CF黄光工艺说明(1)
黄光制程工艺流程
1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形行成固体的PR层4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。
7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。
8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥1. PR前清洗A.清洗：指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。
清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。
（风切是关键）B.干燥：因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。
这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。
因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。
目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。
但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N，温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡／n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。
黄光制程工艺流程
黄光制程工艺流程黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程，它主要用于芯片制造中的光刻步骤。
光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。
在黄光制程中，光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。
下面是关于详细的描述，以帮助读者更好地理解这个过程。
第一步：准备光罩首先，我们需要准备好用于光刻的光罩。
光罩是一种具有所需图案的透明薄片，其材料通常是玻璃或石英。
光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。
光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。
第二步：准备硅片准备好待加工的硅片。
这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。
在准备硅片时，必须确保其表面平整且干净，以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。
第三步：涂覆光刻胶将硅片放置在旋涂机上，然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。
光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀，并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。
涂覆光刻胶后，通常使用烘烤等方法进行固化，以确保光刻胶的性能和稳定性。
第四步：对齐和曝光将准备好的光罩放置在光刻机上，并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。
通过微调光罩和硅片的位置，确保图案的精确对齐。
然后，使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射，以将图案转移到光刻胶上。
照射时间和强度的控制非常重要，可影响芯片的精度和分辨率。
第五步：显影曝光后，将硅片放入显影机中进行显影。
显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉，从而暴露出硅片上的图案。
显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。
第六步：清洗将经过显影的硅片进行清洗，去除残余的光刻胶和显影液。
清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术，以确保芯片表面的干净和平整。
第七步：检验和测量对清洗过的芯片进行检验和测量。
这可以包括检查图案的完整性和准确性，以及芯片上不同部分的厚度、尺寸和形状等参数的测量。
第八步：后续处理根据芯片的具体用途，可能需要进行一些附加的工艺步骤，如沉积金属层、刻蚀等等。
黄光生产工艺流程详解和注意事项
黄光生产工艺流程详解和注意事项下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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黄光工艺流程
黄光工艺流程
《黄光工艺流程》
黄光工艺是一种常用的光刻工艺，主要用于半导体器件制造。
它通过使用紫外线光源和光刻胶来将图案投射到硅片上，形成微米级别的结构。
黄光工艺的流程可以分为几个主要步骤。
首先，将硅片进行表面清洁处理，以确保光刻胶可以均匀地附着在硅片上。
接下来，将光刻胶涂覆在硅片表面，然后使用旋转涂覆机将光刻胶均匀地分布在整个表面。
一旦光刻胶涂覆完成，需要将硅片置于紫外线光源下。
通过光刻胶上的光掩模，紫外线光源可以将图案投射到硅片表面。
这个过程是非常精密的，精细的图案需要准确地投射到硅片上。
经过光刻曝光之后，硅片需要进行显影处理。
这一步是将硅片浸泡在显影液中，以去除未曝光的光刻胶。
这样就可以形成所需的图案结构。
最后，需要对硅片进行清洗、干燥和固化处理，以确保光刻胶牢固地附着在硅片上，并且形成微米级别的结构。
完成这些步骤之后，硅片就可以用于半导体器件的制造了。
总的来说，黄光工艺流程是一种复杂且精密的制造工艺，它为微电子器件的制造提供了重要的工艺支撑。
随着技术的不断发
展，黄光工艺也在不断地完善和创新，为半导体工业的发展做出了重要贡献。
黄光制程介绍
100
NA
NA
1000
7
NA
10000
70
NA 100000 700
我們的無塵室規格
❖落塵量 ：每一立方英尺的空間裡直 徑0.5微米的灰塵或顆粒 數目小於10000個. （10000級）
❖溫 度 ： 21℃－25℃ ❖溼 度 ： 相對溼度 50﹪－70﹪ ❖靜電限制： 低於100 伏特
10/22
干膜光阻
3/21
模版式 移印式 印刷式 黃光轉移
通過干膜的光照反 應、化學反應發生 分解，達成非接觸
式轉移圖形
制程簡介
表面清潔
4/22
壓膜 去膜
曝光 顯 影
蝕刻
黃光區域
黃光燈：由于感光性的原料，對紫外光或可見 光敏感，如果采用含紫外線的普通白光燈照明 ，結果是電阻圖形邊緣模糊，從而降低產品的 質量，所以必須使用防紫外線燈，目前我們使 用的燈波長是大于365nm.
