电子元器件型号命名规则
常用电子元器件型号命名法与主要技术参数
常用电子元器件型号命名法与主要技术参数电子元器件是电子产品中非常重要的一部分，为了便于识别和使用，每种电子元器件都有相应的型号和技术参数。
本文将介绍常用电子元器件的命名法和主要技术参数，以帮助读者更好地了解电子元器件。
1. 电阻器电阻器通常用来限制电路中的电流，并改变电压和功率。
电阻器的命名法为“R+数字”，数字表示电阻值。
例如，R100表示100欧姆的电阻器。
电阻器的主要技术参数有：电阻值：电阻器的电阻值越大，电路中的电流越小。
功率：功率越大，电阻器发热越多。
精度：电阻器的精度越高，电路中的电流越精确。
温度系数：温度系数可以影响电阻器的电阻值。
2. 电容器电容器通常用来存储能量或阻止电流。
电容器的命名法为“C+数字”，数字表示电容值。
例如，C1μF表示1微法的电容器。
电容器的主要技术参数有：电容值：电容值越大，电容器可以存储的电力越大。
电压：电容器的电压越高，它可以承受的电力也越高。
电容器类型：电容器根据构造材料的不同，分为有机电容器和无机电容器。
3. 二极管二极管通常用来控制电流的方向。
二极管的命名法为“D+数字”，数字表示型号。
例如，D1N4148表示1N4148型号的二极管。
二极管的主要技术参数有：正向工作电压：正向工作电压是二极管正向工作时的最大电压。
反向击穿电压：反向击穿电压是二极管能承受的最大反向电压。
反向电流：反向电流是二极管反向工作时的电流。
4. 晶体管晶体管通常用来放大电流和控制电路。
晶体管的命名法为“Q+数字”，数字表示型号。
例如，Q2N3904表示2N3904型号的晶体管。
晶体管的主要技术参数有：最大工作电压：最大工作电压代表晶体管工作的最大电压。
最大功率：最大功率代表晶体管可以承受的最大功率。
放大系数：放大系数代表晶体管从输入信号到输出信号的增益。
5. 电感器电感器通常用来阻止电路中的交流电流。
电感器的命名法为“L+数字”，数字表示型号。
例如，L100表示100微亨的电感器。
国内外常用电子元器件型号命名规则比如：电阻器,电容器
(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic)
(6)韩国三星(SAMSUNG)
(7)美国基美(KEMET)
(8)英国Syfer
(9)中国台湾国巨(YAGEO)
(10)中国台湾华新科技(WALSIN)
3.电感器
4.变压器
5.二极管
6.三极管
7.发光二极管
8.扬声器
9.电声器件
10晶闸管
11.继电器
国外：
1.国际电子联合会半导体器件命名法
国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：
1)这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2)第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。
3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4)第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。
8)日本通常把Pcm≥1W的管子，称做大功率管。
5)第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。
6)型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。
2.美国半导体器件型号命名法
美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如下表：
常用元器件的型号命名方法
一、常用元器件的型号命名方法1.电阻器、电容器、电位器型号命名方法根据国家标准GB2470-81《电子设备用电阻器、电容器型号命名方法》的规定¸电阻器、电容器产品型号一般由以下四部份组成:(1)第一部份用一字母表示产品的主称(2)第二部份用字母表示产品的材料(电阻的导电材料¸电容器的介质材料)(3)第三部份一般用数字表示分类¸个别类型用字母表示(4)第四部份用数字表示序号¸以区分外形尺寸和性能指针(5)举例R J 7 1 型精密金属膜电阻器 C C G 1 型瓶形高功率瓷介电容器1) 2) 3) 4) 1) 2) 3) 4)注: 1)为主称2)为材料3)为分类4)为序号2.敏感电阻器型号命名方法根据标准SJ1150-82《敏感组件型号命名方法》的规定¸热敏电阻器、光敏电阻器、压敏电阻器、湿敏电阻器、磁敏电阻器、力敏电阻器和气敏电阻器¸这些敏感电阻器的产品型号按下面所述的方法命名。
产品型号由下列四部份组成:第一部份: 主称(用字母表示)第二部份: 类别(用字母表示)第三部份: 用途和特征(用字母或数字表示)第四部份: 序号(用数字表示)第五部份：应用举例M F 4 1 A 普通旁热式负温度系数热敏电阻器1) 2) 3) 4) 区别代号注: 1)为主称2)为材料3)为分类4)为序号3.电感器型号命名方法这里介绍的是一些习惯上使用的命名方法¸仅供参考●电感线圈的型号命名方法电感线圈的字母组成的型号、代号及其意义如下:第一部份: 主称¸用字母表示(其中L表示线圈¸ZL表示高频或低频阻流圈)第二部份: 特征¸用字母表示(其中G表示高频)第三部份: 型式¸用字母表示(其中X表示小型)第四部份: 区别代号¸用字母表示●变压器型号的命名方法它由三部份组成:第一部份: 主称¸用字母表示第二部份: 功率¸用数字表示¸计量单位用VA或W标志¸但RB型变压器除外第三部份: 序号¸用数字表示例如: DB-60-2 表示为60VA电源变压器一、 固定电阻器、电容器的标志方法1. 直标法是指在阻容组件表面直接标出它的主要参数和技术性能的一种标志方法。
常用电子元器件型号命名法与主要技术参数
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法(1)精密金属膜电阻器R J7 3第四局部：序号第三局部：类别〔精密〕第二局部：材料〔金属膜〕第一局部：主称〔电阻器〕(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四局部：序号第三局部：类别〔多圈〕第二局部：材料〔线绕〕第一局部：主称〔电位器〕2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。
电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。
不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。
(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。
根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。
E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。
(3) 允许误差等级3．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。
符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。
如1R5表示Ω，2K7表示Ω，RJ71－－5k1－II允许误差±10%标称阻值Ω)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为Ω，允许误差为±10%。
(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色〔色环或色点〕标注在它的外外表上。
