Memory基础知识介绍
memory种类
memory种类Memory（内存）是计算机中用来存放数据与指令的设备，它是计算机的重要组成部分之一。
随着计算机的发展，Memory种类也日益丰富。
下面介绍一些常见的Memory种类：1. DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）：这是目前应用最广泛的Memory种类之一，因其容量大、速度快而得到广泛应用。
然而，由于其存储周期短，需要不断地刷新电容，故而称为“动态”Memory。
2. SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存取存储器）：相对于DRAM而言，SRAM的存储周期长，速度也较快。
但由于电路结构的复杂性，SRAM的功耗和成本都比较高，因此主要应用在一些特殊领域，如高速缓存、流媒体等。
3. SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存取存储器）：这种Memory在DRAM的基础上进行了改进，增加了时钟控制单元，以提高传输速度和时序控制。
4. DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍速率同步动态随机存取存储器）：DDR SDRAM在SDRAM的基础上加倍数据传输速率，同时还能降低电压，从而减少功耗。
5. Flash Memory（闪存）：这是一种非易失性的Memory，能在断电情况下保持数据不丢失。
闪存的速度相对较慢，但它有着体积小、重量轻、耐用等特点，因此被广泛应用于移动设备中，如手机、相机、MP3等。
总之，Memory种类多样，各有其优劣。
不同的应用场景需要不同的Memory来满足需求。
而在今天高端计算机应用领域，更多的是采用多种Memory共同作用的方式来提高计算机的性能。
电脑内存实用基础知识
电脑内存实用基础知识内存(Memory)也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU 中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。
计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。
下面就让小编带你去看看电脑内存实用基础知识，希望能帮助到大家!你不知道的内存知识一、CPU与内存先铺垫几个概念，以免后面混乱：Socket或Processor: 指一个物理CPU芯片，盒装还是散装的。
上面有很多针脚，直接安装在主板上。
Core : 指在Processor里封装一个CPU核心，每个Core都是完全独立的计算单元，我们平时说的4核心CPU，指的就是Processor 里面封装了4个Core。
HT超线程：目前Intel与AMD的Processor大多支持在一个Core里并行执行两个线程，此时从操作系统看就相当于两个逻辑CPU(Logical Processor)。
大多数情况下，我们程序里提到的CPU概念就是指的这个Logical Processor。
咱们先来看几个问题：1、CPU可以直接操作内存吗?可能一大部分老铁肯定会说：肯定的啊，不能操作内存怎么读取数据呢。
其实如果我们用这聪明的大脑想一想，咱们的台式主机大家肯定都玩过。
上面CPU和内存条是两个完全独立的硬件啊，而且CPU也没有任何直接插槽用于挂载内存条的。
也就是说，CPU和内存条是物理隔离的，CPU并不能直接的访问内存条，而是需要借助主板上的其他硬件间接的来实现访问。
2、CPU的运算速度和内存条的访问速度差距有多大?呵呵呵，这么说吧，就是一个鸿沟啊，CPU的运算速度与内存访问速度之间的差距是100倍。
而由于CPU与内存之间的速度差存在N个数量级的巨大鸿沟，于是CPU最亲密的小伙伴Cache 闪亮登场了。
与DRAM 家族的内存(Memory)不同，Cache来自SRAM家族。
而DRAM与SRAM的最简单区别就是后者特别快，容量特别小，电路结构非常复杂，造价特别高。
memory的用法总结大全
memory的用法总结大全（学习版）编制人：__________________审核人：__________________审批人：__________________编制学校：__________________编制时间：____年____月____日序言下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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Memory 简介
DDR II 800 SDRAM的核心频率/时钟频率/数据传输率分 别是200MHz/400MHz/800Mbps。
DDR II 800 SDRAM的核心频率和DDR I 400是一样的， 但是DDR II 800的数据传输率是DDR I 400的两倍。 因此，DDR-Ⅱ虽然实现了4-bit预取，但在实际效能上，与 DDR是一样的。因此在相同的核心频率下，DDR-Ⅱ达到了 两倍于DDR的的带宽的水帄有一个前提条件，那就是DDRⅡ的外部时钟频率也是DDR和SDRAM的两倍。
封装
