黄光制程工艺流程
pcb工厂黄光室波段
PCB工厂黄光室波段1. 什么是PCB工厂黄光室波段？PCB（Printed Circuit Board）工厂黄光室波段是指在PCB制造过程中的一个重要环节，用于在电路板上形成电路图案。
黄光室是一种特殊的实验室，用于进行光刻和曝光的工艺步骤。
在PCB制造过程中，首先需要将设计好的电路图案通过化学方法转移到感光胶上。
这个步骤被称为“黄光制程”。
而黄光室则是用来进行这个制程的地方。
2. 黄光室波段的作用黄光室波段在PCB制造过程中起着至关重要的作用。
其主要功能包括： - 先进工艺：黄光室波段使用了先进的技术和设备，能够实现高精度、高效率的电路图案转移。
- 光刻：通过使用特殊的紫外线曝光设备和感光胶，在电路板上形成所需的电路图案。
- 曝光：将设计好的电路图案通过曝光设备投射到感光胶上，使得感光胶在光照下发生化学反应。
- 图案转移：经过曝光后，感光胶上将形成与设计图案相对应的图案，然后通过化学蚀刻等工艺步骤，将图案转移到电路板上。
3. 黄光室波段的工艺流程黄光室波段的工艺流程一般包括以下步骤： 1. 准备工作：包括清洁黄光室、检查和校准设备等。
2. 材料准备：准备好感光胶、掩膜、电路板等材料，并确保其质量符合要求。
3. 曝光设备设置：根据所需的曝光参数，设置曝光设备，如曝光时间、曝光强度等。
4. 掩膜对位：将掩膜与电路板进行对位，确保掩膜上的图案与电路板上的位置一致。
5. 曝光：将已对位的电路板放置在曝光设备中，在设定的曝光条件下进行曝光。
6. 确认曝光效果：通过检查曝光后的感光胶表面，确认曝光效果是否符合要求。
7. 清洗：使用特定的化学溶液对感光胶进行清洗，去除未曝光的部分。
8. 检查和修复：检查电路板上的图案是否完整，如有缺陷，则进行修复。
9. 蚀刻：将电路板放置在化学蚀刻液中，去除掉未被感光胶保护的部分金属。
10. 清洗和检查：清洗蚀刻后的电路板，并进行最终的质量检查。
4. 黄光室波段的关键技术黄光室波段使用了一系列关键技术来实现高精度、高效率的电路图案转移。
CF黄光工艺说明(1)
BM光阻涂布 GPR
曝光
RPR
显影
R光阻涂布
曝光
BPR
显影 O/C
G光阻涂布
ITO
曝光
显影
PS PR
B光阻涂布
曝光
显影
O/C
Sputtering
PS光阻涂布
曝光
显影
CF成品
1.2 COLOR FILTER 制法分类和工艺流程
ITEM
Main Process Condition
Control Item
NG
生产继续
生产停止，重新 制作首件
曝光机L stage 第2枚进入AOI
曝光机R stage 第2枚进入AOI
共
缺,Ove
rlay检
查
NG
共 缺,Ove rlay检
查 NG
OK
Coater追加投入
OK
曝光机L stage 第1枚进入Oven
Oven 后特性 值检查
OK
NG
生产继续
生产停止，重新 制作首件
黑矩阵 彩色层 保护层 ITO导电膜
偏光片 玻璃基板
配向膜
液晶层 玻璃基板
薄膜晶体管 偏光片
1.2 COLOR FILTER 制法分类和工艺流程
◆彩膜的制造工艺一般有染色法、电沉积法、印刷法、喷墨法和颜料分散法。各工艺的简单流程 如下
图所示：
ITO
Gelatin
Resist
感光性color Resist
曝光 显影 后烘 溅射
Gap；Dose； Temperature；
Chemical Type& Concentration: KOH, Na2CO3 ； Temperature；Time；
黄光制程工艺流程
1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形行成固体的PR层4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。
7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。
8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥1. PR前清洗A.清洗：指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。
清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。
（风切是关键）B.干燥：因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。
这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。
因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。
目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。
但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N，温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡／n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。
黄光制程_??????
