黄光制程工艺流程

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黄光制程工艺流程

黄光制程工艺流程

1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法(磨刷喷洗)和化学的方法(去离子水DI 水和KOH)将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发,形行成固体的PR层4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面,使被照射部分的光刻胶发生反应5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去,保留未照射部分的光刻胶6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理,使光刻胶膜更加坚固。

7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去,这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。

8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去,将玻璃表面清洗干燥1. PR前清洗A.清洗:指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。

清洗方法是利用各种化学浓剂(KOH)和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用,或以磨刷喷洗等物理措施,使杂质从玻璃表面脱落,然后用大量的去离子水(DI水)冲洗,从而获得洁净的玻璃表面。

(风切是关键)B.干燥:因经过清洗后的玻璃,表面沾有水或有机浓剂等清洗液。

这样会对后续工序造成不良影响,特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。

因此,清洗后的玻璃必须经过干燥处理。

目前常采用的方法是烘干法,而是利用高温烘烤,使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程,此方法省时又省力。

但是如果水的纯度不变,空气净化等不多或干燥机温度不够,玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气,但在玻璃表面还会留下水珠,这种水珠将直接影响后续工序的产品质量C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N,温度为60±5℃,浸泡时间为2~3min/槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡/n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡,纯水温度为40±5℃,干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。

黄光制程_??????

黄光制程_??????