目前DDR内存主要采用TSOP-Ⅱ封装(引脚),而在DDRⅡ时 代，TSOP-Ⅱ封装将彻底退出内存封装市场，改用更先进的 CSP（FBGA）无铅封装技术(球型)，它是比TSOP-Ⅱ更为 贴近芯片尺寸的封装方法，并且由于在晶圆上就做好了封装 布线，在可靠性方面可以达到了更高的水帄。 CSP封装具有以下特点： 1.满足了芯片I/O引脚不断增加的需要 (DDR:184pin,DDRII:240pin)。 2.芯片面积与封装面积之间的比值很小(封装后的IC尺寸边 长不大于芯片的1.2倍)。 3.极大地缩短延迟时间(DDR:2.9ns,DDRII:1.8ns~2.2ns)
在DDR I SDRAM中，核心频率和时钟频率是一样的，而数 据传输率是时钟频率的两倍。
DDR也就是Double Data Rating内存可以在每个时钟周期 的上升延和下降延传输数据，也就是一个时钟周期可以传输 2bit数据，因此DDR I的数据传输率是时钟频率的两倍。以 DDR266 SDRAM为例，它的核心频率/时钟频率/数据传输 率分别是133MHz/133MHz/266Mbps。 JEDEC（电子元件工业协会）标准中的DDR I SDRAM的最高 标准是DDR400，它的核心频率/时钟频率/数据传输率分别 是200MHz/200MHz/400Mbps。
mem基础知识
mem基础知识
MEM (Memory)即内存，是计算机中用于存储数据的硬件设备，是计算机的核心组件之一。
MEM的基础知识需要从以下几个方面来了解。
一、内存的种类
目前内存的种类主要有两种：DRAM (Dynamic Random Access Memory)和SRAM (Static Random Access Memory)。
DRAM是指动态随机存取存储器，是在CPU中用于存储数据和指令的最主要的存储器件。
SRAM是指静态随机存取存储器，使用CMOS技术制造，其读写速度快于DRAM，但价格较高，多用于高速缓存中。
二、内存的容量
内存的容量主要是指内存条的大小，目前常见的内存容量是4G、8G、16G、32G等等。
内存容量的大小直接决定着计算机的运行速度和运
行效率。
三、内存的速度
内存的速度也是非常重要的，它决定了计算机的处理速度和运行效率。
目前内存的速度是通过频率表示，例如DDR3-1600、DDR4-2400等等。
内存条的频率越高，处理数据的速度就越快，运行效率也会更高。
四、内存的插槽
内存插槽是固定在主板上的，所以选择内存的时候需要和主板的插槽
兼容。
目前市面上使用较多的内存插槽为DDR3和DDR4，而且它们
是不兼容的，所以选择要根据主板的需求进行选择。
总之，内存作为计算机的核心组件之一，其基础知识的了解非常重要。
在选择内存的时候需要考虑到内存的种类、容量、速度和插槽等各个
方面的问题，综合考虑之后可以选择一款适合自己需求的内存条，以
提高计算机运行效率和速度。
memory计算机组成原理
memory计算机组成原理memory（内存）在计算机组成原理中扮演着至关重要的角色，作为计算机的核心组件之一，其主要功能是存储计算机正在运行的程序和数据，以及作为数据的暂时存储区域。
下面将具体介绍memory的相关知识点。
一、内存的分类1. RAM（随机访问存储器）RAM是计算机内存最常见的类型之一，它具有随机访问的特性，读写速度非常的快。
RAM分为SRAM和DRAM两种，SRAM针对高速缓存等小容量高速读取操作，DRAM适用于大容量内存存储操作。
2. ROM（只读存储器）ROM是一种只能读不能写的内存存储器，它属于非易失性存储器，用于存储计算机的基本输入输出系统、操作系统等信息。
3. Cache（缓存）Cache是内存中的高速缓存区域，它的特性是读写速度非常快，可以提高计算机的运行速度。
Cache分为一级缓存和二级缓存，一级缓存称为L1缓存，一般集成在CPU内部，二级缓存称为L2缓存，通常位于CPU和主板之间。
二、内存的存储方式1. 字节地址存储计算机将内存中的每一个字节都寻址，并按照字节进行存储，每一个内存单元都有一个独特的地址。
2. 字地址存储计算机将内存中的每一个字都寻址，并按照字进行存储，每一个内存单元的地址是相邻的，在不需要单独修改某个字节的情况下使用。
三、内存读取和写入操作CPU中的内存控制器负责向内存请求数据和写入数据，读取数据时，内存控制器将地址发送到内存中，内存中的电子元件将相应地址的存储单元中的数据读取出来，然后发送给内存控制器。
写入数据时，内存控制器将数据和地址发送给内存，内存中的电子元件将数据存储于对应的地址中。
四、内存扩展内存扩展是指将计算机中的内存容量增加，以满足更高的计算性能。
扩展内存有两种常用的方法：1. 更换内存条，将原来的内存条更换为容量更大的内存条。
2. 增加内存条，增加内存条的数量，但需要满足相应的内存条插槽数量和主板的支持。
总之，memory（内存）在计算机组成原理中占有重要地位，了解内存的各种特性和存储方式，将有助于更好地理解计算机的运行机制，也为日后的计算机应用提供基础。
内存知识大全
内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。
计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。
内存（Memory）也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。
只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。
内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。
1. 将“内部的外存储器”理解为”内存“ ：2.将存储卡的容量称之为“内存”：内存简介英文名称：Memory拼音：nèi cún在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。