黄光制程
黄光制程（also known as黄色光刻技术）是一种微电子制程中常用的制造技术，它广泛应用于芯片制造和半导体工业。
黄光制程利用光刻和影像传输来定义微电子设备中的图案和结构。
黄光制程包括以下几个步骤：
1. 制备底片：将待制造的芯片涂覆在一个平坦的基片（通常是硅片）上。
2. 涂覆光刻胶：将光刻胶均匀涂覆在芯片上。
光刻胶可以在曝光后形成所需的图案。
3. 曝光：使用光刻机将芯片暴露在特定的光源下，光刻胶将在所暴露的区域发生化学反应。
4. 显影：用显影剂将未暴露的部分光刻胶去除，形成所需的图案。
5. 蚀刻：使用化学或物理的腐蚀方法去除裸露的芯片表面材料，形成所需的结构。
6. 清洗和检验：将芯片清洗干净并进行质量检验，以确保芯片制造的质量与要求相符。
黄光制程是制造集成电路和其他微电子器件的核心技术之一，它可以实现高精度和高分辨率的图案定义。
随着微电子技术的不断发展，黄光制程也在不断改进和演进，以满足日益复杂和精细的设备制造需求。
黄光工艺流程
黄光工艺流程黄光工艺流程是指在半导体制造过程中，使用光照将光刻胶曝光到硅片或其他材料表面，然后通过化学处理和蚀刻来形成图形的一种工艺流程。
下面将详细介绍黄光工艺流程的步骤。
第一步是准备硅片。
将硅片清洗干净，并使用酸洗去除硅片表面的污染物。
然后，在硅片上涂覆一层光刻胶，通常是聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。
第二步是光刻胶的曝光。
将硅片放入光刻机中，然后使用遮罩或掩膜来控制光照的位置和形状。
光刻机会使用紫外线或其他光源照射光刻胶，使其在受到光的作用下发生化学反应。
在曝光后，光刻胶的部分区域会发生化学变化，变得溶解性或不溶解性。
第三步是光刻胶的显影。
将曝光后的硅片放入显影剂中，显影剂会溶解或去除未曝光的光刻胶，而曝光后的光刻胶会保留下来。
根据需要，可以使用不同的显影剂，如碱性显影剂或酸性显影剂。
第四步是光刻胶的固化。
为了保护曝光后的光刻胶不受到污染或损害，可以使用紫外线照射或热处理来固化光刻胶。
固化后的光刻胶会变得更加耐久和稳定。
第五步是蚀刻。
将固化后的光刻胶保护住的部分区域暴露在蚀刻剂中，蚀刻剂会溶解或去除这些区域下的材料。
根据需要，可以使用不同的蚀刻剂，如湿法蚀刻剂或干法蚀刻剂。
蚀刻剂的选择取决于要制作的图形和所使用的材料。
第六步是去除光刻胶。
在完成蚀刻后，需要将剩余的光刻胶从硅片上去除。
这可以通过使用溶剂或清洗剂来实现，将硅片浸泡在其中，以溶解光刻胶并清洗硅片表面。
通过以上步骤，黄光工艺流程可以在硅片或其他材料上形成期望的图形。
这些图形可以用于制造微芯片、光学元件、显微镜、传感器等。
黄光工艺流程的精度和重复性较高，成本较低，因此在电子、光电子学和半导体工业中得到广泛应用。
总之，黄光工艺流程是一种通过曝光、显影、固化和蚀刻等步骤来制造精密图形的工艺流程。
这种工艺流程在半导体制造和其他领域具有重要的应用价值，可以实现微米级甚至纳米级的结构制造。
黄光工艺介绍
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力
耐酸印刷制程
制程规 耐酸印 格项目 刷制程
评判
线宽线 0.3*0.3
距
mm
一般
蚀刻痕 明显
一般
是否扩 散
产品设 计图形 复杂的
程度
精度
印刷容 易扩散
设计图 形简单
0.1mm
一般 一般 一般
黄光制程
制程规 黄光制 格项目 程
，容易扩散。 容易受ITO图案复杂性
影响
良率高不受其它影响
Remark： 黄光制程相对耐酸印刷制程良率较高。
黄光工艺介绍 Profile of Photo process
2012-12-29
1、黄光制程定义-核心技术及名称的来源
黄光工艺使用的技术 黄光使用的技术为微影 (Lithography) 技术，使用的材料为感光材料，这
种材料称之为光阻（PR,photo resistance)。PR具有独特的特性，在UV光的作 用下，会发生化学变化，变成易容与酸或者碱的新物质。
微影 (Lithography) 技术是将光罩 (Mask) 上的图案先转移至PR上，再以 溶剂浸泡将PR受光照射到的部份加以溶解或保留，形成和光罩完全相同或呈互 补的光阻图。
