黄光制程讲义工艺流程
黄光制程工艺流程29页PPT
谢谢！
6、法律的基础有两个，而且只有两个……公平和实用。——伯克 7、有两种和平的暴力，那就是法律和礼节。——歌德
8、法律就是秩序，有好的法律才有好的秩序。——亚里士多德 9、上帝把法律和公平凑合在一起，可是人类却把它拆开。——查·科尔顿 10、一切法律都是无用的，因为好人用不着它们，而坏人又不会因为它们而变得规矩起来。——德谟耶则就不是奢侈 。——CocoCha nel 62、少而好学，如日出之阳；壮而好学 ，如日 中之光 ；志而 好学， 如炳烛 之光。 ——刘 向 63、三军可夺帅也，匹夫不可夺志也。 ——孔 丘 64、人生就是学校。在那里，与其说好 的教师 是幸福 ，不如 说好的 教师是 不幸。 ——海 贝尔 65、接受挑战，就可以享受胜利的喜悦 。——杰纳勒 尔·乔治·S·巴顿
薄膜黄光蚀刻制程简介ppt课件
37
廠務給水
廠務端 DETERGENT
DRAIN DRAIN
DETERGENT TANK UNIT
DETERGENT TANK UNIT
廠務給水 DRAIN
D.I.W. TANK
BRUSH AREA D.I.W. 1
C.J. AREA
上方噴嘴 下方噴嘴
D.I.W. 2
AIR FILTER
52
玻璃基板經過Developer後，正型光阻曝光的部分將被去除。 變因： (1)顯影液種類及濃度： (2)顯影壓力： (3)顯影速度： (4)流量： (5)溫度：
平均層膜厚 膜厚的分布 平均 sheet 抵抗 sheet 阻抗分布 基板溫度 再現性 黏著力 針孔規格 靶材材質 基板尺寸
規格
200Å ≦ ±5% 150 Ω/sqr. ≦ ±5%
370*470
≦ ±5% 無剝離 3M No 610 1/2"
≧ 50μm FREE 密度 ≧ 98%
檢查
ITO = Indium Tin Oxide 90 wt. % In2O3-10 wt.% SnO2
若第一次調機則先調整基板溫度至所需要的製程溫度 ;然後再調整腔體壓力至所需要的壓力範圍(通常為5.0~ 7.0 E-3)左右;最後再調整O2/Ar的比例，讓透過率及sheet 抵抗值得到最佳的數據。
3. 條件確認後，產品需作特性值(膜厚、阻抗值、透過率)， 剝落測試，膜附著力等確認。
17
ITO 濺鍍的規格資料 項目
45
常壓式plasma cleaner的特點： 在常壓下即可產生電漿 不需要真空腔體，設備體積較小 污染小
46
47
藉由壓力將光阻均勻塗佈於玻璃基板上。
触摸屏生产工艺核心技术之黄光工艺
BOE（NH4F/HF）
谢谢！
黄光制程：
来料玻璃
黄光制程由此开 始
作出所需的图形
ITO、Metal、PI制程 为Sensor提供第一层保 护
Passivation （Organic）
为黄光后的工序作准备
蚀刻膏印刷/可剥胶印刷
切割
黄光制程到此结 束
整个制程的相关示意图-1
微影技术！
光阻塗佈
清洗
烘乾
顯影
曝光
PI和Passivation制程只需到这一 步
Oven
Metal Patterning Flow
Metal Patterning
Glass Cleaning
IR/UV/CP
PR Coating
Pre-Bake
Pattern Exposure
Developing
Post-Bake
Stripping
Etching
各制程效果图 (以Spark为制版)
Via hole
结果是等 效的
反制程：
Jumper PI
Pattern Trace
粗略的生产流程：
来料玻璃
Sheet
最终成品！ pcs
常见尺寸： 370×470mm 厚度则有0.33、0.4、 0.5、0.55、1.1、 1.3mm不等
一路OK Boding、贴合等白光制程
什么是黄光？
ITO
PI
Metal (已喷AG)
反制程全制程
主要机台和常用药液
分为： Roller式 Slit式 Spin式
涂 布 机 ：
清洗设备
清和曝光机 DNK曝光机
限于篇幅，仅举部分实例！
黄光玻璃生产流程及制程
黄光玻璃生产流程及制程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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晶圆厂黄光工艺流程
晶圆厂黄光工艺流程下载温馨提示：该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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黄光工艺讲解
Q Technology Limited.