存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。
存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。
内存又称主存，是CPU能直接寻址的存储空间，由半导体器件制成。
内存的特点是存取速度快。
内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。
我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。
就好比在一个书房里，存放书籍的书架和书柜相当于电脑的外存，而我们工作的办公桌就是内存。
通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上，当然内存的好坏会直接影响电脑的运行速度。
内存概述内存就是暂时存储程序以及数据的地方，比如当我们在使用WPS处理文稿时，当你在键盘上敲入字符时，它就被存入内存中，当你选择存盘时，内存中的数据才会被存入硬（磁）盘。
在进一步理解它之前，还应认识一下它的物理概念。
memory的动词和形容词形式
Memory的动词和形容词形式1. Introduction在英语中，名词memory可以被词形变换成动词和形容词形式。
在实际应用中，我们经常需要使用memory的不同形式来描述不同的情况或行为。
本文将介绍memory的动词和形容词形式，并给出一些例句来说明它们的用法和含义。
2. Memory的动词形式Memory作为一个名词，它的动词形式主要有两个：memorize和remember。
其中，memorize表示“记住，记忆”之意，常用于指定特定的信息或知识；remember表示“记得，记起”之意，用于指整体性或长期性的记忆。
例如：- She needs to memorize all the formulas for the math exam.（她需要记住数学考试的所有公式。
）- I can't remember where I put my keys.（我记不得我把钥匙放在哪儿了。
）3. Memory的形容词形式Memory作为名词，它的形容词形式主要有两个：memorable和memorial。
其中，memorable表示“值得纪念的，令人难忘的”，常用来形容有意义或特殊的事件、经历或场所；memorial表示“纪念的，纪念性的”，用来指代专门为纪念某人或某事而建立的纪念物。
例如：- Their wedding anniversary was a memorable occasion.（他们的结婚纪念日是一个难忘的场合。
）- The city has a memorial museum dedicated to the victims of the war.（这座城市有一个专门致力于战争受害者的纪念博物馆。
）4. 例句解析根据以上介绍，我们可以看出memory的动词和形容词形式在不同的语境中有着不同的使用方式和含义。
下面将给出一些例句来进一步说明它们的用法和作用。
4.1 例句使用memory的动词形式- He needs to memorize his speech for the presentation.（他需要记住他的演讲稿以备报告。
计算机基础知识之硬件组成与功能解析
计算机基础知识之硬件组成与功能解析计算机是一种现代化的科技产品，广泛应用于各行各业。
它的核心是由软件和硬件两部分组成。
软件是指计算机程序和数据，而硬件则是指计算机的各个物理组件。
本文将围绕计算机硬件的组成和功能进行解析，以帮助读者更好地理解计算机的基础知识。
一、中央处理器（CPU）中央处理器是计算机的核心部件，也被称为计算机的大脑。
它负责解析和执行计算机程序中的指令，控制计算机的运行和各硬件组件的协调工作。
中央处理器通常由多个核心组成，以实现高效的多任务处理。
二、内存（Memory）内存是计算机的临时存储器，用于存储正在执行的程序和数据。
内存分为主内存和缓存内存两种类型。
主内存是计算机能够直接访问的存储空间，而缓存内存则是用于临时存储最常用的数据和指令，以提高计算机的运行速度和效率。
三、硬盘和固态硬盘（Hard Drive and Solid State Drive）硬盘和固态硬盘是计算机的永久存储器，用于存储操作系统、应用程序和用户数据等。
硬盘是传统的存储设备，通过机械臂在磁盘上读写数据。
而固态硬盘则采用闪存芯片来存储数据，速度更快，抗震性和耐用性更高。
四、显卡（Graphics Card）显卡是计算机的图形处理单元，负责处理和渲染图像和视频。
它有助于提高计算机的图形性能和显示质量。
显卡通常具有独立的处理芯片和显存，可支持高分辨率的游戏、多媒体内容和图形设计等应用。
五、输入和输出设备（Input and Output Devices）输入设备用于将用户的物理输入转化为计算机能够识别的数据格式，包括键盘、鼠标、触摸屏等。
输出设备则将计算机处理后的数据转化为人类可理解的形式，包括显示器、打印机、音频设备等。
六、主板（Motherboard）主板是计算机的核心电路板，连接着各个硬件组件。
它提供了电源、数据传输和控制信号等功能，承载计算机系统的各部分进行通信和协调工作。
七、电源供应器（Power Supply Unit）电源供应器为计算机提供稳定的电源，并将电能转化为各硬件组件所需的电压和电流。
Memory基础知识介绍..
