黄光PHOTO制程问答
黄光制程工艺流程
SR
SR
Resist Thickness：光阻的厚度测量。
Etch
Etching
Etching ：用强酸将玻璃中未受光阻保护的 那部分ITO腐蚀，留下所需图形的过程。 主要控制参数：蚀刻液浓度 ，蚀刻液温度，
蚀刻时间，喷淋压力。
主要品质异常：蚀刻不净，ITO过蚀，以及 由涂布异常而引起的蚀刻异常。
主要控制参数：Roller的前挤量及下压量，涂布速度，
抽泵频率，抽泵强度。
主要参考参数：膜层厚度(属过渡光阻,膜厚1.4~2.3um)，
膜层均匀性。
主要品质异常：涂布针孔、涂布箭影。
CT
Coating
Coater一般分为Roll Coater，Slit Coater，Spin Coater。我 们公司用的是Roller。我们公司的BM&OC1用的是Inkjet印 刷，而OC2用的是APR凸版印刷。
CP：将玻璃温度冷却至室温。
主UDPrVe要ev：-eB品l去oa质pk除Dein异玻：ge常璃也v：的叫e曝表slo光o面ft偏pb的a移i有kne，机。g固物定，光使阻玻残是分璃留被异未光进常一，曝 阻步过清曝光溶洁。。的解部速分度溶缓于慢显，影从液而中通过),未控曝制光显的影那时部间，
可以显现出光罩上的图形。 主要控制参数:烘烤时间，烘烤温度，烘烤热板Pin高度。
EXPO
Exposure
曝光波长：i线（365nm）， h线（405nm）， g线（436nm）。
Mask：也叫掩膜板。电路图即是通过曝光从 Mask上转移到玻璃上。
高压汞灯发光原理：在真空的石英管中加入 定量的高纯汞，通过对两端电极提供高电压 差，产生高热，将汞汽化，汞蒸气在高电位 差下，受激发而放电，从而产生紫外线辐射。 内部的卤素元素，就有催化及保护的功用。
黄光制程_??????
黄光制程
黄光制程（also known as黄色光刻技术）是一种微电子制程中常用的制造技术，它广泛应用于芯片制造和半导体工业。
黄光制程利用光刻和影像传输来定义微电子设备中的图案和结构。
黄光制程包括以下几个步骤：
1. 制备底片：将待制造的芯片涂覆在一个平坦的基片（通常是硅片）上。
2. 涂覆光刻胶：将光刻胶均匀涂覆在芯片上。
光刻胶可以在曝光后形成所需的图案。
3. 曝光：使用光刻机将芯片暴露在特定的光源下，光刻胶将在所暴露的区域发生化学反应。
4. 显影：用显影剂将未暴露的部分光刻胶去除，形成所需的图案。
5. 蚀刻：使用化学或物理的腐蚀方法去除裸露的芯片表面材料，形成所需的结构。
6. 清洗和检验：将芯片清洗干净并进行质量检验，以确保芯片制造的质量与要求相符。
黄光制程是制造集成电路和其他微电子器件的核心技术之一，它可以实现高精度和高分辨率的图案定义。
随着微电子技术的不断发展，黄光制程也在不断改进和演进，以满足日益复杂和精细的设备制造需求。
PHOTO工艺
第九章PHOTO工序PHOTO工序的目的HOTO的基本概念什么是PHOTO?若是从一个液晶厂内部部门来说，PHOTO指的是黄光部。
但是从工艺来说，在半导体和液晶产业，PHOTO指光刻技术。
当然，这两个概念是有实质联系的，因为在液晶厂内负责光刻方面工作的就是黄光部。
HOTO工序的目的PHOTO工序的目的是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。
主要过程依次如下面图（一），图（二）和图（三）所示。
图（一）图（二）图（三）PHOTO工序主要包含三大步骤，即上图所示的光阻涂布（PR coating）; 曝光（Exposure）;和显影（Develop）.光阻涂布（如图一），就是在plate（玻璃基板）上涂布光阻。
光阻是一种对特定波长的UV光敏感的有机材质，遇到一定强度的UV光就会发生化学反应，所以PHOTO工序要在黄光下进行。
因为黄光波长大，光子能量低，强度比较弱（不会引起光阻化学反应）并且照明效果不错的光。
光阻涂布制程主要控制光阻的膜厚及其均一性。
曝光（Exposure）是PHOTO的关键，也是ARRAY的关键。
之前说了PHOTO是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。
临时电路结构就设计在MASK（光罩）上，光罩上有电路结构区域不透光，没有电路结构区域可以透光。
这样就使上一步骤涂布的光阻经过曝光工序之后，电路结构就从光罩转移到光阻上。
曝光（Exposure）制程的主要参数是CD（线宽）,Total pitch, Overlay。
Develop即显影。
经过Exposure之后在玻璃基板上喷洒显影液，因为显影液为碱性，对正性光阻而言，被紫外光照射过的光阻可以溶解在碱性显影液中，而未紫外光照射到的部分不溶于显影液。
因此，显影之后，在玻璃基板上，只剩下电路部分有光阻，而其它区域无光阻（注：本节所指光阻为正光阻，一般TFT段都使用正光阻）。
显影液浓度的控制是显影工艺的关键，浓度的高低会影响到线宽。
显影后送去蚀刻，这样有光阻保护部分（即需要的电路部分）的膜不会被蚀刻掉，而没有光阻保护部分的膜就被蚀刻掉。
黄光PHOTO制程问答
黄光PHOTO制程问答2009-11-27 17:11PHOTO 流程?答：上光阻→曝光→显影→显影后检查→CD量测→Overlay量测何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。
其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻?答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻?答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓 Photo?答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何?答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。
