电力电子技术西南大学2016年作业

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电力电子技术_习题集(含答案)

电力电子技术_习题集(含答案)

电力电子技术》课程习题集、单选题1. 晶闸管内部有()PN结。

A 、一个B、二个C 、三个D、四个2.A电力二极管内部有()个PN结。

一个B、二个C 、三个D、四个3. 双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有()电极。

A 、一个B、两个C 、三个D、四个4. 比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。

A 、GTO B、GTRC 、MOSFET D、SR5. 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()A 、GTR B、MOSFETC 、IGBT D、SR6. 比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是()。

A 、GTO B、GTRC 、MOSFET D、IGBT7. 下列半导体器件中属于电压型控制器件的是()。

A 、GTO B、GTRC 、MOSFET D、SR8. 压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作()。

A 、分流B、降压C 、过电压保护D、过电流保护9. 晶闸管两端并联一个RC电路的作用是()。

A 、分流B、降压C 、过电压保护D、过电流保护10 . 普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的()A 、有效值B、最大值C平均值D最小值11. 晶闸管在电路中的门极正向偏压()愈好。

来表示的。

A 、愈大B 、愈小C 、不变D 、为零12. 快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作( A 、分流B 、降压C 、过电压保护D 、过电流保护13. 当晶闸管的额定电压小于实际要求时,可以用两个以上同型号的器件相 A 、串联 B 、并联C 、串并联14. 当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在 ( ) 。

A 、导通状态B 、关断状态C 、饱和状态D 、不定15. 当晶闸管的额定电流小于实际要求时,可以用两个以上同型号的器件相 A 、串联 B 、并联C 、串并联A 、电阻性B 、电感性C 、反电动势D 、不定 17. 晶闸管可控整流电路中的控制角 α 减小,则输出的电压平均值会( A 、不变B 、增大C 、减小D 、不定 18. 三相可控整流与单相可控整流相比较,输出直流电压的纹波系数(A 、三相的大B 、单相的大C 、一样大D 、不定 19. 单相半波可控整流电路输出直流电压的平均值最大等于整流前交流电压有效值的 倍。

电力电子技术作业

电力电子技术作业

1、什么是信息电子技术?什么是电力电子技术?1) 信息电子技术:信息电子技术: 信息电子技术应用计算机等现代化技术进行电子信息控制和信息处理,主要研究信息的获取与处理,电子设备与信息系统的设计、开发、获取与处理,电子设备与信息系统的设计、开发、应用和集成。

信息电子技术已经涵盖了社应用和集成。

信息电子技术已经涵盖了社会的诸多方面。

会的诸多方面。

信息电子技术集现代电子技术、信息技术、通信技术于一体。

它在信息的存信息电子技术集现代电子技术、信息技术、通信技术于一体。

它在信息的存储、传播和应用方面已经从根本上打破了长期以来由纸质载体储存和传播信息的一统天下,代表了信息业发展的方向。

代表了信息业发展的方向。

2)电力电子技术:)电力电子技术:电力电子技术是一门新兴的应用于电力领域的电子技术,就是使用电力电子器件(如晶闸管,闸管,GTO GTO GTO,,IGBT 等)对电能进行变换和控制的技术。

电力电子技术所变换的“电力”功率可大到数百MW 甚至GW GW,也可以小到数,也可以小到数W 甚至1W 以下,和以信息处理为主的信息电子技术不同电力电子技术主要用于电力变换。

电力电子技术分为电力电子器件制造技术和变流技术(整流,逆变,斩波,变频,变相等)两个分支。

(整流,逆变,斩波,变频,变相等)两个分支。

2、简单地介绍电力电子器件和几种常用的器件。

电力电子器件又称为功率半导体器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)。

功率器件几乎用于所有的电子制造业有的电子制造业,,包括计算机领域的笔记本、包括计算机领域的笔记本、PC PC PC、、服务器、显示器以及各种外设显示器以及各种外设;;网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备;;消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品;工业控制类中的工业PC PC、各类仪器仪表和各类控制设备等。

电力电子技术练习题及参考答案

电力电子技术练习题及参考答案

《电力电子技术》练习题一、填空题(每空1分,共50分)1、对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L________I H。