Samsung （韩国三星） Apacer (宇瞻) SmartADATA(威刚) Infineon (英飞凌) smart （世迈） Elpida (尔必达 ) Kingtiger (金泰克)
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Micron
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Samsung
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Hynix (Hyundai)
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Elpida
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ECC
ECC （Error Checking and Correcting）
内存即纠错内存，简单的说，其具有发现错误， 纠正错误的功能，一般多应用在高档台式电脑/服 务器及图形工作站上，这将使整个电脑系统在工 作时更趋于安全稳定。 ECC校验内存更稳定、可 靠，多应用于服务器。对应的内存、芯片组及相 关的主板都更贵一些。
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Register DIMM
PLL(Phase Locked Loop) 琐相环 集成电路芯 片 , 对时钟信号对主板发来的时钟为三种：
1. Unbuffered DIMM：无缓冲型模组，这是我们平时所用到的标 准 DIMM，分 有ECC和无ECC两种，简称Unb-DIMM。BB2, Thunderbolt, Thunderbolt II测试用这种内存。 2. Registered DIMM：寄存型模组，这是高端服务器所使用的 DIMM，分有ECC和无ECC两种，但市场上几乎都是ECC的，简 称Reg-DIMM。Aramis, Concrete, Twin Falls 测试用这种内存。 3. Fully Buffer DIMM：全缓冲双列内存模组。 FB-DIMM是在普通 DDR2内存的基础之上改进而来的，增加了一块称为“Advanced Memory Buffer，简称AMB”的缓冲芯片。
存储器(Memory)
存储器(Memory)存储器是计算机的记忆装置。
它的功能是存放原始数据、中间数据、运算结果和处理问题的程序。
存储器通常是按地址进行存取数据和程序的。
它由许多存储单元组成，每个单元存放一个若干二进制的数据代码。
为了区分不同的存储单元，把存储单元按一定的顺序编号，这个编号称为地址。
要进行数据的存取操作，应先指出存储单元的地址，然后由存储器按指定的地址“选择”相应的存储单元，才能进行数据的存取。
存储器容盘是以位(bit)为单位。
字节((Byte，一个字节为8个bit)，是衡量存储器容量的最基本单位。
1KB=1024Bytes1MB=1024KBIGB=1024MBITB二1024GB存储器可分为内存储器和外存储器:1.内主存储器(主存或内存):内存储器简称内存，是计算机的记忆装置。
它的功能是存放原始数据、中间数据、运算结果和处理问题的程序。
存储器通常是按地址进行存取数据和程序的。
它由许多存储单元组成.每个单元存放一个若干二进制的数据代码。
为了区分不同的存储单元，把存储单元按一定的顺序编号，这个编号称为地址。
要进行数据的存取操作，应先指出存储单元的地址，然后由存储器按指定的地址“选择”相应的存储单元，才能进行数据的存取。
主存储器的核心是MB，程序和数据存放在MB内.MB是大量存储单元(memoryunit)的结合，并组成一个线性区域，一个存储单元可存放一个存储字或若干个字节(Byte)的内容(根据存储单元编址的方式不同).存储单元由若干个记忆单元组成，记忆单元则是存储器最基本的元件，它记忆的是二进制数的一位(bit)主存储器分为:只读存储器(Readonlymemory,ROM)和随机存取存储器(Rademaccessmemory,RAM),(1)只读存储器。
只能从中读取代码，而不能写人操作。
只读存储器中的信息是在制造时用专门设备一次写入的。
只读存储器常用来在上文固定不变重复执行的程序，如开机自检程序、各种专用设备的控制程序等。
Memory
MEMORY Technology Introduction1 MEMORY的组成：存储器是计算机的重要组成部分，按其用途可分为主存储器（Main Memory，简称主存）和辅助存储器（Auxiliary Memory，简称辅存），主存储器又称内存储器（简称内存）。
内存是用来存储执行中的数据,常见的有内存条、高速缓存等。
主存储器由存储体，地址译码电路，驱动电路，读写电路和控制电路等组成，其各部分的主要功能是：存储体：是存储信息的集合体，即由某种存储介质按一定结构组成的存储单元的集合。
通常是组织成二维阵列。
地址寄存器，译码电路与驱动器：既寻址系统。
在对存储体内部某个存储单元的信息进行读写操作前，必须指定存储单元的位置（地址），地址寄存器的作用就是存放特定存储单元的地址数据，以保证能够对指定的存储单元进行读写操作。