何谓PHOTO区之前处理?答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。
前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。
其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻?答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。
光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。
何谓Soft Bake?答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
黄光工艺介绍
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力
耐酸印刷制程
制程规 耐酸印 格项目 刷制程
评判
线宽线 0.3*0.3
距
mm
一般
蚀刻痕 明显
一般
是否扩 散
产品设 计图形 复杂的
程度
精度
印刷容 易扩散
设计图 形简单
0.1mm
一般 一般 一般
黄光制程
制程规 黄光制 格项目 程
，容易扩散。 容易受ITO图案复杂性
影响
良率高不受其它影响
Remark： 黄光制程相对耐酸印刷制程良率较高。
黄光工艺介绍 Profile of Photo process
2012-12-29
1、黄光制程定义-核心技术及名称的来源
黄光工艺使用的技术 黄光使用的技术为微影 (Lithography) 技术，使用的材料为感光材料，这
种材料称之为光阻（PR,photo resistance)。PR具有独特的特性，在UV光的作 用下，会发生化学变化，变成易容与酸或者碱的新物质。
微影 (Lithography) 技术是将光罩 (Mask) 上的图案先转移至PR上，再以 溶剂浸泡将PR受光照射到的部份加以溶解或保留，形成和光罩完全相同或呈互 补的光阻图。
黄光制程名称的来源 由于微影制程的环境照明光源是黄光，而非一般摄影暗房的红光，所以这
一制程常被简称为“黄光”制程。 黄光制程线路精准度水平高，被广泛应用在电容式触摸屏sensor的加工。
Remark：黄光制程采用干膜代替耐酸制程能力进一步提升，可以提升产品层次。 镭雕工艺有效率和爆点的问题，复杂ITO图案产品的批量性低。
4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力
PHOTO工艺
第九章PHOTO工序9.1 PHOTO工序的目的9.1.1PHOTO的基本概念什么是PHOTO?若是从一个液晶厂内部部门来说，PHOTO指的是黄光部。
但是从工艺来说，在半导体和液晶产业，PHOTO指光刻技术。
当然，这两个概念是有实质联系的，因为在液晶厂内负责光刻方面工作的就是黄光部。
9.1.2PHOTO工序的目的PHOTO工序的目的是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。
主要过程依次如下面图（一），图（二）和图（三）所示。
图（一）图（二）图（三）PHOTO工序主要包含三大步骤，即上图所示的光阻涂布（PR coating）; 曝光（Exposure）;和显影（Develop）.光阻涂布（如图一），就是在plate（玻璃基板）上涂布光阻。
光阻是一种对特定波长的UV光敏感的有机材质，遇到一定强度的UV光就会发生化学反应，所以PHOTO工序要在黄光下进行。
因为黄光波长大，光子能量低，强度比较弱（不会引起光阻化学反应）并且照明效果不错的光。
光阻涂布制程主要控制光阻的膜厚及其均一性。
曝光（Exposure）是PHOTO的关键，也是ARRAY的关键。
之前说了PHOTO 是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。
临时电路结构就设计在MASK（光罩）上，光罩上有电路结构区域不透光，没有电路结构区域可以透光。
这样就使上一步骤涂布的光阻经过曝光工序之后，电路结构就从光罩转移到光阻上。
曝光（Exposure）制程的主要参数是CD（线宽）,Total pitch, Overlay。
Develop即显影。
经过Exposure之后在玻璃基板上喷洒显影液，因为显影液为碱性，对正性光阻而言，被紫外光照射过的光阻可以溶解在碱性显影液中，而未紫外光照射到的部分不溶于显影液。
因此，显影之后，在玻璃基板上，只剩下电路部分有光阻，而其它区域无光阻（注：本节所指光阻为正光阻，一般TFT 段都使用正光阻）。
显影液浓度的控制是显影工艺的关键，浓度的高低会影响到线宽。
半导体制程
P-sub
Brief Process Flow - Drain Engineering
7 Spacer Formation : 7.1 PETEOS dep. 7.2 SiN dep. 7.3 Spacer dry etch 8. Source and Drain Formation: 8.1 N+ Lithography 8.2 N+ implant 8.3 PR stripping 8.4 P+ Lithography 8.5 P+ implant 8.6 PR stripping
Brief Process Flow - Gate Engineering