2、功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是________。

3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为,U DSM________U BO。

4、电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于________,设U2为相电压有效值。

5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________。

6、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值________。

7、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施。

8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有________二种方式。

9、抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。

10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相是在________的上、下二个开关元件之间进行。

11、改变SPWM逆变器中的调制比,可以改变________的幅值。

12、为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是________。

13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。

14、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,称为______。

16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较______的规化值。

17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定,双向晶闸管的额定电流用_____标定。

18、晶闸管的导通条件是:晶闸管______和阴极间施加正向电压,并在______和阴极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。

17秋西南大学[1075]《电力电子技术》作业答案题.doc

17秋西南大学[1075]《电力电子技术》作业答案题.doc

单项选择题1、从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为()。

1. 控制角▽2. 延迟角3 •滞后角4.重輕角2、当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在()1. 导通状态2. 关断状态23. 饱和状态4. 不定3、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为 ______________________________ o1. 700V 92. 750V3. 800V4. 850V4、快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是__________1. 功率晶体管2. IGBT3. 功率MOSFET4. 晶闸管V5*5、三相半波可控整流电路的自然换相点是1. 交流相电压的过零点2. 本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处93. 比三相不控整流电路的自然换相点超前30°4. 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°6、在一般可逆电路中,最小逆变角B min选在下面那一种范围合理1. 30°-35° 92. 0°-15°3. 0°-10°4. 0°7、可实现有源逆变的电路为_____________________1. 三相半波可控整流电路22. 三相半控桥整流桥电路3. 单相全控桥接续流二极管电路4 .单相半控桥整流电路8、晶闸管触发电路中,若改变_____ 的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。

1. 同步电压2. 控制电压23. 脉冲变压器变比4. 控制电流时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于9、a 为 _____连续和断续的临界状态。

1. 0度2. 30 度"3. 60 度4. 90 度10、单相全控桥式有源逆变电路,控制角为a,则输出电压的平均值为()1. Ud=1.17U2cosa2・ Ud=0.9U2COsa :3. Ud=-2.34U2cosa4. Ud=0.45U2cosa11、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来()1. 分流2. 降压3. 过电压保护94. 过电流保护12、在PWM逆变电路的相电压正弦波调制信号中叠加适当的3次谐波,使之成为鞍形波的目的在于()1. 消除谐波分量2. 包含幅值更大的基波分量93. 减少开关次数4. 削弱直流分量13、下列全控器件中,属于电流控制型的器件是(1. P-MOSFET2. SIT3. GTR 24. IGBT14、若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为1. 157A2. 100A 93. 80A4. 246.5A15、在PWM斩波方式的开关信号形成电路中,比较器反相输入端加三角波信号,同相端加()1. 正弦信号2. 方波信号3. 锯齿波信号4. 直流信号916、可在第一和第四象限工作的变流电路是()1. 三相半波可控变流电路22. 单相半控桥3. 接有续流二极管的三相半控桥4. 接有续流二极管的单相半波可控变流电路17、IGBT是一个复合型的器件,它是()1. GTR 驱动的MOSFET2. MOSFET 驱动的GTR&"160; P3. MOSFET驱动的晶闸管4. MOSFET 驱动的GTO18、对于电阻负载单相交流调压电路,下列说法错误的是()1. 输出负载电压与输出负载电流同相2. a的移项范围为0°<a<180°3. 输出负载电压U0的最大值为U14. 以上说法均是错误的919、降压斩波电路中,已知电源电压Ud二16V,负载电压Uo=12V,斩波周期T=4ms,则开通时Ton=1. 1ms2. 2ms3. 3ms4. 4ms20、有源逆变发生的条件为()1. 要有直流电动势2. 要求晶闸管的控制角大于90度3. 直流电动势极性须和品闸管导通方向一致21、单相全控桥式整流电路电阻性负载中, 控制角的最大移相范围是(4. 以上说法都是对的W1. 90°2. 120° &T603. 150°4. 180° W22、逆变电路是一种()变换电路:L AC/AC2. DC/AC 23. DC/DC4. AC/DC23、直流斩波电路是一种()变换电路。