译码电路负责将地址寄存器中的地址转换为对存储单元的选择信号，电路驱动器的作用是增加电路的负载能力，保证译码电路能够有效地选择每个存储单元。
读写电路与数据寄存器：数据寄存器的作用是暂时保存从存储器中读出的信息或将写入存储器的信息。
读写电路负责从数据寄存器到特定存储单元之间的信息读写操作。
控制电路：负责接收CPU传来的控制命令，经过控制电路一系列的处理，产生一组时序信号控制存储器的操作。
在存储器的组成中，存储体是核心，其余部分是存储体的外围电路。
不同的存储器都是由这几部分组成，只是在选用不同的存储介质和不同的存取方式时，各部分的结构与工作方式略有变化。
2 MEMORY的分类：内存按存储信息的功能可分为只读存储器ROM（Read Only Memory）、随机存储器RAM（Random Access Memory）。
ROM可分为：A.PROM B.EPROMRAM可分为:A. SRAM（Static RAM）：静态随机存取存储器是靠双稳态触发器来记忆信息的；B. DRAM（Dynamic RAM）：动态随机存取存储器是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。
记忆体(MEMORY)
NAND FLASH概述
NAND FLASH 按存储单元分类分为以下三类：
SLC = Single-Level Cell （单层单元 ），即1bit/cell，速度 快寿命长，价格超贵，SLC利用正、负两种电荷 一个浮 动栅存储1个bit的信息约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell（多层单元） ，即2bit/cell，速度一 般寿命一般，价格一般，MLC利用不同电位的电荷，一个 浮动栅存储2个bit的信息约3000---10000次擦写寿命。
RAM （Random Access Memory）概述
RAM 包括两个大类 A：SRAM（Static RAM ）静态随机存储器 ◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工
作效率。 ◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且
价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。 ◎SRAM使用的系统： CPU与主存之间的高速缓存。 CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。
四大公司的NAND FLASH 制程的演进
• 三星（Samsung）：
06 2Q 06 3Q 07 1Q 08 2Q 09 2Q 10 3Q 11 3Q
→ 70nm→63nm→51nm→42nm→32nm→27nm→21nm
• 东芝（Toshiba）： → 70nm→6xnm→56nm→43nm→32nm→24nm→19nm
2.PROM （Programmable ROM，PROM）可编程程序 只读内存
内部有行列式的镕丝，是需要利用电流将其烧断，写入 所需的资料， 但仅能写录一次。
3.EPROM （Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）可抹除可编程只读内存
MEMORY介绍ppt课件
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DDR-II内存的其它一些改变包括电压下降为1.8v，因此 功率消耗、芯片温度和写入延迟不定性都得到了下降。 这也是因为带宽增加而内存延迟时间增加带来的结果。
尽管DDR-II内存采用的DRAM核心速度和DDR一样，我 们仍然要使用新主板才能搭配DDR-II内存，因为DDR-II 规格和DDR是不兼容的。首先DDR-II的针脚数量为240 针，而DDR内存为184针，接口不一样；此外，DDR-II 内存的VDIMM电压为1.8v，也和DDR内存的2.5到2.8v 不同。
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内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接 与之沟通，并用其存储数据的部件，存放当前正 在使用的（即执行中）的数据和程序，它的物理 实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存 储功能的集成电路，内存只用于暂时存放程序和 数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的程序和 数据就会丢失。
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内存的最初形式
早期的内存：在计算机诞生初期并不存在内 存条的概念，那时的内存均被焊接在主板上， 以内存芯片的形式为计算机的运算提供直接 支持。那时的内存芯片容量都特别小，最常 见的莫过于256K×1bit、1M×4bit，虽然如此， 但这相对于那时的运算任务来说却已经绰绰 有余了。
