PERC SE 单晶电池工艺-培训资料(课堂PPT)
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SE电池工艺和技术专题培训课件
电池封装
对组装好的电池芯进行封装处理，包 括外壳封装、极耳焊接、气密性检测 等。
03
SE电池关键技术分析
离子传输机制及影响因素
离子传输机制
SE电池中的离子传输主要通过固态电解质进行，其传输机制包括离子在电解质中的 扩散、迁移和跃迁等过程。
影响因素
离子传输效率受电解质的成分、结构、温度和压力等因素影响。优化电解质的组成 和结构，以及控制合适的温度和压力条件，可以提高离子传输效率。
行业前沿动态关注建议
关注新型电极材料研究
关注新型电极材料如硅基负极、高镍三元正极等的研究进展，了解其在提高SE电池能量密度 和循环寿命方面的潜力。
跟踪电池回收与再利用技术
关注电池回收与再利用技术的发展，了解废旧SE电池中有价值材料的回收方法和再利用途径。
关注智能制造与数字化技术在电池制造中的应用
关注智能制造和数字化技术在SE电池制造中的应用，了解如何提高生产效率和降低成本。
由于固态电解质的稳定性， SE电池在高温甚至600度 下仍能保持稳定，从而提 高了电池的安全性。
固态电解质具有较高的离 子电导率，使得SE电池的 能量密度相比传统液态电 解质电池有显著提高。
由于固态电解质的稳定性 和优异的电化学性能，SE 电池的循环寿命大大延长。
SE电池在宽温度范围内 （-40度至80度）都能保 持良好的性能，拓宽了其 应用场景。
SE电池在过充、过放、高温等极端 条件下可能出现热失控、燃烧甚至 爆炸等安全问题。
解决方案
通过改进电池设计、采用热稳定性 更好的材料和优化电池管理系统等 措施，可以提高SE电池的安全性能。
寿命预测与性能评估方法
寿命预测
通过建立电池寿命模型，结合实验数 据和理论分析，可以对SE电池的寿命 进行预测和评估。
单晶硅太阳能电池片基础知识培训
单晶硅电池片生产流程
制绒 Texturing 清洗干燥 Rinse&Dry 扩散 Diffusion
PECVD (Plasma
Enhanced Chemical Vapor Deposition)
去磷硅玻璃(干 刻)Remove PSG
等离子刻蚀& 湿法刻蚀 Edge isolation
印刷 Printing
测试手段：冷热探针测试仪、边缘隔离电阻测试仪。
3刻蚀机整体结构
反应室 真空系统 送气系统 压力控制系 统 • 高频电源和 匹配器 • • • •
4、装片示意图
5、去PSG 什么是磷硅玻璃？ 在扩散过程中发生如下反应：
POCl3分解产生的 P2O5 淀积在硅片表面， P2O5与Si反应生 4POCl3 3O 2 2P 2O5 6Cl2 成SiO2和磷原子： 这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷 硅玻璃 2P O 5Si 5SiO 4P
Thanks for your attention!
2 5 2
氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氧化硅作用 生成易挥发的四氟化硅气体。 若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反 SiO 4HF SiF 2H O 2 4 2 应生成可溶性的络和物六氟硅酸。 总反应式为：
SiF4 2HF H2 [SiF6 ]
2、PECVD的作用： Si3N4膜的作用: 减少光的反射 良好的折射率和厚度可以促进太阳光的吸收。 防氧化:结构致密保证硅片不被氧化。 低温工艺（有效降低成本） 优良的表面钝化效果 反应生成的H离子对硅片表面进行钝化
印刷&烧结Printing&Fire
PERC电池工艺基础知识介绍
长期稳定性
PERC电池经过长时间使用 后性能衰减较低，稳定性 较好。
广泛的应用场景
PERC电池适用于多种应用 场景，包括集中式光伏电 站和分布式光伏系统。
PERC电池的缺点
制造成本较高
PERC电池的制造成本相对较高，增加了光伏系 统的成本。
对温度敏感
PERC电池对温度较为敏感，高温环境下性能衰 减较快。
电池测试
对制成的PERC电池进行性能测试，包括开路电压、短路电流、填充因子等参数 的测量。
03
PERC电池技术原理
PECVD镀膜技术原理
PECVD镀膜技术是利用等离子体增强化学气相沉积的原理， 在硅片表面形成一层薄膜，以提高硅片的陷光效应和减少反 射损失。PECVD镀膜技术具有较高的沉积速率和均匀性，能 够实现大面积的均匀镀膜。
激光开槽技术通过将激光束聚焦在硅片表面，利用光能转化为热能的作用，使局 部硅材料迅速熔化、汽化或发生化学反应，从而实现硅片的刻蚀和开槽。该技术 可以精确控制刻蚀的深度和宽度，提高电池的电性能和光电转换效率。
铝浆印刷技术原理
铝浆印刷技术是利用丝网印刷的方式，将铝浆涂布在硅片 表面，形成金属电极。铝浆印刷技术具有高精度、高一致 性和低成本的特点，能够实现大规模生产。
铝浆印刷技术通过丝网印刷的方式，将铝浆涂布在硅片表 面，形成金属电极。该技术可以精确控制电极的形状和尺 寸，提高电池的电性能和可靠性。
烧结技术原理
烧结技术是利用高温条件下的热处理 过程，使硅片表面的金属电极与硅材 料之间形成良好的冶金结合。烧结技 术具有高结合强度、低电阻率和低成 本的特点，能够提高电池的电性能和 可靠性。
展。
低成本
02
通过不断的技术创新和规模化生产，PERC电池的成本不断降低，
《晶硅太阳电池工艺》课件
性能测试
对成品电池进行性能测试，如开路电压、短路电流等，确保电池质量合格。
04
晶硅太阳电池的性能优化
提高光电转换效率的方法
选用高质量硅片
背表面场设计
采用高纯度、低缺陷的硅片，减少光 吸收和载流子复合，提高光生电流的 收集效率。
在硅片的背面引入场钝化结构，提高 载流子的分离和收集效率，从而提高 光电转换效率。
晶硅太阳电池的结构