黄光制程
黄光制程(also known as黄色光刻技术)是一种微电子制程中常用的制造技术,它广泛应用于芯片制造和半导体工业。

黄光制程利用光刻和影像传输来定义微电子设备中的图案和结构。

黄光制程包括以下几个步骤:
1. 制备底片:将待制造的芯片涂覆在一个平坦的基片(通常是硅片)上。

2. 涂覆光刻胶:将光刻胶均匀涂覆在芯片上。

光刻胶可以在曝光后形成所需的图案。

3. 曝光:使用光刻机将芯片暴露在特定的光源下,光刻胶将在所暴露的区域发生化学反应。

4. 显影:用显影剂将未暴露的部分光刻胶去除,形成所需的图案。

5. 蚀刻:使用化学或物理的腐蚀方法去除裸露的芯片表面材料,形成所需的结构。

6. 清洗和检验:将芯片清洗干净并进行质量检验,以确保芯片制造的质量与要求相符。

黄光制程是制造集成电路和其他微电子器件的核心技术之一,它可以实现高精度和高分辨率的图案定义。

随着微电子技术的不断发展,黄光制程也在不断改进和演进,以满足日益复杂和精细的设备制造需求。

黄光工艺流程

黄光工艺流程

黄光工艺流程黄光工艺流程是指在半导体制造过程中,使用光照将光刻胶曝光到硅片或其他材料表面,然后通过化学处理和蚀刻来形成图形的一种工艺流程。

下面将详细介绍黄光工艺流程的步骤。

第一步是准备硅片。

将硅片清洗干净,并使用酸洗去除硅片表面的污染物。

然后,在硅片上涂覆一层光刻胶,通常是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。

第二步是光刻胶的曝光。

将硅片放入光刻机中,然后使用遮罩或掩膜来控制光照的位置和形状。

光刻机会使用紫外线或其他光源照射光刻胶,使其在受到光的作用下发生化学反应。

在曝光后,光刻胶的部分区域会发生化学变化,变得溶解性或不溶解性。

第三步是光刻胶的显影。

将曝光后的硅片放入显影剂中,显影剂会溶解或去除未曝光的光刻胶,而曝光后的光刻胶会保留下来。

根据需要,可以使用不同的显影剂,如碱性显影剂或酸性显影剂。

第四步是光刻胶的固化。

为了保护曝光后的光刻胶不受到污染或损害,可以使用紫外线照射或热处理来固化光刻胶。

固化后的光刻胶会变得更加耐久和稳定。

第五步是蚀刻。

将固化后的光刻胶保护住的部分区域暴露在蚀刻剂中,蚀刻剂会溶解或去除这些区域下的材料。

根据需要,可以使用不同的蚀刻剂,如湿法蚀刻剂或干法蚀刻剂。

蚀刻剂的选择取决于要制作的图形和所使用的材料。

第六步是去除光刻胶。

在完成蚀刻后,需要将剩余的光刻胶从硅片上去除。

这可以通过使用溶剂或清洗剂来实现,将硅片浸泡在其中,以溶解光刻胶并清洗硅片表面。

通过以上步骤,黄光工艺流程可以在硅片或其他材料上形成期望的图形。

这些图形可以用于制造微芯片、光学元件、显微镜、传感器等。

黄光工艺流程的精度和重复性较高,成本较低,因此在电子、光电子学和半导体工业中得到广泛应用。

总之,黄光工艺流程是一种通过曝光、显影、固化和蚀刻等步骤来制造精密图形的工艺流程。

这种工艺流程在半导体制造和其他领域具有重要的应用价值,可以实现微米级甚至纳米级的结构制造。

黄光玻璃生产流程及制程

黄光玻璃生产流程及制程

黄光玻璃生产流程及制程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。

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黄光制程工艺流程

黄光制程工艺流程

黄光制程工艺流程黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程,它主要用于芯片制造中的光刻步骤。

光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。

在黄光制程中,光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。

下面是关于详细的描述,以帮助读者更好地理解这个过程。

第一步:准备光罩首先,我们需要准备好用于光刻的光罩。

光罩是一种具有所需图案的透明薄片,其材料通常是玻璃或石英。

光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。

光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。

第二步:准备硅片准备好待加工的硅片。

这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。

在准备硅片时,必须确保其表面平整且干净,以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。

第三步:涂覆光刻胶将硅片放置在旋涂机上,然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。

光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀,并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。

涂覆光刻胶后,通常使用烘烤等方法进行固化,以确保光刻胶的性能和稳定性。

第四步:对齐和曝光将准备好的光罩放置在光刻机上,并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。

通过微调光罩和硅片的位置,确保图案的精确对齐。

然后,使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射,以将图案转移到光刻胶上。

照射时间和强度的控制非常重要,可影响芯片的精度和分辨率。

第五步:显影曝光后,将硅片放入显影机中进行显影。

显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉,从而暴露出硅片上的图案。

显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。

第六步:清洗将经过显影的硅片进行清洗,去除残余的光刻胶和显影液。

清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术,以确保芯片表面的干净和平整。

第七步:检验和测量对清洗过的芯片进行检验和测量。

这可以包括检查图案的完整性和准确性,以及芯片上不同部分的厚度、尺寸和形状等参数的测量。

第八步:后续处理根据芯片的具体用途,可能需要进行一些附加的工艺步骤,如沉积金属层、刻蚀等等。

黄光生产工艺流程详解和注意事项

黄光生产工艺流程详解和注意事项

黄光生产工艺流程详解和注意事项下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。

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黄光流程学习报告20130102

黄光流程学习报告20130102

学习报告
随着TP行业的激烈竞争,触摸屏技术不断更新和创新,黄光制造成为了目前TP行业不可或缺的技术之一。

以下是电容屏黄光制程工艺:
一、制造之定义
所谓制造,不仅是生产产品,而且含有以正常成本的费用、正常的使用工时及在所定的期限内,制出品质稳定、符合客户规格的产品。

二、工作职掌
1、人员管理、教育培训
2、机器设备保养
3、生产进度控制及调整
4、物料控制
5、效率改善
6、品质改善
7、安全管理
8、现场管理及改善
三、工艺流程图
PR前清洗→印刷背保→ DI清洗→ PR涂布

坚膜← 显影← UV曝光← PR固化

蚀刻→ 脱膜→ DI清洗
1、PR 前清洗
ITOGLASS 清洗指用物理的方法(磨刷喷洗)和化学的方法(去离子水DI 水和KOH)将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程。

2、PR 涂佈
指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶。

3、前烘
指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发,形成固体的PR 层。

4、曝光
指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面,使被照射部分的光刻胶发生反应。

5、显影
指用弱KOH 溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去,保留未照射部分的光刻胶。

6、坚膜
指将玻璃在径一次高温处理,使光刻胶膜更加坚固。

7、蚀刻
指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO 层除去,这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。