黄光制程名称的来源 由于微影制程的环境照明光源是黄光，而非一般摄影暗房的红光，所以这
一制程常被简称为“黄光”制程。 黄光制程线路精准度水平高，被广泛应用在电容式触摸屏sensor的加工。
Remark：黄光制程采用干膜代替耐酸制程能力进一步提升，可以提升产品层次。 镭雕工艺有效率和爆点的问题，复杂ITO图案产品的批量性低。
4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力
黄光制程工艺流程
黄光制程工艺流程黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程，它主要用于芯片制造中的光刻步骤。
光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。
在黄光制程中，光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。
下面是关于详细的描述，以帮助读者更好地理解这个过程。
第一步：准备光罩首先，我们需要准备好用于光刻的光罩。
光罩是一种具有所需图案的透明薄片，其材料通常是玻璃或石英。
光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。
光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。
第二步：准备硅片准备好待加工的硅片。
这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。
在准备硅片时，必须确保其表面平整且干净，以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。
第三步：涂覆光刻胶将硅片放置在旋涂机上，然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。
光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀，并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。
涂覆光刻胶后，通常使用烘烤等方法进行固化，以确保光刻胶的性能和稳定性。
第四步：对齐和曝光将准备好的光罩放置在光刻机上，并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。
通过微调光罩和硅片的位置，确保图案的精确对齐。
然后，使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射，以将图案转移到光刻胶上。
照射时间和强度的控制非常重要，可影响芯片的精度和分辨率。
第五步：显影曝光后，将硅片放入显影机中进行显影。
显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉，从而暴露出硅片上的图案。
显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。
第六步：清洗将经过显影的硅片进行清洗，去除残余的光刻胶和显影液。
清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术，以确保芯片表面的干净和平整。
第七步：检验和测量对清洗过的芯片进行检验和测量。
这可以包括检查图案的完整性和准确性，以及芯片上不同部分的厚度、尺寸和形状等参数的测量。
第八步：后续处理根据芯片的具体用途，可能需要进行一些附加的工艺步骤，如沉积金属层、刻蚀等等。
黄光生产工艺流程详解和注意事项
黄光生产工艺流程详解和注意事项下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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黄光工艺流程
黄光工艺流程
《黄光工艺流程》
黄光工艺是一种常用的光刻工艺，主要用于半导体器件制造。