晶硅太阳电池通常由P型硅片和N型 硅片组成，通过扩散或离子注入的方 法形成PN结。
在硅片表面印刷金属电极，收集光生 电流并导出。
在PN结两侧通过腐蚀或抛光形成减 反射膜，减少光的反射损失。
晶硅太阳电池的结构简单、可靠性高 、寿命长，是目前商业化应用最广泛 的太阳电池类型之一。
03
优化表面结构
通过化学气相沉积、物理气相沉积等 方法，在硅片表面形成减反射层和钝 化层，减少反射损失和表面态对载流 子的俘获。
降低制造成本的技术
01
02
03
优化生产流程
简化生产流程，降低生产 过程中的能耗和物耗，提 高生产效率。
降低硅片厚度
通过改进切片工艺，降低 硅片的厚度，减少材料消 耗，同时提高光电转换效 率。
05
晶硅太阳电池的应用与市 场前景
光伏电站建设
集中式光伏电站
利用大面积荒地、沙漠等建立的大型光伏电站，接入高压输电系统，为远距离供电提供清洁能源。
分布式光伏电站
在屋顶、空地等场所建立的小型光伏电站，就地接入配电网，为周边用户提供电力。
分布式光伏发电系统
家庭光伏发电系统
利用家庭屋顶、阳台等空间安装光伏板 ，将太阳能转化为电能供家庭使用。
去磷硅玻璃
去除扩散过程中形成的磷硅玻璃，避免对电池性能产生影响。
对成品电池进行性能测试，如开路电压、短路电流等，确保电池质量合格。
04
晶硅太阳电池的性能优化
提高光电转换效率的方法
选用高质量硅片
背表面场设计
采用高纯度、低缺陷的硅片，减少光 吸收和载流子复合，提高光生电流的 收集效率。
在硅片的背面引入场钝化结构，提高 载流子的分离和收集效率，从而提高 光电转换效率。
晶硅太阳电池的结构
晶硅太阳电池通常由P型硅片和N型 硅片组成，通过扩散或离子注入的方 法形成PN结。
在硅片表面印刷金属电极，收集光生 电流并导出。
在PN结两侧通过腐蚀或抛光形成减 反射膜，减少光的反射损失。
晶硅太阳电池的结构简单、可靠性高 、寿命长，是目前商业化应用最广泛 的太阳电池类型之一。
03
优化表面结构
通过化学气相沉积、物理气相沉积等 方法，在硅片表面形成减反射层和钝 化层，减少反射损失和表面态对载流 子的俘获。
降低制造成本的技术
01
02
03
优化生产流程
简化生产流程，降低生产 过程中的能耗和物耗，提 高生产效率。
降低硅片厚度
通过改进切片工艺，降低 硅片的厚度，减少材料消 耗，同时提高光电转换效 率。
05
晶硅太阳电池的应用与市 场前景
光伏电站建设
集中式光伏电站
利用大面积荒地、沙漠等建立的大型光伏电站，接入高压输电系统，为远距离供电提供清洁能源。
分布式光伏电站
在屋顶、空地等场所建立的小型光伏电站，就地接入配电网，为周边用户提供电力。
分布式光伏发电系统
家庭光伏发电系统
利用家庭屋顶、阳台等空间安装光伏板 ，将太阳能转化为电能供家庭使用。
去磷硅玻璃
去除扩散过程中形成的磷硅玻璃，避免对电池性能产生影响。
PERC电池产业化技术介绍课件ppt
2021/3/10
532nm波长的纳 秒级激光开线，约 36um宽。
7
6.背面抛光工艺
• 目的：削平金字塔塔尖，减少背表面悬挂键，降低表面复 合速率，增加内反射。
• 方法：改进现有刻蚀工艺的化学配方，在去PSG和边缘隔 离的同时进行背抛工艺。
• 目标：化学蚀刻厚度5~6um，表面粗糙度0.3~0.5um.
• 钝化原理：场效应钝化+化学钝化 • 钝化效果监控：少子寿命测试
2021/3/10
5
4.背面钝化技术——2
• 钝化方式的选择：PECVD。 • 关键设备：SiNA改造,费用￥ 1000万+/套。
兼顾产能和效率
2021/3/10
6
5.激光开槽技术
• 目的：打通背面绝缘叠层，形成背电场与硅基体的电学通路。 • 关键设备：武汉帝尔,费用￥ 100万+/套。 • 图形：选择不同的打线或打点方案，可实现相同的电池效率。
2021/3/10
11
10. PERC单晶产品展示
电池外观
组件成品
2021/3/10
12
放映结束 感谢各位的批评指导！
谢 谢！
让我们共同进步
2021/3/10
13
从结构上看，PERC电池仅比常规电池多一个背钝化层，
氧化铝是目前产业化最好的钝化介质膜。
2021/3/10
3
3.PERC电池生产流程
双面制绒
管式扩散
背刻+边缘隔离
需改进工序
正面镀膜
背面钝化叠层：AlOx+SiNx 背面钝化层激光开槽
增加2道工序
金属化后的 PERC电池
2021/3/10
4
单晶硅电池材料 ppt课件
扩散
刻蚀
二次清洗
PECVD 丝网印刷
烧结 测试分选
SiN SiO2 N-Silicon P-Silicon
单晶硅太阳电池的制造工艺
制绒
丝网印刷第一道：背电极印刷
扩散
• 目的：在硅片背面制备能够与硅片形成良好欧姆接触的
刻蚀
电极。
二次清洗 • 实现方法：利用丝网印刷技术，所用浆料为银铝浆，在 背面刷两条与硅片形成互联焊接的正电极。在以后的高
单晶硅 —— 硅片 —— 电池片 —— 组件
【❷】单晶硅的生产流程
石英砂(SiO2)
焦炭反应
金属级硅（99%左右）
硅 烷 热 分 解 法
三 氯 氢 硅 氢 还 原
法
作为单晶硅原料的高纯多晶硅
四二 氯氯 化二 硅氢 还硅 原还 法原
法
高纯多晶硅原料
熔化
种晶
收尾
等径
缩颈 放肩
圆柱状单晶硅
直拉单晶硅的制备工艺一般工作流程
等离子刻蚀
扩散
• 目的：去除硅片边缘的PN结，防止短路
刻蚀 • 实现方法：利用辉光放电过程中等离子体所引起的化学
二次清洗
反应，产生挥发性的产物对硅的腐蚀特性，达到边缘腐 蚀去除周边扩散层的目的
PECVD
磷硅玻璃
丝网印刷
N型硅
烧结 测试分选
P型硅 N型硅 磷硅玻璃
单晶硅太阳电池的制造工艺
制绒
二次清洗
单晶硅电池材料
❶硅的介绍 ❷单晶硅生产流程 ❸单晶硅太阳能电池的生产流程 ❹单晶硅太阳能电池的应用
【❶】硅的介绍