光刻要求
4.大尺寸硅片的加工 提高了经济效益。 但是要在大面积的晶圆上实现均匀的胶膜 涂覆，均匀感光，均匀显影，比较困难。 高温会引起晶圆的形变，需要对周围环境 的温度控制要求十分严格，否则会影响光 刻质量。Leabharlann 昆山西钛微电子科技有限公司
Q Tech
Q Technology Limited.
光刻机
昆山西钛微电子科技有限公司
Q Tech
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光刻机
接触式曝光 Contact printing
Mask P. R. SiO2
Si 优点：结构简单、产量高、成本低，光的衍射效应最小而 分辨率高，特征尺寸小。 主要缺点：容易造成掩模版和光刻胶的损伤。每一次接触 都有可能在掩模版和光刻胶上造成缺陷。
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光刻机
接近式曝光－proximity printing
d= 10 ~ 25 μm
最小线宽: W= (dλ)1/2 d:间隔； λ：光源波长 分辨率取决于间隙的大小，一般分辨率较差， 为2－4µm
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光刻初步
集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小， 也 与 光刻技术的进一步发展有密切的关系。 通常人们用特征尺寸来评价一个集成电路生产线的 技术水平。 所谓特征尺寸（CD：characteristic dimension） 是指设计的多晶硅栅长，它标志了器件工艺的总体 水平，是设计规则的主要部分。 通常我们所说的0.13m,0.09m工艺就是指的光刻 技术所能达到最小线条的工艺。
黄光工艺介绍
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力
耐酸印刷制程
制程规 耐酸印 格项目 刷制程
评判
线宽线 0.3*0.3
距
mm
一般
蚀刻痕 明显
一般
是否扩 散
产品设 计图形 复杂的
程度
精度
印刷容 易扩散
设计图 形简单
0.1mm
一般 一般 一般
黄光制程
制程规 黄光制 格项目 程
，容易扩散。 容易受ITO图案复杂性
影响
良率高不受其它影响
Remark： 黄光制程相对耐酸印刷制程良率较高。
黄光工艺介绍 Profile of Photo process
2012-12-29
1、黄光制程定义-核心技术及名称的来源
黄光工艺使用的技术 黄光使用的技术为微影 (Lithography) 技术，使用的材料为感光材料，这
种材料称之为光阻（PR,photo resistance)。PR具有独特的特性，在UV光的作 用下，会发生化学变化，变成易容与酸或者碱的新物质。
微影 (Lithography) 技术是将光罩 (Mask) 上的图案先转移至PR上，再以 溶剂浸泡将PR受光照射到的部份加以溶解或保留，形成和光罩完全相同或呈互 补的光阻图。
黄光制程名称的来源 由于微影制程的环境照明光源是黄光，而非一般摄影暗房的红光，所以这
一制程常被简称为“黄光”制程。 黄光制程线路精准度水平高，被广泛应用在电容式触摸屏sensor的加工。
Remark：黄光制程采用干膜代替耐酸制程能力进一步提升，可以提升产品层次。 镭雕工艺有效率和爆点的问题，复杂ITO图案产品的批量性低。
4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力
电容屏ITO黄光制程工艺
电容屏ITO黄光制程工艺流程第一步：ITO GLASS参数规格：长宽：14*16 厚度：0.55，0.7，1.1规格：普通，钢化等，特性：AR(抗反射)，AG（防眩光），AS（防水防污），AF（防指纹）等电容玻璃：安可，冠华，正达，正太等。
第二步：素玻璃参数规格：素玻璃：康宁，旭硝子等。
500*500规格第三步：清洗参数规格：1.将GLASS 表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥。
2.将素玻璃表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥，然后过镀膜线镀ITO 层形成GLASS。