8、脱膜
指用较强的KOH 剥膜液将残留光刻胶除去,将玻璃表面清洗干燥。

2013年01月02日。

露光(黄光)制程介绍

露光(黄光)制程介绍
正行光阻種類(依狀態): 液態光阻 乾膜√
正型光阻
Original
曝光 (照光處)
顯影
長鏈(強壯)
裂解
曝光處—洗掉光阻
負型光阻
短鏈(弱)
聚合(Cross Link)
曝光處—光阻留著
光阻 光罩/底片
光阻
正負光阻Pattern說明
基板
基板
紫外線
曝光
負光阻 正光阻
基板
顯影後
基板
正光阻優點:高解析(解析能力3um)、負光阻(乾膜解析約15 um) 負光阻優點:便宜
2.鄰接式曝光機(Proximity Mode) 備註:適用油墨曝光、感光銀膠曝光、RBM曝光
3.投影式曝光機(Stepper) 備註:半導體、LCD、超細線路、超高解析、高對
位精度 4.LDI曝光系統(Laser Direct Imaging)
備註:無需光罩、高對位精度
12
曝光波長
曝光機感光光譜
I-Line H-Line G-Line
G-line: 436 nm H-line: 405 nm I-line: 365 nm
乾膜感光光譜 適合感光光譜365nm
➢每支乾膜需確認其感光範圍,再確認該乾膜 是否可適用於該曝光機。
➢一般曝光機為I、H、G Line共存or單一波長 I Line為主。
接觸式曝光機(Contact Mode)
底片製作說明-----RD、繪圖必知
底片組成:PET+藥膜 底片製作流程: 快速記憶PET上正型光阻+曝光+顯影
PET塗藥膜(正型光阻)雷射繪片(曝光)顯影乾燥 正片
底片構造
藥膜 PET
YLO出圖
For 正型光阻、印刷製程

黄光工艺介绍-20121230

黄光工艺介绍-20121230


4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力
制程类别 耐酸印刷制程 镭雕工艺 黄光制程 良率 98.5% 95% 99%以上 备注 容易受印刷品质的制约 ,容易扩散。 容易受ITO图案复杂性 影响 良率高不受其它影响
Remark: 黄光制程相对耐酸印刷制程良率较高。


镭雕制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 镭雕制 程 50*50u m 无 无 设计图 形不可 以更复 杂 50um 评判 较好 较好 较好
一般 一般 一般
是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度
一般
较好
பைடு நூலகம்
较好
一般
较好
较好
Remark:黄光制程采用干膜代替耐酸制程能力进一步提升,可以提升产品层次。 镭雕工艺有效率和爆点的问题,复杂ITO图案产品的批量性低。
曝 光
4
光阻图案 ITO film 基材 光阻图案 5 ITO 图案 基材 ITO 图案 基材
显 影
蚀 刻
6
褪光阻
4.黄光制程与传统制程的优劣1-流程
耐酸 印刷 制程
黄光 制程
镭雕 制程
Remark:黄光制程与耐酸制程工艺的对比主要是用干膜代替了耐酸印刷制程,后续工站相同。


5.黄光制程与传统制程CTQ—关键工序控制点
黄光工艺 Photo
1.设计:大片上制作专 用标准测试图案, 2.监控点:线距 1.拉力测试 2.有效导电粒子数 3.作业风险(下文专述)
工艺 CTQ
ITO图案间距
酸刻工艺 Wet etching
1.监控点:开短路测试 。ITO间距为PR制程8~10 倍,风险极低 1.拉力测试 2.有效导电粒子数

触摸屏生产工艺核心技术之黄光工艺

触摸屏生产工艺核心技术之黄光工艺

整个制程的相关示意图-2
ITO和Metal制程仍需继 续进行以下几步:
蝕刻
剝膜
檢查
Process flow ITO Patterning Flow
ITO Patterning
Glass Cleaning IR/UV/CP PR Coating Pre-Bake Pattern Exposure
工艺流程
Sensor
有一种东西叫: ITO 透明导电材料 PI 光阻绝缘层
Metal
Mo/Al/Mo结构
1.任何触控屏,要对Touch这个动作作出反应,必须对触摸点进行定位; 2.TPK产品是一个二维平板,需要X和Y两个坐标进行定位; 3.TPK产品属于(投射型)电容式触控屏,感应电容触摸屏检测到的触摸位置对 应于感应到最大电容变化值的交叉点,对于X轴或Y轴来说,则是对不同ITO模块 的信号量取加权平均得到位置量,系统然后在触摸屏下面的LCD上显示出触摸点 或轨迹。
Developing Back side PR Coating
Stripping
Etching
Post-Bake
PI / Organic Patterning Flow
PI Patterning
Glass re-Bake
Pattern Exposure
14
蚀刻SiO2
谢谢!
中国触摸屏网()
您下载的该触摸屏技术文档来自于中国触摸屏网( / ) What you are downloading are from China Touchscreen Site: ( / )
5 6 7 8
常用药液:接上
序号 9 Metal 剥膜液 项目 NMP溶液/3316剥膜液 备注

