固体表面物理化学国家重点实验室(厦门大学)第26批开放

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微量铜-铁对硅片表面污染的初步分析

第26卷　第5期2005年5月半　导　体　学　报CHIN ESE J OURNAL OF SEMICONDUCTORSVol.26　No.5 May ,20053国家自然科学基金资助项目(批准号:20073036)　郑　宣　男,1980年出生,硕士研究生,研究方向为电化学,主要从事半导体硅片的金属微观污染机理研究. 通信联系人.Email :xcheng @ 2004205216收到,2004207228定稿ν2005中国电子学会微量铜2铁对硅片表面污染的初步分析3郑　宣　程　璇(厦门大学化学系固体表面物理化学国家重点实验室,厦门　361005)摘要:通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p 2型硅片表面的污染,采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM 、EDX 和A ES 等现代表面分析技术,对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究.结果表明,当氢氟酸溶液中同时含有ppb 2水平(10-9)的铜铁杂质时,不但铜会沉积在硅片表面上发生铜污染,而且还导致硅片表面的碳污染,并从电化学极化电阻、元素深度分布和空间电荷效应等方面对硅片表面铜与碳污染进行了初步的分析和讨论.关键词:硅片清洗;金属污染;铜沉积;碳污染PACC :7340M ;8245 EEACC :2550E中图分类号:TN30512 文献标识码:A 文章编号:025324177(2005)05209702071　引言随着集成电路由大规模向超大规模(VL SI )和甚大规模(UL SI )发展,电路的集成度日益提高,污染物对器件的影响也愈加突出,以致于洁净表面的准备技术已成为制作64和256兆字节DRAM 的关键技术.湿法化学清洗是当今IC 制造工艺中使用最为频繁的步骤,主要包括硅氧化物/氮化物刻蚀、硅片清洗和化学机械抛光等,在亚微米硅器件的制造中尤为重要.随着最小特征尺寸的不断减小,即所谓的单元图形的尺寸日益微化,对半导体硅表面清洁度的要求也愈来愈苛刻,提出了“超洁净硅表面”的要求[1].因而,硅片清洗工艺是否有效将直接影响器件的性能和可靠性,每一步清洗过程都可能对硅片造成污染,从而导致缺陷形成和器件失效.硅片表面的污染物通常以原子、离子、分子、粒子或膜的形式通过化学或物理吸附的方式存在于硅片的表面或氧化膜中.原子型杂质主要是指重、贵金属原子(如Cu 、Ag 、Au 、Pt 等),它们主要来自于硅的酸性刻蚀剂如氢氟酸溶液中,通过电化学还原方式沉积到硅片表面.原子型杂质主要影响器件中的少子寿命、表面的导电性、氧化物的完整性和其他器件稳定性参数,是造成器件失效的主要原因.特别是在高温或电场下,它们能够向半导体的本体内扩散或在表面扩大分布,导致器件性能下降,产率降低.迄今为止,人们对硅片表面金属污染机理的研究主要集中在对铜沉积的研究[2～10],只有少量的研究工作涉及银、铂等贵金属和铁、镍、铬、锌等过渡金属[11～13].一般认为铜离子从氢氟酸溶液中通过电化学反应沉积在硅表面,同时硅表面发生溶解反应和氢气析出反应:Si +6HF →H 2Si F 6+4H ++4e -(1)2H ++2e -→H 2(2)Cu 2++2e -→Cu 0(3)通过交流阻抗和直流极化电化学技术[2～4]证实了铜在硅表面上的沉积是电化学属性,腐蚀电流密度和开路电位对pp b 水平(10-9)的铜污染很敏感.通过考查光照和硅片类型对铜沉积行为的影响,J eon [2]和Cheng 等人[3,4]还发现铜在p 2型硅表面上的沉积比在n 2型硅表面上的沉积严重,添加非离子型表面活性剂以及黑暗条件可以大大减少铜在两种硅表面第5期郑　宣等:　微量铜2铁对硅片表面污染的初步分析的污染.另外,硅片与污染金属之间的电负性差异以及各金属氧化物的生成焓的大小也会影响金属沉积行为和反应动力学[1].