5 Poly Gate Formation : 5.1 Poly annealing 5.2 PR coating 5.3 POLY Lithography 5.4 Development 5.5 POLY Gate etching 5.6 PR stripping 5.7 Thin Oxide Growth Stepper Exposure Poly Mask NLDD 6. LDD (Light Dope Drain) implant PR coating P-LDD PR 6.1 N-LDD Lithography (ellipsis) N-LDD Implant P-LDD implant Poly P-LDD 6.2 NLDD / N-PKT implant P-PKT STI 6.3 P-LDD Lithography (ellipsis) NWELL PWELL N-LDD N-LDD 6.4 PLDD / P-PKT implant N-PKT N-PKT
黄光制程简介2
6500
6000
5500 2000 2500 3000 3500 4000
Spin Speed (rpm)
Coating Uniformity Parameter
• Resist Temperature
– Domed profile (high in center) ---> lower resist temp. – Dished profile (low in center) ---> raise resist temp
Thickness (Angstron)
7360 7350 7340 7330 7320 7310 7300 7290 7280 7270 7260 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
22.6 oC 22.0 oC 21.8 oC 21.4 oC
Wafer Position
Contributors to Resist Thickness and Uniformity
2. Illumination intensity of KrF exposure tool is too low. →Much faster resist is require.⇒Chemically Amplified Resist
Substrate Pretreatment
1. Dehydrating Bake
Spin Speed
Thickness Uniformity
Resist volume Dispense rate
Dispense
Timing
Exhaust
Softbake
• Purpose • Consideration – Remove solvent – Optimize soft bake temperature – Control resist • sufficient high to release stress sensitivity and • not too high to desensitize resist linewidth – Consistency and uniformity of temperature – Stress release • to control resist sensitivity and linewidth
黄光制程
扩散 (Diffusion)
清洗 (Clean)
离子注入 (Implant)
Litho 什么是黄光区?
Litho
- Clean Room -
Separation Other Area Lithography Area † Clean
Materia l Selectio n
Cleaning System
• 按运作分类: 扫描机(SCANNER); 步进机(STEPPER)
Litho
什么是光罩?
光罩是有很多图形(Pattern）的模板设计图形
+ +
Test Key Barcode Scribe Line
Fiducial Test Line
Main Pattern
+
+
Global Mark
QA Cell
FACTOR
EE / FO OL Base Line / FB Mix & Match(System)
• Process condition depends on which layer : Substrate condition,CD,Topology,OL target,Etch target etc • Key process factor : Tpr(A),Use BARC or not,SB,TARC or not,WEE,EE,FO,OL offset,PEB, Dev. Dipping time and so on. • Key machine factor : Cup exhaust pressure,Water jacket control temp,Chamber pressure,Temp,focus, Plate exhaust,PEB temp Accuracy.
黄光制程介绍
100
NA
NA
1000
7
NA
10000
70
NA 100000 700
我們的無塵室規格
❖落塵量 ：每一立方英尺的空間裡直 徑0.5微米的灰塵或顆粒 數目小於10000個. （10000級）
❖溫 度 ： 21℃－25℃ ❖溼 度 ： 相對溼度 50﹪－70﹪ ❖靜電限制： 低於100 伏特
10/22
干膜光阻
3/21
模版式 移印式 印刷式 黃光轉移
通過干膜的光照反 應、化學反應發生 分解，達成非接觸
式轉移圖形
制程簡介
表面清潔
4/22
壓膜 去膜
曝光 顯 影
蝕刻
黃光區域
黃光燈：由于感光性的原料，對紫外光或可見 光敏感，如果采用含紫外線的普通白光燈照明 ，結果是電阻圖形邊緣模糊，從而降低產品的 質量，所以必須使用防紫外線燈，目前我們使 用的燈波長是大于365nm.