黄光制程工艺流程

黄光制程工艺流程

根据光敏材料的性质,选择合适的光 源波长和功率。
显影设备
显影设备
用于将光固化后的膜进行显影,去除未固化的材 料。
显影方式
可以采用浸泡显影、喷淋显影等方式。
显影剂选择
根据光敏材料的性质,选择合适的显影剂。
蚀刻设备
1 2
蚀刻设备
用于对硅片进行蚀刻处理,形成电路和图形。
蚀刻方式
可以采用化学蚀刻、物理蚀刻等方式。
技术挑战
光刻机精度要求高
黄光制程需要高精度的光刻机,以确保图案的精确复制和加工。
制程控制难度大
黄光制程涉及多种材料和复杂的化学反应,对制程参数和环境条件 要求极高,控制难度较大。
设备维护与升级成本高
黄光制程设备昂贵且维护成本高,同时随着技术更新换代,设备升 级也面临较大压力。
环境影响与可持续发展
特点
黄光制程具有高精度、高稳定性和高效率的特点。在微电子、精密机械、光学 等领域中,黄光制程广泛应用于表面处理、光刻、曝光等关键工艺环节。
黄光制程的重要性
提高产品质量
黄光制程能够有效地提高产品的质量和性能,降低不良率,提高 生产效率。
满足高精度需求
随着科技的发展,产品对精度的要求越来越高,黄光制程能够满足 高精度、高稳定性的制造需求。
03
聚酯
聚酯是一种常用的高分子材料,具有良好的透明性和机械性能,常用于
制造中低端光掩膜和光刻胶。
光敏材料
光敏材料
光敏材料是黄光制程中的核心材料之一,用于制造光掩膜和光刻胶。它们在受到特定波长 的光线照射后,会发生化学反应,从而产生交联或降解等变化。
光刻胶
光刻胶是光敏材料的一种,分为正性胶和负性胶两种类型。正性胶在受到光线照射后会变 得可溶,而负性胶则会变得不溶。它们在光刻工艺中起到关键的作用。

黄光制程工艺流程

黄光制程工艺流程
黄光制程
总 流 程 图
2
Glass BM制程 ITO1制程 OC1制程 ITO2制程 MAM制程 OC2制程
黄光制程:通过对涂覆在玻璃表面的光敏性物 质(又称为光刻胶或光阻),经曝光、显影后留 下的部分对底层起保护作用,然后进行蚀刻脱 膜并最终获得永久性图形的过程。
3
制 程 流 程
4
Glass Clean Sputter Clean IR/UV/CP
EXPO
Exposure
16
曝光波长:i线(365nm), h线(405nm), g线(436nm)。
Mask:也叫掩膜板。电路图即是通过曝光从 Mask上转移到玻璃上。
高压汞灯发光原理:在真空的石英管中加入 定量的高纯汞,通过对两端电极提供高电压 差,产生高热,将汞汽化,汞蒸气在高电位 差下,受激发而放电,从而产生紫外线辐射。 内部的卤素元素,就有催化及保护的功用。
13
BM&OC1用的是Inkjet印刷,而OC2用的是APR凸版 印刷。
Pre-bake
Pre-Bake
Pre-Bake :也叫soft bake。将光阻中的大部 分有机溶剂烘烤到4%~7%,使原本液态的光 阻固化。
主要控制参数:烘烤时间,烘烤温度,烘烤 热板Pin高度。 主要品质异常:玻璃受热不均,使光阻局部 过烤或烘烤不足,造成后续的显影不净或显 影过显。
主要控制参数:Roller的前挤量及下压量,涂布速度,
抽泵频率,抽泵强度。
主要参考参数:膜层厚度(属过渡光阻,膜厚1.4~2.3um),
膜层均匀性。
主要品质异常:涂布针孔、涂布箭影。
12
CT
Coating
Coater一般分为Roll Coater,Slit Coater,Spin

黄光工艺介绍-20121230

黄光工艺介绍-20121230

批附光阻
3
UV光源 光罩图案 PR 光阻 ITO film 基材
UV通过光罩上的图案,照射到 光阻膜上去,制出光阻图案 (PR被UV照射后,发生化学变 化,但是物理形态没有变化,所 以生成的光阻图案肉眼不可见) 碱性溶液中,在光阻膜上形成与 光罩图案相同或者互补的光阻图 案 酸性溶液中,未被光阻图案遮 挡住的ITO被溶解,形成ITO图 案 酸性溶液中清晰掉光阻图案, 保留ITO图案。Sensor制作完 成
曝 光
4
光阻图案 ITO film 基材 光阻图案 5 ITO 图案 基材 ITO 图案 基材
显 影
蚀 刻
6
褪光阻
4.黄光制程与传统制程的优劣1-流程
耐酸 印刷 制程
黄光 制程
镭雕 制程
Remark:黄光制程与耐酸制程工艺的对比主要是用干膜代替了耐酸印刷制程,后续工站相同。

