黄光制程工艺流程

主要参考参数：镀膜厚度，膜层附着力。
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Clean
Cleaning
Glass Cleaning：去除玻璃表面的脏污、油污等， 使玻璃表面清洁，以保证后续光阻的涂布效果 及结合力。
主要控制参数：清洗液浓度，清洗速度，脱脂 毛刷压入量。
CT
Coating
Coating：在玻璃正面均匀的涂上一层感光物质——光
阻。
光阻(Photo resist，简称PR)：光阻是利用材料光化
学反应进行图形转移的媒体，有正性光阻和负性光阻之分。 正性光阻经过紫外曝光后，被曝光的区域发生光分解或降 解反应，使性质发生变化优先溶于正性显影液，未曝光的 部分则被保留形成正型图形。负性光阻的性质正好与之相 反，是未被曝光的部分溶于负性显影液中。
主要控制参数：Roller的前挤量及下压量，涂布速度，
抽泵频率，抽泵强度。
主要参考参数：膜层厚度(属过渡光阻,膜厚1.4~2.3um)，
膜层均匀性。
主要品质异常：涂布针孔、涂布箭影。
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Clean
Cleaning
清洗流程：入料→液切→洗涤剂喷淋→洗涤剂 刷洗→液切→冲洗→纯水刷洗→高压喷淋→中 压喷淋→二流体喷淋→末端DI水喷淋→风刀吹 干→出料
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Clean
Cleaning
Glass Cleaning：去除玻璃表面的脏污、油污等， 使玻璃表面清洁，以保证后续光阻的涂布效果 及结合力。
主要控制参数：清洗液浓度，清洗速度，脱脂 毛刷压入量。
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EXPO
Exposure
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Exposure：此步骤是黄光制程中的关键所在， 通过曝光，使受到光照的部分光阻溶解于显 影液的速度异于未曝光的那部分光阻，从而 达到转移光罩上图形的过程。曝光方式有三 种：接触式、接近式和投影式。其中投影式 又分scan和step。我们公司采用的曝光方式为 接近式，曝光GAP值 一般为100~250μm。 主要控制参数：曝光能量，曝光GAP，曝光 机plate stage温度。 主要品质异常：曝光偏移，固定光阻残留异 常，过曝。
黄光制程：通过对涂覆在玻璃表面的光敏 性物质(又称为光刻胶或光阻)，经曝光、 显影后留下的部分对底层起保护作用，然 后进行蚀刻脱膜并最终获得永久性图形的 过程。
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制 程 流 程
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CT
Coating
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Coater一般分为Roll Coater，Slit Coater，Spin Coater。我 们公司用的是Roller。我们公司的BM&OC1用的是Inkjet印 刷，而OC2用的是APR凸版印刷。
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ITO (Indium Tin Oxide):是一种N类型的宽能隙的半导
体，具有高透光率及导电性，因此相当符合应用于同样 需高透光率及导电性的显示屏等相关产品材料上。 ITO能吸收空气中的CO2和H2O而发生“霉变”，需防潮。 ITO层在活性正价离子溶液中易产生离子置换反应，形成其 它导电和透过率不佳的反应物质，所以在加工过程中， 应尽量避免长时间放在活性正价离子溶液中。
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Sputter
Sputter
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溅镀原理：靶材接阴极，玻璃接正极或接地，导入氩气。
电子在电场的作用下加速飞向玻璃的过程中与Ar原子发 生碰撞，电离出大量的Ar+和e-，形成等离子体(电浆)。 Ar+在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材 原子，呈中性的靶原子(或分子)玻璃沉积成膜。
黄光制程
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总 流 程 图
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Glass BM制程 ITO1制程 OC1制程 ITO2制程 MAM制程 OC2制程
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Pre-bake
Pre-Bake
Pre-Bake ：也叫soft bake。将光阻中的大部 分有机溶剂烘烤到4%~7%，使原本液态的光 阻固化。
主要控制参数:烘烤时间，烘烤温度，烘烤 热板Pin高度。 主要品质异常：玻璃受热不均，使光阻局部 过烤或烘烤不足，造成后续的显影不净或显 影过显。
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Clean
Cleaning
成膜前清洗流程：入料→液切→洗涤剂喷淋→ 洗涤剂刷洗→液切→冲洗→纯水刷洗→高压喷 淋→中压喷淋→二流体喷淋→末端DI水喷淋→ 风刀吹干→出料
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IR/UV/CP
IR UV CP
IR：高温烘干玻璃表面水分。 UV：去除玻璃的表面的有机物，使玻 璃被进一步清洁。
CP：将玻璃温度冷却至室温。 主要控制参数：IR温度，传导速度。
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Glass Clean Sputter Clean IR/UV/CP
CT
Strip Etch Post-bake Dev Expo Pre-bake
4源自文库
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Glass
Glass
素玻璃经过清洗、烘烤后进入真空室进行 溅镀ITO/MAM。