Hale Waihona Puke 黃光制程介紹前言黃光制程是通對涂覆在物件表面的光敏 性物質（又稱光刻膠或光阻），經曝光、顯 影后留下的部份對底層起保護作用，然后進 行蝕刻去膜，最終獲得永久性圖形的過程。
1/22
目錄
❖ 制程簡介 ❖ 黃光區域 ❖ 無塵室 ❖ 干膜光阻
2/22
❖ 曝光 ❖ 顯影 ❖ 蝕刻 ❖ 去膜
制程簡介
圖 形 轉 移 技 術
2 表示正在品質驗證的阻值
MS生產設備
21/22
小結
黃光制程是一種產品制造技術，并不 限于生產一種產品，目前的認知是可以在 平面物件上做出圖形，可以將銅合金制作 成需要的形狀，各制程如有新品的試制可 以采用。
23 22/22
12/22
黄光PHOTO制程问答.
黄光PHOTO制程问答PHOTO 流程?答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。
其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻?答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻?答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓 Photo?答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何?答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。
何谓PHOTO区之前处理?答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。
前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。
其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻?答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。
光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。
何谓Soft Bake?答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
厂晶圆厂面板厂电子厂房制程工艺制程简述
2.4 Implant制程-(Array制程之辅助制程)
项目
Implant
说明
1. 制程主要功能为:离子植入当导电材 2. 代表机台:High Current/Medium Current 3.所在区域Support Area为2层式结构
Note:所谓Supporting Area主要为Implant及Diffusion等2个制程区域, 其
3层式结构(1F非无尘室)
2. 各区有SubFAB空间
2.Support(Dif,Imp)2层,其余单层 3. 较少采用格子梁设计
1. 相同:T/F,Photo,Etch
2.相异:WS/R,Zero,Metrology,CMP Diffusion,Implant,WAT,OQA
1.相同:T/F,Photo,Etch 2.相异:Cell,Module 3.Buffer占用相当大动线空间
※ PR意指「光阻剂」
2.2前期制程
WS/WR Zero
1.即Wafer Start & Wafer Recycle 2.自中德/小松等长晶厂进基板晶圆 3.清洁/检查/方向标记
长第1层基底层
2.3 Array制程-(Ball Room一般为3层式无尘室) A.Thin Film制程-(主要功能在晶圆表面镀层)
3. 常须连接Pump Line高真空系统
B.Photo制程-(又叫黄光区,主要机台如Track /
Scanner) 项目
说明
PR Coating
1.PR Coating即光阻剂涂布作业 2.感光重要步骤
光源
1. 主要光源为DUV之KrF-248nm及ArF-193nm 2. 制程KrF-0.25,0.18μm及ArF-0.13,0.10μm
PHOTO工艺
第九章PHOTO工序9.1 PHOTO工序的目的HOTO的基本概念什么是PHOTO?若是从一个液晶厂内部部门来说，PHOTO指的是黄光部。
但是从工艺来说，在半导体和液晶产业，PHOTO指光刻技术。
当然，这两个概念是有实质联系的，因为在液晶厂内负责光刻方面工作的就是黄光部。
HOTO工序的目的PHOTO工序的目的是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。
主要过程依次如下面图（一），图（二）和图（三）所示。
图（一）图（二）图（三）PHOTO工序主要包含三大步骤，即上图所示的光阻涂布（PR coating） ; 曝光（Exposure）;和显影（Develop）.光阻涂布（如图一），就是在plate（玻璃基板）上涂布光阻。
光阻是一种对特定波长的UV光敏感的有机材质，遇到一定强度的UV光就会发生化学反应，所以PHOTO工序要在黄光下进行。
因为黄光波长大，光子能量低，强度比较弱（不会引起光阻化学反应）并且照明效果不错的光。
光阻涂布制程主要控制光阻的膜厚及其均一性。
曝光（Exposure）是PHOTO的关键，也是ARRAY的关键。
之前说了PHOTO是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。
临时电路结构就设计在MASK（光罩）上，光罩上有电路结构区域不透光，没有电路结构区域可以透光。
这样就使上一步骤涂布的光阻经过曝光工序之后，电路结构就从光罩转移到光阻上。
曝光（Exposure）制程的主要参数是CD（线宽）,Total pitch, Overlay。
Develop即显影。
经过Exposure之后在玻璃基板上喷洒显影液，因为显影液为碱性，对正性光阻而言，被紫外光照射过的光阻可以溶解在碱性显影液中，而未紫外光照射到的部分不溶于显影液。
因此，显影之后，在玻璃基板上，只剩下电路部分有光阻，而其它区域无光阻（注：本节所指光阻为正光阻，一般TFT段都使用正光阻）。
显影液浓度的控制是显影工艺的关键，浓度的高低会影响到线宽。
