《模拟电子技术基础(第4版_周良权)》电子教案 12

符号
意义
字表
表示
D 低频大功率管
示规 器格
(f3MHZ,PC1W) 件 号
A 高频大功率管 序
(f3MHZ,PC1W) 号 T 可控整流器
L 整流堆
Y 体效应器件
S 遂道管
B 雪崩管
N 阻尼管
J 阶跃恢复管
U 光电器件
CS 场效应管
K 开关管
BT 半导体特殊器件
X 低频小功率管
FH 复合管
(f3MHZ,PC1W) PIN PIN型管
表1.2.2 几种二极管的典型参数
参数 型号
IFM URM /mA /V
IR /A
2AP1 2AP12
16 20 250 40 10 250
fM
150 MHz 40 MHz
IFM Cj/pF
1 1
备注
点接触 形锗管
2CZ52A 100 25 2CZ52D 100 200
100 100
3 kHz 3 kHz
200
2M
20M
在
挡进行测量，当 PN 结完好
且正偏时，显示值为 PN 结两端的
正向压降(V)。反偏时，显示 。
k 阴(负)极
分类：
普通二极管
硅二极管 按材料分 锗二极管
按用途分
整流二极管 稳压二极管
按结构工艺分
点接触型 面接触型
开关二极管
平面型
阳极 引线
N 型锗片 阴极 引线
铝合金 小球
阳极引线 PN 结
阳极 阴极 引线 引线
管壳
触丝
点接触型
特点： PN结面积小 结电容小 适于高频、小电流 应用： 小功率整流 高频检波 开关电路
– 0.02
T 升高时， Uon以 (2 2.5) mV/ C 下降 温度每升高10 C ，IS约增大1倍
一般， 硅管允许结温 150 ~ 200C
锗管允许结温 75 ~ 100C
三、PN 结的伏安特性方程
iD IS (euD /UT 1)
反向饱 和电流
温度的 电压当量
玻耳兹曼常数
1.3810–23J/K
第四部分
阿拉伯 数字表 示器件 电极数
字母
(汉拼) 表示器 件材料 和极性
字母
(汉拼) 表示器 件类型
阿拉伯 数字表 示器件 序号
如硅整流二极管 2 C Z 52 A
第五部分
字母 (汉拼)
表示 规格号
二 N 整序规
极型 流号格
管硅 管
号
表1.2.1 半导体器件型号组成各部分的符号及其意义
1
2
3
45
锗管的伏安特性
1. 正向特性
起始导通电压 (门坎、阈值) iD /mA
正向特性
U (BR) IS 反 反向特性 O Uon uD /V
向
0 u Uon ID = 0
Uon = 0.5 V (硅管) 0.1 V (锗管)
u Uon ID 急剧上升
击 穿 正向压降
UF = (0.6 0.8) V 硅管 0.7 V
1.2 半导体二极管
(Semiconductor Diode)
1.2.1 1.2.2 1.2.3
半导体二极管的结构和类型 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的使用常识
1.2.1 半导体二极管的结构和类型
构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode)
阳极
PN
阴极
符号： 阳(正)极 a
正反向电阻各测量一次， 测量时手不要接触引脚。
0
1k
*一般硅管正向电阻为几千欧， 锗管正向电阻为几百欧；反向电 阻电阻为几百千欧。 *正反向电阻相差小为劣质管。
正反向电阻都是无穷大或零 则二极管内部断路或短路。
(2) 用数字式万用表检测
红表笔是(表内电源)正极， 黑表笔是(表内电源)负极。
2k 20k 200k
SOT － 23 塑封微型二极管
1.2.2 半导体二极管的伏安特性
一、二极管的伏安特性曲线
ID / mA
60 40 20 –50 –25
0 0.4 0.8 UD / V
– 0.02
– 0.04
ID / mA
15
10
5
– 50 – 25
–0.01 0 0.2 0.4 UD / V
–0.02
硅管的伏安特性
面接触 形硅管
2CZ56E 1000 100 500 3 kHz 2CZ55C 3000 300 1000 3 kHz
应加散 热板
1N4002 1000 100 1N5403 3000 300
三、二极管管脚极性及质量的判断
(1) 用指针式万用表检测
红表笔是(表内电源)负极， 在 R 100或 R 1 k 档测量 黑表笔是(表内电源)正极。
G 高频小功率管
JG 激光器件
(f3MHZ,PC1W)
二、二极管的主要参数
ID IF
U (BR) URM O
UD
1. IFM — 最大整流电流(最大正向平均电流) 2. URM — 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2 3. IR — 反向电流(随温度变化,越小单向导电性越好) 4. fM — 最高工作频率(主要取决于PN结结电容大小)
N型硅
金锑 合金
阴极引线
支架
面接触型
特点：
P N
P 型支持衬底
集成电路中的 平面型
PN结面积大 结电容小 适于低频、大电流 (几百毫安以上) 应用：整流
常用二极管外形图
+
+
+
+
–
–Biblioteka Baidu
–
–
2AP 1N4001 2CZ54 2CZ13
2CZ30
微型二极管
（无引线或短引线 的贴片元件，直接 安装在印刷电路板 表面） 圆柱形微型二极管
电极 数
符意 号义
2二
极 管
3三
极 管
器件材料和极性
符
意义
号
A N型,锗材料 B P型,锗材料 C N型,硅材料 D P型,硅材料
A PNP,锗材料 B NPN,锗材 C料 D PNP,硅材料 E NPN,硅材
料 化合物材料
字母表示器件类型
用字
数母
符
意义
号
P 普通管 V 微波管 W 稳压管 C 参量管 Z 整流管
UT
kT q
电子电量
1.602 10–19C
当 T = 300(27C)： UT = 26 mV
uD = 0 时， iD = 0
uD > 0 时，
iD
I euD /UT S
uD < 0 时， iD –IS
1.2.3 半导体二极管的使用常识
一、二极管的型号
国标GB249－74 规定： 第一部分 第二部分 第三部分
(0.1 0.3) V 锗管 0.2 V
2. 反向特性 反向击穿电压
U(BR) u 0 u < U(BR)
ID = IS < 0.1 A(硅) 几十 A (锗) 反向电流急剧增大 (反向击穿)
二、温度对二极管特性的影响
ID / mA 90C
60
20C
40
20 –50 –25
0 0.4
UD / V