纳米钛酸钡合成方法

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• 晶粒尺寸小到100nm尺度,传统掺杂工艺无法满足 可靠性的要求,化学包覆工艺成为新的研究热 点——化学成分均匀,形貌规则(最好是球形), 尺寸均匀,分散性和结晶性好
传统固相法(亚微米级)
化学包覆方法(纳米级)
化学包覆性能测试圆片介电性能
3000
1170 C 1190 C
o o o o
20 10 0
• • • • • • • •
晶粒尺寸<100nm 尺寸均匀 分散性良好 结晶性好 形貌规则 化学成分均匀 反应条件温和 工艺简单,成本低廉
不同合成方法粉体形貌和优缺点对比
固相法
• • • • • • • • 晶粒尺寸<100nm(×) 尺寸均匀(×) 分散性良好(×) 结晶性好(√) 形貌规则(×) 化学成分均匀(×) 反应条件温和(√) 工艺简单,成本低廉 (√)
强 度
10000 5000 0 20 40 2

60
80
结束语
• 钛酸钡的制备方法很 多,本文系统的总结 了各种方法的优缺点, 比较详细的介绍了醋 酸控制水热法来制备 醋酸钡,希望会对大 家有所帮助和借鉴。
1170 C 1190 C 1200 C 1210 C
o o o
o
1.8 1.6 1.4 1.2 1.0
1170 C 1190 C 1200 C 1210 C
o o o
o
2500
1200 C 1210 C
介电常数
TCC
2000
损耗%
-10 -20 -30
0.8 0.6 0.4 0.2
1500
1000
-40
-50 0 50 100
o
0.0
-100
150
-50 -100
-50
0
温度/ C
温度/oC
50
100
150
-0.2 -100
-50
0
50
100
150
温度/oC
介温曲线
TCC曲线
损耗
• 性能基本满足X5R要求,甚至接近X7R • 烧结温度越高介电常数越高,TCC性能越差 • 损耗都在2%以下
• 通过使用醋酸 和 PEG 作 为 水 解抑制剂和表 面活性剂
醋酸控制水热法
• 使用醋酸和PEG作为 水解抑制剂和表面活 性剂,使钛酸四丁酯 缓慢水解,形成均匀、 超细的高活性前驱体 • 分离出前驱体用于后 续水热反应
移取适量 Ti(OC4H9)4,加入少 量无水乙醇溶解成黄色液体,同 时加入醋酸搅拌均匀
滴加到溶有PEG及醋酸的水溶液中,剧 烈搅拌(冰水浴及常温均可),形成 淡黄色粘稠溶液,水浴老化
不同合成方法粉体形貌和优缺点对比
草酸盐法
• • • • • • • • 晶粒尺寸<100nm(√) 尺寸均匀(×) 分散性良好(×) 结晶性好(√) 形貌规则(×) 化学成分均匀(×) 反应条件温和(√) 工艺简单,成本低廉(√)
不同合成方法粉体形貌和优缺点对比
水热法
• • • • • • • • 晶粒尺寸<100nm(√) 尺寸均匀(√) 分散性良好(√) 结晶性好(√) 形貌规则(√) 化学成分均匀(√) 反应条件温和(×) 工艺简单,成本低廉(×)
纳米钛酸钡的合成工艺简介
电子技术 李鹏洋 541211020122
• 钛酸钡是目前应用最广 泛的功能陶瓷材料之一 • 随着电子元器件表面安 装技术的普及,尤其是 多层陶瓷电容器(MLCC) 的广泛应用,钛酸钡的 研究和应用也得到了快 速发展 • 钛酸钡基MLCC是现今用 量最大的片式电子元件
200nm以下甚至100nm以下钛酸钡成为主流
• 0201(0.5 mm×0.25 mm)甚至01005(0.25 mm×0.125 mm)的MLCC逐步进入市场实用 • 介质层厚度降到1微米及以下时,使用的钛酸钡粉 体粒径尺寸应为100-150nm才能确保MLCC器件性能 稳定
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平均晶粒尺寸为200 nm
化学包覆才能满足小尺寸粉体掺杂工艺要求
不同合成方法粉体形貌和优缺点对比
燃烧法
• • • • • • • • 晶粒尺寸<100nm(×) 尺寸均匀(×) 分散性良好(×) 结晶性好(√) 形貌规则(×) 化学成分均匀(×) 反应条件温和(√) 工艺简单,成本低廉(×)
不同合成方法粉体形貌和优缺点对比
溶胶凝胶法
• • • • • • • • 晶粒尺寸<100nm(√) 尺寸均匀(×) 分散性良好(×) 结晶性好(√) 形貌规则(×) 化学成分均匀(√) 反应条件温和(√) 工艺简单,成本低廉(×)
加入少量氨水,离心沉淀
一定量去离子水将沉淀重新 分散,加入计算量 Ba(OH)2·8H2O,水热反应
醋酸控制水热法
• 水热法140℃,4小时:平均尺寸72.4nm,其中86% 的晶粒尺寸误差在±15%之内
50
40
30
数 量
20
10
0
50
60
70
80
90
晶 粒尺寸/nm
醋酸控制水热法
• 中试放大
25000 20000 15000
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