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DDR II
DDR-II内存是DDR-I内存的换代产品，它们的 工作时钟最低为400MHz（包括现代在内的多 家内存商表示不会推出DDR-II 400的内存产 品）。从JEDEC组织者阐述的DDR-II标准来看， 针对PC等市场的DDR-II内存拥有400（几乎绝 迹）、533、667、675、800、1066 MHz等不 同的时钟频率。
Memory知识简介-A01
内存厂商
内存主要分生产厂商和颗粒厂商 1. 内存生产厂商： Micron（镁光）Corsair（海盗船），Kingston(金士顿)、Apacer(宇瞻)、 金邦（GELL），Transcend(创建)，胜创KINGMAX，AADATA（威刚），Kingtiger金泰 克，King MAX（胜创），G. Skill（芝奇），Team（十铨科技），尔必达（ELPIDA） SMART世迈等
DRAM-动态随机存取记忆体 由0、1二进制单元，最小单位：bit，每一个bit需要一个晶体管和一个电容，但是电 容存在漏电现象，所以需要在一定的周期内刷新（预充电）才能保持数据不丢失. SDRAM（Synchronous DRAM）同步动态随机存取记忆体 SDRAM在同一时钟周期内只能读取/写入一次，只在时钟上升的时候读取/写入，如果 是同时请求，只能先等其中一个处理动作完成 DDR（Double Date Rate SDRAM）双倍速率同步动态随机春去记忆体 双倍是指在一个时钟周期内传输两次数据，在时钟上升和下降时各传输一次数据（通 过差分时钟技术实现），在存取阵列频率边的情况下达到了SDR的两倍.也就是在时钟周期 的上升和下降都能传输
Buffer和Unbuffer的介绍
Buffer即缓冲器，也可理解成高速缓存，在服务器及图形工作站内存有较多应 用，容量多为64K，但随着内存容量的不断增大，其容量也不断增加，具有Buffer的内存 将对内存的读写速度有较大提高. Unbuffer表示不具有高速缓冲，有Buffer的内存几乎都带ECC功能，Unbuffer内 存只要少数带ECC功能. 缓冲（buffers）是根据内存的读写设计的，把分散的写操作集中进行，减少存取单元的 反复寻址，从而提高系统性能。 缓存（cached）是把读取过的数据保存起来，重新读取时若命中（找到需要的数据）就不 要去读存取单元了.
memory产品的工作原理
memory产品的工作原理Memory产品是一种用于存储和读取数据的电子设备。
它在计算机、手机、相机等电子设备中起着至关重要的作用。
那么，它是如何工作的呢？我们需要了解一些基本概念。
Memory产品主要由存储单元和控制电路组成。
存储单元是用来存储数据的地方，而控制电路则负责控制数据的读取和写入。
存储单元通常由许多电子元件组成，最常见的是电容和晶体管。
在Memory产品中，最常见的存储单元是电容。
电容是一种能够储存电荷的器件，它的容量决定了能够存储的数据量。
控制电路会根据需要向存储单元充放电，以表示不同的数据。
当我们需要将数据写入Memory产品时，控制电路会向指定的存储单元充放电。
如果需要存储的数据是一个二进制位0，那么控制电路会将电容放电，使其电压降低。
相反，如果需要存储的数据是一个二进制位1，那么控制电路会向电容充电，使其电压升高。
通过这样的方式，控制电路就可以将数据写入Memory产品。
当需要从Memory产品中读取数据时，控制电路会根据指令找到对应的存储单元，并读取其电压。
如果电压较低，那么控制电路会判断该存储单元存储的是一个二进制位0；相反，如果电压较高，那么控制电路会判断该存储单元存储的是一个二进制位1。
通过这样的方式，控制电路就可以读取Memory产品中存储的数据。
除了基本的读写操作，Memory产品还具有其他一些重要的功能。
其中之一是刷新。
由于电容会逐渐丧失电荷，Memory产品需要定期刷新存储单元中的数据，以确保数据的可靠性。
另外，Memory 产品还可以进行擦除操作，将存储单元中的数据全部清除，以便重新写入新的数据。
总的来说，Memory产品的工作原理可以概括为通过控制电路向存储单元进行电荷的充放电，从而实现数据的存储和读取。
这个过程需要精密的电子元件和复杂的控制电路来完成。
随着技术的发展，Memory产品的容量越来越大，读写速度也越来越快，为各种电子设备的运行提供了可靠的支持。
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Remark: 每个品牌的内存大小基本都是：512MB， 1GB， 2GB, 等比较常见。
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内存频率与内存带宽
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比如：
• PC3-6400E
– PC3: DDR3 – 6400: 内存的工作频率为800MHz – E: UDIMM (ECC)
