)电路如图题解9.13所示。
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N型硅
金锑 合金
阴极引线
支架
面接触型
特点:
P N
P 型支持衬底
集成电路中的 平面型
PN结面积大 结电容小 适于低频、大电流 (几百毫安以上) 应用:整流
常用二极管外形图
+
+
+
+
–
–
–
–
2AP 1N4001 2CZ54 2CZ13
2CZ30
微型二极管
(无引线或短引线 的贴片元件,直接 安装在印刷电路板 表面) 圆柱形微型二极管
正反向电阻各测量一次, 测量时手不要接触引脚。
0
1k
*一般硅管正向电阻为几千欧, 锗管正向电阻为几百欧;反向电 阻电阻为几百千欧。 *正反向电阻相差小为劣质管。
正反向电阻都是无穷大或零 则二极管内部断路或短路。
(2) 用数字式万用表检测
红表笔是(表内电源)正极, 黑表笔是(表内电源)负极。
2k 20k 200kUT来自kT q电子电量
1.602 10–19C
当 T = 300(27C): UT = 26 mV
uD = 0 时, iD = 0
uD > 0 时,
iD
I euD /UT S
uD < 0 时, iD –IS
1.2.3 半导体二极管的使用常识
一、二极管的型号
国标GB249-74 规定: 第一部分 第二部分 第三部分
表1.2.2 几种二极管的典型参数
参数 型号
IFM URM /mA /V
IR /A
2AP1 2AP12
16 20 250 40 10 250
fM
150 MHz 40 MHz
IFM Cj/pF
1 1
备注
点接触 形锗管
2CZ52A 100 25 2CZ52D 100 200
100 100
3 kHz 3 kHz
锗管的伏安特性
1. 正向特性
起始导通电压 (门坎、阈值) iD /mA
正向特性
U (BR) IS 反 反向特性 O Uon uD /V
向
0 u Uon ID = 0
Uon = 0.5 V (硅管) 0.1 V (锗管)
u Uon ID 急剧上升
击 穿 正向压降
UF = (0.6 0.8) V 硅管 0.7 V
– 0.02
T 升高时, Uon以 (2 2.5) mV/ C 下降 温度每升高10 C ,IS约增大1倍
一般, 硅管允许结温 150 ~ 200C
锗管允许结温 75 ~ 100C
三、PN 结的伏安特性方程
iD IS (euD /UT 1)
反向饱 和电流
温度的 电压当量
玻耳兹曼常数
1.3810–23J/K
k 阴(负)极
分类:
普通二极管
硅二极管 按材料分 锗二极管
按用途分
整流二极管 稳压二极管
按结构工艺分
点接触型 面接触型
开关二极管
平面型
阳极 引线
N 型锗片 阴极 引线
铝合金 小球
阳极引线 PN 结
阳极 阴极 引线 引线
管壳
触丝
点接触型
特点: PN结面积小 结电容小 适于高频、小电流 应用: 小功率整流 高频检波 开关电路
面接触 形硅管
2CZ56E 1000 100 500 3 kHz 2CZ55C 3000 300 1000 3 kHz
应加散 热板
1N4002 1000 100 1N5403 3000 300
三、二极管管脚极性及质量的判断
(1) 用指针式万用表检测
红表笔是(表内电源)负极, 在 R 100或 R 1 k 档测量 黑表笔是(表内电源)正极。
符号
意义
字表
表示
D 低频大功率管
示规 器格
(f3MHZ,PC1W) 件 号
A 高频大功率管 序
(f3MHZ,PC1W) 号 T 可控整流器
L 整流堆
Y 体效应器件
S 遂道管
B 雪崩管
N 阻尼管
J 阶跃恢复管
U 光电器件
CS 场效应管
K 开关管
BT 半导体特殊器件
X 低频小功率管
FH 复合管
(f3MHZ,PC1W) PIN PIN型管
G 高频小功率管
JG 激光器件
(f3MHZ,PC1W)
二、二极管的主要参数
ID IF
U (BR) URM O
UD
1. IFM — 最大整流电流(最大正向平均电流) 2. URM — 最高反向工作电压,为 U(BR) / 2 3. IR — 反向电流(随温度变化,越小单向导电性越好) 4. fM — 最高工作频率(主要取决于PN结结电容大小)
200
2M
20M
在
挡进行测量,当 PN 结完好
且正偏时,显示值为 PN 结两端的
正向压降(V)。反偏时,显示 。
SOT - 23 塑封微型二极管
1.2.2 半导体二极管的伏安特性
一、二极管的伏安特性曲线
ID / mA
60 40 20 –50 –25
0 0.4 0.8 UD / V
– 0.02
– 0.04
ID / mA
15
10
5
– 50 – 25
–0.01 0 0.2 0.4 UD / V
–0.02
硅管的伏安特性
1.2 半导体二极管
(Semiconductor Diode)
1.2.1 1.2.2 1.2.3
半导体二极管的结构和类型 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的使用常识
1.2.1 半导体二极管的结构和类型
构成: PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode)
阳极
PN
阴极
符号: 阳(正)极 a
电极 数
符意 号义
2二
极 管
3三
极 管
器件材料和极性
符
意义
号
A N型,锗材料 B P型,锗材料 C N型,硅材料 D P型,硅材料
A PNP,锗材料 B NPN,锗材 C料 D PNP,硅材料 E NPN,硅材
料 化合物材料
字母表示器件类型
用字
数母
符
意义
号
P 普通管 V 微波管 W 稳压管 C 参量管 Z 整流管
第四部分
阿拉伯 数字表 示器件 电极数
字母
(汉拼) 表示器 件材料 和极性
字母
(汉拼) 表示器 件类型
阿拉伯 数字表 示器件 序号
如硅整流二极管 2 C Z 52 A
第五部分
字母 (汉拼)
表示 规格号
二 N 整序规
极型 流号格
管硅 管
号
表1.2.1 半导体器件型号组成各部分的符号及其意义
1
2
3
45
(0.1 0.3) V 锗管 0.2 V
2. 反向特性 反向击穿电压
U(BR) u 0 u < U(BR)
ID = IS < 0.1 A(硅) 几十 A (锗) 反向电流急剧增大 (反向击穿)
二、温度对二极管特性的影响
ID / mA 90C
60
20C
40
20 –50 –25
0 0.4
UD / V