在最初的60s中铜的沉积为成核控制,之后转化为扩散控制.铜沉积通过静态扩散层受Cu2+扩散的限制,在沉积的初期,成核过程对铜颗粒的生长起主导地位[14].有人根据铜沉积导致硅表面产生小孔现象提出了金属诱导孔蚀(M IP)机理[15].这种类似腐蚀机理模型虽然可以较好地解释具有比硅更高标准还原电位的金属(如Cu,Ag, Pt等)可以优先沉积在硅表面,但是缺乏直接的电化学反应根据.Norga等人[16]试图从光电化学角度提出用能带模型来阐明掺杂类型、光照水平和硅电极上电位与铜沉积速度之间的关系.在硅片制造及加工过程中,除了铜污染外,铁的污染也是很严重的.据检测,在离子注入等加工过程中,铁的含量约为1012～1013atom/cm2.尽管铁的还原电位比硅低,理论上铁不可能象铜那样以氧化还原的方式沉积在硅表面,但铁的氧化物(Fe2O3)生成焓(-822kJ/mol)比硅的氧化物(SiO2)生成焓(-909kJ/mol)大,所以铁很可能以氧化物的形式吸附在SiO2膜中.硅片表面清洗过程中往往同时含有多种金属杂质,因此对氢氟酸(湿法化学清洗中最常用的化学试剂)中同时含有多种微量金属离子时硅片表面的污染行为进行系统的研究,对控制和消除硅表面的金属微观污染,促进亚微米和纳米电子器件的发展具有重要的指导意义.目前对多种不同金属共存条件下硅片表面金属污染行为的研究尚不多见.最近, Cheng等人[13]通过比较Cu和Ag单独存在和Cu2 Ag共存时的金属沉积行为发现,铜银共存时,硅表面的铜、银沉积速度比铜、银单独存在时的沉积速度快,从而加剧了硅表面的金属污染,且同时沉积在硅表面的铜、银晶粒会形成金属原子簇,导致硅片表面微观粗糙度变大.本文报道了Cu2Fe体系的初步研究结果.首先通过电化学直流极化和交流阻抗技术得到了金属在硅片表面的电化学响应,然后采用扫描电子显微镜(SEM)和能量散射X射线能谱(EDX)技术表征了污染前后硅的表面形貌,并对硅表面的化学组分进行了半定量的分析.此外,还利用俄歇电子能谱(A ES)对污染前后硅片表面进行了元素深度剖析,从而获得Cu/Si界面层的纵向元素分布信息.最后,根据以上实验结果分析和讨论了氢氟酸溶液中微量铜单独存在和铜-铁共存时对硅表面产生的碳和铜污染的异同点.2　实验硅片样品是从江苏无锡华晶电子集团硅材料厂购买的100mm圆形单晶硅片.晶向为p(100),电阻率为1～5Ω・cm.实验时将100mm圆形单晶硅片切割成1125cm×1125cm的方形硅片.电解槽用聚四氟乙烯作为材料,采用三电极系统,工作电极为p (100)硅片,辅助电极为铂片,参考电极为饱和甘汞电极(SCE).电解质溶液是用电子纯的40%氢氟酸(HF)和超纯水(18MΩ・cm)按体积比1∶50配制而成.金属离子浓度为1000pp m的标准Cu,Fe离子溶液(硝酸为溶剂),由厦门大学分析化学教研室提供,实验时利用微量注射器加入所需浓度的金属溶液.实验前将硅片放入H2SO4∶H2O2=4∶1(体积比)的清洗液中室温浸泡10min,然后用超纯水清洗三遍.再置于1∶50(体积比)的H F酸溶液中浸泡10s.最后用超纯水清洗三遍.电化学测试采用美国EG&G公司生产的恒电位/两相锁相分析仪,直流极化测试的扫描速度为1mV/s,交流阻抗测试的频率为105～10-2Hz.采用德国L EO21530场发射扫描电子显微镜系统对硅片表面进行形貌观察,电子源为Shott ky场发射电子枪,激发电位为20keV.硅片表面化学组分通过该仪器所附带的英国牛津EDS7426能谱检测仪进行能量散射X射线能谱(EDX)分析,收集时间为50s,能量范围为0～20keV.硅片表面均未镀膜.硅片表面元素深度分布是通过美国物理电子公司的P HI660扫描探针显微系统获得,激发电压为5keV,电流为10nA,溅射速率为18nm/min,分析的元素包括C,Cu,Fe,F,O,Si等.3　结果与讨论311　铜沉积的电化学行为图1和图2分别给出了污染前后硅电极在氢氟酸溶液中的极化曲线和交流阻抗谱图.从图1中可以看出,在氢氟酸溶液中加入微量的铜和铜2铁混和溶液后,其开路电位(即图1中阴、阳两支极化曲线179半　导　体　学　报第26卷的交汇电位)均向电位正偏压的方向移动,且单独加铜时的开路电位比铜2铁共存时的高.