高中电子控制技术-二极管

0 1k
在 R 100或 R 1 k 挡测量
极性的判定
b. 用数字式万用表检测
红表笔是(表内电源)正极， 黑表笔是(表内电源)负极。

200
2k 20k 200k
2M 20M
在 挡进行测量，当 PN 结完 好且正偏时，显示值为 PN 结两端 的正向压降 (V)。 反偏时，显示 。
二极管好坏的判定
发光二极管引脚正极比负极长
半导体器件的命名方式 第一部分
数字 电极数
2— 二极管
第二部分
字母 材料和极性
第三部分
字母(汉拼) 器件类型
第四部分 第五部分
数字
序号
字母(汉拼) 规格号
A — 锗材料 N 型 B — 锗材料 P 型 C — 硅材料 N 型 D — 硅材料 P 型 A — 锗材料 PNP B — 锗材料 NPN C — 硅材料 PNP D — 硅材料 NPN 2CP 2AP
PN结
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体， 另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就 形成了一个特殊的薄层(不能移动的正、负离子)，称 为 PN 结。 P
PN结
N
单向导电性
（1）正向偏置：P“+”，N“-”
P
N
I
电路中有较大的正向电流，PN结导通，相当于导线。 当PN结两端加上正向电压时,因电子流向正极，空穴 流向负极，使半导体的PN结减薄，使电流流过
半导体
自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类： 导体、半导体和绝缘体。
一、半导体的特点：
①导电能力介于导体与绝缘体之间。 ②热敏性：温度可明显改变半导体的电导率。 ③光敏性：光照可改变半导体的电导率，还可产生电动势， 这是BJT的光电效应。 ④掺杂性 ：通过掺入杂质可明显改变半导体的电导率，（在
普通锗二极管
3— 三极管
P — 普通管 W — 稳压管 Z — 整流管 K — 开关管 U — 光电管 X — 低频小功率管 G — 高频小功率管 D — 低频大功率管 A — 高频大功率管
2CZ
硅整流二极管
例：
2CW
硅稳压二极管
普通硅二极管
发光二极管 发光二极管工作时导通电压比普通二极管大，其工作电压随 材料的不同而不同，一般为1.7V～2.4V。普通绿、黄、红、 橙色发光二极管工作电压约为2V；白色发光二极管的工作电 压通常高于2.4V；蓝色发光二极管的工作电压一般高于3.3V。 发光二极管的工作电流一般在2mA～25mA的范围，正常发光时 的额定电流约为20mA。。
30℃的纯锗中掺入一亿分之一的杂质，电导率增加几百倍）
半导体
半导体主要由硅（Si）或锗(Ge)制造而成，它们 的最外层电子（价电子）都是四个。 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价元 素，如磷、砷、锑，则构成N(Negative)型半导体， 也叫电子型。 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的三价元 素，如硼、铝、铟，则构成P(Positive)型半导体， 也叫空穴型。
伏安特性
2、反向特性 从图可见，当反向电压的值增大到VBR时，反向电压值稍 有增大，反向电流会急剧增大，称此现象为反向击穿，VBR为 反向击穿电压，一般的二极管不允许工作在反向击穿区。
二极管
根据使用的不同，二极管的外形各异
直 插 式 二 极 管
贴 片 式 二 极 管
极性的判定
（1）目测判别极性
（1）若测得的反向电阻很大（几百千欧以上）， 正向电阻很小（几千欧以下），表明二极管性能 良好。 （2）若测得的反向电阻和正向电阻都很小，表明 二极管短路，已损坏。 （3）若测得的反向电阻和正向电阻都很大，表明二 极管断路，已损坏。
发光二极管 发光二极管是可发光的特殊二极管，英文缩写是LED。管子正 向导通，当导通电流足够大时，能把电能直接转换为光能， 发出光来。目前发光二极管的颜色有红、黄、橙、绿、白和 蓝6种，所发光的颜色主要取决于制作管子的材料。
触丝
半导体片
二极管都会有一个色环，表示二极管的负极
极性的判定
（2）用万用表检测二极管 a. 用指针式万用表检测
红表笔是(表内电源)负极， 黑表笔是(表内电源)正极。 正反向电阻各测量一次， 测量时手不要接触引脚。 一般硅管正向电阻为几千欧， 锗管正向电阻为几百欧；反向电 阻为几百千欧。 正反向电阻相差不大为劣质 管。
单向导电性
半导体二极管本质上就是一个PN结，具有单向导 电性。二极管按半导体材料的不同可以分为硅二极 管、锗二极管等。
阳极 +
-
阴极
伏安特性
二极管两端的电压u及其流过二极管的电流i之间的关系曲线，称为二 极管的伏安特性。 1、正向特性 二极管外加正向电压时，电流和电压的关系称为二极管的正向特性。 如下图所示，当二极管所加正向电压比较小时（0<u<Vth），二极管上流 经的电流为0，管子仍截止，此区域称为死区，Vth称为死区电压（开启电 压）。硅二极管的死区电压约为0.5V，锗二极管的死区电压约为0.1V。
单向导电性
（2）反向偏置：P“-”，N“+”
P
N
源自文库IS
电路中有很小的反向电流，PN结截止，相当于断路。 当PN结两端加上反向电压时,因电子流向负极，空穴 流向正极，使半导体的PN结增厚，电流无法通过。
单向导电性
当反向电压达到一定数值时，反向电流急剧增加 的现象称为反向击穿（电击穿）。若不加限流措施 ，PN结将过热而损坏，此称为热击穿。电击穿是可 逆的，而热击穿是不可逆的，应该避免。
伏安特性
1、正向特性 当二极管加上导通电压时，便有正向电流通过，但外电场还不 能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力，此时正向 电流很小，二极管呈现很大的电阻。当正向电压超过一定数值（此 时为导通电压,也叫正向压降）后，二极管电阻变得很小，电流增 长很快。硅二极管的导通电压为0.7V,锗二极管的导通电压为0.3V