它通过使用紫外线光源和光刻胶来将图案投射到硅片上，形成微米级别的结构。
黄光工艺的流程可以分为几个主要步骤。
首先，将硅片进行表面清洁处理，以确保光刻胶可以均匀地附着在硅片上。
接下来，将光刻胶涂覆在硅片表面，然后使用旋转涂覆机将光刻胶均匀地分布在整个表面。
一旦光刻胶涂覆完成，需要将硅片置于紫外线光源下。
通过光刻胶上的光掩模，紫外线光源可以将图案投射到硅片表面。
这个过程是非常精密的，精细的图案需要准确地投射到硅片上。
经过光刻曝光之后，硅片需要进行显影处理。
这一步是将硅片浸泡在显影液中，以去除未曝光的光刻胶。
这样就可以形成所需的图案结构。
最后，需要对硅片进行清洗、干燥和固化处理，以确保光刻胶牢固地附着在硅片上，并且形成微米级别的结构。
完成这些步骤之后，硅片就可以用于半导体器件的制造了。
总的来说，黄光工艺流程是一种复杂且精密的制造工艺，它为微电子器件的制造提供了重要的工艺支撑。
随着技术的不断发
展，黄光工艺也在不断地完善和创新，为半导体工业的发展做出了重要贡献。
黄光制程介绍
100
NA
NA
1000
7
NA
10000
70
NA 100000 700
我們的無塵室規格
❖落塵量 ：每一立方英尺的空間裡直 徑0.5微米的灰塵或顆粒 數目小於10000個. （10000級）
❖溫 度 ： 21℃－25℃ ❖溼 度 ： 相對溼度 50﹪－70﹪ ❖靜電限制： 低於100 伏特
10/22
干膜光阻
3/21
模版式 移印式 印刷式 黃光轉移
通過干膜的光照反 應、化學反應發生 分解，達成非接觸
式轉移圖形
制程簡介
表面清潔
4/22
壓膜 去膜
曝光 顯 影
蝕刻
黃光區域
黃光燈：由于感光性的原料，對紫外光或可見 光敏感，如果采用含紫外線的普通白光燈照明 ，結果是電阻圖形邊緣模糊，從而降低產品的 質量，所以必須使用防紫外線燈，目前我們使 用的燈波長是大于365nm.
Hale Waihona Puke 黃光制程介紹前言黃光制程是通對涂覆在物件表面的光敏 性物質（又稱光刻膠或光阻），經曝光、顯 影后留下的部份對底層起保護作用，然后進 行蝕刻去膜，最終獲得永久性圖形的過程。
1/22
目錄
❖ 制程簡介 ❖ 黃光區域 ❖ 無塵室 ❖ 干膜光阻
2/22
❖ 曝光 ❖ 顯影 ❖ 蝕刻 ❖ 去膜
制程簡介
圖 形 轉 移 技 術
2 表示正在品質驗證的阻值
MS生產設備
21/22
小結
黃光制程是一種產品制造技術，并不 限于生產一種產品，目前的認知是可以在 平面物件上做出圖形，可以將銅合金制作 成需要的形狀，各制程如有新品的試制可 以采用。
23 22/22
12/22
电容屏ITO黄光制程工艺
电容屏ITO黄光制程工艺流程第一步：ITO GLASS参数规格：长宽：14*16 厚度：0.55，0.7，1.1规格：普通，钢化等，特性：AR(抗反射)，AG（防眩光），AS（防水防污），AF（防指纹）等电容玻璃：安可，冠华，正达，正太等。
第二步：素玻璃参数规格：素玻璃：康宁，旭硝子等。
500*500规格第三步：清洗参数规格：1.将GLASS 表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥。
2.将素玻璃表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥，然后过镀膜线镀ITO 层形成GLASS。
第四步：背保丝印参数规格：膜厚：10-20μM，250-420 目聚酯网，此背保要求高，不能有一点脏污，油污，杂质等，要不回影响到在这面处理ITO 图案和银浆走线的附着力等。
日本朝日，丰阳等，热固型。
第五步：光刻胶整版丝印参数规格：膜厚：5-10μM，300-420 目聚酯网.需在温度20 度-25 度的范围和黄灯的环境下进行。
光刻胶：田菱THC-29（耐酸曝光显影型光刻胶）等。
第六步：前烘参数规格：让印有光刻胶的材料在一定的温度，时间下固化。
温度：80-90 度。
时间15-20 分钟。
第七步：曝光参数规格：通过紫外线和菲林的垂直照射，让光刻胶形成反应。
光能量：60-120MJ/C ㎡，时间：6-9s第八步：显影参数规格：用弱KOH 溶解液去除材料上被曝光过的光刻胶，留下没有曝光的光刻胶。