色标电阻〔色环电阻〕器可分为三环、四环、五环三种标法。
其含义如图1和图2所示。
标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后0的个数三色环电阻器的色环表示标称电阻值〔允许误差均为±20%〕。
例如，色环为棕黑红，表示10⨯102＝Ω±20%的电阻器。
电子元器件命名规则
G=10V
E=16V
H=20V
A=25V
F=35V
B=50V
I=63V
P=75V
D=100V
Q=160V
R=200V
L=250V
O=275V
S=315V
T=350V
Y=400V
X=450V
M=500V
Z=630V
C=1KV
Kபைடு நூலகம்2KV
U=3KV
W=6.3KV
⑧：表误差
C=±0.25PF
D=±0.5PF
L=DIP18
M=DIP20
N=DIP24
O=DIP28
P=DIP40
Q=DIP42
Y=SO-4
V=TO-220
W=TO-92
S=SSOP5-P
X=P-DSO-6
Z=SOT89
⑦：表型号
光电晶体类（受光管、投光管）
①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑾
①：表原材料类
②：表光电晶体类
③：表规格
D=投光管
T=受光电晶体
C=1KV
K=2KV
U=3KV
W=6.3KV
⑦：表误差
C=±0.25PF
D=±0.5PF
F=±1PF
J=±5%
K=±10%
M=±20%
Z=+80%，-20%
⑧：表包装
B=BULK散装（塑胶袋装）
C=BULKCASE盒装
E=塑胶带卷装7"
U=塑胶带卷装13"
T=纸带卷装7"
K=纸带卷装13"
⑨：表容量
如M05，M08，M12，M18，M30，M40，M50，M60，M70等
电子元器件编规则新编
7XXX: 集成电路, 软件代码, PWB, 组装及其他不能归类为5XXX, 6XXX的分立电子元器件.
原理图的编号范围暂定为：06XX,07XX,08XX,09XX
PWB的编号范围暂定为:7000- 7499之间
稳压值12V: 第4-6位数字表示为120
电感: 电感的编号以字母IN开始, 后面跟随6位数字, 其中第1位数字表示分类. 分类如下:
0、1、2: 贴片电感 3、4、5: 插装电感 9: 其他
第2-3位数字表示规格：当4～6位数字所表示的电感值相同,但是电感的其他特征不同时,用第2～3位编码来区分,编码范围：00～99;
代码
电阻器导电材料
0
厚膜片状电阻
E
陶瓷
H
合成膜
K
玻璃釉膜
J
金属膜
N
无机实芯
S
有机实芯
T
碳膜
X
线绕
Y
氧化膜
Z
金属氧化膜
9
其他
第2位数字表示标称功率, 后4位数字表示阻值. 对于第2位数字分类如下:
0: 3W 1: 2W 3: 1W 4: 1/2W 5: 1/4W 6: 1/8W 7: 1/10W 8: 1/16W 9: 其他
集成电路: 集成电路的编号以IC开始, 后面跟随6位数字.;
2.9.1对于存储器Memory、电源Power变换与管理、运放Amplifier、74/54系列及4xxxCMOS逻辑Logic门电路系列、时钟芯片Timer等类型集成电路编码如下：
第1位数字代码
第2位数字代码
第3－6位数字代码
电子元器件编号规则
电子元器件编号规则1.二极管和晶体管编号规则：二极管和晶体管通常使用美国电子工程师协会（EIA）的规则进行编号。
这些规则使用字母和数字来表示不同的参数和特性，如器件类型、封装、极性等。
其中一些常见的编号规则包括：-封装类型：DO表示二极管，TO表示晶体管。
-极性：N表示NPN型晶体管，P表示PNP型晶体管。
-功率：常用的一些数字代表电流和功率的大小。
-特殊类型：如Z表示稳压二极管，LED表示发光二极管等。
2.集成电路（IC）编号规则：集成电路通常使用不同的编号系统，包括美国军事标准（MIL-STD）、电子工业联盟（EIAJ）、国际电工委员会（IEC）和制造商自定义的编号系统。
这些编号系统通常包含以下内容：-器件类型：如数字集成电路（IC）、模拟集成电路（IC）、混合集成电路（HMIC）等。
-功能：通常使用数字或字母来表示不同的功能模块。
-封装类型：常见的封装类型包括DIP、SMD、BGA等。
3.电阻、电容和电感编号规则：电阻、电容和电感通常使用基于物理量的编号规则，如阻值、容值和电感值。
这些数值通常用标准单位表示，如欧姆（Ω）、法拉（F）、亨利（H）等。
此外，也会使用一些字母和数字来表示其他特性，如封装类型、公差、工作温度等。
4.硅控整流器（SCR）和双向可控硅（TRIAC）编号规则：SCR和TRIAC是一种特殊的功率半导体器件，其编号规则通常与二极管和晶体管类似，但会根据其特殊的功率和控制特性进行特殊说明。
5.传感器编号规则：传感器的编号规则通常包括设备类型、测量参数、输出类型等信息。
这些编号规则根据不同的传感器类型和制造商可能有所不同。
需要注意的是，虽然有一些常见的编号规则，但由于不同的制造商和行业可能会有不同的命名习惯和编号规则，因此在实际应用中还需参考具体的数据手册或制造商提供的规范。
此外，部分编号规则也可能会因为技术的进步和行业的发展而有所调整和增加。
因此，保持对最新编号规则的学习和掌握对于工程师和从业人员来说是非常重要的。
电阻及敏感元器件的命名规则
电阻及敏感元器件的命名规则一、固定电阻器型号命名方法执行标准：GB/T 2470-1995 电子设备用固定电阻器、固定电容器型号命名方法产品型号由以下四部分组成：第一部分：主称，用字母R表示；第二部分：材料，一般用一个字母表示，见表1；第三部分：特征，一般用一个数字或字母表示，见表2；第四部分：序号，一般用数字表示。
注：1 对材料、特征相同，仅尺寸和性能指标略有差别但基本上不影响互换性的产品可以给同一序号。
2 对材料、特征相同，仅尺寸和性能指标有所差别已明显影响互换性时（该差别并非本质的，而属于在技术标准上进行统一的问题），仍给同一序号，但在序号后面用一字母作为区别代号。
此时该字母作为该型号的组成部分。
但是统一该产品技术标准时，应取消区别代号。
注：在执行标准的基础上，参考网络作了相应的完善二、电位器型号命名方法执行标准：SJ/T 10503-94 电子设备用电位器型号命名方法产品型号由以下四部分组成：第一部分：主称，用字母W表示；第二部分：材料，用一个字母表示，见表3；第三部分：类别，用一个字母表示，见表4；第四部分：序号，用阿拉伯数字表示。
其它代号：对规定失效率等级的电位器，应在类别代号与序号之间加“K”三、敏感元器件型号命名方法执行标准：SJ/T 11167-1998 敏感元器件及传感器型号命名方法产品型号由以下四部分组成：第一部分：主称，用字母M表示；第二部分：类别或材料，用字母或数字表示；第三部分：特征，用字母或数字表示；第四部分：序号和区别代号，用数字加字母表示。
1、热敏电阻器（1）正温度系数热敏电阻器（PTC）正温度系数热敏电阻器型号组成部分的符号及其含义见表5（2）负温度系数热敏电阻器（NTC）正温度系数热敏电阻器型号组成部分的符号及其含义见表6旧标准中热敏电阻器的型号命名方法，见表72、压敏电阻器压敏电阻器型号组成部分的符号及其含义见表8序号和区别代号：如常用的14K6813、湿敏元件湿敏元件型号组成部分的符号及其含义见表94、光敏元件光敏元件型号组成部分的符号及其含义见表105、气敏元件气敏元件型号组成部分的符号及其含义见表116、力敏元件力敏元件型号组成部分的符号及其含义见表127、磁敏元件磁敏元件型号组成部分的符号及其含义见表13. .。
电阻电容型号命名规则
电阻电容型号命名规则一、引言电阻和电容是电子元器件中常见的两种 pass 和存储元件，其型号命名规则直接影响到电子工程师在设计和选择电路时的便利性和准确性。
本文将详细介绍电阻和电容的型号命名规则，帮助读者更好地理解和应用电子元器件。