电力电子技术西南大学2016年作业

电力电子技术西南大学2016年作业

第一批单选题题目说明:(10.0分)1.IGBT属于()控制型元件A.A:电流B.B:电压C.C:电阻D.D:频率(10.0分)2.触发电路中的触发信号应具有()A.A:足够大的触发功率B.B:足够小的触发功率C.C:尽可能缓的前沿D.D:尽可能窄的宽度(10.0分)3.对于单相交交变频电路如下图,在t1~t2时间段内,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是()A.A:P组阻断,N组整流B.B:P组阻断,N组逆变C.C:N组阻断,P组整流D.D:N组阻断,P组逆变(10.0分)4.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是()A.A:电容B.B:电感C.C:蓄电池D.D:电动机(10.0分)5.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角a的最大移相范围是()A.A:90°B.B:120°C.C:150°D.D:180°(10.0分)6.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A.A:全控型器件B.B:半控型器件C.C:不控型器件D.D:触发型器件(10.0分)7.IGBT是一个复合型的器件,它是()A.A:GTR驱动的MOSFETB.B:MOSFET驱动的GTRC.C:MOSFET驱动的晶闸管D.D:MOSFET驱动的GTO(10.0分)8.从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为()。

A.A:控制角B.B:延迟角C.C:滞后角D.D:重叠角(10.0分)9.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()A.A:有源逆变器B.B:A/D变换器C.C:D/A变换器D.D:无源逆变器(10.0分)10.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()A.A:减小至维持电流以下B.B:减小至擎住电流以下C.C:减小至门极触发电流以下D.D:减小至5A以下(10.0分)11.降压斩波电路中,已知电源电压U d=16V,负载电压U o=12V,斩波周期T=4ms,则开通时T on=()A.A:1msB.B:2msC.C:3msD.D:4ms(10.0分)12.三相半波可控整流电路的自然换相点是()A.A:交流相电压的过零点B.B:本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.C:比三相不可控整流电路的自然换相点超前30ºD.D:比三相不可控整流电路的自然换相点滞后60º(10.0分)13.单相桥式半控整流电路中,电阻性负载,流过每个晶闸管的有效电流I T=()A.A:1IB.B:0.5IC.C:(1/1.747)*ID.D:1.747*I主观填空题题目说明:(10.0分)14.过电压产生的原因()、(),可采取()、()和()保护。

西南大学17秋0961]《电工电子技术》作业答案

西南大学17秋0961]《电工电子技术》作业答案

0961]《电工电子技术》笔试1-5:AACCB 6-10:AABCA 11-15:CBBBB16-19:BBBB20、时序逻辑电路与组合逻辑电路的主要区别是( )电路具有记忆功能。

时序逻辑21、通过人体的电流的频率愈( )愈安全。

高22、( )反馈多用于改善放大器的性能。

负23、双端输出电路对称的差动放大电路,对共模输入信号的电压放大倍数近似等于( )。

零24、集成运放的( )级主要进行电压放大,要求它的电压放大倍数高,一般由共射极放大电路构成。

中间25、三相异步电动机的旋转方向决定于( )电流的相序。

定子26、某三相异步电动机额定转速n=975r/min,则转差率为s=( )%。

2.527、继电器的体积和触点容量小,触点数目多,且通过电流较( ),所以,因此继电器一般用于控制电路中。

小28、当变压器的负载增加后,则一次侧电流和二次侧负载电流同时( )。

增大27、继电器的体积和触点容量小,触点数目多,且通过电流较( ),所以,因此继电器一般用于控制电路中。

小28、当变压器的负载增加后,则一次侧电流和二次侧负载电流同时( )。

增大[0961]《电工电子技术》判断题13、在共发射放大电路中,电流ib、ic与输入电压ui同相,而输出电压u0与输入电压ui也同相,即共射极放大电路不具有反相作用。

A.√B.×14、电压表应串联在电路中。

A.√B.×15、照明电路中保险丝可以用铜丝取代。

A.√B.×16、电动机的同步转速与电源频率无关。

A.√B.×17、给电感性负载串联电容可以提高功率因数。

A.√B.×18、一个电路中,功率不一定平衡。

A.√B.×19、无论电压和电流的参考方向选得如何,欧姆定律U=IR式子前均为正号。

A.√B.×。

2016春西南大学1035《电机与拖动》作业及答案参考

2016春西南大学1035《电机与拖动》作业及答案参考

第一次1.转子磁动势F2与定子磁动势F1的旋转方向和转速大小的关系为( D)。

A.A:旋转方向不同,转速大小相同B.B:转速大小不同,转速大小不同C.C:旋转方向相同,转速大小不同D.D:旋转方向相同,转速大小相同纠错(10.0 分)2. 励磁绕组与电枢绕组无联接关系,而是由其他直流电源对励磁绕组供电是以下哪种直流电机的励磁方式。