第四步：背保丝印参数规格：膜厚：10-20μM，250-420 目聚酯网，此背保要求高，不能有一点脏污，油污，杂质等，要不回影响到在这面处理ITO 图案和银浆走线的附着力等。
日本朝日，丰阳等，热固型。
第五步：光刻胶整版丝印参数规格：膜厚：5-10μM，300-420 目聚酯网.需在温度20 度-25 度的范围和黄灯的环境下进行。
光刻胶：田菱THC-29（耐酸曝光显影型光刻胶）等。
第六步：前烘参数规格：让印有光刻胶的材料在一定的温度，时间下固化。
温度：80-90 度。
时间15-20 分钟。
第七步：曝光参数规格：通过紫外线和菲林的垂直照射，让光刻胶形成反应。
光能量：60-120MJ/C ㎡，时间：6-9s第八步：显影参数规格：用弱KOH 溶解液去除材料上被曝光过的光刻胶，留下没有曝光的光刻胶。
弱碱：0.05-0.2 MOL.温度：20±3 度，压力：0.02-0.05KG，速度：5.5±2.5M/MIN。
第九步：坚膜参数规格：让显影留下的光刻胶经高温处理，让光刻胶完全固化。
温度：120-150度，时间：20-30.第十步：蚀刻参数规格：酸度：3.5-6.5MOL，温度：45±5 度，压力：1-2KG，速度：0.8-1.5M/MIN。
碱度：0.5-0.8MOL，温度：35±5 度，压力：1-2KG，速度：1.5-3.5M/MIN。
黄光生产工艺流程详解和注意事项
黄光生产工艺流程详解和注意事项下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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黄光工艺流程
黄光工艺流程
《黄光工艺流程》
黄光工艺是一种常用的光刻工艺，主要用于半导体器件制造。
它通过使用紫外线光源和光刻胶来将图案投射到硅片上，形成微米级别的结构。
黄光工艺的流程可以分为几个主要步骤。
首先，将硅片进行表面清洁处理，以确保光刻胶可以均匀地附着在硅片上。
接下来，将光刻胶涂覆在硅片表面，然后使用旋转涂覆机将光刻胶均匀地分布在整个表面。
一旦光刻胶涂覆完成，需要将硅片置于紫外线光源下。
通过光刻胶上的光掩模，紫外线光源可以将图案投射到硅片表面。
这个过程是非常精密的，精细的图案需要准确地投射到硅片上。
经过光刻曝光之后，硅片需要进行显影处理。
这一步是将硅片浸泡在显影液中，以去除未曝光的光刻胶。
这样就可以形成所需的图案结构。
最后，需要对硅片进行清洗、干燥和固化处理，以确保光刻胶牢固地附着在硅片上，并且形成微米级别的结构。
完成这些步骤之后，硅片就可以用于半导体器件的制造了。
总的来说，黄光工艺流程是一种复杂且精密的制造工艺，它为微电子器件的制造提供了重要的工艺支撑。
随着技术的不断发
展，黄光工艺也在不断地完善和创新，为半导体工业的发展做出了重要贡献。
黄光流程学习报告20130102
学习报告
随着TP行业的激烈竞争，触摸屏技术不断更新和创新，黄光制造成为了目前TP行业不可或缺的技术之一。
以下是电容屏黄光制程工艺：
一、制造之定义
所谓制造，不仅是生产产品，而且含有以正常成本的费用、正常的使用工时及在所定的期限内，制出品质稳定、符合客户规格的产品。
二、工作职掌
1、人员管理、教育培训
2、机器设备保养
3、生产进度控制及调整
4、物料控制
5、效率改善
6、品质改善
7、安全管理
8、现场管理及改善
三、工艺流程图
PR前清洗→印刷背保→ DI清洗→ PR涂布
↓
坚膜← 显影← UV曝光← PR固化
↓
蚀刻→ 脱膜→ DI清洗
1、PR 前清洗
ITOGLASS 清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程。
2、PR 涂佈
指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶。
3、前烘
指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形成固体的PR 层。
4、曝光
指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应。
5、显影
指用弱KOH 溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶。