图2也表明,污染后的Nyquist 图中的半圆比污染前的小,说明阻抗值发生了明显的变化.通过分别拟合Tafel和图1　光照条件下污染前后硅电极的Tafel 极化曲线　金属浓度:500ppbFig.1　Tafel curves obtained before and after metallic contamination under illuminated condition (metallic con 2centration :500ppb)图2　光照条件下污染前后硅电极的交流阻抗谱图　金属浓度:500ppb.Fig.2　Impedance spectra obtained before and after metallic contamination under illuminated condition (a )Nyquist plot ;(b )Bode plot (metallic concentration :500ppb )阻抗结果,可以得到极化电阻的大小,其结果如表1所示.极化电阻(R p )是表征固/液界面电化学反应快慢的重要参数之一,其大小与发生在界面上的电化学反应速度成反比.由表1可知,虽然两种方法得到的R p 值并不完全相同,但其变化趋势却是一致的,即当硅片表面受到金属污染时,其R p 值迅速减小,这表明硅/氢氟酸界面上的电化学反应被加速.铜对硅片单独污染时,造成阴极反应的Tafel 斜率变陡(图1中下半支曲线),阻抗图上的半圆明显缩小并出现两个半圆(图2(a )),表明铜直接从溶液中沉积到硅表面(反应式(3)),且铜的沉积加速氢气的析出(反应式(2)),最终加快反应式(1),并导致硅表面微粗糙度增加[3].当同样浓度的铜和铁同时加入溶液中,与铜单独污染行为相比,其阴极反应的Tafel 斜率几乎没有变化(图1),但R p 值减小,阻抗图上的半圆仍然变小(图2),R p 值也有所减少,但变化不大,铜2铁共存时的电化学行为变化没有铜单独污染时的显著,其原因将在后面的讨论中给出.表1　通过电化学实验结果计算的极化电阻值Table 1　Polarization resistance calculated f rom electro 2chemical measurementsContaminant in HF/ppbPolarization resistance (R p )/k ΩCu Fe Tafel slope Impedance spectrum0027.216.55000 2.8 4.95005001.92.7312　硅表面的形貌和化学组分图3比较了p 2型硅受铜污染或铜2铁污染前后以及经不同时间污染后的硅片表面形貌.显然,没有受污染的硅表面洁净平整(图3(a )),当受到微量的铜单独污染后,硅表面出现大小不一的铜金属微晶粒(图3(b )),随着铜污染的时间从10min 延长到30min ,硅表面变得非常粗糙,且铜颗粒明显长大,并出现团聚现象(图3(c )).当硅片同时受到微量的铜和铁污染时,在浸泡时间为10min 的条件下,与同样浓度的铜单独污染相比(图3(b )),可以看出硅表面变得更加粗糙,铜在硅表面上的存在形式发生了显著的变化,铜颗粒更加紧密地结合在一起(图3(d )).在浸泡时间为30min 的条件下,铜2铁共同污染和铜单独污染导致的硅表面形貌基本相似,只是铜在硅表面的覆盖层变得更致密,并出现了孔洞(图3(e )).金属诱导孔蚀(metal induced pitting )机理可279第5期郑　宣等:　微量铜2铁对硅片表面污染的初步分析以较好地解释铜沉积导致硅表面出现孔洞的现象[15].也有研究者认为Fe3+的存在极易代替n2型硅上SiO x/SiO2的Si4+从而形成带负电的[FeO2 Si]-,产生交流表面光电压(ac2SPV),进而影响硅的表面性质[17].我们猜测当铜2铁共存时,铁离子可能通过改变硅表面上的电荷从而使得铜与硅基体的作用增强,导致硅表面粗糙度增加,但对铜在硅表面的沉积速度并没有太大的影响(其极化电阻影响不大).这一点也可以通过下面的能谱分析其化学组分得到证实.