OGS前段流程简介
三 OGS工艺各制程介绍
白光镀膜制程-金属膜特性
膜層 ITO SIO2 METAL
功能 透明導線 TP保護膜 外部線路
需求 低阻抗、高穿透性 高硬度、耐侵蝕 低阻抗
三 OGS工艺各制程介绍
白光镀膜制程-使用物理氣相沉積 (Physical Vapor Deposition,PVD)法
性質 方法 蒸鍍 (Evaporatio n) 分子束磊晶 成長(MBE) 濺鍍 (Sputter) 大尺寸厚度 控制 差 差 佳 精确成份控 制 差 优秀 佳 可沉积材料 之选用 少 少 多 整体制造成 本（COO ） 差 差 优秀
剥膜前
剥膜后
OGS工艺前段制程
Creat A Better Future
Contents
1 2 3
引言
OGS工艺流程简介
OGS工艺各制程介绍
2
Creat A Better Future
一
引言
OGS（One glass solution)-单片式触控面板。 OGS结构：在保护玻璃上直接形成ITO导电膜及传感器的技术。一块玻璃 同时起到保护玻璃和触摸传感器的双重作用。 前景：从技术层面来看,OGS技术较之目前主流的G/G触控技术具备以下 优势:结构简单,轻、薄、透光性好;由于省掉一片玻璃基板以及贴合工序,利于 降低生产成本、提高产品良率。
RP，BRP，CP or TP
O2 氣體入口
IG，DG，PIG
如上图所示， TARGET后面(永久磁铁or可动式磁石)会吸附e-電子，在一真空腔体內， 將靶材接阴极(通 e- 负电)target上充滿e- 负电，而glass基板接正极或接地，导入Ar 气体，当两级间加入一高电压时，其Ar会解离成Ar+和e-(其Ar+和e-的等离子体，称 之为电浆)，而Ar+会动向阴极之靶材，并將靶材的原子冲撞出來，而后被冲撞出的原 子会落在基板上堆积形成薄膜。
黄光制程工艺流程
根据光敏材料的性质，选择合适的光 源波长和功率。
显影设备
显影设备
用于将光固化后的膜进行显影，去除未固化的材 料。
显影方式
可以采用浸泡显影、喷淋显影等方式。
显影剂选择
根据光敏材料的性质，选择合适的显影剂。
蚀刻设备
1 2
蚀刻设备
用于对硅片进行蚀刻处理，形成电路和图形。
蚀刻方式
可以采用化学蚀刻、物理蚀刻等方式。
技术挑战
光刻机精度要求高
黄光制程需要高精度的光刻机，以确保图案的精确复制和加工。
制程控制难度大
黄光制程涉及多种材料和复杂的化学反应，对制程参数和环境条件 要求极高，控制难度较大。
设备维护与升级成本高
黄光制程设备昂贵且维护成本高，同时随着技术更新换代，设备升 级也面临较大压力。
环境影响与可持续发展
特点
黄光制程具有高精度、高稳定性和高效率的特点。在微电子、精密机械、光学 等领域中，黄光制程广泛应用于表面处理、光刻、曝光等关键工艺环节。
黄光制程的重要性
提高产品质量
黄光制程能够有效地提高产品的质量和性能，降低不良率，提高 生产效率。
满足高精度需求
随着科技的发展，产品对精度的要求越来越高，黄光制程能够满足 高精度、高稳定性的制造需求。
03
聚酯
聚酯是一种常用的高分子材料，具有良好的透明性和机械性能，常用于
制造中低端光掩膜和光刻胶。
光敏材料
光敏材料
光敏材料是黄光制程中的核心材料之一，用于制造光掩膜和光刻胶。它们在受到特定波长 的光线照射后，会发生化学反应，从而产生交联或降解等变化。
光刻胶
光刻胶是光敏材料的一种，分为正性胶和负性胶两种类型。正性胶在受到光线照射后会变 得可溶，而负性胶则会变得不溶。它们在光刻工艺中起到关键的作用。
光刻技术知识问与答
何谓 DUV？答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。
I-line与DUV主要不同处为何?答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。
I-Line主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。
DUV则用在先进制程的Critical layer上。
何为Exposure Field?答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域何谓 Stepper? 其功能为何?答：一种曝光机，其曝光动作为Step by step形式,一次曝整個exposure field,一個一個曝過去何谓 Scanner? 其功能为何?答：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step形式, 在一個exposure field曝光時, 先Scan 完整個field, Scan完後再移到下一個field.何为象差？答：代表透镜成象的能力,越小越好.Scanner比Stepper优点为何？答：Exposure Field大，象差较小曝光最重要的两个参数是什幺？答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。
如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。
因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。
何为Reticle?答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。
何为Pellicle?答：Pellicle是Reticle上为了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的图形面上的一层保护膜。
何为OPC光罩？答：OPC (Optical Proximity Correction)为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。
黄光工艺介绍-20121230
批附光阻
3
UV光源 光罩图案 PR 光阻 ITO film 基材