Hale Waihona Puke 黃光制程介紹前言黃光制程是通對涂覆在物件表面的光敏 性物質（又稱光刻膠或光阻），經曝光、顯 影后留下的部份對底層起保護作用，然后進 行蝕刻去膜，最終獲得永久性圖形的過程。
1/22
目錄
❖ 制程簡介 ❖ 黃光區域 ❖ 無塵室 ❖ 干膜光阻
2/22
❖ 曝光 ❖ 顯影 ❖ 蝕刻 ❖ 去膜
制程簡介
圖 形 轉 移 技 術
2 表示正在品質驗證的阻值
MS生產設備
21/22
小結
黃光制程是一種產品制造技術，并不 限于生產一種產品，目前的認知是可以在 平面物件上做出圖形，可以將銅合金制作 成需要的形狀，各制程如有新品的試制可 以采用。
23 22/22
12/22
CF(彩色滤光片)制造工艺
彩色濾光片製程
彩色滤光片制程图示
ITO透明导电层作用
Photo spacer 简介
參考資料
• TFT LCD产品介绍byAlbert Tu. • TFT LCF介绍by 林至成. • 网 • • • •
站:.tw/scteach/diff/wordlin k.htm .tw/scteach/diff/index.html .tw/ / /home/superguitarist/i ndexall.htm
18
1.偏振片 2.玻璃基板 3.公共电极 4.取向层 5.封框胶 6.液晶 7.隔垫物 8.保护层 9.ITO像素电极 10.栅绝缘层 11.存贮电容底电极 12.TFT漏电极 13.TFT柵电极 14.有机半导体有源层 15.TFT源电极及引线 16.各向异性导电胶（ACF）17.TCP 18.驱动IC 19.印刷电路板（PCB）20.控制IC 21.黑矩阵（BM）22. 彩膜（CF）
彩色滤光片制程图示ito透明导电层作用photospacer简介tftlcd产品介绍byalberttu
为什么这个画面是彩色的??? 这彩色的画面的背后功臣是谁???
液晶显示器件的基本结构
7 1 2 21 3 22 4 5 6 20 17 4 8 9 10 2 16 19 15 14 13 12 11 1
液晶屏剖面图
Hale Waihona Puke TFT LCD各结构功能• 背光板模块:提供光的来源. • 上下偏光板,TFTglasssubstrate.液晶:形成偏振光,
控制光线的通过与否. • 彩色滤光片:提供TFTLCD红,绿,蓝(光的三原色) 的来源. • ITO透明导电层:提供透明的导电通路. • Photo spacer:提供一固定高度给彩色滤光片和 TFTglasssubstrate.做为灌入液晶时的空间.及作 为一上下两层glass之支撑.
