场效应管与三极管特性比较

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况 温度特性
特来自百度文库静电影响
般不可倒置使用 参数受温度影响大 不易受静电影响
使用。 参数受温度影响小 易受静电影响
性 噪声
较大

比 驱动能力

较弱
较 集成能力
易大规模集成
更易大规模集成
功耗
较大
较小
43/73
小结
1. 场效应管种类很多,主要有结型和绝缘栅场效应管。 结型有N沟道和P沟道两种, 栅源必须加反偏压才能 工作,如N沟道在uGS<0下工作, P沟道在uGS>0下工作。 绝缘栅场效应管MOSFET有N沟道增强型、 N沟道耗尽
型、 P沟道增强型、P沟道耗尽型四种类型。增强型不存在
原始导电沟道,uGS只在单一极性或正或负工作;而耗尽型 存在原始沟道,uGS可正可负。 2. 场效应管是单极型电压控制器件,具有输入电阻高,一 般可达109。
制作单位:北京交通大学电子信息工程学院 《模拟电子技术》课程组
电流(基极电流或发 射极电流)
电压(栅-源电压)
电流控制电流源
电压控制电流源
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管型
效 比较内容 应
管 载流子类型
双极结型三极管
场效应管
多子扩散,少子漂移, 双 极 型 载 流 子 共 同 导 单极性载流子导电。

电。
三 输入电阻
发射结电阻较小
栅源两端电阻近似无穷大
极 管脚倒置使用情 集电极C和发射极E一 源极S和漏极D一般可以倒置
场效应管与三极管特性比较
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管型
效 比较内容 应


三 种类 极


性 比 输入控制源
较 控制关系
双极结型三极管
场效应管
1.结型
(1)N沟道(2)P沟道
2.绝缘栅型
1.NPN
以MOSFET为代表。
2.PNP
(1) N沟道增强型,P沟道增
强型
(2)N 沟 道 耗 尽 型 , P沟 道 耗
尽型。
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