黄光制程流程图
TP金属黄光制程简
1
TP金属黄光制程简介
Chemax
一次曝光
TP金属黄光流程
材料 一次压干膜
一次显影
一次蚀刻金属
一次蚀刻ITO
一次去膜
二次压干膜
二次曝光
二次显影
二次蚀刻金属
二次去膜
红线框内部分流程也可用印刷制程取代
2
TP金属黄光制程简介
材 料
Chemax
材
料：PET+ITO+金属
PET规格：厚度50~150um 金属类别： --Cu --Cu+NiCu -- Cu+NiCuTi --其他（NiCuNi、APC、Ag合金等） ITO类别： --非结晶ITO（方阻150~400Ω） --结晶ITO（方阻80~160Ω）
3
TP金属黄光制程简介
一次压膜
Chemax
干膜的选择 NiCu及NiCuTi表面平整，干膜不易结 合，需选用附着力好的干膜，如需要 做30以下细线路还需选择解析度良好 的干膜； 压膜条件 温度：110+5 压力：3.5kg/cm2
4
TP金属黄光制程简介
一次曝光
Chemax
制程能力： 底片（film）：最细可做20/20um 玻璃底片（光罩）：最细可做10/10um
曝光注意事项： 注意避免吸真空不良 曝光能量把握适度 需要使用平行光曝光机
黄光制程工艺流程29页PPT
8、法律就是秩序，有好的法律才有好的秩序。——亚里士多德 9、上帝把法律和公平凑合在一起，可是人类却把它拆开。——查·科尔顿 10、一切法律都是无用的，因为好人用不着它们，而坏人又不会因为它们而变得规矩起来。——德谟耶克斯
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
谢谢！
黄光制程工艺流程
61、奢侈是舒适的，否则就不是奢侈 。——CocoCha nel 62、少而好学，如日出之阳；壮而好学 ，如日 中之光 ；志而 好学， 如炳烛 之光。 ——刘 向 63、三军可夺帅也，匹夫不可夺志也。 ——孔 丘 64、人生就是学校。在那里，与其说好 的教师 是幸福 ，不如 说好的 教师是 不幸。 ——海 贝尔 65、接受挑战，就可以享受胜利的喜悦 。——杰纳勒 尔·乔治·S·巴顿
黄光制程简介
Litho
涂胶的步骤
在晶圆上面涂上一层光阻. 共分成 6 大部步骤 第一步: 脱水 (DEHYDRATION),用加热法去掉晶 圆的水分.
俯视图
侧面图
Litho
涂胶的步骤
第 2 步: 粘附 (ADHERSION),用粘附济(HMDS)涂 在晶圆表面以增加粘附性.
HMDS
俯视图
侧面图
Litho
涂胶的步骤
黄光制程简介
Litho
目录
• • • • • • • 半导体制程简介 黄光制程简介 涂胶系统 曝光系统 显影系统 检测系统 总结黄光制程
Litho
半导体制程简介
生长薄膜 (Thin film)
抛光 (CMP)
清洗 (Clean)
清洗 (Clean)
蚀刻 (Etch)
黄光 (Photo)
扩散 (Diffusion)
俯视图 侧面图
Litho
涂胶的步骤
第 6 步: 冷却(COOLING), 把晶圆冷却到室温.
俯视图
侧面图
Litho
曝光机的外形
Litho
曝光的作用
Light Reticle Lens Resist Wafer 俯视图 侧面图
Litho
曝光机的分类
• 按光源分类: DUV (波长=248) ; I-line (波长=365nm)
黄光制程工艺流程
1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程
2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶
3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形行成固体的PR层
4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应
5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶
6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。
7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。
8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥
1. PR前清洗
A.清洗：
指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。（风切是关键）
B.干燥：
因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量
黄光制程_??????