4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力 耐酸印刷制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 耐酸印 刷制程 0.3*0.3 mm 明显 印刷容 易扩散 设计图 形简单 0.1mm 评判
黄光制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 黄光制 程 40*4 0um 无 无 设计图 形可以 更复杂 ,性能 强大 40um 评判 好 好 较好
曝光前
Mask光罩
曝光后
PR 光阻 ITO film 未被mask遮挡的PR曝 光后变成不溶于碱的物 质,形成负性光阻图案 未被mask遮挡的PR曝 光后变成溶于碱的物 质,形成正性光阻图案

3、黄光制程的流程
1 2
ITO 基材 基材退火
ITO缩水 压干膜
PR 光阻 ITO 基材

晶圆厂黄光工艺流程

晶圆厂黄光工艺流程

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oled 薄膜 黄光 阵列 工艺流程

oled 薄膜 黄光 阵列 工艺流程

oled 薄膜黄光阵列工艺流程
以下是OLED薄膜黄光阵列的工艺流程:
1. 基板清洗:将玻璃或塑料基板进行清洗,以去除表面的污垢和杂质。

2. 透明导电膜制备:在基板上涂覆一层透明导电材料,例如氧化锡或氧化铟锡。

3. 白色有机发光材料制备:制备一层白色有机发光层,这层层是OLED显示屏的一个重要组成部分。

4. 印刷黄色光栅:使用黄色光栅印刷技术,在白色有机发光材料上形成一个黄色的栅格。

5. 透明共层电极制备:在黄色光栅上涂覆一层透明电极材料,例如氧化锌。

6. 透明玻璃基板安装:将具有OLED结构的基板与透明玻璃基板粘合在一起。

7. 黄光曝光:使用精确的黄光曝光技术,通过光刻过程,在透明导电膜上形成一系列微小的电极结构。

8. 终端封装:将OLED结构的基板与其他组件(例如驱动电路和封装材料)封装在一起,形成完整的OLED显示屏。

这是OLED薄膜黄光阵列的基本工艺流程,实际流程可能因不同的制造商和产品而有所差异。

黄光制造部工艺流程培训

黄光制造部工艺流程培训

黄光制造部工艺流程应知应会手册一、黄光各结构产品工艺流程1.1 MITO结构1.1.1单层1.1.2双层1.2 ITO+AG结构1.2.1单层1.2.2双层1.3 跳线结构二、各工序技术解析2.1老化工序2.1.1原理ITO 膜通过高温烘烤排除ITO 膜中所含水份、气体,进一步调整基材内部的原子位置和分子结构,消除各种材料内部的和各种材料相互之间的物理应力,降低材料方阻,和后续的生产加工过程中及产品使用过程中,得到更稳定的物理尺寸、化学性能。

2.1.2 ITO导电膜1)常见ITO有高阻值膜(老化后表面方阻400±100欧姆)和低阻值膜(老化后表面方阻150±50欧姆),厚度50um、125um、175um。

现我司使用方阻为150±50欧姆,厚度为50um和125um。

2)ITO膜主要由PET(背面保护)、Back coating层(硬化)、Polyethyleneterephthalate 层(基材)、Under coating层(消影)、ITO层组成。

图2.1 ITO导电膜结构示意图3)材料基本性能表2.1 材料基本性能2.1.3管控重点1)参数管控①老化温度:ITO膜通过高温烘烤,若温度高时,材料变形;温度偏低或老化时间短,材料不能充分调质,表面阻值达不到规格内;老化温度不均匀时,老化后材料表面阻值不均匀。

②老化时间:老化过程时间短,ITO表面不能充分调质,导致阻值不均匀。

2)生产管控①清洁:老化车间每天上班做好整个车间卫生清洁。

老化过程中,若有异物落到材料上,烘烤后会形成异物点或大的异物在材料表面卷绕后形成凹凸点(清洁频率1天/一次)。

2.1.4主要不良、缺陷表2.2 工艺不良及原因分析表2.2压膜工序2.2.1原理利用温度、压力将感光材料(光阻/干膜)与导电膜(ITO膜或铜膜)压合在一起。

2.2.2材料特性1)金属铜膜:主要由PET(背面保护)、Back coating层(硬化)、PET层(即Polyethyleneterephthalate层基材)、Under coating层(消影)、ITO层、Cu层、Cu-Ni-Ti 层(防氧化层)组成(图1),基本性能要求以现有日东材料TC150-O2FLC5为例,具体见表。

电容屏ITO黄光制程工艺

电容屏ITO黄光制程工艺

电容屏ITO黄光制程工艺流程第一步:ITO GLASS参数规格:长宽:14*16 厚度:0.55,0.7,1.1规格:普通,钢化等,特性:AR(抗反射),AG(防眩光),AS(防水防污),AF(防指纹)等电容玻璃:安可,冠华,正达,正太等。