(A)A.A:他励直流电机B.B:并励直流电机C.C:串励直流电机D.D:复励直流电机纠错(10.0 分)3. 对于笼型异步电动机,不能采用以下哪种方法获得它的人为机械特性。

(C )A.A:定子电路内串联对称电阻的人为机械特性B.B:定子电路内串联对称电抗的人为机械特性C.C:降低供电电网电压的人为机械特性D.D:转子电路内串联对称电阻的人为机械特性纠错(10.0 分)4. 以下哪一项是直流电机的转动部分(转子)?( D)A.A:主磁极B.B:换向极C.C:电刷装置D.D:换向器纠错(10.0 分)5. 在什么条件下,电动机静止或等速旋转,电力拖动系统处于稳定运转状态下?(A )A.A:T=TzB.B:T>TzC.C:T<TZ< div>D.D:任何条件纠错(10.0 分)6.三相异步电机处于电动机状态时,转差率s的范围是。

(B )A.A:s<0B.B:0<S<1< div>C.C:s=1D.D:s>1纠错(10.0 分)7.三相异步电动机起动时,在定子电路串联电阻或者电抗,是以下哪种起动方式?( B)A.A:电子软起动B.B:减压起动C.C:自耦补偿起动D.D:星形-三角形起动纠错(10.0 分)8.从电能消耗来看,下面哪个选项是最经济的?( C)A.A:能耗制动B.B:回溃制动C.C:转速反向的反接制动D.D:电枢反接的反接制动纠错(10.0 分)9.从物理意义上说,变压器的励磁电抗Xm表征。

(D )A.A:漏磁通对一次绕组的电磁效应B.B:一次绕组的电阻C.C:铁心发热而消耗有功功率的一个参数D.D:铁心磁化性能的一个综合参数纠错(10.0 分)10.软磁材料的特点是:(B)A.A:磁滞回线较宽,剩磁和矫顽力都很大B.B:磁滞回线较窄,剩磁和矫顽力都很小C.C:磁滞回线较宽,剩磁小,矫顽力很大D.D:磁滞回线较窄,剩磁大,矫顽力很小纠错判断题题目说明:(10.0 分)11.直流电动机的电气制动方法有三种:能耗制动、反接制动、回馈制动。

电力电子技术-西南大学2016年作业

电力电子技术-西南大学2016年作业

第一批单选题题目说明:(10.0分)1.IGBT属于()控制型元件A.A:电流B.B:电压C.C:电阻D.D:频率(10.0分)2.触发电路中的触发信号应具有()A.A:足够大的触发功率B.B:足够小的触发功率C.C:尽可能缓的前沿D.D:尽可能窄的宽度(10.0分)3.对于单相交交变频电路如下图,在t1~t2时间段内,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是()A.A:P组阻断,N组整流B.B:P组阻断,N组逆变C.C:N组阻断,P组整流D.D:N组阻断,P组逆变(10.0分)4.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是()A.A:电容B.B:电感C.C:蓄电池D.D:电动机(10.0分)5.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角a的最大移相范围是()A.A:90°B.B:120°C.C:150°D.D:180°(10.0分)6.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A.A:全控型器件B.B:半控型器件C.C:不控型器件D.D:触发型器件(10.0分)7.IGBT是一个复合型的器件,它是()A.A:GTR驱动的MOSFETB.B:MOSFET驱动的GTRC.C:MOSFET驱动的晶闸管D.D:MOSFET驱动的GTO(10.0分)8.从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为()。