硅材料是半导体行业中最重要且应用最广的元素半导体，是微电 子工业和太阳能光伏工业的基础材料。由于硅材料的独特性质， 成为现代电子工业和信息社会基础，其发展是20世纪材料和电子 领域的里程碑，它的发展和应用直接促进了20世纪全球科技和工 业的高速发展，因而被称为进入了“硅时代”。硅具有元素含量 含量丰富、化学稳定性好、无环境污染等优点，又具有良好的半 导体特性。 半导体特性： ①添加杂质——导电性能↑ ②光照↑导电能力↑，光照↓导电能力↓，无光照不导电 ③温度↑导电能力↑；温度↓导电能力↓
刻蚀
二次清洗
PECVD 丝网印刷
烧结 测试分选
SiN SiO2 N-Silicon P-Silicon
单晶硅太阳电池的制造工艺
制绒
丝网印刷第一道：背电极印刷
扩散
• 目的：在硅片背面制备能够与硅片形成良好欧姆接触的
刻蚀
电极。
二次清洗 • 实现方法：利用丝网印刷技术，所用浆料为银铝浆，在 背面刷两条与硅片形成互联焊接的正电极。在以后的高
单晶硅 —— 硅片 —— 电池片 —— 组件
【❷】单晶硅的生产流程
石英砂(SiO2)
焦炭反应
金属级硅（99%左右）
硅 烷 热 分 解 法
三 氯 氢 硅 氢 还 原
法
作为单晶硅原料的高纯多晶硅
四二 氯氯 化二 硅氢 还硅 原还 法原
法
高纯多晶硅原料
熔化
种晶
收尾
等径
缩颈 放肩
圆柱状单晶硅
直拉单晶硅的制备工艺一般工作流程
等离子刻蚀
扩散
• 目的：去除硅片边缘的PN结，防止短路
刻蚀 • 实现方法：利用辉光放电过程中等离子体所引起的化学
二次清洗
反应，产生挥发性的产物对硅的腐蚀特性，达到边缘腐 蚀去除周边扩散层的目的
PECVD
磷硅玻璃
丝网印刷
N型硅
烧结 测试分选
P型硅 N型硅 磷硅玻璃
单晶硅太阳电池的制造工艺
制绒
二次清洗
单晶硅电池材料
❶硅的介绍 ❷单晶硅生产流程 ❸单晶硅太阳能电池的生产流程 ❹单晶硅太阳能电池的应用
【❶】硅的介绍
硅材料是半导体行业中最重要且应用最广的元素半导体，是微电 子工业和太阳能光伏工业的基础材料。由于硅材料的独特性质， 成为现代电子工业和信息社会基础，其发展是20世纪材料和电子 领域的里程碑，它的发展和应用直接促进了20世纪全球科技和工 业的高速发展，因而被称为进入了“硅时代”。硅具有元素含量 含量丰富、化学稳定性好、无环境污染等优点，又具有良好的半 导体特性。 半导体特性： ①添加杂质——导电性能↑ ②光照↑导电能力↑，光照↓导电能力↓，无光照不导电 ③温度↑导电能力↑；温度↓导电能力↓
PERC-SE-单晶电池工艺-培训资料ppt课件
PERC电池制程@SE(Selective Emitter,选择性发射极)
JiaYue SOLAR
SE单晶PERC电池
SEM形貌
SE技术要点 浅结扩散技术 梯度掺杂
SE单晶PERC电池剖面结构示意图
SiNx(PE)
P型硅片 (~200μm)
SiO2(热氧)
浅结扩散 (0.2μm)
Ag电极
梯度掺杂
PERC电池制程@热氧
SiO2和Si3N4堆叠钝化效果更好，因为Si3N4与硅片附着力不好，易脱落，而SiO2与硅片的附着力和相容性均好，除钝化外，在中间起到缓冲和中介作用；其物理和化学性质稳定，不易受到环境因素影响。
JiaYue SOLAR
PERC电池制程@AlOx+ SiNx沉积（MAIA）
原理： PECVD沉积AlOx+SiNx薄膜； 目的： 制备背面钝化介质层； 工艺流程：
此课件下载可自行编辑修改，供参考！ 感谢您的支持，我们努力做得更好！
PERC电池制程@AlOx+ SiNx沉积
JiaYue SOLAR
AlOx
PERC电池制程@PECVD/ARC
PECVD/ARC原理： PECVD沉积SiNx减反射膜； 目的： 表面钝化和降低反射率；
太阳光能谱
减反射原理
n1d1=λ/4 d1≈78nm（n=2.12）
短波光穿透深度小，在电池表面附近被吸收； 长波光穿透深度大，可注入至电池体内及背表面
Before backside
After backside
AlOx
SiNx
SiNx
TMA+N2O→Al2O3
SiH4+NH3 →S ixNy+12H2
JiaYue SOLAR
SE单晶PERC电池
SEM形貌
SE技术要点 浅结扩散技术 梯度掺杂
SE单晶PERC电池剖面结构示意图
SiNx(PE)
P型硅片 (~200μm)
SiO2(热氧)
浅结扩散 (0.2μm)
Ag电极
梯度掺杂
PERC电池制程@热氧
SiO2和Si3N4堆叠钝化效果更好，因为Si3N4与硅片附着力不好，易脱落，而SiO2与硅片的附着力和相容性均好，除钝化外，在中间起到缓冲和中介作用；其物理和化学性质稳定，不易受到环境因素影响。
JiaYue SOLAR
PERC电池制程@AlOx+ SiNx沉积（MAIA）
原理： PECVD沉积AlOx+SiNx薄膜； 目的： 制备背面钝化介质层； 工艺流程：
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PERC电池制程@AlOx+ SiNx沉积
JiaYue SOLAR
AlOx
PERC电池制程@PECVD/ARC
PECVD/ARC原理： PECVD沉积SiNx减反射膜； 目的： 表面钝化和降低反射率；
太阳光能谱
减反射原理
n1d1=λ/4 d1≈78nm（n=2.12）
短波光穿透深度小，在电池表面附近被吸收； 长波光穿透深度大，可注入至电池体内及背表面
Before backside
After backside
AlOx
SiNx
SiNx
TMA+N2O→Al2O3
SiH4+NH3 →S ixNy+12H2
PERCSE单晶电池工艺-培训资料
特殊环境应用
PERCSE单晶电池适用于 沙漠、高原、海洋等特殊 环境，为偏远地区提供电 力。
02
PERCSE单晶电池工艺流 程
硅片准备
硅片切割
使用金刚石线切割机将多晶硅锭切成薄片硅片，确保表面平整、 无损伤。
清洗与分选
清洗硅片表面杂质，并根据尺寸和厚度进行分选，确保硅片质量 一致性。
损伤检查
通过显微镜观察硅片表面是否存在微裂纹、划痕等损伤，确保硅 片质量。
使用激光刻蚀机在硅片表面进行开槽，以去除电池边 缘的减反射膜，降低光反射损失。
激光参数
调整激光刻蚀参数，如激光功率、扫描速度、重复频 率等，确保开槽效果良好且不损伤硅片表面。