触摸屏生产工艺核心技术之黄光工艺
整个制程的相关示意图-2
ITO和Metal制程仍需继 续进行以下几步：
蝕刻
剝膜
檢查
Process flow ITO Patterning Flow
ITO Patterning
Glass Cleaning IR/UV/CP PR Coating Pre-Bake Pattern Exposure
工艺流程
Sensor
有一种东西叫： ITO 透明导电材料 PI 光阻绝缘层
Metal
Mo/Al/Mo结构
1.任何触控屏，要对Touch这个动作作出反应，必须对触摸点进行定位； 2.TPK产品是一个二维平板，需要X和Y两个坐标进行定位； 3.TPK产品属于（投射型）电容式触控屏，感应电容触摸屏检测到的触摸位置对 应于感应到最大电容变化值的交叉点，对于X轴或Y轴来说，则是对不同ITO模块 的信号量取加权平均得到位置量，系统然后在触摸屏下面的LCD上显示出触摸点 或轨迹。
Developing Back side PR Coating
Stripping
Etching
Post-Bake
PI / Organic Patterning Flow
PI Patterning
Glass re-Bake
Pattern Exposure
14
蚀刻SiO2
谢谢！
中国触摸屏网（)
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5 6 7 8
常用药液：接上
序号 9 Metal 剥膜液 项目 NMP溶液/3316剥膜液 备注
露光(黄光)制程介绍
正型光阻
Original
曝光 (照光處)
顯影
長鏈(強壯)
裂解
曝光處—洗掉光阻
負型光阻
短鏈(弱)
聚合(Cross Link)
曝光處—光阻留著
光阻 光罩/底片
光阻
正負光阻Pattern說明
基板
基板
紫外線
曝光
負光阻 正光阻
基板
顯影後
基板
正光阻優點：高解析(解析能力3um)、負光阻(乾膜解析約15 um) 負光阻優點：便宜
➢光阻不被反應 ➢人員作業安全 黃光--最佳作業光源
光阻吸收光譜
以乾膜吸收為例： 乾膜-1
最易感光範圍-310 nm
安全範圍-450nm
乾膜-2
最易感光範圍-360 nm 安全範圍-460nm
乾膜-3
➢簡單來說：
最易感光範圍-310、355 nm 安全範圍-470nm
光阻於波長500nm以下會產生 反應(Cross- Link)
Holding 30 mins(使曝光後之乾膜聚合完全)
壓膜 (乾膜貼附於Film上)
曝光 (將Pattern轉移至乾膜上)
顯影 (將未曝光乾膜洗掉)
2天內須完成曝光(乾膜易變質)
1天內須完成顯影(乾膜易顯影不良)
曝光機型式
1.接觸式曝光機(Contact Mode) 備註：三廠、越南、惠州、一廠皆為接觸式
最簡單的設備 價格便宜(台幣1500萬) 解析力:約20um(500x500 mm) 對位精度：20um(500x500 mm) 光罩(底片)與產品直接接觸 缺點：光罩易受損、髒汙
14
鄰接式曝光機(Proximity Mode)
黄光制程工艺流程
根据光敏材料的性质，选择合适的光 源波长和功率。
显影设备
显影设备
用于将光固化后的膜进行显影，去除未固化的材 料。
显影方式
可以采用浸泡显影、喷淋显影等方式。
显影剂选择
根据光敏材料的性质，选择合适的显影剂。
蚀刻设备
1 2
蚀刻设备
用于对硅片进行蚀刻处理，形成电路和图形。
蚀刻方式
可以采用化学蚀刻、物理蚀刻等方式。
技术挑战
光刻机精度要求高
黄光制程需要高精度的光刻机，以确保图案的精确复制和加工。
制程控制难度大
黄光制程涉及多种材料和复杂的化学反应，对制程参数和环境条件 要求极高，控制难度较大。
设备维护与升级成本高
黄光制程设备昂贵且维护成本高，同时随着技术更新换代，设备升 级也面临较大压力。
环境影响与可持续发展
特点
黄光制程具有高精度、高稳定性和高效率的特点。在微电子、精密机械、光学 等领域中，黄光制程广泛应用于表面处理、光刻、曝光等关键工艺环节。
黄光制程的重要性
提高产品质量
黄光制程能够有效地提高产品的质量和性能，降低不良率，提高 生产效率。