二、电阻型号命名规则电阻型号一般由字母和数字组成，常见的命名规则包括：2.1 电阻阻值电阻的阻值是其最为关键的信息之一，常用的阻值表示方法有：1.数字表示法：–单位欧姆(Ω)，例如10Ω、100Ω、1000Ω等。
–千欧姆(KΩ)，例如1KΩ、10KΩ等。
–兆欧姆(MΩ)，例如1MΩ、10MΩ等。
2.数字代码表示法：–例如 100代表10Ω，101代表100Ω，102代表1KΩ等。
其中第一位表示有效数字，第二位表示数量级。
2.2 电阻精度电阻的精度是其阻值与标称值之间的偏差，常见的精度表示方法有：1.数字表示法：–例如 1%，5%等。
2.字母代码表示法：–例如 F表示±1%，J表示±5%等。
2.3 电阻功率电阻的功率是指其能够承受的最大功率，常见的功率表示方法有：1.数字表示法：–单位瓦特(W)，例如 0.125W、0.25W等。
2.字母代码表示法：–例如 R表示 0.125W，S表示 0.25W等。
2.4 温度系数电阻的温度系数是指其阻值随温度变化的程度，常见的温度系数表示方法有：1.字母代码表示法：–例如 B表示±100ppm/℃，C表示±200ppm/℃等。
三、电容型号命名规则电容型号一般由字母和数字组成，常见的命名规则包括：3.1 电容电容值电容的电容值是其最为关键的信息之一，常用的电容值表示方法有：1.数字表示法：–单位法拉(F)，例如 1pF、10pF、100nF等。
2.数字代码表示法：–例如 101代表 100pF，104代表 100nF等。
3.2 电容精度电容的精度是其电容值与标称值之间的偏差，常见的精度表示方法有：1.数字表示法：–例如 10%，20%等。
电子元器件上的字母代码和数字都是什么意思？排序有什么规律？
电子元器件上的字母代码和数字都是什么意思？排序有什么规
律？
电子元器件常常都以字母代码+数字的形式出现。
为了规范电子电路和方便使用，一般而言：字母代码的含义和数字排序都是有一定的规律的。
一个简单举例说明：
R1中，其中R代表电阻器，1-1号电阻器。
R11中，其中R-电阻器，11-11号电阻器。
R111中，其中R-电阻器，1-功能模块，11表示在这个功能模块上同类元器件的序列号。
一、一般而言，电子电路元器件的读取原则和顺序。
例：R118～主板电路上第18个电阻器。
1，第一个英文字母或者组合表示元器件名称，是元器件的代码。
2，第一个数字代表的是电路板上不同的模块。
一般而言：1-主板电路，2-电源电路，3-反馈电路等等，这些都可以是设计者自主决定。
3，之后的数字代表的是在这个功能模块上的同类元器件的序列号。
即：第18个电阻器等等。
二、一般常见的电子电路元器件代码。
R—电阻器。
VR—可调电阻。
C—电容器。
D—二极管。
ZD—稳压二极管。
Q—三极管或者场效应管。
e-发射极，b-基极，c-集电集。
LED—发光二极管。
T—变压器。
SW—开关。
L—电感。
K—继电器。
GND—公共接地端。
LS—蜂鸣器。
FS—保险管。
RTH—热敏电阻。
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则2，电容器5，半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
电子元器件命名规则
Q/NT 天津住美信息技术有限公司企业标准Q/NTJ006—2018电子元器件命名规则电子元器件命名规则 Q/NTJ006-20181目的为使公司研发产品使用的电子元器件名称统一化、规范化，方便设计、采购、和生产，以及ERP录入工作，提高工作效率，特制定了本规则。
2范围本标准规定了电子元器件命名规则。
3职责研发部输出的元件清单应严格按此规则命名。
采购部ERP电子元器件的录入应严格按此规则命名。
4基本要求4.1总则4.1.1元件名称的表述及要求表述形式：贴装形式+元件名称+封装贴装形式：直插或贴片，当元件既非贴片也非直插时，可根据实际情况留空或填写。
封装：表述元器件的外形和封装形式，如果前面已经清楚的表述封装形式，此处可留空。
元件名称:要求能直观的体现出器件的特点,在元器件的使用过程中不应出现一个产品器件多个名称现象。
天津住美信息技术有限公司2010-XX-XX批准2010-XX-XX实施4.1.2元件规格型号的表述及要求以能够清楚直观的表述元器件的各项参数和信息为原则。
所有元器件应具备以下表述形式。
表述形式：型号-主要参数(可选)-精度(可选)。
元件型号：表述元器件生产厂家规定的型号。
主要参数：表述元器件的表征值、功率、耐压等详细参数。
当元件型号不能明确元件时，需要填写元件的主要参数。
精度：表述元器件的精度等级。
注意：当有些元件型号无法直接给出元件型号时，元件的主要参数必需详细填写。
4.2元器件参数说明4.2.1电阻精度表示：F：±1%；G：±2%；J：±5%；K：±10%4.2.2贴片电阻封装与功率对应表：0201：1/20W；0402：1/16W；0603：1/10W；0805：1/8W；1206：1/4W；1210：1/3W4.2.3贴片电容容值表述方法：容值由三位数字表示，前两位表示有效数字，第三位表示0的个数。
注意：为统一贴片电容容值表述方法，规定100PF以上容值电容，均要求按三位数字表示法表示容值。
常见电子元器件命名规则
电子元器件命名规则MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀： MAXIM公司产品代号2．产品字母后缀：三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数四字母后缀：B=指标等级或附带功能； C=温度范围；P=封装类型； I=管脚数3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃ 至70℃（商业级）I =-20℃ 至+85℃（工业级）E =-40℃ 至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55?至+125℃（军品级）5．封装形式:A SSOP(缩小外型封装) Q PLCCB CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装 T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装 U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil） J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚） K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封P 塑料 / W 晶圆6．管脚数量：A:8 J:32 K:5，68 S:4，80B:10，64 L:40 T:6，160C:12，192 M:7，48 U:60D:14 N:18 V:8（圆形）E:16 O:42 W:10（圆形）F:22，256 P:20 X:36G:24 Q:2，100 Y:8（圆形）H:44 R:3，84 Z:10（圆形）I:28AD 常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51．前缀：AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A2．器件型号3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）：I、J、K、L、M 0℃至70℃A、B、C-25℃或-40℃至85℃S、T、U -55℃至125℃5．