开槽效果检测
通过显微镜观察开槽效果，确保去除减反射膜且表面 无损伤。
铝背场制备
铝浆准备
选用高纯度铝粉制备铝浆，确保铝背场的导电性 能。
04
PERCSE单晶电池工艺常 见问题及解决方案
PECVD镀膜问题及解决方案
PECVD镀膜问题
PECVD镀膜过程中可能出现膜层不 均匀、裂纹、脱落等问题。
解决方案
优化PECVD镀膜工艺参数，如反应气 体流量、压力、温度等，控制好基底 温度和清洁度，加强基底预处理和后 处理。
激光开槽问题及解决方案
谢谢观看
丝网印刷问题及解决方案
丝网印刷问题
丝网印刷过程中可能出现印刷线条不清 晰、断线、溢墨等问题。
VS
解决方案
优化丝网印刷工艺参数，如丝网目数、印 刷压力、速度和墨量等，选用质量好的油 墨和丝网，加强印刷后检查和清洗。
05
PERCSE单晶电池工艺发 展趋势与展望
PERCSE单晶电池工艺的技术创新
1 2 3
perc电池工艺流程PPT
perc电池工艺流程以下是一个示例，展示了Perc电池的工艺流程：Slide 1:标题：Perc电池工艺流程Slide 2:标题：工艺流程概述- Perc电池是一种高效率的太阳能电池，通过提高表面反射和电流收集效率来提高太阳能电池的效率- Perc电池工艺流程包括多个步骤，从硅片准备到电池封装Slide 3:标题：硅片准备- 准备硅片，清洁表面以去除污染物和氧化物- 高温磨削硅片表面，平整硅片，以提高接触效率Slide 4:标题：纳米背表面场- 在硅片背面涂布纳米粒子以形成背表面场（BSF）- BSF可以增加载流子的收集，减少电池的电流损失Slide 5:标题：背膜涂布- 在背面涂布一层背膜，增强背面反射- 背膜可以通过控制光的路径来增加光吸收Slide 6:标题：前金属膜形成- 在前面的硅表面涂布金属膜，作为阳极收集电流- 前金属膜可以帮助电流的有效收集，并减少反射Slide 7:标题：磷化过程- 将硅片放入磷化炉中，与磷进行反应- 磷化过程可以形成P型硅片，增加载流子的收集能力Slide 8:标题：掺杂过程- 在硅片前后表面进行掺杂，增加载流子的浓度- 掺杂过程可以提高太阳能电池的光电转换效率Slide 9:标题：透明导电膜形成- 在前面涂布一层透明导电膜，作为阴极收集电流- 透明导电膜可以帮助电流的有效收集，并减少反射Slide 10:标题：前背电极融合- 将前金属膜和背膜分别融合在硅片上- 前背电极融合可以提高电池的电流收集效率Slide 11:标题：锋芒形成- 切割硅片成为独立的太阳能电池单元- 锋芒可以减少反射和电流损失Slide 12:标题：封装- 对单元进行封装，以保护光伏电池- 封装可以防止电池被污染和受到机械损伤Slide 13:标题：总结- Perc电池工艺流程包括硅片准备、纳米背表面场、背膜涂布、前金属膜形成、磷化过程、掺杂过程、透明导电膜形成、前背电极融合、锋芒形成和封装等步骤- Perc电池工艺可提高太阳能电池的转换效率，并增加其市场竞争力以上是一个Perc电池工艺流程的示例，您可以根据自己的需求自定义内容和布局。
PERC SE 单晶电池工艺-培训资料
目的： 制备背面钝化介质层；
工艺流程：
AlOx
SiNx
SiNx
BMO Buffer Modules Out BMO/UM Buffer-Out / Unload Module LM/BMI Load / Buffer-In Module PM Process Modules (1 st PM: AlOx; 2 nd and 3 rd PM: SiNx) TM/BMI Transfer / Buffer-In Module
SiNx
AlOx
PERC电池制程@PECVD/ARC
PECVD/ARC原理： SiH4+NH3 →S ixNy+12H2 PECVD沉积SiNx减反射膜；
目的： 表面钝化和降低反射率；
JiaYue SOLAR
n1d1=λ/4
d1≈78nm （n=2.12）
太阳光能谱
减反射原理
短波光穿透深度小，在电池表面附近被吸收； 长波光穿透深度大，可注入至电池体内及背表面
JiaYue SOLAR
扩散原理： 采用三氯氧磷（POCl3）液态源扩散方法，在硅片表面形成N型层；
目的： 形成PN结（太阳电池核心单元）；
化学反应式： 4POCl3+3O2 → 2P2O5+6Cl2↑ 2P2O5+5Si → 5SiO2+4P↓
扩散装置示意图
7
PERC电池制程@扩散
JiaYue SOLAR
Selective Emitter
Hot Oxy+AlOx+ SiNx Passivation
Laser grooving
Firing
Firing
annealing
工艺流程：
AlOx
SiNx
SiNx
BMO Buffer Modules Out BMO/UM Buffer-Out / Unload Module LM/BMI Load / Buffer-In Module PM Process Modules (1 st PM: AlOx; 2 nd and 3 rd PM: SiNx) TM/BMI Transfer / Buffer-In Module
SiNx
AlOx
PERC电池制程@PECVD/ARC
PECVD/ARC原理： SiH4+NH3 →S ixNy+12H2 PECVD沉积SiNx减反射膜；
目的： 表面钝化和降低反射率；
JiaYue SOLAR
n1d1=λ/4
d1≈78nm （n=2.12）
太阳光能谱
减反射原理
短波光穿透深度小，在电池表面附近被吸收； 长波光穿透深度大，可注入至电池体内及背表面
JiaYue SOLAR
扩散原理： 采用三氯氧磷（POCl3）液态源扩散方法，在硅片表面形成N型层；
目的： 形成PN结（太阳电池核心单元）；
化学反应式： 4POCl3+3O2 → 2P2O5+6Cl2↑ 2P2O5+5Si → 5SiO2+4P↓
扩散装置示意图
7
PERC电池制程@扩散
JiaYue SOLAR
Selective Emitter
