湿法化学腐蚀

5.GaAs的腐蚀
属各向同性腐蚀，常见腐蚀剂为 H2SO4-H2O2-H2O与H3PO4-H2O2-H2O系统， 速率较慢
6.影响腐蚀速率的因素
腐蚀剂的浓度、搅动、温度决定；另 外，密度、表面多孔度、微结构与氧化物 内含杂质都会影响腐蚀速率
7.优缺点
选择性高、设备简单、便于规模生产 各向异性腐蚀的精度不是太高
4.Al腐蚀
加热的H3PO4、HNO3、CH3COOH和去离子水 典型的体积配比为73：4：3.5：19.5 30℃<t<80℃ 步骤为： Al + 4HNO3→Al(NO3)3 + NO + 2H2O Al2O3 + 6H3PO4 → 2Al(H2PO4)3 + 3H20
表12.2导体与介质的腐蚀剂
12.3 湿法化学腐蚀
12.3.1 简介
1.湿法化学腐蚀（定义）在半导体中 工艺中被广泛应用 2.湿法腐蚀方法步骤 3.适用范围
12.3.2 从适用范围分别探讨Si、 SiO2、Si3N4和多晶Si、Al以及 GaAs的腐蚀
12.3.1
简介
1.湿法化学腐蚀（定义）在半导体 中工艺中被广泛应用：晶面的研磨和
抛光、在热氧化或外延之前
2.湿法腐蚀方法： 步骤：
a.腐蚀剂扩散到表面 b.反应 c.生成物溶解
图12.21
湿法化学腐蚀机理
方式： 浸入式和喷洒式 由于较高的腐蚀速率和均匀度，后者 逐步代替前者 腐蚀速率：
例3、铝的平均腐蚀速率：五个速率之和的平 均值为773.6nm/min 腐蚀速率均匀度：4.4%
硅的各向异性腐蚀（KOH、H2O、异丙基酒精）
2.SiO2的腐蚀
稀释的HF，也可加入NH4F（作用） SiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O 也可用气相HF腐蚀
3.Si3N4和多晶Si的腐蚀
高浓度HF、缓冲HF或沸腾的H3PO4 （H3PO4）Si3N4 + 6H2O →3SiOwk.baidu.com + 4NH3 解决抗蚀剂吸附：抗蚀剂→氧化层→氮化硅 多晶硅
3.尤其适用于多晶硅、氧化物、氮 化物、金属及Ⅲ-Ⅴ族化合物的腐 蚀
12.3.2 从适用范围分别探讨Si、SiO2、 Si3N4和多晶Si、Al以及GaAs的腐蚀
1.硅的腐蚀
常见腐蚀剂为HNO3与HF，再加入H2O或 CH3COOH，过程为： Si + 4HNO3 → SiO2 + 2H2O + 4NO2 SiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O