弱碱：0.05-0.2 MOL.温度：20±3 度，压力：0.02-0.05KG，速度：5.5±2.5M/MIN。
第九步：坚膜参数规格：让显影留下的光刻胶经高温处理，让光刻胶完全固化。
温度：120-150度，时间：20-30.第十步：蚀刻参数规格：酸度：3.5-6.5MOL，温度：45±5 度，压力：1-2KG，速度：0.8-1.5M/MIN。
碱度：0.5-0.8MOL，温度：35±5 度，压力：1-2KG，速度：1.5-3.5M/MIN。
露光(黄光)制程介绍
正型光阻
Original
曝光 (照光處)
顯影
長鏈(強壯)
裂解
曝光處—洗掉光阻
負型光阻
短鏈(弱)
聚合(Cross Link)
曝光處—光阻留著
光阻 光罩/底片
光阻
正負光阻Pattern說明
基板
基板
紫外線
曝光
負光阻 正光阻
基板
顯影後
基板
正光阻優點：高解析(解析能力3um)、負光阻(乾膜解析約15 um) 負光阻優點：便宜
2.鄰接式曝光機(Proximity Mode) 備註：適用油墨曝光、感光銀膠曝光、RBM曝光
3.投影式曝光機(Stepper) 備註：半導體、LCD、超細線路、超高解析、高對
位精度 4.LDI曝光系統(Laser Direct Imaging)
備註：無需光罩、高對位精度
12
曝光波長
曝光機感光光譜
I-Line H-Line G-Line
G-line: 436 nm H-line: 405 nm I-line: 365 nm
乾膜感光光譜 適合感光光譜365nm
➢每支乾膜需確認其感光範圍，再確認該乾膜 是否可適用於該曝光機。
➢一般曝光機為I、H、G Line共存or單一波長 I Line為主。
接觸式曝光機(Contact Mode)
底片製作說明-----RD、繪圖必知
底片組成：PET+藥膜 底片製作流程： 快速記憶PET上正型光阻+曝光+顯影
PET塗藥膜(正型光阻)雷射繪片(曝光)顯影乾燥 正片
底片構造
藥膜 PET
YLO出圖
For 正型光阻、印刷製程
黄光工艺介绍-20121230
4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力
制程类别 耐酸印刷制程 镭雕工艺 黄光制程 良率 98.5% 95% 99%以上 备注 容易受印刷品质的制约 ，容易扩散。 容易受ITO图案复杂性 影响 良率高不受其它影响
Remark： 黄光制程相对耐酸印刷制程良率较高。
镭雕制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 镭雕制 程 50*50u m 无 无 设计图 形不可 以更复 杂 50um 评判 较好 较好 较好
一般 一般 一般
是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度
一般
较好
பைடு நூலகம்
较好
一般
较好
较好
Remark：黄光制程采用干膜代替耐酸制程能力进一步提升，可以提升产品层次。 镭雕工艺有效率和爆点的问题，复杂ITO图案产品的批量性低。
曝 光
4
光阻图案 ITO film 基材 光阻图案 5 ITO 图案 基材 ITO 图案 基材
显 影
蚀 刻
6
褪光阻
4.黄光制程与传统制程的优劣1-流程
耐酸 印刷 制程
黄光 制程
镭雕 制程
Remark：黄光制程与耐酸制程工艺的对比主要是用干膜代替了耐酸印刷制程，后续工站相同。
5.黄光制程与传统制程CTQ—关键工序控制点
黄光工艺 Photo
1.设计：大片上制作专 用标准测试图案， 2.监控点：线距 1.拉力测试 2.有效导电粒子数 3.作业风险(下文专述)
工艺 CTQ
ITO图案间距
酸刻工艺 Wet etching
1.监控点：开短路测试 。ITO间距为PR制程8~10 倍，风险极低 1.拉力测试 2.有效导电粒子数
黄光制程简介
俯视图
侧面图
Litho
涂胶的步骤
第 4 步:涂胶(COATING), 把晶圆涂上一层光阻胶. E.B.R.(Edge Bead Removal)
光阻胶
俯视图 侧面图
Litho
涂胶的步骤
第5步: 预烘 (SOFTBAKE),用加热法把光阻中的溶 剂蒸发掉.