UV通过光罩上的图案，照射到 光阻膜上去，制出光阻图案 （PR被UV照射后，发生化学变 化，但是物理形态没有变化，所 以生成的光阻图案肉眼不可见） 碱性溶液中，在光阻膜上形成与 光罩图案相同或者互补的光阻图 案 酸性溶液中，未被光阻图案遮 挡住的ITO被溶解，形成ITO图 案 酸性溶液中清晰掉光阻图案， 保留ITO图案。Sensor制作完 成
曝 光
4
光阻图案 ITO film 基材 光阻图案 5 ITO 图案 基材 ITO 图案 基材
显 影
蚀 刻
6
褪光阻
4.黄光制程与传统制程的优劣1-流程
耐酸 印刷 制程
黄光 制程
镭雕 制程
Remark：黄光制程与耐酸制程工艺的对比主要是用干膜代替了耐酸印刷制程，后续工站相同。
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力 耐酸印刷制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 耐酸印 刷制程 0.3*0.3 mm 明显 印刷容 易扩散 设计图 形简单 0.1mm 评判
黄光制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 黄光制 程 40*4 0um 无 无 设计图 形可以 更复杂 ，性能 强大 40um 评判 好 好 较好
曝光前
Mask光罩
曝光后
PR 光阻 ITO film 未被mask遮挡的PR曝 光后变成不溶于碱的物 质，形成负性光阻图案 未被mask遮挡的PR曝 光后变成溶于碱的物 质，形成正性光阻图案
3、黄光制程的流程
1 2
ITO 基材 基材退火
ITO缩水 压干膜
PR 光阻 ITO 基材
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黄光PHOT（制程问答PHOTO流程?答：上光阻f曝光f顯影f顯影後檢查f CD量測f Overlay量測何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist（光阻）. 是一种感光的物质，其作用是将Pattern 从光罩（Reticle）上传递到Wafer 上的一种介质。
其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓Photo?答：Photo=Photolithgraphy, 光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何？答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake,曝光，PEB显影，Hard Bake 等。
何谓PHOT区之前处理？答：在Wafer 上涂布光阻之前，需要先对Wafer 表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。
前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。
其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDM工作，以使Wafer 表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻?答：上光阻是为了在Wafer 表面得到厚度均匀的光阻薄膜。
光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer 的表面。
何谓Soft Bake?答：上完光阻之后，要进行Soft Bake ，其主要目的是通过Soft Bake 将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
何谓曝光?答：曝光是将涂布在Wafer 表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer 上的过程。
何谓PEB（Post Exposure Bake）?答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。
其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。
何谓显影?答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer 进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。
何谓Hard Bake?答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。
何为BARC何为TARC它们分别的作用是什幺？答：BARC=BottomAnti Reflective Coating, TARC=TopAnti Reflective Coating. BAR （是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC M是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。
他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。
何谓Iline ？答：曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp（汞灯）产生，其波长为365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。
何谓DUV？答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。
l-line 与DUV主要不同处为何？答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。
I-Line 主要用在较落后的制程（0.35 微米以上）或者较先进制程（0.35 微米以下）的Non-Critical layer 。
DUV则用在先进制程的Critical layer 上。