封装形式：D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽 T TO-92型封装J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体Y 单列直插Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61．器件分类： ADC A/D转换器 OP 运算放大器AMP 设备放大器PKD 峰值监测器BUF 缓冲器 PM PMI二次电源产品CMP 比较器 REF 电压比较器DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2．器件型号3．老化选择4．电性等级5．封装形式：H 6腿TO-78 S 微型封装J 8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插K 10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体P 环氧树脂B双列直插V 20腿陶瓷双列直插PC 塑料有引线芯片载体X 18腿陶瓷双列直插Q 16腿陶瓷双列直插 Y 14腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插 Z 8腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体6．军品工艺ALTERA 产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61．前缀： EP 典型器件EPC 组成的EPROM器件EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装 T 薄型J形引线芯片载体J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列4．温度范围： C ℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．腿数6．速度ATMEL 产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：ATMEL公司产品代号2．器件型号3．速度4．封装形式：A TQFP封装 P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插，一次可编程U 针阵列J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体，一次可编程5．温度范围：C 0℃至70℃， I -40℃至85℃， M -55℃至125℃6．工艺：空白标准/883 Mil-Std-883, 完全符合B级B Mil-Std-883，不符合B级BB 产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B7 81．前缀：ADC A/D转换器MPY 乘法器ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2．器件型号3．一般说明：A 改进参数性能 L 锁定Z + 12V电源工作 HT 宽温度范围4．温度范围：H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式：L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体 U 微型封装P 塑封双列直插6．筛选等级： Q 高可靠性 QM 高可靠性，军用7．输入编码：CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8．输出： V 电压输出 I 电流输出CYPRESS 产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀： CY Cypress公司产品， CYM 模块， VIC VME总线2．器件型号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM7C404 FIFO 7C9101 微处理器3．速度：A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列 U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装 D 陶瓷双列直插 W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装 X 芯片G 针阵列 Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体 PF 塑料扁平单列直插P 塑料 PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插 R 带窗口的针阵列 E 自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5．温度范围：C 民用（0℃至70℃）I 工业用（-40℃至85℃）M 军谩（-55℃至125℃）6．工艺： B 高可靠性HITACHI 常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41．前缀：HA 模拟电路 HB 存储器模块HD 数字电路 HL 光电器件（激光二极管/LED）HM 存储器（RAM） HR光电器件（光纤）HN 存储器（NVM）PF RF功率放大器HG 专用集成电路2．器件型号3．改进类型4．封装形式：P 塑料双列 PG 针阵列C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插SO 微型封装INTERSIL 产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61．前缀： D 混合驱动器 G 混合多路FETICL 线性电路 ICM 钟表电路IH 混合/模拟门 IM 存储器AD 模拟器件 DG 模拟开关DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路MM 高压开关 NE/SE SIC产品2．器件型号3．电性能选择4．温度范围：A -55℃至125℃，B -20℃至85℃，C 0℃至70℃ I -40℃至125℃，M -55℃至125℃5．封装形式：A TO-237型 L 无引线陶瓷芯片载体B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插C TO-220型 S TO-52型D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型E TO-8微型封装 U TO-72、TO-18、TO-71型F 陶瓷扁平封装V TO-39型H TO- 66型 Z TO-92型I 16脚密封双列直插 /W 大圆片J 陶瓷双列直插/D 芯片K T O-3型 Q 2引线金属管帽6．管脚数：A 8，B 10，C 12，D 14，E 16，F 22，G 24，H 42， I 28， J 32， K 35， L 40， M 48， N 18，P 20， Q 2， R 3， S 4， T 6， U 7，V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳）Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）NEC 常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41．前缀2．