Hot Oxy+AlOx+ SiNx Passivation
Laser grooving
Firing
Firing
annealing
单晶制程工艺流程PPT课件
3
硅的电学性质
• 一是导电性介于导体和绝缘体之间,其电阻率约在10-4-1010Ω.cm范围内 • 二是电导率和导电型号对杂质和外界因素(光,热,磁等)高度敏感 • 无缺陷半导体的导电性很差,称为本征半导体。当掺入极微量的电活性杂质，其电导率
将会显著增加，例如，向硅中掺入亿分之一的硼，其电阻率就降为原来的千分之一。
• 硅的化学性质比较活泼，在高温下能与氧气等多种元素化合，不溶于水、硫酸，硝酸、盐酸及 王水，却易溶于氢氟酸和硝酸的混合液，用于造制合金如硅铁、硅钢等，
• 如在拉晶时与石英坩埚（Sio2）反应： • Si+ Sio2=2Sio（所以会增加硅中氧的浓度） • 结晶型的硅是暗黑蓝色的，很脆，是典型的半导体。化学性质非常稳定。在常温下，除氟化氢
4. P型半导体:在超高纯半导体材料中掺入某种杂质元素如硼(B),使得空穴浓度大于电子浓度, 则称为其p型半导体,(此时的空穴称为多数载流子,电子称为少数载流子)
5. .相应地,这些杂质被称为n型掺杂剂(施主杂质)或p型掺杂剂(受主杂质)
5
硅的化学性质
• 硅属元素周期表第三周IVA族，原子序数14，原子量28.085。原子价主要为4价，其次为2价，因 而硅的化合物有二价化合物和四价化合物
2
硅的物理性质
• 晶体硅为钢灰色，无定形硅为黑色，密度2.4g／cm3，熔点1420℃，沸点2355℃，晶体 硅属于原子晶体，硬而有光泽，有半导体性质。硅的化学性质比较活泼，在高温下能 与氧气等多种元素化合，不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液，用于造制合金 如硅铁、硅钢等，单晶硅是一种重要的半导体材料，用于制造大功率晶体管、整流器 、太阳能电池等。硅在自然界分布极广，地壳中约含27.6％， 结晶型的硅是暗黑蓝色的，很脆，是典型的半导体。化学性质非常稳定。在常温下， 除氟化氢以外，很难与其他物质发生反应。
硅的电学性质
• 一是导电性介于导体和绝缘体之间,其电阻率约在10-4-1010Ω.cm范围内 • 二是电导率和导电型号对杂质和外界因素(光,热,磁等)高度敏感 • 无缺陷半导体的导电性很差,称为本征半导体。当掺入极微量的电活性杂质，其电导率
将会显著增加，例如，向硅中掺入亿分之一的硼，其电阻率就降为原来的千分之一。
• 硅的化学性质比较活泼，在高温下能与氧气等多种元素化合，不溶于水、硫酸，硝酸、盐酸及 王水，却易溶于氢氟酸和硝酸的混合液，用于造制合金如硅铁、硅钢等，
• 如在拉晶时与石英坩埚（Sio2）反应： • Si+ Sio2=2Sio（所以会增加硅中氧的浓度） • 结晶型的硅是暗黑蓝色的，很脆，是典型的半导体。化学性质非常稳定。在常温下，除氟化氢
4. P型半导体:在超高纯半导体材料中掺入某种杂质元素如硼(B),使得空穴浓度大于电子浓度, 则称为其p型半导体,(此时的空穴称为多数载流子,电子称为少数载流子)
5. .相应地,这些杂质被称为n型掺杂剂(施主杂质)或p型掺杂剂(受主杂质)
5
硅的化学性质
• 硅属元素周期表第三周IVA族，原子序数14，原子量28.085。原子价主要为4价，其次为2价，因 而硅的化合物有二价化合物和四价化合物
2
硅的物理性质
• 晶体硅为钢灰色，无定形硅为黑色，密度2.4g／cm3，熔点1420℃，沸点2355℃，晶体 硅属于原子晶体，硬而有光泽，有半导体性质。硅的化学性质比较活泼，在高温下能 与氧气等多种元素化合，不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液，用于造制合金 如硅铁、硅钢等，单晶硅是一种重要的半导体材料，用于制造大功率晶体管、整流器 、太阳能电池等。硅在自然界分布极广，地壳中约含27.6％， 结晶型的硅是暗黑蓝色的，很脆，是典型的半导体。化学性质非常稳定。在常温下， 除氟化氢以外，很难与其他物质发生反应。
单晶硅太阳电池工艺PPT演示文稿
目前大多数厂商采用中电48所和北京七星华创的国产扩散炉，国产炉扩散的均
匀性不好，气流量大，炉口密封性不好，常有绿色的偏磷酸生成。国外
Centrotherm公司生产的扩散炉也有少数公司采用，效果很好，缺点是编辑新扩散
工艺不方便，要求工艺人员会计算机编程语言才能编写工艺程序。
以下是我编写的一个扩散工艺recipe,采用了小气流量扩散工艺。
溶液中。
这里顺便提一下，国外的公司进行边缘刻蚀采用了激光刻蚀，用激光将
硅片边缘切除达到去N型区的目的，这一步在做成成品电池后进行，激光器
加在了烧结炉和Berger测试仪之间（后面会提及）。国内也尝试过这种办法，
但是激光刻蚀国内公司使用总是不稳定，所以很少有公司添加了这种设备，
拥有这种设备的公司一般只是在等离子刻蚀不完全时加上激光刻蚀，防止反
向漏电大现象。
10
Edge isolation and remove PSG
11
PECVD
镀膜的原理相信大家都很清楚，单晶硅电池 镀膜的主要作用是减反射和钝化硅片表面悬 挂键。国内厂商所用的镀膜设备主要有两种， Roth&Rau公司的板式镀膜机和Centrotherm 的管式镀膜机。此外，中电48所采用自主制 造的管式镀膜机，南京中电采用了ATON 的 PVD镀膜。后面附上了板式PECVD设备的 一些图片，很遗憾没有管式设备的全貌图,右 边小角是管式设备镀膜装硅片所用的石墨舟。 商业化生产单晶硅电池镀膜主要是镀单层氮 化硅，厚度控制在75-80nm,折射率在2.0-2.1
验的工艺人员在场控制。
制绒工艺所用的化学辅料现在普遍是NaOH,异丙醇和硅酸钠。有个别公司不用硅酸钠。
5
扩散前清洗
制绒后会进行扩散制结，在扩散前要进行 酸洗，洗去硅片表面附着的金属离子。主 要采用盐酸溶液，清洗机一般采用捷佳创 和北京七星华创的。清洗作业还要用到HF 溶液，洗去硅片表面上的薄氧化层。硅片 经过两种酸液的清洗顺序没有严格要求， 一般是先经过HCl，再经过HF。