何为Exposure Field?答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域何谓Stepper? 其功能为何?答：一种曝光机，其曝光动作为Step by step 形式, 一次曝整個exposure field, 一個一個曝過去何谓Scanner? 其功能为何?答：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step 形式, 在一個exposure field 曝光時,先Scan完整個field, Scan 完後再移到下一個field.何为象差？答：代表透镜成象的能力, 越小越好.Scanner 比Stepper 优点为何？答：Exposure Field 大，象差较小曝光最重要的两个参数是什幺？答：Energy（曝光量）, Focus（焦距）。
如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。
因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。
何为Reticle?答：Reticle也称为Mask,翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。
何为Pellicle?答：Pellicle 是Reticle 上为了防止灰塵（dust）或者微塵粒子（Particle）落在光罩的图形面上的一层保护膜。
何为OPC光罩？答：OPC（Optical Proximity Correction）为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer 就是OP（光罩。
何为PSM光罩？答：PSM （Phase Shift Mask）不同于Cr mask,利用相位干涉原理成象，目前大都应用在con tact layer 以及较小CD 的Critical layer （如AA POLY METAL）以增加图形的分辨率。
何為CR Mask？答：傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1 干涉成像,主要應用在較不Critical的layer光罩编号各位代码都代表什幺？答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表产品号，00代表Special code,156 代表layer,A 代表客户版本，后一个A代表SMIC版本，1代表FAB1, D代表DUV如果是J,则代表I-line）,A 代表ASM机台（如果是C,则代表Canon机台）光罩室同时不能超过多少人在其中？答： 2 人，为了避免产生更多的Particle 和静电而损坏光罩。
存取光罩的基本原则是什幺？答：（1）光罩盒打开的情况下，不准进出MaskRoom最多只准保持2个人（2）戴上手套（3）轻拿轻放如何避免静电破坏Mask？答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。
光罩POD和FOUP能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？答：不能放在一起，之间至少要有30公分的距离，防止搬动FOUP时碰撞光罩Pod 而损坏光罩。
何谓Track?答：Photo 制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer 的前、后处理，Coating （上光阻），和Develop（显影）等过程。
In-line Track 机台有几个Coater 槽，几个Developer 槽？答：均为 4 个机台上亮红灯的处理流程？答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此应该及时Call E.E进行处理。
若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN 何谓WEE? 其功能为何?答：Wafer Edge Exposure 。
由于Wafer 边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling 而影响其它部分的图形，因此将Wafer Edge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。
何为PEB其功能为何？答: Post Exposure Bake，其功能在于可以得到质量较好的图形。
（消除standing waves）PHOTO POLYIMID所用的光阻是正光阻还是负光阻答：目前正负光阻都有，SMIC FAB内用的为负光阻。
RUN货结束后如何判断是否有wafer被reject ？答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFE是否有少掉，如果有少，则进一步查看机台是否有Reject 记录。
何谓Overlay? 其功能为何?答：迭对测量仪。
由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一层与前面或者后面的层的对准精度，如果对准精度超出要求范围内，则可能造成整个电路不能完成设计的工作。
因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的对准精度进行测量，如果测量值超出要求，则必须采取相应措施调整process condition.何谓ADI CD?答：Critical Dimension，光罩图案中最小的线宽。
曝光过后，它的图形也被复制在Wafer 上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。
因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。
何谓CD-SEM?其功能为何？答：扫描电子显微镜。
是一种测量用的仪器，通常可以用于测量CD以及观察图案。
PRS的制程目的为何？答：PRS (Process Release Standard) 通过选择不同的条件(能量和焦距)对Wafer 曝光，以选择最佳的process condition 。