图3　硅片表面形貌图　(a)无污染;(b)500ppb Cu,10min;(c)500ppb Cu,30min;(d)500ppb Cu和500ppb Fe,10min;(e)500ppb Cu和500ppb Fe,30minFig.3　Surface morphologies of silicon wafer　(a)Without contamination and contaminated;(b)500ppb Cu for10min;(c)500ppb Cu for30min;(d)500ppb Cu and500ppb Fe,10min;(e)500ppb Cu and500ppb Fe, 30min 表2给出了通过EDX分析得到的受铜单独污染和铜2铁共同污染后硅片表面的化学元素原子百分数.表2显示,铜单独存在时,污染时间的增加导致铜在硅表面上的原子百分比增加,即铜在硅片表面的沉积量增大.同时,硅片经过较长时间的污染,表面出现明显的碳污染(比较样品1和2).铜2铁共存时,污染10min后铜在硅片表面的沉积量已经超过铜单独存在污染30min时的沉积量,碳污染也显著加剧(比较样品1和3).然而,随着铜2铁污染的时间增加到30min,铜在硅片表面的沉积量却有所降低,而碳污染仍在增加(比较样品3和4),这与同样污染时间下铜单独存在时的硅片相比,铜2铁共同污染导致硅片表面铜沉积量并未增加且有所减少,但碳的吸附量却从18174%增加到36168%,几乎翻倍(比较样品2和4).可见,铁的存在导致碳在硅片表面的吸附加剧,而铜原子百分数略有减少.由于硅片表面上的铜沉积主要发生在最初的几十秒,因此,碳的吸附很有可能发生在硅/铜界面.同时,我们猜测铁离子吸附在硅表面会改变硅表面的带电状态,所形成的双电层将使表面处的电子密度减少,这种减少会降低Cu2+吸附的速率以及吸附能,从而改变铜离子的还原动力.碳在硅表面的吸附量的变化很有可能与此有关.表2　EDX分析结果Table2　Atomic percentage of surface compositions ob2 tained f rom EDXSample Test conditionContaminant/ppb Atomic percent/%Cu Fe Si C Cu 1Illuminated,10min500096.8 3.2 2Illuminated,30min500070.0518.7410.68 3Illuminated,10min50050058.9926.1514.86 4Illuminated,30min50050055.1136.688.21为了考察硅/铜界面各元素的纵向分布情况,得到界面结构信息,利用俄歇电子能谱对经过铜单独污染和铜2铁共同污染30min的硅片表面进行了元素深度剖析.为便于比较,还对未污染的硅片(只进行了清洗步骤)进行了分析,结果如图4所示.图5特别比较了未污染和受到铜或铜-铁共同污染的硅片表面碳、铜和硅元素随深度变化的分布情况.379半　导　体　学　报第26卷图4　硅片表面元素深度剖析图　(a)空白样品(无污染);(b)500ppb Cu污染,30min;(c)500ppb Cu和500ppb Fe污染,30min.Fig.4　Depth profiles of elements f rom silicon wafer surface　(a)Clean;(b)500ppb Cu,30min;(c)500ppb Cuand500ppb Fe ,30min.图5　硅片表面元素深度分析比较图　(a)碳;(b)铜;(c)硅Fig.5　A comparison in depth profiles of elements f rom silicon wafer surface　(a)C;(b)Cu;(c)Si 从硅片表面的元素深度剖析图可知,三块硅样品的表面都有明显的碳吸附,虽然碳的强度都呈现从表面到本体急剧下降的趋势,但吸附发生的程度和变化规律却与硅片表面的污染状态密切相关.对于未受铜、铁污染的硅样品(图4(a)和图5(a)),其表面(20～30nm)碳吸附程度较轻微.而受铜单独污染的硅片其表面碳含量随深度变化先显著减小,然后在100～200nm处出现峰值,最后基本维持不变(图4(b)和图5(a)).值得注意的是,碳层的最高点几乎和Si/Cu界面的位置(约是Cu含量下降为50～80%的位置)相同.