俯视图 侧面图
Litho
涂胶的步骤
第 6 步: 冷却(COOLING), 把晶圆冷却到室温.
俯视图
侧面图
Litho
曝光机的外形
Litho
曝光的作用
Light Reticle Lens Resist Wafer 俯视图 侧面图
Litho
曝光机的分类
• 按光源分类: DUV (波长=248) ; I-line (波长=365nm)
• 按运作分类: 扫描机(SCANNER); 步进机(STEPPER)
Litho
什么是光罩?
光罩是有很多图形(Pattern）的模板设计图形
+ +
Test Key Barcode Scribe Line
Fiducial Test Line
Main Pattern
+
+
Global Mark
QA Cell
检测 ADI
检测 CD SEM
检测 Overlay
冷却
Litho
1. 曝光机(Duv,I-line,g-line)
• ASML的Scanner:
Litho
Scanner
Stepper
Litho
曝光机的种类(Scanner ,Stepper) 工作方式区分： 1 .步进式曝光机：Stepper 主要机台： Cannon iZ01 2 .扫描式曝光机：Scanner 主要机台： Cannon ES3 ,ASML /400 ,/750, /850,/1100 工作光源区分： 1 .I-Line 曝光机：365nm (Hg-Arc) 主要机台： Cannon iZ01 ,ASML /400, 2 . DUV 曝光机：248nm ,193nm (Laser) 主要机台： Cannon ES3 ,ASML /750, /850,/1100
黄光制程工艺流程
根据光敏材料的性质，选择合适的光 源波长和功率。
显影设备
显影设备
用于将光固化后的膜进行显影，去除未固化的材 料。
显影方式
可以采用浸泡显影、喷淋显影等方式。
显影剂选择
根据光敏材料的性质，选择合适的显影剂。
蚀刻设备
1 2
蚀刻设备
用于对硅片进行蚀刻处理，形成电路和图形。
蚀刻方式
可以采用化学蚀刻、物理蚀刻等方式。
技术挑战
光刻机精度要求高
黄光制程需要高精度的光刻机，以确保图案的精确复制和加工。
制程控制难度大
黄光制程涉及多种材料和复杂的化学反应，对制程参数和环境条件 要求极高，控制难度较大。
设备维护与升级成本高
黄光制程设备昂贵且维护成本高，同时随着技术更新换代，设备升 级也面临较大压力。
环境影响与可持续发展
特点
黄光制程具有高精度、高稳定性和高效率的特点。在微电子、精密机械、光学 等领域中，黄光制程广泛应用于表面处理、光刻、曝光等关键工艺环节。
黄光制程的重要性
提高产品质量
黄光制程能够有效地提高产品的质量和性能，降低不良率，提高 生产效率。
满足高精度需求
随着科技的发展，产品对精度的要求越来越高，黄光制程能够满足 高精度、高稳定性的制造需求。
03
聚酯
聚酯是一种常用的高分子材料，具有良好的透明性和机械性能，常用于
制造中低端光掩膜和光刻胶。
光敏材料
光敏材料
光敏材料是黄光制程中的核心材料之一，用于制造光掩膜和光刻胶。它们在受到特定波长 的光线照射后，会发生化学反应，从而产生交联或降解等变化。
光刻胶
光刻胶是光敏材料的一种，分为正性胶和负性胶两种类型。正性胶在受到光线照射后会变 得可溶，而负性胶则会变得不溶。它们在光刻工艺中起到关键的作用。
黄光制程工艺流程
总 流 程 图
2
Glass BM制程 ITO1制程 OC1制程 ITO2制程 MAM制程 OC2制程
黄光制程：通过对涂覆在玻璃表面的光敏性物 质(又称为光刻胶或光阻)，经曝光、显影后留 下的部分对底层起保护作用，然后进行蚀刻脱 膜并最终获得永久性图形的过程。
3
制 程 流 程
4
Glass Clean Sputter Clean IR/UV/CP
EXPO
Exposure
16
曝光波长：i线（365nm）， h线（405nm）， g线（436nm）。
Mask：也叫掩膜板。电路图即是通过曝光从 Mask上转移到玻璃上。
高压汞灯发光原理：在真空的石英管中加入 定量的高纯汞，通过对两端电极提供高电压 差，产生高热，将汞汽化，汞蒸气在高电位 差下，受激发而放电，从而产生紫外线辐射。 内部的卤素元素，就有催化及保护的功用。
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BM&OC1用的是Inkjet印刷，而OC2用的是APR凸版 印刷。
Pre-bake
Pre-Bake
Pre-Bake ：也叫soft bake。将光阻中的大部 分有机溶剂烘烤到4%~7%，使原本液态的光 阻固化。
主要控制参数:烘烤时间，烘烤温度，烘烤 热板Pin高度。 主要品质异常：玻璃受热不均，使光阻局部 过烤或烘烤不足，造成后续的显影不净或显 影过显。