A.A:控制角B.B:延迟角C.C:滞后角D.D:重叠角(10.0分)9.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()A.A:有源逆变器B.B:A/D变换器C.C:D/A变换器D.D:无源逆变器(10.0分)10.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()A.A:减小至维持电流以下B.B:减小至擎住电流以下C.C:减小至门极触发电流以下D.D:减小至5A以下(10.0分)11.降压斩波电路中,已知电源电压U d=16V,负载电压U o=12V,斩波周期T=4ms,则开通时T on=()A.A:1msB.B:2msC.C:3msD.D:4ms(10.0分)12.三相半波可控整流电路的自然换相点是()A.A:交流相电压的过零点B.B:本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.C:比三相不可控整流电路的自然换相点超前30ºD.D:比三相不可控整流电路的自然换相点滞后60º(10.0分)13.单相桥式半控整流电路中,电阻性负载,流过每个晶闸管的有效电流I T=()A.A:1IB.B:0.5IC.C:(1/1.747)*ID.D:1.747*I主观填空题题目说明:(10.0分)14.过电压产生的原因()、(),可采取()、()和()保护。

电力电子技术(专升本)2016年秋季考试

电力电子技术(专升本)2016年秋季考试
解题思路:
8. 请阐述目前开关电源的发展现状及所涉及电力电子的哪些知识(以具体电路为例)。(10分)
参考答案:无固定答案
解题思路:需涉及DC-DC变换的内容
第2/2页
解题思路:
4. 交流-交流直接变频器与直流电动机可逆传动系统两组变流器的工作方式、控制原理有什么异
、同之处?(20分)
参考答案:答:同:均是通过对正组、反组控制角的控制。 异:直流电动机可逆传动系统两组
变流器均可工作在整流、逆变状态,通过改变晶闸管的触发控制角或逆变角,可以调节整流或逆
变电压VD,控制交流电源-负载之间交换的功率的大小和方向。 交流-交流直接变频器则是当
时,正组工作,反组停止工作。
时,反组工作,正组停止工作。它只是把相控“整流”
输出电压脉冲中的每个脉冲的平均值控制到按“正弦规律”变化,然后再把这一系列直流脉冲拼成
一个近似的正弦波。
解题思路:
第1/2页
5. 电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么?为何电流型逆变电路中没有反馈二极管?(10分)
参考答案:电压型逆变器当交流侧为阻感性负载时,需要向电源反馈无功功率。直流侧电容起缓 冲无功能量的作用。为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道,逆变桥各臂开关器件都反 并联了反馈二极管。 而对电流型逆变器来说,当交流侧为阻感负载时,也需要提供无功能量反馈,但直流侧电感起缓 冲无功能量的作用,因反馈无功能量时,直流电流并不反向,因此不必象电压型逆变器那样要给 开关器件反并联二极管。 解题思路:
6. 单极性和双极性PWM调制有什么区别?三相桥式PWM型逆变电路中,输出相电压(输出端相 对于直流电源中点的电压)和线电压SPWM波形各有几种电平?(10分) 参考答案:三角波载波在信号波正半周期或负半周期里只有单一的极性,所得的PWM波形在半 个周期中也只在单极性范围内变化,称为单极性PWM控制方式。

《电力电子技术》习题集

《电力电子技术》习题集

电力电子技术习题集习题一1. 试说明什么是电导调制效应及其作用。

2. 晶闸管正常导通的条件是什么,导通后流过的电流由什么决定?晶闸管由导通变为关断的条件是什么,如何实现?3. 有时晶闸管触发导通后,触发脉冲结束后它又关断了,是何原因?4. 图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形,其最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值、有效值。

如不考虑安全裕量,额定电流100A 的晶闸管,流过上述电流波形时,允许流过的电流平均值I d 各位多少?(f)图1-30 习题1-4附图5. 在图1-31所示电路中,若使用一次脉冲触发,试问为保证晶闸管充分导通,触发脉冲宽度至少要多宽?图中,E =50V ;L =0.5H ;R =0.5Ω; I L =50mA (擎住电流)。

图1-31习题1-5附图 图1-32习题1-9附图6. 为什么晶闸管不能用门极负脉冲信号关断阳极电流,而GTO 却可以?7. GTO 与GTR 同为电流控制器件,前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同?8. 试比较GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 之间的差异和各自的优缺点及主要应用领域。

9. 请将VDMOS (或IGBT )管栅极电流波形画于图1-32中,并说明电流峰值和栅极电阻有何关系以及栅极电阻的作用。

10. 全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么?试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。

11. 限制功率MOSFET 应用的主要原因是什么?实际使用时如何提高MOSFET 的功率容量?习题二1.具有续流二极管的单相半波可控整流电路,带阻感性负载,电阻为5Ω,电感为0.2H,电源电压的有效值为220V,直流平均电流为10A,试计算晶闸管和续流二极管的电流有效值,并指出晶闸管的电压定额(考虑电压2-3倍裕度)。