满足高精度需求
随着科技的发展，产品对精度的要求越来越高，黄光制程能够满足 高精度、高稳定性的制造需求。
03
聚酯
聚酯是一种常用的高分子材料，具有良好的透明性和机械性能，常用于
制造中低端光掩膜和光刻胶。
光敏材料
光敏材料
光敏材料是黄光制程中的核心材料之一，用于制造光掩膜和光刻胶。它们在受到特定波长 的光线照射后，会发生化学反应，从而产生交联或降解等变化。
光刻胶
光刻胶是光敏材料的一种，分为正性胶和负性胶两种类型。正性胶在受到光线照射后会变 得可溶，而负性胶则会变得不溶。它们在光刻工艺中起到关键的作用。
黄光制造部工艺流程培训
黄光制造部工艺流程应知应会手册一、黄光各结构产品工艺流程1.1 MITO结构1.1.1单层1.1.2双层1.2 ITO+AG结构1.2.1单层1.2.2双层1.3 跳线结构二、各工序技术解析2.1老化工序2.1.1原理ITO 膜通过高温烘烤排除ITO 膜中所含水份、气体，进一步调整基材内部的原子位置和分子结构，消除各种材料内部的和各种材料相互之间的物理应力，降低材料方阻，和后续的生产加工过程中及产品使用过程中，得到更稳定的物理尺寸、化学性能。
2.1.2 ITO导电膜1）常见ITO有高阻值膜（老化后表面方阻400±100欧姆）和低阻值膜（老化后表面方阻150±50欧姆），厚度50um、125um、175um。
现我司使用方阻为150±50欧姆，厚度为50um和125um。
2）ITO膜主要由PET（背面保护）、Back coating层（硬化）、Polyethyleneterephthalate 层（基材）、Under coating层（消影）、ITO层组成。
图2.1 ITO导电膜结构示意图3）材料基本性能表2.1 材料基本性能2.1.3管控重点1）参数管控①老化温度：ITO膜通过高温烘烤，若温度高时，材料变形；温度偏低或老化时间短，材料不能充分调质，表面阻值达不到规格内；老化温度不均匀时，老化后材料表面阻值不均匀。
②老化时间：老化过程时间短，ITO表面不能充分调质，导致阻值不均匀。
2）生产管控①清洁：老化车间每天上班做好整个车间卫生清洁。
老化过程中，若有异物落到材料上，烘烤后会形成异物点或大的异物在材料表面卷绕后形成凹凸点(清洁频率1天/一次)。
2.1.4主要不良、缺陷表2.2 工艺不良及原因分析表2.2压膜工序2.2.1原理利用温度、压力将感光材料（光阻/干膜）与导电膜（ITO膜或铜膜）压合在一起。
2.2.2材料特性1）金属铜膜：主要由PET（背面保护）、Back coating层（硬化）、PET层（即Polyethyleneterephthalate层基材）、Under coating层（消影）、ITO层、Cu层、Cu-Ni-Ti 层（防氧化层）组成（图1），基本性能要求以现有日东材料TC150-O2FLC5为例，具体见表。
黄光工艺文档
黄光工艺1. 介绍黄光工艺（Golden Photolithography）是一种常用于集成电路制造过程中的生产工艺，主要用于芯片上的图案形成和微影扩大。
它是将光通过透镜传导到光刻胶上，通过光刻胶的化学反应将图案转移到硅片上的一种技术。
黄光工艺在现代芯片制造过程中起着重要的作用，它可以制造出高分辨率、高精度的微细图案，使得芯片性能得到提升。
本文将介绍黄光工艺的原理、步骤和应用。
2. 工艺步骤黄光工艺主要包括以下步骤： 1. 制备硅片：首先，需要选择适当纯度的硅片，并进行表面处理，以确保图案能够精准地转移到硅片上。
2. 涂覆光刻胶：将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面，形成一层厚度均匀的光刻胶薄膜。
3. 预烘烤：将涂覆有光刻胶的硅片进行预烘烤，使得光刻胶在硅片表面形成薄膜，并且排除其中的气泡。
4. 掩膜/曝光：在光刻胶表面放置一张掩膜，掩膜上有所需的图案，然后利用光刻机进行曝光，使得掩膜上的图案转移到光刻胶上。
5. 显影：将曝光后的硅片浸泡在显影液中，使得未曝光的光刻胶被溶解掉，形成所需的图案。
6. 清洗：清洗已经显影完毕的硅片，去除掉余下的光刻胶和显影液。
7. 退火：通过高温退火的过程，使得光刻胶更加牢固地附着在硅片上。