Remark:
• • • •
E: Unbuffer DIMM F: Fully Buffer DIMM P: Register with Parity DIMM R: Register DIMM
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DDR
• DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为 DDR 。是Double Data Rate SDRAM的缩 写，是双倍速率同步动态随机存储器的意 思。其在一个内存时钟周期中，在方波上 升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时 也做一次操作，所以在一个时钟周期中， DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成 的任务，所以理论上同速率的DDR内存与 SDRAM内存相比，性能要超出一倍，
Remark: DDR2 与缓冲区连结内存核心的总线带宽是DDR 的两倍。这样，当I/O 缓冲区执行多路技术时，数据沿着一条较宽的总线进入内存核心，然后又通过一 条与DDR 总线位宽相当的总线出来，但它的传输速率却是DDR 的两倍。这种数 据传输方式又叫四位预读取（4bit Prefect）架构，可以在核心频率较低的情况下 实现较高的数据传输率
内存基础知识介绍
Allen-刘黄华
SIT 2010年12月23日
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内存基础知识
RAM (Random-Access Memory):
1. SRAM （Static RAM） : 静态随机存储器 2. DRAM（Dynamic RAM）:动态随机存储器。
① SDRAM （Synchronous DRAM）: 同步动态随 机存储器。 ② RDRAM（Rambus DRAM）：总线式动态随机存 储器，是由RAMBUS公司与INTEL公司合作提出 的一项专利技术.
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标准内存容量 vs.最大内存容量
标准内存容量 是指服务器在出厂时随机带了多大容量
的内存，这取决于厂商的出厂配置。一般来讲，服务器出厂 时都配备了一定容量的内存，如512M、1GB、2GB等，通常 低端的入门级服务器标配内存容量要少些，这取决于工作的 需要和厂商的策略。现在的绝大多数服务器的主板，都还有 空余的内存插槽或者支持内存扩展板，这样就可以安装更多 的内存来扩充内存容量，来达到更高的性能最大内存容量
Nanya（南亚）
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Smart（世迈）
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内存芯片
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FBD－533内存外观
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去掉散热片后
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内存P/N信息：Elpida
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大家在平时测试中，主要用到以下七个品牌的内存：
Infineon －英飞凌－德国 （内存标签左上角标示：一个 不规则的圆圈里有个字母i） Micron －美光 －美国 （内存标签左上角标示：一个 椭圆里有个字母M） Samsung －三星 －韩国 Hynix －现代 －韩国 Nanya －南亚 －中国台湾 Elpida －尔必达 －日本 Smart －世迈 －美国
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Dual Channel(双通道）
双通道，就是在北桥芯片里设计两个内存控制器， 这两个内存控制器可相互独立工作，每个控制器 控制一个内存通道。在这两个内存通道上cpu可分 别寻址、读取数据，从而使内存的带宽增加一倍， 数据存取速度也相应增加一倍（理论上）。目前 流行的双通道内存构架是由两个64 bit DDR内存 控制器构筑而成的，其带宽可达128 bit。因为双 通道体系的两个内存控制器是独立的、具备互补 性的智能内存控制器，因此二者能实现彼此间零 等待时间，同时运作。两个内存控制器的这种互 补“天性”可让有效等待时间缩减50%，从而使 内存的带宽翻倍。
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Register DIMM
PLL(Phase Locked Loop) 琐相环 集成电路芯 片 , 对时钟信号对主板发来的时钟信号进行 跟踪/锁定 .