2.单相桥式全控整流电路接电阻性负载,要求输出电压在0~100V连续可调,输出电压平均值为30 V时,负载电流平均值达到20A。

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第一批单选题题目说明:(10.0分)1.IGBT属于()控制型元件A.A:电流B.B:电压C.C:电阻D.D:频率(10.0分)2.触发电路中的触发信号应具有()A.A:足够大的触发功率B.B:足够小的触发功率C.C:尽可能缓的前沿D.D:尽可能窄的宽度(10.0分)3.对于单相交交变频电路如下图,在t1~t2时间段内,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是()A.A:P组阻断,N组整流B.B:P组阻断,N组逆变C.C:N组阻断,P组整流D.D:N组阻断,P组逆变(10.0分)4.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是()A.A:电容B.B:电感C.C:蓄电池D.D:电动机(10.0分)5.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角a的最大移相范围是()A.A:90°B.B:120°C.C:150°D.D:180°(10.0分)6.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A.A:全控型器件B.B:半控型器件C.C:不控型器件D.D:触发型器件(10.0分)7.IGBT是一个复合型的器件,它是()A.A:GTR驱动的MOSFETB.B:MOSFET驱动的GTRC.C:MOSFET驱动的晶闸管D.D:MOSFET驱动的GTO(10.0分)8.从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为()。

A.A:控制角B.B:延迟角C.C:滞后角D.D:重叠角(10.0分)9.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()A.A:有源逆变器B.B:A/D变换器C.C:D/A变换器D.D:无源逆变器(10.0分)10.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()A.A:减小至维持电流以下B.B:减小至擎住电流以下C.C:减小至门极触发电流以下D.D:减小至5A以下(10.0分)11.降压斩波电路中,已知电源电压U d=16V,负载电压U o=12V,斩波周期T=4ms,则开通时T on=()A.A:1msB.B:2msC.C:3msD.D:4ms(10.0分)12.三相半波可控整流电路的自然换相点是()A.A:交流相电压的过零点B.B:本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.C:比三相不可控整流电路的自然换相点超前30ºD.D:比三相不可控整流电路的自然换相点滞后60º(10.0分)13.单相桥式半控整流电路中,电阻性负载,流过每个晶闸管的有效电流I T=()A.A:1IB.B:0.5IC.C:(1/1.747)*ID.D:1.747*I主观填空题题目说明:(10.0分)14.过电压产生的原因()、(),可采取()、()和()保护。

答:过电压分为外因过电压和内因过电压两类,过压的保护器件有:稳压二级管;压敏二级管;双向触发二级管;(10.0分)15.设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即(),其承受的最大正向电压()。

答:设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即(√6U2),其承受的最大正向电压(√2U2)。

(10.0分)16.晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的外形有()与()。

答:晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的外形有(螺栓型)与(平板型)。

(10.0分)17.在下图中,()和()构成降压斩波电路使直流电动机电动运行,工作于第1象限;()和()构成升压斩波电路,把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源,使电动机作再生制动运行,工作于()象限。

答:在下图中,(V1)和(VD1)构成降压斩波电路使直流电动机电动运行,工作于第1象限;(V2)和(VD2)构成升压斩波电路,把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源,使电动机作再生制动运行,工作于(第2)象限。

(10.0分)18.在三相半波可控整流电路中,电感性负载,当控制角()时,输出电压波形出现负值,因而常加续流二极管。

答:在三相半波可控整流电路中,电感性负载,当控制角(大于300)时,输出电压波形出现负值,因而常加续流二极管。

(10.0分)19.逆变电路的负载如果接到电源,则称为()逆变,如果接到负载,则称为()逆变。

答:逆变电路的负载如果接到电源,则称为(有源)逆变,如果接到负载,则称为(无源)逆变。

(10.0分)20.晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为U DSM U BO答:晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为UDSM<UBO(10.0分)21.请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

答:电力晶体管 GTR ;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体 MOSFET ;绝缘栅双极型晶体管 IGBT ;IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管。