黄光制程
黄光制程（also known as黄色光刻技术）是一种微电子制程中常用的制造技术，它广泛应用于芯片制造和半导体工业。黄光制程利用光刻和影像传输来定义微电子设备中的图案和结构。黄光制程包括以下几个步骤：
1. 制备底片：将待制造的芯片涂覆在一个平坦的基片（通常是硅片）上。
2. 涂覆光刻胶：将光刻胶均匀涂覆在芯片上。光刻胶可以在曝光后形成所需的图案。
3. 曝光：使用光刻机将芯片暴露在特定的光源下，光刻胶将在所暴露的区域发生化学反应。
4. 显影：用显影剂将未暴露的部分光刻胶去除，形成所需的图案。
5. 蚀刻：使用化学或物理的腐蚀方法去除裸露的芯片表面材料，形成所需的结构。
6. 清洗和检验：将芯片清洗干净并进行质量检验，以确保芯片制造的质量与要求相符。
黄光制程是制造集成电路和其他微电子器件的核心技术之一，它可以实现高精度和高分辨率的图案定义。随着微电子技术的不断发展，黄光制程也在不断改进和演进，以满足日益复杂和精细的设备制造需求。
黄光微影制程
台灣師範大學機電科技學系
C. R. Yang, NTNU MT
-1-
黃光微影製程技術
Lithography Process Technology
楊啟榮博士
副教授
國立台灣師範大學機電科技學系
Department of Mechatronic Technology National Taiwan Normal University
Tel: 02-23583221 ext. 14E-mail:ycr@.tw
台灣師範大學機電科技學系
C. R. Yang, NTNU MT
-2-
半導體IC 製造流程
台灣師範大學機電科技學系
C. R. Yang, NTNU MT
-3-
Primary flat (110) plane
Primary flat (110) plane
Primary flat (110) plane
Primary flat (110) plane
Secondary
flat
Secondary
flat
Secondary
flat
Secondary flat may be here (180o )
Illustration of coded "flats" as typically used on 4 in. wafer t o
help identify them (SEMI standard).
摻雜磷
摻雜硼
台灣師範大學機電科技學系
C. R. Yang, NTNU MT
-4-
正摻雜(摻入的三族元素稱為受體)
負摻雜(摻入的五族元素稱為施體)
台灣師範大學機電科技學系
C. R. Yang, NTNU MT
触摸屏生产工艺核心技术之黄光工艺
Stripping
Etching
Post-Bake
PI / Organic Patterning Flow
PI Patterning
Glass Cleaning IR/UV/CP PR Coating Pre-Bake Pattern Exposure Developing
Sensor
有一种东西叫： ITO 透明导电材料 PI 光阻绝缘层 Metal
Mo/Al/Mo结构
1.任何触控屏，要对Touch这个动作作出反应，必须对触摸点进行定位； 2.TPK产品是一个二维平板，需要X和Y两个坐标进行定位； 3.TPK产品属于（投射型）电容式触控屏，感应电容触摸屏检测到的触摸位置对 应于感应到最大电容变化值的交叉点，对于X轴或Y轴来说，则是对不同ITO模块 的信号量取加权平均得到位置量，系统然后在触摸屏下面的LCD上显示出触摸点 或轨迹。
ITO
PI
Metal (已喷AG)
反制程全制程
主要机台和常用药液
分为： Roller式 Slit式 Spin式
涂 布 机 ：
清洗设备
清和曝光机 DNK曝光机
限于篇幅，仅举部分实例！
曝 光 设 备
常用药液
序号
1 2 3 4 清洗液 清洗液 PR coating使用 光阻 显影使用显影液 AI 蚀刻液 ITO 蚀刻液 ITO 蚀刻液 ITO剥膜液
黄光制程介绍
可因不當之動作而產生塵埃。
8/22
無塵等級
級數 粒子大小（um）
Class 0.1
0.2
1
35
7.5
10
350
75
100
NA
750
1000 NA
NA
10000 NA
NA
100000 NA
NA
9/22
0.3
ห้องสมุดไป่ตู้
0.5
5.0
3
1
NA
30
10
NA
300
乾膜光阻劑具有三明治結構，是 將光阻劑塗佈在PET膜上，再壓合PE 膜做為保護層而成。
11/22
曝光
➢ 光阻 ➢ 光罩 ➢ 曝光
平行光
Substrate
底片
PET膜 光阻 基板
正型光阻：光阻本身難溶於顯影液，曝光後解離成小分子，形成容易溶 於顯影液的結構。
負型光阻：曝光後形成不容易溶於顯影液的結構，較廣泛被采用。
去膜是將做完蝕刻圖形后，起保護作用的干膜去 除掉。