6、坚膜
指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。
7、蚀刻
指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO 层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。
8、脱膜
指用较强的KOH 剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥。
2013年01月02日。
露光(黄光)制程介绍
正型光阻
Original
曝光 (照光處)
顯影
長鏈(強壯)
裂解
曝光處—洗掉光阻
負型光阻
短鏈(弱)
聚合(Cross Link)
曝光處—光阻留著
光阻 光罩/底片
光阻
正負光阻Pattern說明
基板
基板
紫外線
曝光
負光阻 正光阻
基板
顯影後
基板
正光阻優點：高解析(解析能力3um)、負光阻(乾膜解析約15 um) 負光阻優點：便宜
2.鄰接式曝光機(Proximity Mode) 備註：適用油墨曝光、感光銀膠曝光、RBM曝光
3.投影式曝光機(Stepper) 備註：半導體、LCD、超細線路、超高解析、高對
位精度 4.LDI曝光系統(Laser Direct Imaging)
備註：無需光罩、高對位精度
12
曝光波長
曝光機感光光譜
I-Line H-Line G-Line
G-line: 436 nm H-line: 405 nm I-line: 365 nm
乾膜感光光譜 適合感光光譜365nm
➢每支乾膜需確認其感光範圍，再確認該乾膜 是否可適用於該曝光機。
➢一般曝光機為I、H、G Line共存or單一波長 I Line為主。
接觸式曝光機(Contact Mode)
底片製作說明-----RD、繪圖必知
底片組成：PET+藥膜 底片製作流程： 快速記憶PET上正型光阻+曝光+顯影
PET塗藥膜(正型光阻)雷射繪片(曝光)顯影乾燥 正片
底片構造
藥膜 PET
YLO出圖
For 正型光阻、印刷製程
黄光工艺介绍-20121230
4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力
制程类别 耐酸印刷制程 镭雕工艺 黄光制程 良率 98.5% 95% 99%以上 备注 容易受印刷品质的制约 ，容易扩散。 容易受ITO图案复杂性 影响 良率高不受其它影响
Remark： 黄光制程相对耐酸印刷制程良率较高。
镭雕制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 镭雕制 程 50*50u m 无 无 设计图 形不可 以更复 杂 50um 评判 较好 较好 较好
一般 一般 一般
是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度
一般
较好
பைடு நூலகம்
较好
一般
较好
较好
Remark：黄光制程采用干膜代替耐酸制程能力进一步提升，可以提升产品层次。 镭雕工艺有效率和爆点的问题，复杂ITO图案产品的批量性低。
曝 光
4
光阻图案 ITO film 基材 光阻图案 5 ITO 图案 基材 ITO 图案 基材
显 影
蚀 刻
6
褪光阻
4.黄光制程与传统制程的优劣1-流程
耐酸 印刷 制程
黄光 制程
镭雕 制程
Remark：黄光制程与耐酸制程工艺的对比主要是用干膜代替了耐酸印刷制程，后续工站相同。
5.黄光制程与传统制程CTQ—关键工序控制点
黄光工艺 Photo
1.设计：大片上制作专 用标准测试图案， 2.监控点：线距 1.拉力测试 2.有效导电粒子数 3.作业风险(下文专述)
工艺 CTQ
ITO图案间距
酸刻工艺 Wet etching
1.监控点：开短路测试 。ITO间距为PR制程8~10 倍，风险极低 1.拉力测试 2.有效导电粒子数
黄光制造部工艺流程培训
黄光制造部工艺流程应知应会手册一、黄光各结构产品工艺流程1.1 MITO结构1.1.1单层1.1.2双层1.2 ITO+AG结构1.2.1单层1.2.2双层1.3 跳线结构二、各工序技术解析2.1老化工序2.1.1原理ITO 膜通过高温烘烤排除ITO 膜中所含水份、气体，进一步调整基材内部的原子位置和分子结构，消除各种材料内部的和各种材料相互之间的物理应力，降低材料方阻，和后续的生产加工过程中及产品使用过程中，得到更稳定的物理尺寸、化学性能。