产品类型：A 混合元件 B 双极数字电路，C 双极模拟电路D 单极型数字电路3．器件型号：4．封装形式：A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体C 塑封双列 V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插国外IC芯片命名规则（二）2010-10-9 7:46:00MICROCHIP 产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 5 61. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号（类型）：C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3．改进类型或选择4．速度标示：-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示：LP 小功率晶体，RC 电阻电容，XT 标季 /振荡器HS 高速晶体频率标示：-20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ-20 20MHZ，-25 25MHZ，-33 33MHZ5．温度范围：空白0℃至70℃，I -45℃至85℃， E -40℃至125℃6．封装形式：L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm SP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST 产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51．产品系列：74AC/ACT 先进CMOSHCF4XXX M74HC 高速CMOS2．序列号3．速度4．封装： BIR，BEY 陶瓷双列直插M，MIR 塑料微型封装5．温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71．系列：ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROM S28 EEPROMTS29 EEPROM2．技术：空白…NMOS C…CMOS L…小功率3．序列号4．封装：C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5．速度6．温度：空白0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81．系列：27…EPROM 87…EPROM锁存2．类型：空白…NMOS，C…CMOS，V…小功率 3．容量：64…64K位（X8）256…256K位（X8）512…512K位（X8）1001…1M位（X8）101…1M位（X8）低电压1024…1M位（X8）2001…2M位（X8）201…2M位（X8）低电压4001…4M位（X8）401…4M位（X8）低电压4002…4M位（X16）801…4M位（X8）161…16M位（X8/16）可选择160…16M位（X8/16）4．改进等级5．电压范围：空白 5V +10%Vcc， X 5V +10%Vcc6．速度：55 55n，60 60ns，70 70ns，80 80ns90 90ns， 100/10 100 n120/12 120 ns，150/15 150 ns200/20 200 ns，250/25 250 ns7．封装：F 陶瓷双列直插（窗口）L 无引线芯片载体（窗口）B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准）M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体（低电压）8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101．电源2．类型： F 5V +10%， V 3.3V +0.3V3．容量： 1 1M， 2 2M， 3 3M，8 8M，16 16M4．擦除：0 大容量 1 顶部启动逻辑块2 启动逻辑块 4 扇区5．结构：0 ×8/×16可选择， 1 仅×8， 2 仅×166．改型：空白 A7．Vcc：空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns，90 90ns100 100ns，120 120ns，150 150ns，200 200ns9．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插10．温度：1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71．器件系列： 29 快闪2．类型： F 5V单电源V 3.3单电源3．容量：100T （128K×8.64K×16）顶部块，100B （128K×8.64K×16）底部块 200T （256K×8.64K×16）顶部块，200B （256K×8.64K×16）底部块 400T （512K×8.64K×16）顶部块，400B （512K×8.64K×16）底部块 040 （12K×8）扇区，080 （1M×8）扇区016 （2M×8）扇区4．Vcc：空白 5V+10%Vcc， X +5%Vcc5．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns90 90ns， 120 120ns6．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61．器件系列：24 12C ，25 12C（低电压），93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2．类型/工艺：C CMOS（EEPROM） E 扩展I C总线W 写保护士 CS 写保护（微导线）P SPI总线 V 低电压（EEPROM）3．容量：01 1K 02 2K，04 4K，08 8K16 16K，32 32K， 64 64K4．改型：空白 A、 B、 C、 D5．封装：B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6．温度：1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61．前缀2．系列： 62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3．版本：空白 ROM T OTP（PROM）R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4．序列号5．封装：B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装6．温度范围：1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃XICOR 产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪 X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81．前缀2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列 V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公∑微型封装 Y 新型卡式4．