主要控制参数：Roller的前挤量及下压量，涂布速度，
抽泵频率，抽泵强度。
主要参考参数：膜层厚度(属过渡光阻,膜厚1.4~2.3um)，
膜层均匀性。
主要品质异常：涂布针孔、涂布箭影。
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CT
Coating
Coater一般分为Roll Coater，Slit Coater，Spin
黄光工艺介绍-20121230
批附光阻
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UV光源 光罩图案 PR 光阻 ITO film 基材
UV通过光罩上的图案，照射到 光阻膜上去，制出光阻图案 （PR被UV照射后，发生化学变 化，但是物理形态没有变化，所 以生成的光阻图案肉眼不可见） 碱性溶液中，在光阻膜上形成与 光罩图案相同或者互补的光阻图 案 酸性溶液中，未被光阻图案遮 挡住的ITO被溶解，形成ITO图 案 酸性溶液中清晰掉光阻图案， 保留ITO图案。Sensor制作完 成
曝 光
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光阻图案 ITO film 基材 光阻图案 5 ITO 图案 基材 ITO 图案 基材
显 影
蚀 刻
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褪光阻
4.黄光制程与传统制程的优劣1-流程
耐酸 印刷 制程
黄光 制程
镭雕 制程
Remark：黄光制程与耐酸制程工艺的对比主要是用干膜代替了耐酸印刷制程，后续工站相同。
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力 耐酸印刷制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 耐酸印 刷制程 0.3*0.3 mm 明显 印刷容 易扩散 设计图 形简单 0.1mm 评判
黄光制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 黄光制 程 40*4 0um 无 无 设计图 形可以 更复杂 ，性能 强大 40um 评判 好 好 较好
曝光前
Mask光罩
曝光后
PR 光阻 ITO film 未被mask遮挡的PR曝 光后变成不溶于碱的物 质，形成负性光阻图案 未被mask遮挡的PR曝 光后变成溶于碱的物 质，形成正性光阻图案
3、黄光制程的流程
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ITO 基材 基材退火
ITO缩水 压干膜
PR 光阻 ITO 基材
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2020/4/9
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Fangxing Confidential and Proprietary Information
Clean
Cleaning
Glass Cleaning：去除玻璃表面的脏污、油污等， 使玻璃表面清洁，以保证后续光阻的涂布效果 及结合力。
主要控制参数：清洗液浓度，清洗速度，脱脂 毛刷压入量。
CT
Coating
2020/4/9
Coater一般分为Roll Coater，Slit Coater，Spin Coater。我 们公司用的是Roller。我们公司的BM&OC1用的是Inkjet印 刷，而OC2用的是APR凸版印刷。
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Fangxing Confidential and Proprietary Information
ITO (Indium Tin Oxide):是一种N类型的宽能隙的半导
体，具有高透光率及导电性，因此相当符合应用于同样 需高透光率及导电性的显示屏等相关产品材料上。 ITO能吸收空气中的CO2和H2O而发生“霉变”，需防潮。 ITO层在活性正价离子溶液中易产生离子置换反应，形成其 它导电和透过率不佳的反应物质，所以在加工过程中， 应尽量避免长时间放在活性正价离子溶液中。
2020/4/9
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Fangxing Confidential and Proprietary Information
Clean
Cleaning
成膜前清洗流程：入料→液切→洗涤剂喷淋→ 洗涤剂刷洗→液切→冲洗→纯水刷洗→高压喷 淋→中压喷淋→二流体喷淋→末端DI水喷淋→ 风刀吹干→出料