2.1.2 ITO导电膜1）常见ITO有高阻值膜（老化后表面方阻400±100欧姆）和低阻值膜（老化后表面方阻150±50欧姆），厚度50um、125um、175um。
现我司使用方阻为150±50欧姆，厚度为50um和125um。
2）ITO膜主要由PET（背面保护）、Back coating层（硬化）、Polyethyleneterephthalate 层（基材）、Under coating层（消影）、ITO层组成。
图2.1 ITO导电膜结构示意图3）材料基本性能表2.1 材料基本性能2.1.3管控重点1）参数管控①老化温度：ITO膜通过高温烘烤，若温度高时，材料变形；温度偏低或老化时间短，材料不能充分调质，表面阻值达不到规格内；老化温度不均匀时，老化后材料表面阻值不均匀。
②老化时间：老化过程时间短，ITO表面不能充分调质，导致阻值不均匀。
2）生产管控①清洁：老化车间每天上班做好整个车间卫生清洁。
老化过程中，若有异物落到材料上，烘烤后会形成异物点或大的异物在材料表面卷绕后形成凹凸点(清洁频率1天/一次)。
2.1.4主要不良、缺陷表2.2 工艺不良及原因分析表2.2压膜工序2.2.1原理利用温度、压力将感光材料（光阻/干膜）与导电膜（ITO膜或铜膜）压合在一起。
2.2.2材料特性1）金属铜膜：主要由PET（背面保护）、Back coating层（硬化）、PET层（即Polyethyleneterephthalate层基材）、Under coating层（消影）、ITO层、Cu层、Cu-Ni-Ti 层（防氧化层）组成（图1），基本性能要求以现有日东材料TC150-O2FLC5为例，具体见表。
触摸屏生产工艺核心技术之黄光工艺
整个制程的相关示意图-2
ITO和Metal制程仍需继 续进行以下几步：
蝕刻
剝膜
檢查
Process flow ITO Patterning Flow
ITO Patterning
Glass Cleaning IR/UV/CP PR Coating Pre-Bake Pattern Exposure
工艺流程
Sensor
有一种东西叫： ITO 透明导电材料 PI 光阻绝缘层
Metal
Mo/Al/Mo结构
1.任何触控屏，要对Touch这个动作作出反应，必须对触摸点进行定位； 2.TPK产品是一个二维平板，需要X和Y两个坐标进行定位； 3.TPK产品属于（投射型）电容式触控屏，感应电容触摸屏检测到的触摸位置对 应于感应到最大电容变化值的交叉点，对于X轴或Y轴来说，则是对不同ITO模块 的信号量取加权平均得到位置量，系统然后在触摸屏下面的LCD上显示出触摸点 或轨迹。
Developing Back side PR Coating
Stripping
Etching
Post-Bake
PI / Organic Patterning Flow
PI Patterning
Glass re-Bake
Pattern Exposure
14
蚀刻SiO2
谢谢！
中国触摸屏网（)
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5 6 7 8
常用药液：接上
序号 9 Metal 剥膜液 项目 NMP溶液/3316剥膜液 备注
黄光制程工艺流程
根据光敏材料的性质，选择合适的光 源波长和功率。
显影设备
显影设备
用于将光固化后的膜进行显影，去除未固化的材 料。
显影方式
可以采用浸泡显影、喷淋显影等方式。
显影剂选择
根据光敏材料的性质，选择合适的显影剂。
蚀刻设备
1 2
蚀刻设备
用于对硅片进行蚀刻处理，形成电路和图形。
蚀刻方式
可以采用化学蚀刻、物理蚀刻等方式。
技术挑战
光刻机精度要求高
黄光制程需要高精度的光刻机，以确保图案的精确复制和加工。
制程控制难度大
黄光制程涉及多种材料和复杂的化学反应，对制程参数和环境条件 要求极高，控制难度较大。
设备维护与升级成本高
黄光制程设备昂贵且维护成本高，同时随着技术更新换代，设备升 级也面临较大压力。
环境影响与可持续发展
特点
黄光制程具有高精度、高稳定性和高效率的特点。在微电子、精密机械、光学 等领域中，黄光制程广泛应用于表面处理、光刻、曝光等关键工艺环节。
黄光制程的重要性