温度范围：空白标准， B B级（MIL-STD-883），E -20℃至85℃I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．工艺等级：空白标准， B B级（MIL-STD-883）6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）：20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至5.5V，-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至5.5V，-1.8 1.8V至5.5V7．端到末端电阻：Z 1KΩ， Y 2KΩ， W 10KΩ，U 50KΩ， T 100KΩ8． Vcc限制：空白 1.8V至3.6V，-5 4.5V至5.5VZILOG 产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71．前缀2．器件型号3．速度：空白 2.5MHz， A 4.0MHz， B 6.0MHzH 8.0MHz，L 低功耗的，直接用数字标示4．封装形式：A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体 5．温度范围：E -40℃至100℃， M -55℃至125℃，S 0℃至70 ℃6．环境试验过程：A 应力密封，B 军品级，C 塑料标准，D 应力塑料，E 密封标准。
国标电气元件命名法
1电阻器：
1。1电阻器的型号命名方法(GB2470—81）
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
用字母表示主称
用字母表示材料
用数字或字母表示特征
用数字表示序号
符号
意义
符号
意义
符号
意义
电阻器
电位器
R
W
电阻器
电位器
T
P
U
C
H
I
J
Y
S
N
X
G
M
碳膜
硼碳膜
硅碳膜
沉积膜
合成膜
玻璃釉膜
金属膜
氧化膜
有机实芯
无机实芯
线绕
光敏
压敏
1
2
3
4
5
6
7
8
9
G
T
W
D
普通
普通
超高频
高阻
高温
-
精密
高压
特殊
高功率
可调
-
—
普通
普通
-
—
—
-
精密
特殊函数
特殊
—
—
微调
多圈
额定功率
阻值
允许误差
精度等级
R
热敏
B
C
P
W
Z
温度补偿
温度测量
旁热式
稳压式
正温度系数
1。2电阻器标称值阻值系列和允许偏差(GB2471-81）
E24
E12
E6
E24
E12
N型，硅材料
P型，硅材料
P
V
W
C
Z
电子元器件命名规范
摘要本规范主要解决本公司硬件开发部门与仓库元器件命名混乱及衔接难问题。
为了改善仓库对电子元器件的管理、规范技术开发人员的文档书写习惯、更有效的提高仓库呆滞元器件的利用率而实施。
本规范对元器件实行按类划分，根据不同元器件的各自特性与外观而制定相应的命名规则，使其能形象的反映出真实属性，设立二级分类为更准确的区分元器件特性及更好的为以后新类元器件做扩展，为了解决一些确实无法用规则来命名的元器件问题，故设立“非常规元器件查询表”。
自本规范发布之日起，所有新增电子元器件的命名必需严格遵守其命名规则执行，以申请审核的方式录入通用电子元件库。
试行期间，如发现命名规则有BUG或错误，希望有关人员能积极反映，以便更好完善本规范。
目录保险丝（F） (4)放电管（G） (5)晶振（Y） (6)二极管（D） (8)三极管（Q） (9)场效应管（CS） (10)晶闸管（BT） (11)瞬间抑制二极管（TVS） (12)继电器（K） (13)模块类（MD） (14)发光二极管（LED） (15)光耦（P） (18)磁珠（FB） (19)电感（L） (20)电容（C） (21)电阻（R） (24)开关（SW） (26)2/50排阻（RP） (28)发声器（H） (30)芯片（IC） (31)插座（XS） (32)USB接口（USB） (33)SIM卡座（SIM） (34)DB系列接口（DB） (35)保险丝座（XF） (36)排针排座（J） (37)接线端子（UL） (38)插座杂类（XZ） (39)PCB天线座（AP） (40)传感器（SS） (41)互感器（TF） (42)变压器（T） (43)散热片（HS） (44)芯片座（IS） (45)注意事项 (46)3/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例保险丝（F）贴片自恢复SMD+电流（最低位表0.01A）F+贴片封装SMD010：贴片自恢复保险丝0.1AF0805:自恢复保险丝0805封装直插自恢复PTC+电压-电流（最低位表0.01A）P模糊间距XS：1-2.9S：3-5.9M：6-8.9L：9-11.9XL：12-15.9FP-模糊脚间距PTC250-300：正温度自恢复250V-3AFP-S:自恢复保险丝脚间距在3-5mm管式保险丝管类型管状G材料玻璃G陶瓷TF-类型+材料+电压-电流（电流最低位表示0.01A）GFG-直径*长度F-GG250-050：玻璃管式250V-0.5AFG-5*20:管式保险丝5MM*20MM引线保险丝管类型引线X材料玻璃G陶瓷TF-类型+材料+电压-电流（电流最低位表示0.01A）XFX-直径*长度F-XG250-050：玻璃引线式250V-0.5AFX-5*20：引线式保险丝5MM*20MM备注4/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例放电管（G ）贴片放电管品名实名G+贴片封装LT-BA151N G1812：贴片放电管1812封装直插放电管品名实名DGD-直径*高-脚数LCR600W03GD-8*10-3:三脚直插放电管直径*高为8*10MM备注5/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例晶振（Y ）贴片长方形类型长方形R供电方式有源O无源CY-类型+供电方式+PPM-频率RY+贴片封装-脚数Y-RO20-8M：长方形有源20PPM-8MY6035-4:贴片长方形晶振6035-4脚椭圆形类型椭圆形E供电方式有源O无源CY-类型+供电方式+PPM-频率E封装实名-脚数Y-EC20-8M:椭圆形无源20PPM-8MSM-49S-2：贴片椭圆形-2脚，HC-49S-2：直插椭圆形-2脚圆柱形类型圆柱形C供电方式有源O无源CY-类型+供电方式+PPM-频率CYC-直径*高度-脚数Y-CC20-32.768K:圆柱形无源20PPM-32.768KYC-3*8-2:圆柱形晶振2脚，直径*高位3*8MM直插正方形类型正方形S供电方式有源O无源CY-类型+供电方式+PPM-频率SYS-长*宽*高-脚数Y-SO20-8M:正方形有源20PPM-8MYS-12.8*12.8*5.5：正方形晶振，长宽高分别为12.8*12.8*5.5备注6/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例晶振（Y ）U型类型U形U供电方式有源O无源CY-类型+供电方式+PPM-频率封装实名-脚数Y-UC20-12M:U形无源20PPM-12MHC-49U-2：2脚U形型号为HC-49U备注7/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例二极管（D ）单体二极管品名实名封装实名1N5819DO-204AL整流桥品名实名封装实名DB105S DB-S备注8/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例三极管（Q ）品名实名封装实名2SC1623L6SOT-23-3备注9/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例场效应管（CS ）品名实名封装实名IRFR310TRPBF D-PAK备注10/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例晶闸管（BT ）品名实名-耐压+门极触发电流代号封装实名BTA08-600B：双向晶闸管8A-600V耐压，触发电流为50MATO-220-3备注门极触发电流代号由具体生产产家规定为准11/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例瞬间抑制二极管（TVS ）贴片TVS管品名实名封装实名SMBJ6.5CA DO-214AA直插TVS管品名实名封装实名P6KE6.8CA DO-204AC备注12/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例继电器（K ）品名实名品名系列实名G5LA-14-5VDC：G5LA-14-XVDC：G5LA-14系列继电器备注13/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例模块类（MD ）模块系列产品品名实名品名系列实名AC220S05DC-10W：电源模块AC220SXXDC-10W:220交流10W系列电源模块单一模块品名实名品名实名EB-3531：GPRS模块EB-3531备注14/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例发光二极管（LED ）贴片LED灯LED-颜色LED+贴片封装-脚数LED-R：贴片红色LED灯LED0805-2：贴片2脚LED封装为0805圆头灯珠类型圆头C边框有边L无边NLED-类型+边框+电流（有就注明，单位为MA）-颜色CLEDC-直径-脚数LED-CL-RB1:圆头LED灯、有边、红蓝双色LEDC-5-2：2脚直径为5MM的圆头LED灯方形灯珠类型方形R边框有边L无边NLED-类型+边框+电流（有就注明，单位为MA）-颜色RLEDR-长*宽*高-脚数LED-RN-G：无边绿色方形LED灯LEDR-2*5*7-2：长宽高为2*5*7的方形LED灯平头灯珠类型平头L边框有边L无边NLED-类型+边框+电流（有就注明，单位为MA）-颜色LLEDL-直径-脚数LED-LL-R:红色有边平头LED灯LEDL-5-2：5MM2脚平头LED灯备注命名规则中颜色注释：颜色以英文第一个字母标注，几种颜色标注几个字母，其中如果为两种颜色及以上注明共阴共阳，共阳用阿拉伯数字“1”表示，共阴用阿拉伯数字“2”表示，无共阴共阳用阿拉伯数字“0”表示。
常用电子元器件型号命名法与主要技术参数
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法(1)精密金属膜电阻器RJ7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器WXD3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。
电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。
不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。
(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。
根据国家规范，常用的标称电阻值系列如表3所示。
E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。
(3) 允许误差等级3．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。
符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。
如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。
(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。
色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。
其含义如图1和图2所示。
三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。
例如，色环为棕黑红，表示10⨯102＝1.0kΩ±20%的电阻器。
四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。
原来国内外常用电子元器件型号命名规则是这样的，涨知识了！
原来国内外常用电子元器件型号命名规则是这样的，涨知识了！1.电阻器举例：RJ76表示精密金属膜电阻器R——电阻器（第一部分）J——金属膜（第二部分）7——精密（第三部分）6——序号（第四部分）2.电容器国外电容器命名规则不一，国外部分知名厂家命名规则如下：•(1)日本村田(muRata)•(2)日本TDK•(3)日本京瓷(Kyocera)•(4)日本罗姆(ROHM)•(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic)(6)韩国三星(SAMSUNG)•(7)美国基美(KEMET)•(8)英国Syfer•(9)中国台湾国巨(YAGEO)•(10)中国台湾华新科技(WALSIN)3.电感器4.变压器5.二极管6.三极管7.发光二极管8.扬声器9.电声器件10晶闸管11.继电器国外：1.国际电子联合会半导体器件命名法国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：•1)这种命名法被欧洲许多国家采用。
因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
•2)第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。
•3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。
如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。
若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。
例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
•4)第三部分表示登记顺序号。
三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。
例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。
•5)第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。
•6)型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。
极性的确定需查阅手册或测量。
2.美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。
元器件命名规则
元器件命名规则
元器件命名规则通常包括以下几个方面：
1. 器件类型：例如，二极管、三极管、电容器等。
2. 材料：例如，硅、锗、氧化铝等。
3. 功能：例如，整流、放大、滤波等。
4. 极性：例如，正负极、源极、漏极等。
5. 封装形式：例如，贴片式、插针式、芯片式等。