第二步:素玻璃参数规格:素玻璃:康宁,旭硝子等。

500*500规格第三步:清洗参数规格:1.将GLASS 表面的脏污,油污,杂质等去除并干燥。

2.将素玻璃表面的脏污,油污,杂质等去除并干燥,然后过镀膜线镀ITO 层形成GLASS。

第四步:背保丝印参数规格:膜厚:10-20μM,250-420 目聚酯网,此背保要求高,不能有一点脏污,油污,杂质等,要不回影响到在这面处理ITO 图案和银浆走线的附着力等。

日本朝日,丰阳等,热固型。

第五步:光刻胶整版丝印参数规格:膜厚:5-10μM,300-420 目聚酯网.需在温度20 度-25 度的范围和黄灯的环境下进行。

光刻胶:田菱THC-29(耐酸曝光显影型光刻胶)等。

第六步:前烘参数规格:让印有光刻胶的材料在一定的温度,时间下固化。

温度:80-90 度。

时间15-20 分钟。

第七步:曝光参数规格:通过紫外线和菲林的垂直照射,让光刻胶形成反应。

光能量:60-120MJ/C ㎡,时间:6-9s第八步:显影参数规格:用弱KOH 溶解液去除材料上被曝光过的光刻胶,留下没有曝光的光刻胶。

弱碱:0.05-0.2 MOL.温度:20±3 度,压力:0.02-0.05KG,速度:5.5±2.5M/MIN。

第九步:坚膜参数规格:让显影留下的光刻胶经高温处理,让光刻胶完全固化。

温度:120-150度,时间:20-30.第十步:蚀刻参数规格:酸度:3.5-6.5MOL,温度:45±5 度,压力:1-2KG,速度:0.8-1.5M/MIN。

碱度:0.5-0.8MOL,温度:35±5 度,压力:1-2KG,速度:1.5-3.5M/MIN。

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1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法(磨刷喷洗)和化学的方法(去离子水DI 水和KOH)将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发,形行成固体的PR层4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面,使被照射部分的光刻胶发生反应5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去,保留未照射部分的光刻胶6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理,使光刻胶膜更加坚固。

7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去,这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。

8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去,将玻璃表面清洗干燥1. PR前清洗A.清洗:指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。

清洗方法是利用各种化学浓剂(KOH)和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用,或以磨刷喷洗等物理措施,使杂质从玻璃表面脱落,然后用大量的去离子水(DI水)冲洗,从而获得洁净的玻璃表面。

(风切是关键)B.干燥:因经过清洗后的玻璃,表面沾有水或有机浓剂等清洗液。

这样会对后续工序造成不良影响,特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。

因此,清洗后的玻璃必须经过干燥处理。

目前常采用的方法是烘干法,而是利用高温烘烤,使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程,此方法省时又省力。

但是如果水的纯度不变,空气净化等不多或干燥机温度不够,玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气,但在玻璃表面还会留下水珠,这种水珠将直接影响后续工序的产品质量C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N,温度为60±5℃,浸泡时间为2~3min/槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡/n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡,纯水温度为40±5℃,干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。

注:玻璃清洗洁净度不够之改改善对策,适当加入少许KOH溶液,改变KOH,溶液,经常擦拭风切口,喷洗等处,亦可调态清洗机传动速度,将传速度减慢2.PR涂佈光刻是一种图像复印和化学腐蚀相结合的,综合性的精密表面加工技术。

光刻的目的就是按照产品的设计要求,在导电玻璃上覆盖感光胶。

A.光刻胶的配制光刻胶的性能与光刻胶的配比有关。

配比的选择原则是即要光刻胶是有良好的抗蚀能力,又要有较高的分辨率。

但两者往往是相互矛盾的,不能同时达到。

因此,必须根据不同的光刻对象和要求,选取不同的配比。

光刻胶的配制应在暗室(洁净度较高的房间)中进行。

用量筒按配方比例将原胶及溶剂分别量好,再将溶剂倒入原胶,用玻璃棒充分搅拌使之均匀混合,通常刚配制好的光刻胶中必然还存在少量因态物质微粒未能完全溶解,为把这部分未能溶解的固态物质微粒滤除,我们一般采用自然沉淀法进行过滤。