19/22
MS目前可以生產的規格及阻值
規格
0.5
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 15 18 20 25 30 40 50 100 200
黄光流程学习报告20130102
学习报告
随着TP行业的激烈竞争，触摸屏技术不断更新和创新，黄光制造成为了目前TP行业不可或缺的技术之一。以下是电容屏黄光制程工艺：
一、制造之定义
所谓制造，不仅是生产产品，而且含有以正常成本的费用、正常的使用工时及在所定的期限内，制出品质稳定、符合客户规格的产品。
二、工作职掌
1、人员管理、教育培训
2、机器设备保养
3、生产进度控制及调整
4、物料控制
5、效率改善
6、品质改善
7、安全管理
8、现场管理及改善
三、工艺流程图
PR前清洗→印刷背保→ DI清洗→ PR涂布
↓
坚膜← 显影← UV曝光← PR固化
↓
蚀刻→ 脱膜→ DI清洗
1、PR 前清洗
ITOGLASS 清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程。
2、PR 涂佈
指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶。
3、前烘
指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形成固体的PR 层。
4、曝光
指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应。
5、显影
指用弱KOH 溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶。
6、坚膜
指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。
7、蚀刻
指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO 层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。
8、脱膜
指用较强的KOH 剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥。
2013年01月02日
露光(黄光)制程介绍
製程
正/負片 解wenku.baidu.com度(dpi) 藥膜上/下
印刷
正片
8000
膜上
原-黃光
負片
40000
膜下
Layer-1 (細線路)
負片
40000
膜下
Layer-2 說明：(OC)
負片
8000
膜下
1. 正/負片—視光阻型式決定(正型開正片、負型開負片)
2. 解析度—視線路解析決定(50um以下40000 dpi)
(50~150um25000 dpi)
底片製作說明-----RD、繪圖必知
底片組成：PET+藥膜 底片製作流程： 快速記憶PET上正型光阻+曝光+顯影
PET塗藥膜(正型光阻)雷射繪片(曝光)顯影乾燥 正片
底片構造
藥膜 PET
YLO出圖
For 正型光阻、印刷製程
負片
For 負型光阻(現行黃光製程)
底片發包專用術語-----RD、繪圖必知
最簡單的設備 價格便宜(台幣1500萬) 解析力:約20um(500x500 mm) 對位精度：20um(500x500 mm) 光罩(底片)與產品直接接觸 缺點：光罩易受損、髒汙
14
鄰接式曝光機(Proximity Mode)
▪ 價格較接觸式貴一些(台幣1800萬) ▪ 解析力:約30um(500x500 mm) ▪ 對位精度：20um(500x500 mm) ▪ 光罩(底片)與產品距離約100um ▪ 優點：光罩壽命較長 ▪ 缺點：解析較差
薄膜黄光蚀刻制程简介
.
CONFIDENTIAL
8
UnUiDniismpilcaryon NATIONAL QUALITY AWARD
ITO 製程腔室Chamber說明
陰極遮板
製程气体 (Ar, Ar+O2 ) 背板 靶材
絕緣板
冷卻水
磁 鐵
配合箱
真空計(MFC)
基板 Carrier
真空腔體
DC 直流電源供應
W明o興rl光d C電la股s份s QBiblioteka Baiduu限al公ity司
14
UnUiDniismpilcaryon NATIONAL QUALITY AWARD
透過率（％）
O2/Ar=0
O2/Ar=0.9
100.0 99.0 98.0 97.0 96.0 95.0 94.0 93.0 92.0 91.0 90.0 89.0 88.0 87.0 86.0 85.0 84.0 83.0 82.0 81.0 80.0 79.0 78.0 77.0 76.0 75.0
SINTEK fab1 ITO O2量vs透過率(Power=3.1Kw)
.