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我们测试中用到的内存，可以分为三种：
1. Unbuffered DIMM：无缓冲型模组，这是我们平时所用到的标 准 DIMM，分 有ECC和无ECC两种，简称Unb-DIMM。BB2, Thunderbolt, Thunderbolt II测试用这种内存。 2. Registered DIMM：寄存型模组，这是高端服务器所使用的 DIMM，分有ECC和无ECC两种，但市场上几乎都是ECC的，简 称Reg-DIMM。Aramis, Concrete, Twin Falls 测试用这种内存。 3. Fully Buffer DIMM：全缓冲双列内存模组。 FB-DIMM是在普通 DDR2内存的基础之上改进而来的，增加了一块称为“Advanced Memory Buffer，简称AMB”的缓冲芯片。
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• 另外，在我们实际测试中，如果用到两根 内存，建议把内存插在DIMM1和DIMM3， 可发挥主板的双通道功能，增大内存的传 输带宽。(For Shawshank) • DIMM1和DIMM2为Channel A， • DIMM3和DIMM4为Channel B。
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SPD
• SPD(SerialPresenceDetect串行存在探测)，它是 1个8针的SOIC封装(3mm*4mm)256字节的 EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRO M电可擦写可编程只读存储器)芯片。位置一般处 在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速 度、容量、电压与行、列地址带宽等参数信息。 当开机时PC的BIOS将自动读取SPD中记录的信 息，如果没有SPD，就容易出现死机或致命错误 的现象。SPD的内容一般由内存模组制造商写入。
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如何計算Memory容量大小--续
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• Unb与Reg-DIMM的区别 • Unb与Reg-DIMM的最大区别在于模组上有无寄存器。在高容 量模组上，内存芯片数量很多，而且在需要大容量内存的工作场 合，内存模组的安插数量也是很多的，这使命令与寻址信号的稳 定性受到了严峻考验。很多芯片组的资料中都说明只有使用RegDIMM才能达到标称的最高内存容量，所以寄存器的作用就是稳 定命令/地址信号，隔离外部干扰。 • FB-DIMM英文全称为“Fully Buffered-DIMM”，又称为全缓冲双 列内存模组。FB-DIMM是在普通DDR2内存的基础之上改进而来 的，但其与普通DDR2内存却有了很大的化。 • FB-DIMM上增加了一块称为“Advanced Memory Buffer，简 称AMB”的缓冲芯片。这款AMB芯片是集数据传输控制、并—串 数据互换的芯片。而FB-DIMM实行串行通讯呈多路并行主要靠 AMB芯片来实现。我们实际测试中使用的内存的AMB芯片主要 由Intel和IDT两家公司来提供。（AMB芯片覆盖在金属散热片下 面。）
Samsung （韩国三星） Apacer (宇瞻) SmartADATA(威刚) Infineon (英飞凌) smart （世迈） Elpida (尔必达 ) Kingtiger (金泰克)
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Infineon
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Micron
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Samsung
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Hynix (Hyundai)
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Elpida
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最大内存容量 是指服务器主板能够最大能够支持内存的
容量。一般来讲，最大容量数值取决于主板芯片组和内存扩 展槽等因素。总的来说，服务器支持内容容量越大，其扩展 性就越好，性能也就越高。
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内存品牌
Kingston （金士顿） Nanya（南亚） Gell(金邦) Micron (美光) Kingmax(胜创) Hynix （现代） Winbond(华邦)
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ECC
ECC （Error Checking and Correcting）
内存即纠错内存，简单的说，其具有发现错误， 纠正错误的功能，一般多应用在高档台式电脑/服 务器及图形工作站上，这将使整个电脑系统在工 作时更趋于安全稳定。 ECC校验内存更稳定、可 靠，多应用于服务器。对应的内存、芯片组及相 关的主板都更贵一些。
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如何計算Memory容量大小
• • • • • • • 要判斷一支Memory DIMM的容量大小、使用幾個Memory Die、跟Memory Die的規格，必須知道些條件： 基礎: 1.1Byte=8bits，所以1GB的容量等於8Gb，大B等於Byte，小b等於bit。 2.一根DDR2 DIMM的資料寬度為64bit，而Rank 是指一個64bit 的資料寬度。 3. Memory Die的容量表示方式為例：128M*4bit，這表示此Die資料通道為 4bit，每一個bit 有128M的記憶容量，總容量為512Mbits。 一條1GB Memory DIMM，如果不知道幾顆Memory Die？與Memory Die的規 格那會有多少組合？
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DDR2
• DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电 子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准， 它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是 采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方 式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能 力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个 时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内 部控制总线4倍的速度运行。
Remark: 1. DIMM (Dual In-line Memory Modules，双列内存模组) 所谓双列是指模组 电路板与主板插槽的接口有两列引脚，模组电路板两侧的金手指各对应一 列引脚。 2. SIMM (Single In-line Memory Modules，单列内存模组) 单列是指模组电路 板与主板插槽的接口只有一列引脚（虽然两侧都有金手指）