B.涂层为保证ITO层与光刻胶之间有良好的接触和粘附,清洗后的玻璃应立即送光刻工序进行涂胶。

如果玻璃搁置较久或者光刻返工,必须重洗在涂胶。

涂胶要求,粘附良好,均匀厚薄适当。

若胶膜太薄,针孔较多,则抗蚀能力差,胶膜太厚,则分辨率低。

涂胶方法采用旋转及车混涂法。

为保证胶膜质量,涂胶应在洁净无尘操作箱内进行。

涂胶机内温度应保持在20℃~25℃范围内,相对温度低于60%,涂胶要在黄灯照射条件下进行,以防止光刻胶露光失效C.前烘前烘的方法是在恒温的干燥箱中烘烤,具体情况视胶的种类和性质而定。

影响前烘质量的主要因素是温度和时间,烘烤不足(温度过低或时间太短),在胶膜与ITO交界面处,胶中的溶剂未充分挥发,曝光后形成浮胶或使图形变形。

烘烤过头(温度太高或时间太长),会导致胶膜翘曲硬化,形成不易溶于显影液中的薄膜而留下来,显影不干净或胶面发皱,发黑,失去抗蚀能力。

D.PR涂胶机机台参数设定滚轮传速与涂布轮传速为218±5转1分,干燥机传速为4.0±2m/min光刻胶米方度为30±2mpa.s,光刻胶压入量为0.5±0.1mm.(光刻胶只能四收5次使用)光阻剂:稀释剂=10:1(依粘度测试情况而定).注:涂布不良(涂布气泡、涂布不均匀)之改善对策,调态涂胶滴管内光刻胶滴入量。

3.曝光目前曝光方法采用接触式曝光,因此方法所用设备简单,操作方便,它包括“定位”和“曝光两个步聚。

定位对光刻精度影响很大,是光刻中十分重要的一环,要认真对准。

一般操作程序是:光预热紫外光(UV)灯,待光源稳定后,把菲林安装在支架上;将涂有光刻胶的ITO玻璃放在平台上,胶面朝上,将光刻菲林支架放下,仔细调态平台微动装置,使菲林上定位标志与平台上玻璃的定位准确套合。

定位完成即可曝光,曝光后经过显影并检查定位是否正确曝光时间由光源到ITO玻璃的距离,光源强弱,光刻胶的感光性能及菲林、玻璃厚薄等因素决定如曝光时间过短,光刻胶感光不足,则其光化学反应不充分,光刻胶的抗蚀性能就会降低,显影时部分溶解,此时在投影机下可观察到胶膜发黑;若曝光时间太长,会使光刻胶本不该感光部分的边缘被微弱感光,即产生“晕光”现象,蚀刻后边原模糊或发现皱纹,使分辨率降低。

为了保证曝光质量,在操作中要注意以下几点;(1)定位必须严格套准(2)菲林必须平整地贴在玻璃上,不能有空隙。

若存在空隙,则不该曝光的地方会受到光的照射,使图形产生畸变;(3)曝光操作中,应注意动作要轻,保护好菲林不致划伤;(4)曝光时间必须准确控制。

曝光治具有菲林、干版、絡版曝光工艺参数之设定:(1) 光量为100-140mj/c㎡,曝光时间为6.8-8.5s,曝光柄位之标准公差±0.2mm,曝光机内紫外光被为380-780纳米4.显影显影的目的是将未感光部分的光刻胶出所需要的图行。

显影必须彻底,以使图形边缘整齐。

显影需严格控制好显影时间。

若显影时间不足,则在未感光处留下一层不易察觉的光刻胶层,在蚀刻ITO层之间,它起了祖蚀作用,而随意蚀刻液对这一博层胶膜的穿透和破坏,使这一博层的ITO层蚀刻不彻底,形成斑纹或小岛。

此外,显影不足还会使胶膜边缘出现厚度不均的过夜区,造成边缘毛刺,图形模糊,影响光刻质量。

若显影时间过长,由于显影时光刻胶发生软化、膨胀,显影液从ITO层表面向图形边缘渗入,发生粘溶,使图形边缘变形。

有的甚至会出现浮胶现象,ITO表面的胶膜皱起呈橘皮状,严重的甚至大片剥落形成脱胶。

为了保证显影质量,必须严格控制显影显影时间并及时更换显影液。

显影后玻璃一般应检查一下几个方面:(1)图形定位是否准确;(2)图形边缘是否整齐;(3)有无皱胶和胶发黑;(4)有无浮胶;(5)有无胶面及ITO层的划伤;(6)显影漂洗是否干净等;显影机工艺参数之设定:KOH溶度为0.1-0.18N,温度为30±2℃,压力为≦0.2kg/c㎡,传速为4.5±1.5m/min,喷洗压力为0.1-0.5 kg/c㎡。