CONFIDENTIAL
9
電漿(Plasma)
真空幫浦
UnUiDniismpilcaryon NATIONAL QUALITY AWARD
ITO成膜特性介紹
薄膜黄光蚀刻剥膜
薄膜黄光蚀刻剥膜
前段Array制程：薄膜/黄光/蚀刻/剥膜（二）
我们以一个像素单位为例，如上图，这个像素中，浅色部分未曝光，而深色的是曝光部分。
接着，用显影剂将曝光部分的光刻胶清洗掉，这样就只剩下未曝光的光刻胶部分，然后用去离子水将溶解的光刻胶冲走。
显影之后需要加热烘烤，让未曝光的光刻胶更加坚固的依附在ITO 玻璃上
然后用适当的酸刻液将无光刻胶覆盖的ITO膜的蚀刻掉，只保留光刻胶下方的ITO膜。ITO玻璃为（In2O3 与SnO2）的导电玻璃，未被光刻胶覆盖的ITO膜易与酸发生反应，而被光刻胶覆盖的ITO膜可以保留下来，得到相应的拉线电极。
前段Array制程：薄膜/黄光/蚀刻/剥膜（三）
剥膜：用高浓度的碱液（NaOH 溶液）作脱膜液，将玻璃上余下的光刻胶剥离掉，从而使ITO玻璃形成与光刻掩模版完全一致的ITO
图形。
用有机溶液冲洗玻璃基本标签，将反应后的光刻胶带走，让玻璃保持洁净状态。这样就完成了第一道薄膜导电晶体制程，一般至少需要5道相同的过程，在玻璃上形成复杂精密的电极图形。
用相同的方法在玻璃上拉出其他的ITO电极图形
形成复杂精密的电极图形，可以更好的控制液晶分子的运动
这样，前段Array制程就结束了。从整个过程不难看出，前面在TFT玻璃上沉积ITO薄膜、涂光刻胶、曝光、显影、蚀刻，最终是为了在TFT玻璃上形成前期设计好的ITO电极图形，以便于在玻璃上控制液晶分子的运动。整个生产过程的大致步骤并不复杂，但是技术上的细节和注意事项非常繁琐，这里我们就不多做介绍了，有兴趣的朋
友可以自行查阅相关资料。
黄光制程工艺流程
光掩膜是另一种光敏材料，用于制造掩膜板。它能够将光线精确地投射到指定的区域，从 而实现精细的图形转移。
蚀刻剂
蚀刻剂
蚀刻剂是黄光制程中的重要化学品之一，用于将图形从光 掩膜上转移到基材上。它们具有强烈的化学活性，能够与 基材发生反应，从而将图形刻画出来。
酸性蚀刻剂
酸性蚀刻剂是一种常用的蚀刻剂，能够与基材发生酸碱反 应，从而实现图形的刻画。
碱性蚀刻剂
碱性蚀刻剂也是一种常用的蚀刻剂，能够与基材发生离子 交换反应，从而实现图形的刻画。
去胶剂
去胶剂
去胶剂是黄光制程中的另一种重 要化学品，用于去除光刻胶和其 他残留物。它们具有强烈的化学 性质，能够有效地溶解和清除光
刻胶和其他有机物。
有机溶剂型去胶剂
有机溶剂型去胶剂是一种常用的 去胶剂，能够有效地溶解和清除 各种类型的光刻胶和其他有机物。
02
黄光制程工艺流程
清洗
清洗目的
去除表面污垢、油脂和杂质，确保表 面干净，为后续制程提供良好的基础 。
清洗方法
使用溶剂、水和超声波等清洗方式， 根据不同材料和需求选择合适的清洗 方法和溶剂。
涂布
涂布目的
在清洗后的基材表面涂覆一层光敏材料，用于后续的光固化或显影。
涂布方法
采用喷涂、刷涂、辊涂等方式，控制涂布的厚度和均匀性，确保光敏材料的良好 附着。
半导体黄光制程
接觸式(Contact)曝光法
光罩與晶片表面彼此是接觸
的，故光罩與晶片上的圖案的
比例為1:1。
優點：解析度(Resolution)非
常好。
缺點：光罩表面將隨著曝光次
數增加而陸續沾上微粒
(Particles)。
往右
往左
往後
升
降
左傾
（2）x
往右
往後
升降
黄光工艺文档
黄光工艺
1. 介绍
黄光工艺（Golden Photolithography）是一种常用于集成电路制造过程中的生产工艺，主要用于芯片上的图案形成和微影扩大。它是将光通过透镜传导到光刻胶上，通过光刻胶的化学反应将图案转移到硅片上的一种技术。