晶硅电池培训教程PPT课件
可编辑
18
员工心态
可编辑
19
可编辑
20
பைடு நூலகம்
心态技能动作夹具设备14wwwkingdomsolarnet15wwwkingdomsolarnet16wwwkingdomsolarnet17wwwkingdomsolarnet5s18wwwkingdomsolarnet国有国法家有家规无规矩不成方圆按照sop标准作业指导书操作是不容易出问题的前提违反规则一定会受到处罚你最亲近的人也将受到牵连公司不是福利院更不是顺风车没有免费的午餐公司会给我们时间和机会但前提是要保证同样的问题不要重复的出现在我们自己的身上高压线是碰不得的每个人都应该懂得?19wwwkingdomsolarnet20wwwkingdomsolarnet
可编辑
1
培训及考评规则
培训前务必准备好笔记本和笔，培训过程中，遵守纪律、爱护公物，认真 听讲、记录。
员工在岗培训由各班工序长自己组织，可以采取一对一、集体授课等方式 进行，无论通过那种方式培训，最终要保证员工对本岗位操作知识的全面了解 并会在考核中体现出来，员工考核的平均分即为衡量该工序长能否转正的第一 标准。
可编辑
11
“三不政策”和“三不伤害原则”
产品质量控制的“三不政策”： 不接收不良品、不制造不良品、不流出不良品
操作安全要做到“三不伤害原则”： 不伤害自己、不伤害别人、被别人伤害
可编辑
12
科学管理的三层次
5S是基础：定点、定量、定容、标识到位 标准化操作：规范的流程、 SOP作业指导书 改善：心态——技能——动作——夹具——设备
背电极
正面栅线
P型半导体硅
可编辑
P型半导体硅
背电场
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24
③激光SE电池工艺关键点：
要提高SE电池的光谱响应及光谱响应范围，提高电池效率，需要对电池正面无栅线区域制作浅的PN 结，又需要足够的P源以利于使用二次激光扩散。激光二次扩散的结深要与后续的正面银电极烧结相匹配。 使得正面银电极与电池片形成欧姆接触，且银电极不能烧穿结区。
9
JiaYue SOLAR
JiaYue SOLAR
扩散装置示意图
7
PERC电池制程@扩散
JiaYue SOLAR
800~900℃
P P
P
P P
P P
P P
P
PP P
P- type Si
N- type Si
P
P
P
PP
P
PP
P
P
PP
P
P
PP
P
P
原理Principle： 4POCl3+3O2 → 2P2O5+6Cl2↑ 2P2O5+5Si → 5SiO2+4P↓
JiaYue SOLAR
光照下 衰减
加热下光 照恢复
制程目的：在加热和光照条件下，使电池片BO形成稳定结构，从而减少光衰，处理后 的电池在工作条件下理论上不再衰减；
20
PERC电池制程@测试/分选
制程目的： Purpose： (1) 光电转换效率的量测与分级。
Photovoltaic conversion efficiency testing and grading. (2) 检测电池的外观、颜色。 Cell appearance and color sorting.
10
PERC电池制程@刻蚀
JiaYue SOLAR
➢ 刻蚀原理： 实现硅片的单面腐蚀（对于PERC电池，背面刻蚀和抛光尤为重要）； ➢ 目的： PN结边缘隔离和背面抛光； ➢ 化学反应式： 3Si+4HNO3→3SiO2+4NO+2H2O SiO2+6HF→H2[SiF6]+2H2O
背面刻蚀（含抛光）
Selective Emitter
Hot Oxy+AlOx+ SiNx Passivation
Laser grooving
Firing
Firing
annealing
4
PERC电池制程@制绒
➢ 制绒原理： 一定浓度、一定温度条件下，碱溶液与硅片反应，各向异性腐蚀； ➢ 目的： 去除表面损伤层，降低表面反射率（多次光吸收）； ➢ 化学反应式： Si + 2KOH + H2O → K2SiO3 + 2H2↑ ➢ 绒面结构：
JiaYue SOLAR
表面金字塔结构
多次光吸收原理图
5
PERC电池制程@制绒
P- type Si
原理Principle： Si + 2KOH + H2O → K2SiO3 + 2H2↑
JiaYue SOLAR
PERC电池制程@扩散
➢ 扩散原理： 采用三氯氧磷（POCl3）液态源扩散方法，在硅片表面形成N型层； ➢ 目的： 形成PN结（太阳电池核心单元）； ➢ 化学反应式： 4POCl3+3O2 → 2P2O5+6Cl2↑ 2P2O5+5Si → 5SiO2+4P↓
Before backside
AlOx
SiNxes Out BMO/UM Buffer-Out / Unload Module LM/BMI Load / Buffer-In Module PM Process Modules (1 st PM: AlOx; 2 nd and 3 rd PM: SiNx) TM/BMI Transfer / Buffer-In Module
16
PERC电池制程@激光开槽
➢ 激光开槽原理： 激光消融背面介质层，形成局域背场接触，收集电流； ➢ 目的： 形成局域背场接触，收集电流；
JiaYue SOLAR
激光开槽（示例）
PERC电池电流方向示意图
17
印刷和烧结-制备金属电极
JiaYue SOLAR
➢ 丝网印刷是把带有图像或图案的模版被附着在丝网上进行印刷的。当承印物 直接放在带有模版的丝网下面时，丝网印刷油墨或涂料在刮刀的挤压下穿过 丝网中间的网孔，印刷到承印物上。丝网上的模版把一部分丝网小孔封住使 得颜料不能穿过丝网，而只有图像部分能穿过，因此在承印物上只有图像部 位有印迹。
➢ PECVD/ARC原理： SiH4+NH3 →S ixNy+12H2 PECVD沉积SiNx减反射膜； ➢ 目的： 表面钝化和降低反射率；
JiaYue SOLAR
n1d1=λ/4