提高产品质量
黄光制程能够有效地提高产品的质量和性能，降低不良率，提高 生产效率。
满足高精度需求
随着科技的发展，产品对精度的要求越来越高，黄光制程能够满足 高精度、高稳定性的制造需求。
03
聚酯
聚酯是一种常用的高分子材料，具有良好的透明性和机械性能，常用于
制造中低端光掩膜和光刻胶。
光敏材料
光敏材料
光敏材料是黄光制程中的核心材料之一，用于制造光掩膜和光刻胶。它们在受到特定波长 的光线照射后，会发生化学反应，从而产生交联或降解等变化。
光刻胶
光刻胶是光敏材料的一种，分为正性胶和负性胶两种类型。正性胶在受到光线照射后会变 得可溶，而负性胶则会变得不溶。它们在光刻工艺中起到关键的作用。
黄光工艺介绍-20121230
批附光阻
3
UV光源 光罩图案 PR 光阻 ITO film 基材
UV通过光罩上的图案，照射到 光阻膜上去，制出光阻图案 （PR被UV照射后，发生化学变 化，但是物理形态没有变化，所 以生成的光阻图案肉眼不可见） 碱性溶液中，在光阻膜上形成与 光罩图案相同或者互补的光阻图 案 酸性溶液中，未被光阻图案遮 挡住的ITO被溶解，形成ITO图 案 酸性溶液中清晰掉光阻图案， 保留ITO图案。Sensor制作完 成
曝 光
4
光阻图案 ITO film 基材 光阻图案 5 ITO 图案 基材 ITO 图案 基材
显 影
蚀 刻
6
褪光阻
4.黄光制程与传统制程的优劣1-流程
耐酸 印刷 制程
黄光 制程
镭雕 制程
Remark：黄光制程与耐酸制程工艺的对比主要是用干膜代替了耐酸印刷制程，后续工站相同。
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力 耐酸印刷制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 耐酸印 刷制程 0.3*0.3 mm 明显 印刷容 易扩散 设计图 形简单 0.1mm 评判
黄光制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 黄光制 程 40*4 0um 无 无 设计图 形可以 更复杂 ，性能 强大 40um 评判 好 好 较好
曝光前
Mask光罩
曝光后
PR 光阻 ITO film 未被mask遮挡的PR曝 光后变成不溶于碱的物 质，形成负性光阻图案 未被mask遮挡的PR曝 光后变成溶于碱的物 质，形成正性光阻图案
3、黄光制程的流程
1 2
ITO 基材 基材退火
ITO缩水 压干膜
PR 光阻 ITO 基材
黄光制程工艺流程【可编辑】
1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形行成固体的PR层4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。
7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。
8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥1. PR前清洗A.清洗：指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。
清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。
（风切是关键）B.干燥：因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。
这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。
因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。
目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。
但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N，温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡／n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。