何为ADI？ADI需检查的项目有哪些？答：After Develop Inspection ，曝光和显影完成之后，通过ADI 机台对所产生的图形的定性检查，看其是否正常，其检查项目包括：Layer ID,LockingCorner,Vernier,Photo Macro Defect何为OOC, OO，S OCA？P答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan当需要追货的时候，是否需要将ETCHS有下机台的货追回来？答：需要。
因为通常是process 出现了异常，而且影响到了一些货，因此为了减少损失，必须把还没有ETCH勺货追回来，否则ETCH之后就无法挽回损失。
PHOTO AD检查的SITE是每片几个点？答：5点，Wafer中间一点，周围四点。
PHOTO OVERLAY查的SITE是每片几个点？答：20PHOTO AD检查的片数一般是哪几片？答：#1，#6，#15，#24; 统计随机的考量何谓RTMS其主要功能是什幺？答：RTMS (Reticle Management System) 光罩管理系统用于trace 光罩的History,Status,Location,and Information 以便于光罩管理PHOT(区的主机台进行PM的周期？答：一周一次PHOT(区的控片主要有几种类型答：(1) Particle : 作為Particle monitor 用的芯片, 使用前測前需小於10顆⑵Chuck Particle : 作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片，其平坦度要求非常高(3) Focus : 作為Scanner Daily monitor best 的wafer(4) CD : 做為photo 區daily monitor CD 穩定度的wafer(5) PR thickness : 做為光阻厚度測量的wafer(6) PDM : 做為photo defect monitor 的wafer当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？答：有少量光阻当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？答：有少量光阻WAFER SORT有读WAFE刻号的功能吗？答：有光刻部的主要机台是什幺? 它们的作用是什幺?答：光刻部的主要机台是：TRACK(涂胶显影机),Sanner(扫描曝光机)为什幺说光刻技术最象日常生活中的照相技术答：Track 把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片, 而曝光机就是一台最高级的照相机. 光罩上的电路图形就是"人物". 通过对准, 对焦, 打开快门, 让一定量的光照过光罩, 其图像呈现在芯片的光刻胶上, 曝光后的芯片被送回Track 的显影槽, 被显影液浸泡, 曝光的光刻胶被洗掉, 图形就显现出来了. 光刻技术的英文是什幺答：Photo Lithography 常听说的.18 或点13 技术是指什幺?答：它是指某个产品, 它的最小"CD" 的大小为0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高, 每个芯片上可做的芯片数量越多, 难度也越大. 它是代表工艺水平的重要参数.从点18 工艺到点13 工艺到点零9. 难度在哪里? 答：难度在光刻部, 因为图形越来越小, 曝光机分辨率有限. 曝光机的NA 是什幺?答：NA是曝光机的透镜的数值孔径；是光罩对透镜张开的角度的正玹值.最大是1; 先进的曝光机的NA 在0.5 ---0.85 之间. 曝光机分辨率是由哪些参数决定的?答：分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波长;NA是曝光机的透镜的数值孔径； k1 是标志工艺水准的参数, 通常在0.4--0.7 之间. 如何提高曝光机的分辨率呢?答：减短曝光的光波长, 选择新的光源; 把透镜做大, 提高NA. 现在的生产线上, 曝光机的光源有几种, 波长多少?答：有三种：高压汞灯光谱中的365nm 谱线, 我们也称其为I-line; KrF 激光器, 产生248 nm 的光; ArF 激光器, 产生193 nm 的光; 下一代曝光机光源是什幺?答：F2 激光器. 波长157nm 我们可否一直把波长缩短, 以提高分辨率? 困难在哪里?答：不可以. 困难在透镜材料. 能透过157nm 的材料是CaF2, 其晶体很难生长. 还未发现能透过更短波长的材料.为什幺光刻区采用黄光照明？答：因为白光中包含365nm成份会使光阻曝光，所以采用黄光；就象洗像的暗房采用暗红光照明.什幺是SEM答：扫描电子显微镜(Scan Electronic Microscope) 光刻部常用的也称道CDSEM. 用它来测量CD如何做Overlay 测量呢?答：芯片(Wafer)被送进Overlay机台中.先确定Wafer的位置从而找到Overlay MARK.这个MARK是—个方块IN方块的结构.大方块是前层,小方块是当层；通过小方块是否在大方块中心来确定Overlay 的好坏.生产线上最贵的机器是什幺答：曝光机;5-15 百万美金/台曝光机贵在哪里?答：曝光机贵在它的光学成像系统（它的成像系统由15 到20 个直径在200300MM的透镜组成.波面相位差只有最好象机的5%.它有精密的定位系统（使用激光工作台）激光工作台的定位精度有多高? 答：现用的曝光机的激光工作台定位的重复精度小于10nm 曝光机是如何保证Overlay<50nm 答：曝光机要保证每层的图形之间对准精度<50nm. 它首先要有一个精准的激光工作台, 它把wafer 移动到准确的位置. 再就是成像系统, 它带来的图像变形<35nm.在WAFERt,什幺叫一个Field?答：光罩上图形成象在WAFE上,最大只有26X33mmr块（这一块就叫一个Field）,激光工作台把WAFER移动一个Field的位置，再曝一次光，再移动再曝光。