d1≈78nm（ n=2.12）
太阳光能谱
减反射原理
短波光穿透深度小，在电池表面附近被吸收； 长波光穿透深度大，可注入至电池体内及背表面
11
PERC电池制程@刻蚀
P- type Si
JiaYue SOLAR N- type Si
原理Principle： 3Si+4HNO3→3SiO2+4NO+2H2O SiO2+6HF→H2[SiF6]+2H2O
PERC电池制程@热氧
JiaYue SOLAR
➢ 热氧原理： 将已形成PN结的硅片放入高温炉中，在高温下氧气和硅反应生成二氧化硅
层； ➢ 目的： 氧原子与硅表面未饱和的硅原子结合形成SiO2薄膜，从而降低硅片表面悬
挂键密度，很好地控制界面陷阱和固定电荷，起到对太阳能电池表面进行 钝化的目的。
➢ 化学反应式： Si + O2 = SiO2
PERC电池制程@AlOx+ SiNx沉积（MAIA）
JiaYue SOLAR
➢ 原理： TMA+N2O→Al2O3 SiH4+NH3 →S ixNy+12H2 PECVD沉积AlOx+SiNx薄膜； ➢ 目的： 制备背面钝化介质层； ➢ 工艺流程：
After backside
14
PERC电池制程@AlOx+ SiNx沉积
SiH4/ NH3
400~500℃
P- type Si
原理Principle： TMA+N2O→Al2O3 SiH4+NH3 →S ixNy+12H2
JiaYue SOLAR
SiNx
AlOx
PERC电池制程@PECVD/ARC
➢ 增强背表面长波光反射效应，提升短路电流。
3
PERC电池结构与工艺流程
➢PERC高效电池工艺流程
制绒
扩散
刻蚀
PECVD/ARC
丝网印刷
选择性发射结
热氧+AlOx+ SiNx
激光开槽
JiaYue SOLAR
烧结
测试分选
退火
Texturing
Diffusion
Etching
PECVD/ARC
Printing
PERC电池制程@SE(Selective Emitter,选择性发射极)
JiaYue SOLAR
①SE电池：
SE电池是选择性扩散电池（selective emitter）,由中电光伏（CSUN）的赵建华博士发明。即在金属栅 线（电极）与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂，这样的结构可降低扩散层复合，由此 可以提高光线的短波响应，同时减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得 到较好的改善，从而提高转换效率。
JiaYue SOLAR
PERC SE高效单晶电池 生产工艺培训
2019-05-04 1
前言-太阳能电池在整个光伏产业链中的位置
JiaYue SOLAR
虚线部分为电池片在产业链中的位置
2
PERC电池结构与工艺流程
JiaYue SOLAR
➢PERC SE电池结构
Ag ARC(SiOx+SiNx)
N-Si(SE) P-Si
PERC电池制程@SE(Selective Emitter,选择性发射极)
SE单晶PERC电池
Ag电极 梯度掺杂
SEM形貌
激光扫描区
激光扫描区
SiNx(PE)
SiO2(热氧)
浅结扩散 (0.2μm) P型硅片 (~200μm)
SE单晶PERC电池剖面结构示意图
SE技术要点
➢浅结扩散技术 ➢梯度掺杂
激光扫描区的SEM形貌显示仍为完整的金 字塔结构
EFF=（Uoc*Isc*FF）/S
JiaYue SOLAR
PERC电池制程@测试/分选
JiaYue SOLAR
黑团
虚印
放反
黑芯
十字隐裂
吸盘印
22
PERC电池制程@测试/分选
JiaYue SOLAR
（1）按颜色分成各种颜色+外观等级； （2）电池片打包，贴标签，封装。
Thank you for your attention !
18
PERC电池制程@丝网印刷&烧结
JiaYue SOLAR
➢ 丝网印刷&烧结：
PERC电池需使用专用背银和背铝浆料，保证AlOx+SiNx叠层膜钝化效果，以使电池性能 达到最优。 下图为激光开槽处铝浆填充处的SEM图，需搭配铝浆和烧结方能实现卓越的填充效果。
激光开槽处铝浆填充效果由差至好
19
PERC电池制程@恢复炉
SE电池的主要特点是金属化区域磷高浓度掺杂，光照区域磷低浓度掺杂。金属化区域浓扩散区结深大， 烧结过程中金属等杂质不易进入耗尽区形成深能级，反向漏电小，并联电阻高；光照区域掺杂浓度低，短波 响应好，短路电流高；横向扩散高低结前场作用明显，利于光生载流子收集。
③激光SE电池工艺关键点：
要提高SE电池的光谱响应及光谱响应范围，提高电池效率，需要对电池正面无栅线区域制作浅的PN 结，又需要足够的P源以利于使用二次激光扩散。激光二次扩散的结深要与后续的正面银电极烧结相匹配。 使得正面银电极与电池片形成欧姆接触，且银电极不能烧穿结区。
9
JiaYue SOLAR
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扩散装置示意图
7
PERC电池制程@扩散
JiaYue SOLAR
800~900℃
P P
P
P P
P P
P P
P
PP P
P- type Si
N- type Si
P
P
P
PP
P
PP
P
P
PP
P
P
PP
P
P
原理Principle： 4POCl3+3O2 → 2P2O5+6Cl2↑ 2P2O5+5Si → 5SiO2+4P↓
JiaYue SOLAR
光照下 衰减
加热下光 照恢复
制程目的：在加热和光照条件下，使电池片BO形成稳定结构，从而减少光衰，处理后 的电池在工作条件下理论上不再衰减；
20
PERC电池制程@测试/分选
制程目的： Purpose： (1) 光电转换效率的量测与分级。
Photovoltaic conversion efficiency testing and grading. (2) 检测电池的外观、颜色。 Cell appearance and color sorting.