8. 重复以上步骤：根据需要，可以重复以上步骤，逐步形成复杂的图案。
3. 黄光工艺的原理黄光工艺的原理是利用光的作用，将图案转移到光刻胶上。
其基本原理如下：1. 光刻胶的感光性：光刻胶在曝光的过程中会发生化学反应，可被光的能量激发。
2. 掩膜的功能：掩膜上有所需的图案，它会在光的照射下，将图案投射到光刻胶上。
3. 光的传导：通过光刻机中的透镜和光源，使得光能被聚焦并传导到掩膜上。
4.显影液的作用：显影液能够溶解掉未经曝光的光刻胶，使得图案出现。
4. 应用领域黄光工艺广泛应用于集成电路制造、光电子器件制造、传感器制造等领域。
它可以高精度地制造出微细的芯片结构，实现更小、更快的集成电路和传感器等器件。
黄光工艺介绍-20121230
批附光阻
3
UV光源 光罩图案 PR 光阻 ITO film 基材
UV通过光罩上的图案，照射到 光阻膜上去，制出光阻图案 （PR被UV照射后，发生化学变 化，但是物理形态没有变化，所 以生成的光阻图案肉眼不可见） 碱性溶液中，在光阻膜上形成与 光罩图案相同或者互补的光阻图 案 酸性溶液中，未被光阻图案遮 挡住的ITO被溶解，形成ITO图 案 酸性溶液中清晰掉光阻图案， 保留ITO图案。Sensor制作完 成
曝 光
4
光阻图案 ITO film 基材 光阻图案 5 ITO 图案 基材 ITO 图案 基材
显 影
蚀 刻
6
褪光阻
4.黄光制程与传统制程的优劣1-流程
耐酸 印刷 制程
黄光 制程
镭雕 制程
Remark：黄光制程与耐酸制程工艺的对比主要是用干膜代替了耐酸印刷制程，后续工站相同。
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力 耐酸印刷制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 耐酸印 刷制程 0.3*0.3 mm 明显 印刷容 易扩散 设计图 形简单 0.1mm 评判
黄光制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 黄光制 程 40*4 0um 无 无 设计图 形可以 更复杂 ，性能 强大 40um 评判 好 好 较好
曝光前
Mask光罩
曝光后
PR 光阻 ITO film 未被mask遮挡的PR曝 光后变成不溶于碱的物 质，形成负性光阻图案 未被mask遮挡的PR曝 光后变成溶于碱的物 质，形成正性光阻图案
3、黄光制程的流程
1 2
ITO 基材 基材退火
ITO缩水 压干膜
PR 光阻 ITO 基材
黄光工艺介绍-20121230
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力 耐酸印刷制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 耐酸印 刷制程 0.3*0.3 mm 明显 印刷容 易扩散 设计图 形简单 0.1mm 评判
黄光制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 黄光制 程 40*4 0um 无 无 设计图 形可以 更复杂 ，性能 强大 40um 评判 好 好 较好
曝光前
Mask光罩
曝光后
PR 光阻 ITO film 未被mask遮挡的PR曝 光后变成不溶于碱的物 质，形成负性光阻图案 未被mask遮挡的PR曝 光后变成溶于碱的物 质，形成正性光阻图案
3、黄光制程的流程
1 2
ITO 基材 基材退火
ITO缩水 压干膜
PR 光阻 ITO 基材
2黄光制程的曝光原理黄光制程的曝光原理正负光阻正负光阻wwwsztoptouchcomuv光源mask光罩pritofilmmask光罩pritofilm曝光后曝光前未被mask遮挡的pr曝光后变成不溶于碱的物质形成负性光阻图案未被mask遮挡的pr曝光后变成溶于碱的物质形成正性光阻图案3黄光制程的流程黄光制程的流程基材光阻图案itofilmito基材pritouv光源光罩图案pritofilm基材基材光阻图案ito图案基材ito图案基材uv通过光罩上的图案照射到光阻膜上去制出光阻图案pr被uv照射后发生化学变化但是物理形态没有变化所以生成的光阻图案肉眼不可见碱性溶液中在光阻膜上形成与光罩图案相同或者互补的光阻图酸性溶液中未被光阻图案遮挡住的ito被溶解形成ito图酸性溶液中清晰掉光阻图案保留ito图案