6. 规格参数：例如，电压、电流、容量、频率等。
以二极管为例，其命名规则可表示为"D+材料+器件类型+极性+封装形式+规格参数"。
其中，D表示二极管。
例如，硅材料、整流功能、负极在左侧、贴片式、最高反向电压为50伏的二极管可命名为"D硅整流左负贴片50V"。
总之，元器件的命名规则需要全面考虑其各个方面的属性及功能特性，以确保命名的准确性和规范性。
电子元器件编号规则
后4位数字的分类设想如下:
0XXX：结构限位图类，安装尺寸图类，如果PCBA组装限位图等
: 第5-7位表示为335
2200uF: 第5-7位表示为228
对于无法按照上述规则命名的电容：第1位数字强制为9，第5-7位数字
表示容量(单位pF)，如果容量相同则以第2-4位数字编码区分，编码范围
为000～999。
三极管: 三极管的编号以TR开始, 后面跟随6位数字表示具体的型号. 其中第1-2位数字表示三极管的分类. 分类如下:
2.1.4热敏电阻的命名：热敏电阻以RE开头，第一到第六位为电阻压敏型号，第7位为备注。
电容: 电容的编号以字母CP开始, 后续7位数字表示电容的规格.
其中第1位表示电容类型. 分类如下:
代码
电容器介电材料
0
贴片陶瓷电容X7R
1
贴片陶瓷电容NPO
2
贴片陶瓷电容Y5V
3
贴片陶瓷电容C0G
A
钽电解
B
聚苯乙烯、聚乙烯、聚四氟乙烯、聚丙烯等非极性有机薄膜
B
500V
3
16V
C
630V
4
25V
D
1KV
5
35V
E
2KV
6
50V
F
3KV
7
63V
G
250Vac
8
100V
H
250Vdc
9
250V
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
电子元器件型号命名规则
2，电容器
5，半导体二、三极管
一、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、
C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、
N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、
G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、
A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、
Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、
BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、
1-二极管、
2三极或具有两个pn结的其他器件、
3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、
┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、
B-PNP型低频管、
C-NPN型高频管、
D-NPN型低频管、
F-P控制极可控硅、
G-N控制极可控硅、
H-N基极单结晶体管、
J-P沟道场效应管，如2SJ----
K-N沟道场效应管，如2SK----
M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。
两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；
不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。
A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
三、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型。
JAN-军级、
JANTX-特军级、
JANTXV-超特军级、
JANS-宇航级、
无---非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。
1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会(EIA)注册标志。
N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。
多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。
A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。
如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管
JAN-军级、
2-三极管、
N-EIA注册标志、
3251-EIA登记顺序号、
A-2N3251A档。
四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。
这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。
A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、
B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、
C-器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、
D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、
E-器件使用复合材料及光电池使用的材料。
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。
A-检波开关混频二极管、
B-变容二极管、
C-低频小功率三极管、
D-低频大功率三极管、
E-隧道二极管、
F-高频小功率三极管、
G-复合器件及其他器件、
H-磁敏二极管、
K-开放磁路中的霍尔元件、
L-高频大功率三极管、
M-封闭磁路中的霍尔元件、
P-光敏器件、
Q-发光器件、
R-小功率晶闸管、
S-小功率开关管、
T-大功率晶闸管、
U-大功率开关管、
X-倍增二极管、
Y-整流二极管、
Z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。
三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、
一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、D、E、、、表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，
字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；
其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；
后缀的第三部分是字母V，代小数点，
字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，
通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法：
第一部分：O-表示半导体器件。
第二部分：A-二极管、C-三极管、
AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。
第四部分：A、B、C、、、表示同一型号器件的变型产品。
本文档部分内容来源于网络，如有内容侵权请告知删除，感谢您的配合！。