10
PERC电池制程@刻蚀
JiaYue SOLAR
➢ 刻蚀原理： 实现硅片的单面腐蚀（对于PERC电池，背面刻蚀和抛光尤为重要）； ➢ 目的： PN结边缘隔离和背面抛光； ➢ 化学反应式： 3Si+4HNO3→3SiO2+4NO+2H2O SiO2+6HF→H2[SiF6]+2H2O
背面刻蚀（含抛光）
Selective Emitter
Hot Oxy+AlOx+ SiNx Passivation
Laser grooving
Firing
Firing
annealing
4
PERC电池制程@制绒
➢ 制绒原理： 一定浓度、一定温度条件下，碱溶液与硅片反应，各向异性腐蚀； ➢ 目的： 去除表面损伤层，降低表面反射率（多次光吸收）； ➢ 化学反应式： Si + 2KOH + H2O → K2SiO3 + 2H2↑ ➢ 绒面结构：
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表面金字塔结构
多次光吸收原理图
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PERC电池制程@制绒
P- type Si
原理Principle： Si + 2KOH + H2O → K2SiO3 + 2H2↑
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PERC电池制程@扩散
➢ 扩散原理： 采用三氯氧磷（POCl3）液态源扩散方法，在硅片表面形成N型层； ➢ 目的： 形成PN结（太阳电池核心单元）； ➢ 化学反应式： 4POCl3+3O2 → 2P2O5+6Cl2↑ 2P2O5+5Si → 5SiO2+4P↓
Before backside
AlOx
SiNxes Out BMO/UM Buffer-Out / Unload Module LM/BMI Load / Buffer-In Module PM Process Modules (1 st PM: AlOx; 2 nd and 3 rd PM: SiNx) TM/BMI Transfer / Buffer-In Module
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PERC电池制程@激光开槽
➢ 激光开槽原理： 激光消融背面介质层，形成局域背场接触，收集电流； ➢ 目的： 形成局域背场接触，收集电流；
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激光开槽（示例）
PERC电池电流方向示意图
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印刷和烧结-制备金属电极
JiaYue SOLAR
➢ 丝网印刷是把带有图像或图案的模版被附着在丝网上进行印刷的。当承印物 直接放在带有模版的丝网下面时，丝网印刷油墨或涂料在刮刀的挤压下穿过 丝网中间的网孔，印刷到承印物上。丝网上的模版把一部分丝网小孔封住使 得颜料不能穿过丝网，而只有图像部分能穿过，因此在承印物上只有图像部 位有印迹。
➢ PECVD/ARC原理： SiH4+NH3 →S ixNy+12H2 PECVD沉积SiNx减反射膜； ➢ 目的： 表面钝化和降低反射率；
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n1d1=λ/4
d1≈78nm（ n=2.12）
太阳光能谱
减反射原理
短波光穿透深度小，在电池表面附近被吸收； 长波光穿透深度大，可注入至电池体内及背表面
11
PERC电池制程@刻蚀
P- type Si
JiaYue SOLAR N- type Si
原理Principle： 3Si+4HNO3→3SiO2+4NO+2H2O SiO2+6HF→H2[SiF6]+2H2O
PERC电池制程@热氧
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➢ 热氧原理： 将已形成PN结的硅片放入高温炉中，在高温下氧气和硅反应生成二氧化硅
层； ➢ 目的： 氧原子与硅表面未饱和的硅原子结合形成SiO2薄膜，从而降低硅片表面悬
挂键密度，很好地控制界面陷阱和固定电荷，起到对太阳能电池表面进行 钝化的目的。
➢ 化学反应式： Si + O2 = SiO2
PERC电池制程@AlOx+ SiNx沉积（MAIA）
JiaYue SOLAR
➢ 原理： TMA+N2O→Al2O3 SiH4+NH3 →S ixNy+12H2 PECVD沉积AlOx+SiNx薄膜； ➢ 目的： 制备背面钝化介质层； ➢ 工艺流程：
After backside
14
PERC电池制程@AlOx+ SiNx沉积
SiH4/ NH3
400~500℃
P- type Si
原理Principle： TMA+N2O→Al2O3 SiH4+NH3 →S ixNy+12H2
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SiNx
AlOx
PERC电池制程@PECVD/ARC
➢ 增强背表面长波光反射效应，提升短路电流。
3
PERC电池结构与工艺流程
➢PERC高效电池工艺流程
制绒
扩散
刻蚀
PECVD/ARC
丝网印刷
选择性发射结
热氧+AlOx+ SiNx
激光开槽
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烧结
测试分选
退火
Texturing
Diffusion
Etching
PECVD/ARC
Printing
PERC电池制程@SE(Selective Emitter,选择性发射极)
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①SE电池：
SE电池是选择性扩散电池（selective emitter）,由中电光伏（CSUN）的赵建华博士发明。即在金属栅 线（电极）与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂，这样的结构可降低扩散层复合，由此 可以提高光线的短波响应，同时减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得 到较好的改善，从而提高转换效率。
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PERC SE高效单晶电池 生产工艺培训
2019-05-04 1
前言-太阳能电池在整个光伏产业链中的位置
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虚线部分为电池片在产业链中的位置
2
PERC电池结构与工艺流程
JiaYue SOLAR
➢PERC SE电池结构
Ag ARC(SiOx+SiNx)
N-Si(SE) P-Si
PERC电池制程@SE(Selective Emitter,选择性发射极)
SE单晶PERC电池
Ag电极 梯度掺杂
SEM形貌
激光扫描区
激光扫描区
SiNx(PE)
SiO2(热氧)
浅结扩散 (0.2μm) P型硅片 (~200μm)
SE单晶PERC电池剖面结构示意图
SE技术要点
➢浅结扩散技术 ➢梯度掺杂
激光扫描区的SEM形貌显示仍为完整的金 字塔结构
EFF=（Uoc*Isc*FF）/S
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PERC电池制程@测试/分选
JiaYue SOLAR
黑团
虚印
放反
黑芯
十字隐裂
吸盘印
22
PERC电池制程@测试/分选
JiaYue SOLAR
（1）按颜色分成各种颜色+外观等级； （2）电池片打包，贴标签，封装。
Thank you for your attention !
18
PERC电池制程@丝网印刷&烧结
JiaYue SOLAR
➢ 丝网印刷&烧结：
PERC电池需使用专用背银和背铝浆料，保证AlOx+SiNx叠层膜钝化效果，以使电池性能 达到最优。 下图为激光开槽处铝浆填充处的SEM图，需搭配铝浆和烧结方能实现卓越的填充效果。
激光开槽处铝浆填充效果由差至好
19
PERC电池制程@恢复炉
SE电池的主要特点是金属化区域磷高浓度掺杂，光照区域磷低浓度掺杂。金属化区域浓扩散区结深大， 烧结过程中金属等杂质不易进入耗尽区形成深能级，反向漏电小，并联电阻高；光照区域掺杂浓度低，短波 响应好，短路电流高；横向扩散高低结前场作用明显，利于光生载流子收集。