4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力
制程类别 耐酸印刷制程 镭雕工艺 黄光制程 良率 98.5% 95% 99%以上 备注 容易受印刷品质的制约 ，容易扩散。 容易受ITO图案复杂性 影响 良率高不受其它影响
黄光制程工艺流程
SR
SR
Resist Thickness：光阻的厚度测量。
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Etch
Etching
Etching ：用强酸将玻璃中未受光阻保护的 那部分ITO腐蚀，留下所需图形的过程。 主要控制参数：蚀刻液浓度 ，蚀刻液温度，
蚀刻时间，喷淋压力。
主要品质异常：蚀刻不净，ITO过蚀，以及 由涂布异常而引起的蚀刻异常。
学反应进行图形转移的媒体，有正性光阻和负性光阻之分。 正性光阻经过紫外曝光后，被曝光的区域发生光分解或降 解反应，使性质发生变化优先溶于正性显影液，未曝光的 部分则被保留形成正型图形。负性光阻的性质正好与之相 反，是未被曝光的部分溶于负性显影液中。
主要控制参数：Roller的前挤量及下压量，涂布速度，
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Etch
Etching
蚀刻液：ITO我们用HNO3与HCl的混酸。MAM 我们用HNO3，H3PO4和HAc的混酸。
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Strip
Stripping
Stripping：有机溶液将玻璃上面的光阻除 去的过程。 主要控制参数：剥膜时间，剥膜液浓度。
主要参考参数：剥膜不净，光阻回黏，剥 膜药液残留。
itoito层在活性正价离子溶液中易产生离子置换反应形成其层在活性正价离子溶液中易产生离子置换反应形成其它导电和透过率不佳的反应物质所以在加工过程中它导电和透过率不佳的反应物质所以在加工过程中应尽量避免长时间放在活性正价离子溶液中应尽量避免长时间放在活性正价离子溶液中
黄光制程
Glass
BM制程
总
ITO1制程
电子在电场的作用下加速飞向玻璃的过程中与Ar原子发 生碰撞，电离出大量的Ar+和e-，形成等离子体(电浆)。 Ar+在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材 原子，呈中性的靶原子(或分子)玻璃沉积成膜。
黄光工艺讲解
Q Technology Limited.
光刻要求
4.大尺寸硅片的加工 提高了经济效益。 但是要在大面积的晶圆上实现均匀的胶膜 涂覆，均匀感光，均匀显影，比较困难。 高温会引起晶圆的形变，需要对周围环境 的温度控制要求十分严格，否则会影响光 刻质量。Leabharlann 昆山西钛微电子科技有限公司
Q Tech
Q Technology Limited.
光刻机
昆山西钛微电子科技有限公司
Q Tech
Q Technology Limited.
光刻机
接触式曝光 Contact printing
Mask P. R. SiO2
Si 优点：结构简单、产量高、成本低，光的衍射效应最小而 分辨率高，特征尺寸小。 主要缺点：容易造成掩模版和光刻胶的损伤。每一次接触 都有可能在掩模版和光刻胶上造成缺陷。
昆山西钛微电子科技有限公司
Q Tech
Q Technology Limited.
光刻机
接近式曝光－proximity printing
d= 10 ~ 25 μm
最小线宽: W= (dλ)1/2 d:间隔； λ：光源波长 分辨率取决于间隙的大小，一般分辨率较差， 为2－4µm
昆山西钛微电子科技有限公司
昆山西钛微电子科技有限公司
Q Tech
Q Technology Limited.