(10.0分)22.当晶闸管加上正向阳极电压后,门极加上适当的()电压,使晶闸管导通的过程,称为触发。

答:当晶闸管加上正向阳极电压后,门极加上适当的(正向)电压,使晶闸管导通的过程,称为触发。

(10.0分)23.电子技术包括()和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

答:电子技术包括(信息电子技术)和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

(10.0分)24.在三相半波可控整流电路中,电感性负载,当控制角()时,输出电压波形出现负值,因而常加续流二极管。

答:在三相半波可控整流电路中,电感性负载,当控制角(大于300)时,输出电压波形出现负值,因而常加续流二极管。

(10.0分)25.单相交流调压电路阻感负载,设负载阻抗角为φ,则触发角α的移相范围应为()答:单相交流调压电路阻感负载,设负载阻抗角为φ,则触发角α的移相范围应为(φ<а<1800)(10.0分)26.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为(),而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为()。

答:在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为(通态损耗),而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为(开关损耗)。

论述题题目说明:(10.0分)27.单相桥式全控整流电路,U2=100V,负载中R=2Ω,L值极大,当α=30°时,试求:(1)整流输出平均电压U d、电流I d;(2)考虑2倍安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流;(3)变压器二次电流有效值I2。

答:1、2、3、(10.0分)28.图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。

(10.0分)29.换流重叠角的产生给逆变电路带来哪些不利影响?解:由于变压器漏感和线路电感等因素的影响,晶闸管的换流(换相)不能瞬时完成,均需一定的时间即换相重叠角γ所对应的时间。

如果逆变角β<γ,将使换相不能完成,造成逆变失败。

(10.0分)30.简述晶闸管导通的条件与关断条件。

答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。

或者UAK >0且UGK>0;维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。

第二批单选题题目说明:(10.0分)1.三相全控桥式整流电路带大电感负载时,控制角α的有效移相范围是()。

A.A:0°-90°B.B:30°-120°C.C:60°-150°D.D:90°-150°(10.0分)2.功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定:集电极-发射极允许最高击穿电压,集电极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和()。

A.A:基极最大允许直流功率线B.B:基极最大允许电压线C.C:临界饱和线D.D:二次击穿功率线(10.0分)3.三相半波可控整流电路的自然换相点是()。

A.A:交流相电压的过零点B.B:本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.C:比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D.D:比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°(10.0分)4.直流斩波电路是一种()变换电路。

A.A:AC/ACB.B:DC/ACC.C:DC/DCD.D:AC/DC(10.0分)5.若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为()A.A:157AB.B:100AC.C:80AD.D:246.5A(10.0分)6.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()。

A.A:减小至维持电流以下B.B:减小至擎住电流以下C.C:减小至门极触发电流以下D.D:减小至5A以下(10.0分)7.在晶闸管应用电路中,为了防止误触发,应使干扰信号的幅值限制在()A.A:可靠触发区B.B:不可靠触发区C.C:安全工作区D.D:不触发区(10.0分)8.降压斩波电路中,已知电源电压U d=16V,负载电压U o=12V,斩波周期T=4ms,则开通时T on=()。

A.A:1msB.B:2msC.C:3msD.D:4ms(10.0分)9.下列全控器件中,属于电流控制型的器件是()。

A.A:P-MOSFETB.B:SITC.C:GTRD.D:IGBT(10.0分)10.接有续流二极管的单相半控桥式变流电路可运行的工作象限是()A.A:第二象限B.B:第三象限C.C:第四象限D.D:第一象限(10.0分)11.逆变电路是一种()变换电路。

A.A:AC/ACB.B:DC/ACC.C:DC/DCD.D:AC/DC(10.0分)12.三相桥式全控整流电路,电阻性负载时的移相范围为()。

A.A:0~180B.B:0~150C.C:0~120D.D:0~90(10.0分)13.电阻性负载三相半波可控整流电路,相电压的有效值为U2,当控制角α≤30°时,整流输出电压平均值等于()A.A:1.17U2cosαB.B:1.17U2sinαC.C:1.41U2cosαD.D:1.41U2sinα(10.0分)14.一般认为交交变频输出的上限频率()。

A.A:与电网有相同的频率B.B:高于电网频率C.C:可达电网频率的80%D.D:约为电网频率的1/2~1/3判断题题目说明:(10.0分)15.晶闸管串联使用时,必须注意均流问题。

正确错误(10.0分)16.并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。

正确错误(10.0分)17.有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。

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