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EXPO
Exposure
2020/4/9
Exposure：此步骤是黄光制程中的关键所在， 通过曝光，使受到光照的部分光阻溶解于显 影液的速度异于未曝光的那部分光阻，从而 达到转移光罩上图形的过程。曝光方式有三 种：接触式、接近式和投影式。其中投影式 又分scan和step。我们公司采用的曝光方式为 接近式，曝光GAP值 一般为100~250μm。 主要控制参数：曝光能量，曝光GAP，曝光 机plate stage温度。 主要品质异常：曝光偏移，固定光阻残留异 常，过曝。
Pre-bake
Pre-Bake
Pre-Bake ：也叫soft bake。将光阻中的大部 分有机溶剂烘烤到4%~7%，使原本液态的光 阻固化。
主要控制参数:烘烤时间，烘烤温度，烘烤 热板Pin高度。 主要品质异常：玻璃受热不均，使光阻局部 过烤或烘烤不足，造成后续的显影不净或显 影过显。
2020/4/9
Glass Clean Sputter Clean IR/UV/CP
CT
Strip Etch Post-bake Dev Expo Pre-bake
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Glass
Glass
素玻璃经过清洗、烘烤后进入真空室进行 溅镀ITO/MAM。
主要参考参数：镀膜厚度，膜层附着力。
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Clean
Cleaning
Glass Cleaning：去除玻璃表面的脏污、油污等， 使玻璃表面清洁，以保证后续光阻的涂布效果 及结合力。
主要控制参数：清洗液浓度，清洗速度，脱脂 毛刷压入量。
CT
Coating
Coating：在玻璃正面均匀的涂上一层感光物质——光
阻。
光阻(Photo resist，简称PR)：光阻是利用材料光化
学反应进行图形转移的媒体，有正性光阻和负性光阻之分。 正性光阻经过紫外曝光后，被曝光的区域发生光分解或降 解反应，使性质发生变化优先溶于正性显影液，未曝光的 部分则被保留形成正型图形。负性光阻的性质正好与之相 反，是未被曝光的部分溶于负性显影液中。
主要控制参数：Roller的前挤量及下压量，涂布速度，
抽泵频率，抽泵强度。
主要参考参数：膜层厚度(属过渡光阻,膜厚1.4~2.3um)，
膜层均匀性。
主要品质异常：涂布针孔、涂布箭影。
2020/4/9
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IR/UV/CP
IR UV CP
IR：高温烘干玻璃表面水分。 UV：去除玻璃的表面的有机物，使玻 璃被进一步清洁。
CP：将玻璃温度冷却至室温。 主要控制参数：IR温度，传导速度。
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2020/4/9
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Clean
Cleaning
清洗流程：入料→液切→洗涤剂喷淋→洗涤剂 刷洗→液切→冲洗→纯水刷洗→高压喷淋→中 压喷淋→二流体喷淋→末端DI水喷淋→风刀吹 干→出料
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Sputter
Sputter
2020/4/9
溅镀原理：靶材接阴极，玻璃接正极或接地，导入氩气。
电子在电场的作用下加速飞向玻璃的过程中与Ar原子发 生碰撞，电离出大量的Ar+和e-，形成等离子体(电浆)。 Ar+在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材 原子，呈中性的靶原子(或分子)玻璃沉积成膜。
黄光制程：通过对涂覆在玻璃表面的光敏 性物质(又称为光刻胶或光阻)，经曝光、 显影后留下的部分对底层起保护作用，然 后进行蚀刻脱膜并最终获得永久性图形的 过程。
2020/4/9
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
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制 程 流 程
2020/4/9
黄光制程
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总 流 程 图
2020/4/9
Glass BM制程 ITO1制程 OC1制程 ITO2制程 MAM制程 OC2制程
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