光刻初步
集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小， 也 与 光刻技术的进一步发展有密切的关系。 通常人们用特征尺寸来评价一个集成电路生产线的 技术水平。 所谓特征尺寸（CD：characteristic dimension） 是指设计的多晶硅栅长，它标志了器件工艺的总体 水平，是设计规则的主要部分。 通常我们所说的0.13m,0.09m工艺就是指的光刻 技术所能达到最小线条的工艺。
彩膜典型工艺流程
玻璃基板
抛光、前处理 Polishing Pre-cleaning
ห้องสมุดไป่ตู้
镀 ITO 层 R.G.B
抛光、前处理 Polishing Pre-cleaning
三 色 涂 布
曝光 Exposuring PS 层 显影 Developing 彩色滤光片 Colour Filter 去胶 Photoresist Removing
Black Matrix 形成
清洗 Cleaning
清洗 Cleaning
彩色滤光片（Colour Filter）的结构包含玻璃基板、黑色矩阵、彩色层、保 护膜及 ITO 导电膜，此光电组件是在透明玻璃基板上制作防反射的遮光层-黑色 矩阵（Black matrix），洗净后再进行光阻的涂布，先涂布红色彩色光阻后，经 曝光、显影、烘烤，形成红色滤光层，再依序制作形成具有透光性红、绿、蓝三 原色的彩色滤光膜层，然后溅射镀上透明的 ITO 导电膜，最后进行 PS 层。
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BM光阻涂布 GPR
曝光
RPR
显影
R光阻涂布
曝光
BPR
显影 O/C
G光阻涂布
ITO
曝光
显影
PS PR
B光阻涂布
曝光
显影
O/C
Sputtering
PS光阻涂布
曝光
显影
CF成品
1.2 COLOR FILTER 制法分类和工艺流程
ITEM
Main Process Condition
Control Item
NG
生产继续
生产停止，重新 制作首件
曝光机L stage 第2枚进入AOI
曝光机R stage 第2枚进入AOI
共
缺,Ove
rlay检
查
NG
共 缺,Ove rlay检
查 NG
OK
Coater追加投入
OK
曝光机L stage 第1枚进入Oven
Oven 后特性 值检查
OK
NG
生产继续
生产停止，重新 制作首件
黑矩阵 彩色层 保护层 ITO导电膜
偏光片 玻璃基板
配向膜
液晶层 玻璃基板
薄膜晶体管 偏光片
1.2 COLOR FILTER 制法分类和工艺流程
◆彩膜的制造工艺一般有染色法、电沉积法、印刷法、喷墨法和颜料分散法。各工艺的简单流程 如下
图所示：
ITO
Gelatin
Resist
感光性color Resist
曝光 显影 后烘 溅射
Gap；Dose； Temperature；
Chemical Type& Concentration: KOH, Na2CO3 ； Temperature；Time；
Temperature；Time；
Temperature；Pressure；Power；Vacuum level
性值一定是OK，即Oven前后的特性值管控标准需要换算对应。
2.3 RGB工程管控
生产中的工程管理： 工程管理
・生产条件・特性值的确认
工程条件表进行记录
・装置状态（流量・压力等）
始业点检
即使Process条件相同也会发生特性值异常
对材料・装置（或者人・方法）引起的可能性进行调查 （重点是变更点调查）
B、G、R-滤光, 彩色化
CF性能要求：
• 高的透过率和色纯度 • 高对比度 • 低反射率 • 高平整度 • 良好的耐受性
1.7 COLOR FILTER 基本特性值
1、CD
➢PS高及Size
Top size Dx Bottom size Dx
PS高
0.4μm 0.2μm
2、膜厚、段差
BM
ITO (0.15㎛)
H2
X : 18.75±3um
▶ PS 位置测定方法 利用 Review Image X50 测定目标
V1
V2
1.7 COLOR FILTER 基本特性值
2.1 RGB工程Flow
BM工程
基板洗浄 Resist Coat
HPCP 曝光 显影 Oven RGB重复
后工程
< Resist Coat > < 曝光 >
2.2 RGB产线基本结构以及设备结构
Coater
VCD
HPCP
采用Slit Nozzle、 涂布Resist
使用减压Chamber， 使Resist溶剤挥发
在Hot Plate上加热使其 干燥 ※业内某些厂商使用特定 PR胶可以不使用HPCP
2.2 RGB产线基本结构以及设备结构
Resist涂布基板
涂布机投入5片
NG
OK
人眼确
认涂布
状态
OK
第1,2,3,4枚进入 曝光机曝光
第5枚进行膜厚测定及自 动Mura检测
调整对应 后涂布投
入 NG
工程条 件卡