黄光工艺在现代芯片制造过程中起着重要的作用，它可以制造出高分辨率、高精度的微细图案，使得芯片性能得到提升。本文将介绍黄光工艺的原理、步骤和应用。
2. 工艺步骤
黄光工艺主要包括以下步骤： 1. 制备硅片：首先，需要选择适当纯度的硅片，并进行表面处理，以确保图案能够精准地转移到硅片上。 2. 涂覆光刻胶：将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面，形成一层厚度均匀的光刻胶薄膜。 3. 预烘烤：将涂覆有光刻胶的硅片进行预烘烤，使得光刻胶在硅片表面形成薄膜，并且排除其中的气泡。 4. 掩膜/曝光：在光刻胶表面放置一张掩膜，掩膜上有所需的图案，然后利用光刻机进行曝光，使得掩膜上的图案转移到光刻胶上。 5. 显影：将曝光后的硅片浸泡在显影液中，使得未曝光的光刻胶被溶解掉，形成所需的图案。 6. 清洗：清洗已经显影完毕的硅片，去除掉余下的光刻胶和显影液。 7. 退火：通过高温退火的过程，使得光刻胶更加牢固地附着在硅片上。 8. 重复以上步骤：根据需要，可以重复以上步骤，逐步形成复杂的图案。
3. 黄光工艺的原理
黄光工艺的原理是利用光的作用，将图案转移到光刻胶上。其基本原理如下：
1. 光刻胶的感光性：光刻胶在曝光的过程中会发生化学反应，可被光的能量激发。
2. 掩膜的功能：掩膜上有所需的图案，它会在光的照射下，将图案投射到光刻胶上。
黄光工艺介绍-20121230
镭雕制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 镭雕制 程 50*50u m 无 无 设计图 形不可 以更复 杂 50um 评判 较好 较好 较好
一般 一般 一般
是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度
一般
较好
较好
一般
较好
较好
Remark：黄光制程采用干膜代替耐酸制程能力进一步提升，可以提升产品层次。 镭雕工艺有效率和爆点的问题，复杂ITO图案产品的批量性低。
黄光工艺介绍 Profile of Photo process
2012-12-29
www.sztoptouch.com
1、黄光制程定义-核心技术及名称的来源 黄光工艺使用的技术 黄光使用的技术为微影 (Lithography) 技术，使用的材料为感光材料，这 种材料称之为光阻（PR,photo resistance)。PR具有独特的特性，在UV光的作 用下，会发生化学变化，变成易容与酸或者碱的新物质。 微影 (Lithography) 技术是将光罩 (Mask) 上的图案先转移至PR上，再以 溶剂浸泡将PR受光照射到的部份加以溶解或保留，形成和光罩完全相同或呈互 补的光阻图。
曝光前
MaskБайду номын сангаас罩
曝光后
PR 光阻 ITO film 未被mask遮挡的PR曝 光后变成不溶于碱的物 质，形成负性光阻图案 未被mask遮挡的PR曝 光后变成溶于碱的物 质，形成正性光阻图案
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溅镀ITO ITO黄光图形 清洗 涂布 曝光 显影 源自文库刻 剥膜
OC1黄光图形 清洗 涂布 曝光 显影
溅镀ITO2 ITO2黄光图形 清洗 涂布 曝光 显影 蚀刻 剥膜
溅镀Metal Metal黄光图形 Top oc 黄光图形
ICT FV
可剥胶印刷
镭射切割
程流程图
正型光阻 负型光阻
正型光阻 正型光阻 负型光阻 功能测试 外观检验