5.坚膜由于显影时胶膜发生软化、膨胀,影响胶膜抗蚀能力,,因此在显影后必须以适当温度烘干玻璃,以去除显影夜和水份,使胶膜坚固。

坚膜可以使胶膜与ITO层之间贴得更牢,同时也增强了胶膜本身的抗蚀能力。

坚膜的温度和时间要适当选择,若坚膜不足,则因胶膜没有烘透,不够坚固,在蚀刻时发生浮胶或严重测蚀等。

若坚膜过度,则使胶膜因热膨胀会产生翘曲和剥落,当蚀刻时会发生钻蚀或浮胶。

坚膜最好采用缓慢升温和自然冷却法,这样可使胶膜更坚固,防止因胶的细小裂纹而出现毛刺现象。

6. 蚀刻蚀刻所选用的酸夜必须能腐蚀掉裸露的ITO层,又不损伤玻璃表面的光刻胶层。

另外,还要求酸夜毒性小,使用方便。

(酸夜为HCL+HNO3的混合物)。

蚀刻温度对蚀刻效果影响很大,温度太低,则蚀刻时间要长,易产生浮胶;温度太高,则蚀刻酸夜太活泼,也较易产生脱胶或钻蚀现象。

光刻质量要求和分析(1)光刻质量要求因光刻质量的好坏直接影响到产品性能,成品率和可靠性,所以把好光刻工艺的质量关是十分重要的。

蚀刻的图形完整,尺寸准确,边缘整齐,线条陡直;图形内无小岛、针孔、毛刺等,蚀刻干净;蚀刻后的玻璃表面清洁,不发光,没有残留的被蚀刻夜;图形定位准确;(2)光刻指令分析要达到好上所示的质量,必须对光刻过程中存在的各种缺陷和弊病进行分析和研究,找出原因,才有可能克服这些缺陷和弊病。

A.显影时产生浮胶的原因有涂胶前玻璃表面不洁净,表面有油污,水汽等,或玻璃清洗后在空气中放置时间过长,空气中的水汽附在玻璃表面上;或者涂胶膜操作环境湿度太大,使胶与玻璃表面粘附不良。

因此,必须注意做好玻璃表面洁净处理和操作环境的温湿度及清洁工作。

光刻胶配制有误胶陈旧不纯,胶的光化学反映性能不好,使胶与ITO层结合能力差;或者胶膜不均匀和过厚,引起粘附不良。

前烘时间不足或过液。

烘烤时间不足,胶膜内溶剂不能及时挥发,显影时部分胶膜被溶除;烘烤时间过长,胶膜翘曲硬化,胶的感光特性会发生变化。

所以前烘必须恰当。

曝光不足,光硬化反映不彻底,胶膜溶于显影液中,引起浮胶。

因此,在保证分辨率的前提下,曝光要充分。

显影时间太长,显影液从胶膜底部不断渗入,引起浮胶。

因此必须控制好显影时间。

B.蚀刻IT0层时产生浮胶的原因有蚀刻是产生的浮胶,除了与显影时产生的浮胶有相同原因外,还有以下几个原因;坚膜不足,胶膜烘烤热固化不够。

所以坚膜要充分,但也不能太高。

蚀刻液温度太低或太高。

温度太低,蚀刻缓慢,则蚀刻时间太长,蚀刻液穿透或从底部渗入胶膜,引起浮胶;温度太高,蚀刻液活泼性强,也可能产生浮胶。

因此蚀刻温度要选择适当。

蚀刻液配制失误,蚀刻液的活泼性太强。

a.产生毛刺和钻蚀的原因有:涂胶前玻璃表面洁净度不够,存在污物,油污、小颗粒吸附水汽,使光刻胶与ITO层粘附不良,引起毛刺或局部钻蚀。

光刻底板不好,图形边缘有毛刺状缺陷。

光刻胶过滤不好或太陈旧,存在颗粒状物质,造成粘附不良。

显影时间过长,图形边缘发生钻溶,蚀刻时就要造成钻蚀。

曝光不足,光硬化反映不彻底,显影后在胶膜上产生溶坑或图形边缘引起钻溶,蚀刻时造成毛刺或钻蚀.b.产生针孔的原因光刻掩模版质量不好,本身有针孔;涂光刻胶时,操作环境被灰尘沾污;光刻胶涂得太薄,或光刻胶本身抗蚀性能太差;曝光时间控制不好;蚀刻液配比不当;玻璃表面本身缺陷也可能造成针孔c.产生“小道”的原因及其处理方法由于菲林不好,图案区有针孔或损伤,曝光是光透过这些针孔,使这些地方的胶膜局部感光,成为不溶于显影液的胶膜“小岛”,蚀刻后成为ITO层的“小岛”,出现这种情况应及时发现并更换或处理菲林。

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