曝光机L stage 进入2枚对位曝
光
OK
曝光机R stage 进入2枚对位曝
光
曝光机L stage 第一枚进入 Oven
Oven 后特性 值检查
OK
CF黃光工藝說明（1）
——RGB 工藝介紹
CONTENTS
1.彩膜知识基本介绍
1.1 COLOR FILTER 的基本原理和结构
1.2 COLOR FILTER 制法分类和工艺 流程
1.3 COLOR FILTER 彩色化原理-标准光源 1.4 COLOR FILTER 彩色化原理-色度计算 1.5 COLOR FILTER 色度原理 1.6 COLOR FILTER 构成及性能指标 1.7 COLOR FILTER 基本特性值
ＵＶ
< 显影・Post Bake > Red
・通过Spinless Coater进行 Resist涂布
・利用曝光Mask进行 曝光・Patterning
・显影 去除未曝光部分的Resist
・Post Bake 促使Resist的彻底固化
通过反复Red ,Green , Blue形成 RGB Pattern
B
G
R
OC
ITO Etching
PS
Back
Байду номын сангаас
IPS
ITO
BM
B
G
R
OC
PS
FFS
Back ITO
BM
B
G
R
OC
PS
1.2 COLOR FILTER 制法分类和工艺流程
1.2 COLOR FILTER 制法分类和工艺流程
◆ TN模式的制造工艺是最基础的，下面详细介绍其工艺流程：
+PR PW
玻璃清洗
清洗 涂布光刻胶
前烘
Type: Brush， CJ，UV； Flow；Pressure；
Coating Type: Spin or Spin/Slit or Slit； Coating Speed ；
Temperature；Time；
Particle Number(粒子数) Film Thickness& Uniformity PR Stiffness（PR胶固化）
它社高精细品RGB首件流程
它社（Toppan）针对高精细品的 首件流程完善且风险完全可控， 值得借鉴。若制程能力可靠，也 可考虑做部分简化以提升产能
调整对应后
NG
涂布投入
NG NG
涂布机投入1片 涂布膜厚测定 涂布Mura检测 曝光前检测 涂布机追加投1片
调整对应后 涂布投入 NG
工程条件卡规格
OK Mura画像确认
hν hν
hν
染色法
电沉积法
印刷法
喷墨法
颜料分散法
1.2 COLOR FILTER 制法分类和工艺流程
◆各种制法的特点比较见下表。
比较项目
染色法
电沉积法
印刷法
喷墨法
着色剂 成膜膜厚 分辨率 色 特性 耐热性 耐光性
染料 1.0 ~ 2.5 ㎛
10~20 ㎛ 非常优秀
普通 普通
颜料 1.5 ~ 2.5 ㎛
1.4 COLOR FILTER 彩色化原理-色度计算
Light source
780
X k S () R() x()d
380
780
Y k S () R() y()d
380
780
Z k S () R() z()d
380
단, k
100
780
S () y()d
380
x
优秀 优秀 非常优秀 优秀 优秀 优秀
1.2 COLOR FILTER 制法分类和工艺流程
◆现在国际上被广泛使用的是颜料分散法。依据不同显示模式颜料分散法的 工艺流程也有所区别，见下表所示：
Mode
Process Flow Chart
TN
BM
B
G
R
ITO
PS
MVA
BM
B
G
R
ITO
Rib
PS
PVA
BM
Red
Green
Blue
2.2 RGB产线基本结构以及设备结构
UV洗浄
上 流 側
Brush洗浄
循环水洗浄
HJ洗浄
直接纯水洗浄
Air Knife
下 流 側
UV照射 ・除掉有机物 ・表面杂质
摩擦洗浄 （也会有使用洗涤剂的情况)
水洗 (去掉洗涤剂)
洗净机基本结构
高压Jet洗浄
纯水洗浄 (完成洗浄)
隔断水/干 燥
如果膜厚变化的话，色度随之变化
2.3 RGB工程管控—Overlap
标准工程条件（Process Parameter）的决定
・・・Resist Coat量、曝光量、显影时间等
生产时的调机 Coat、曝光、显影、Post Bake
膜厚・色度・线幅測定
位置精度确认
共同(Mask)缺陷确认
外观确认
NG的情况 进行调整
RGB式样确认
OK的情况下
生产开始
2.3 RGB工程管控
三者都OK,首件完成,生产 开始
2.3 RGB工程管控
快速首件益处
首件流程并行处理，充分利用统筹学原理，可以节约70%首件时间。
风险点
1.并行处理若首件失败，将会损失1-5枚基板； 2.Oven后特性值可能在生产开始后才会出量测结果，若NG，可能造成30-50s基板
损失。
风险防范措施
1.该快速首件流程应该在Coater , EXPO等设备制程稳定后再行实施，保证成功率； 2.进行Oven前后特性值对比测试，保证Oven前特性值确认OK的情况下Oven后特