半导体工艺学silvaco仿真实验报告
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二、 扩散...................................................................................................................................7 24.1.1 硼掺杂和退火.............................................................................................................7 24.1.2 硼扩散的氧化增强效应.............................................................................................8 24.1.3 砷对晶格的损伤的扩散增强效应..............................................................................9 24.1.7 发射极推进效应........................................................................................................10 24.1.9 砷的激活....................................................................................................................11 24.1.12 铟掺杂和退火..........................................................................................................12
三、 离子注入.........................................................................................................................12 23.1.2 使用 SVDP 模型倾斜角的依靠性............................................................................12 23.1.3 使用 SVDP 模型掩蔽层厚度的依赖性.....................................................................13 23.1.5 离子注入剂量对 P 沟道的影响...............................................................................14 23.1.6 使用高能量掺杂倒掺杂阱的形成............................................................................15 23.1.8 磷穿过厚氮化硅层的掺杂........................................................................................16 23.1.9 掺杂的横向蔓延.......................................................................................................17 23.1.10 用高倾角形成 LDD 区..............................................................................................18 23.1.15 浅结的预非晶化效应..............................................................................................19
六、 硅化物.............................................................................................................................28 26.1.6 使用钛化硅的自对准工艺........................................................................................28
八、 通孔互联.........................................................................................................................33 27.1.13 金属化互联..............................................................................................................33
半导体工艺学 silvaco 仿真实验报告
电子 1102 11214049
浦探超
2013
目录
一、 氧化...................................................................................................................................2 25.1.1 硅的局部氧化工艺中鸟嘴效应的仿真.....................................................................2 25.1.2 混合环境的氧化....................................................................................ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ.....................3 25.1.5 LOCOS 工艺中多晶硅缓冲..........................................................................................4 25.1.9 沟槽侧墙向氧化的方向性.........................................................................................5 25.1.10 沟槽氧化过程中的无效区的形成............................................................................6
九、 集成工艺.........................................................................................................................34
1
27.1.28 多层 CMOS 结构.......................................................................................................34 P57 Example MOS 工艺仿真实例..........................................................................................41 十、 实验心得.........................................................................................................................45
四、 光刻.................................................................................................................................20 28.1.1 投影式光刻仿真........................................................................................................20 28.1.3 用相移掩膜技术（PSG）进行平坦光刻..................................................................21 28.1.20 显影坚膜后的光刻胶流动模型..............................................................................22 28.1.25 光学邻近修正掩膜板..............................................................................................23
五、 淀积.................................................................................................................................24 27.1.1 淀积机器比较............................................................................................................25 27.1.9 沟槽的填充和平面化................................................................................................25 27.1.17 传统淀积..................................................................................................................26 27.1.19 互联的刻蚀、回流和金属化..................................................................................28
七、 刻蚀.................................................................................................................................30 27.1.3 沟槽刻蚀：一种简单的方法....................................................................................30 27.1.5 微负载效应................................................................................................................31 27.1.6 RIE 模型部件的比较................................................................................................31 27.1.14 MOS 管 LDD 区的形成..............................................................................................32
三、 离子注入.........................................................................................................................12 23.1.2 使用 SVDP 模型倾斜角的依靠性............................................................................12 23.1.3 使用 SVDP 模型掩蔽层厚度的依赖性.....................................................................13 23.1.5 离子注入剂量对 P 沟道的影响...............................................................................14 23.1.6 使用高能量掺杂倒掺杂阱的形成............................................................................15 23.1.8 磷穿过厚氮化硅层的掺杂........................................................................................16 23.1.9 掺杂的横向蔓延.......................................................................................................17 23.1.10 用高倾角形成 LDD 区..............................................................................................18 23.1.15 浅结的预非晶化效应..............................................................................................19
六、 硅化物.............................................................................................................................28 26.1.6 使用钛化硅的自对准工艺........................................................................................28
八、 通孔互联.........................................................................................................................33 27.1.13 金属化互联..............................................................................................................33
半导体工艺学 silvaco 仿真实验报告
电子 1102 11214049
浦探超
2013
目录
一、 氧化...................................................................................................................................2 25.1.1 硅的局部氧化工艺中鸟嘴效应的仿真.....................................................................2 25.1.2 混合环境的氧化....................................................................................ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ.....................3 25.1.5 LOCOS 工艺中多晶硅缓冲..........................................................................................4 25.1.9 沟槽侧墙向氧化的方向性.........................................................................................5 25.1.10 沟槽氧化过程中的无效区的形成............................................................................6
九、 集成工艺.........................................................................................................................34
1
27.1.28 多层 CMOS 结构.......................................................................................................34 P57 Example MOS 工艺仿真实例..........................................................................................41 十、 实验心得.........................................................................................................................45
四、 光刻.................................................................................................................................20 28.1.1 投影式光刻仿真........................................................................................................20 28.1.3 用相移掩膜技术（PSG）进行平坦光刻..................................................................21 28.1.20 显影坚膜后的光刻胶流动模型..............................................................................22 28.1.25 光学邻近修正掩膜板..............................................................................................23
五、 淀积.................................................................................................................................24 27.1.1 淀积机器比较............................................................................................................25 27.1.9 沟槽的填充和平面化................................................................................................25 27.1.17 传统淀积..................................................................................................................26 27.1.19 互联的刻蚀、回流和金属化..................................................................................28
七、 刻蚀.................................................................................................................................30 27.1.3 沟槽刻蚀：一种简单的方法....................................................................................30 27.1.5 微负载效应................................................................................................................31 27.1.6 RIE 模型部件的比较................................................................................................31 27.1.14 MOS 管 LDD 区的形成..............................................................................................32