CMOS静态特性

MOS器件的静态分析

院系：电子工程学院

专业班级：集电0903

姓名：郑燕燕

学号：04096096（26）

日期：2012年5月7日

摘要 (2)

一、实验目的 (4)

二、实验内容 (4)

三、实验过程 (4)

3.1 NMOS器件原理图设计 (4)

3.2 CMOS器件的静态分析与模拟 (5)

3.3 MOS器件的输出结果显示 (6)

四、实验小结 (6)

摘要

一、实验目的

1、熟悉并掌握Tanner Pro仿真工具的使用，能够进行较简单

的器件仿真。

2、分析MOS器件的工作原理并进行单个MOS器件的静态分析。

二、实验内容

熟悉了Tanner Pro软件的使用方法后，在S_Edit中画出单个CMOS器件（NMOS或PMOS），然后在T-Spice中生成对应的网表并对输入及输出进行处理，最终获得其静态特性曲线再加以分析。

三、实验过程

3.1 NMOS器件原理图设计

CMOS器件是一个四端器件，夹在栅端的电压决定了源端与漏端之间有多少电路流过。从最浅显的观点看，可以把MOS器件看成是一个开关。当栅压大于阈值电压时，在漏端和源端之间就形成了一导电沟道。当漏端和源端之间存在电压差时，电流就会在它们之间流动。其电路图如下：

其原理图编辑如下：

3.2 CMOS器件的静态分析与模拟

在S_Edit中只需画出待测MOS器件即可，然后在T_Spice 中生成对应的网表，这时，一些待测量的值的设定十分重要。主要包括：栅源电压Vgs的线性变化以及漏源电压Vds的线性变换。由于CMOS静态分析主要是观察器件电流随电压值的变化曲线，所以，需对器件电流进行波形的仿真。仿真程序如下：

3.3 MOS器件的输出结果显示

横坐标为Vds，横坐标为器件电流Ids：

四、实验小结