可以推断在Si/Cu的界面上碳的吸附是很强的,这也证实了在Si/Cu界面上由于空间电荷形成双电层对碳的吸附有很大的影响.图5(a)还显示,碳在三种硅片表面的含量随深度增加而减小,但最后并没有降到零(甚至到500nm处还能检测到碳),这可能是吸附在硅表面的CO或CO2通过Ar+的溅射轰击而内迁所致[19].铜2铁共存时硅片表面的碳污染明显加剧,且碳含量也随深度变化显著减小,但降低的幅度较铜单独污染时的小且没有出现峰值(图4(c)和图5(a)).由于Fe3+作为表面态,可以接受电子,而且有计算显示对于3×10-4单层Fe3+转变为Fe2+足以使表面势垒由零改变到0142eV[18].所以Fe3+在Si表面的存在会影响表面势垒,从而对铜的还原反应产生影响.因此,铁的存在可能导致空气中的碳(如CO,C x H y,C H4等)更容易吸附在硅的表面.对于铜污染而言(图5(b)),很显然在受到铜单独污染的硅片表面铜的沉积速度较快,铜含量先随深度变化迅速增加,在20～80nm处出现峰值(Cu 沉积层),随后铜的含量有一个缓慢下降的趋势,最后趋于平稳.铁的加入并未加剧铜沉积.因此,铜2铁共存时,铜沉积厚度要小得多(峰值出现在20～30nm处).比较硅表面含量随深度变化(图5(c))可看出,受铜单独污染的硅表面含量有所减少,但仅发生在离开表面20～30nm处,可能是由于碳吸附所致,而受到铜2铁共同污染的硅表面含量却随深度增加而显著降低,在160nm处达到最小,然后才有所回升,但并没有恢复到最初值.这再次证实硅表面在只有铜污染的情况下由于铜沉积(反应式(3))加速了硅的刻蚀溶解(反应式(1))和氢气的析出(反应式(2))[2,3],从而导致硅表面粗糙度增加.当铜2铁共存时,由于Fe3+在硅表面的吸附会出现高密度的表面479第5期郑　宣等:　微量铜2铁对硅片表面污染的初步分析态,从而减缓铜在硅表面的沉积速度,更多地影响已经沉积在硅上的铜与硅基体之间的相互作用,加剧铜的生长和碳的吸附,导致硅表面粗糙度增加,并出现孔洞(图3).4　结论对于单铜体系,随着污染时间的增长,铜在硅片表面的沉积也增加,导致硅片表面微观粗糙度增加.铜2铁共存时,铜在硅上的沉积形貌发生了很大变化,而且随着污染时间的增长,铜在硅表面会继续生长,铜颗粒会结合得更紧密,并形成孔洞,出现类似金属诱导孔蚀现象,同时在硅/碳界面产生碳污染.碳在硅片表面上的吸附与Fe3+的存在密切相关,铁的存在可能导致空气中的碳(CO,C x H y,C H4等)更容易吸附在硅的表面.参考文献[1]　Ohmi T,Imaoka T,Sugiyama I,et al.Metallic impurities seg2regation at t he interface between Si wafer and liquid duringwet cleaning.J Electrochem Soc,1992,139:3317[2]　J eon J S,Raghaavan S,Parks H G,et al.Electrochemical in2vestigation of copper contamination on silicon wafers from HFsolutions.J Electrochem Soc,1996,143:2870[3]　Cheng X,Li G,Kneer E A.Electrochemical impedance spec2troscopy of copper deposition on silicon from dilute hydroflu2 oric acid solution.J Electrochem Soc,1998,145:352[4]　Cheng Xuan,Lin Changjian.Electrochemical investigations ofp2n junction and copper deposition on semiconductor siliconwafers.Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(5):509(in Chinese)[程璇,林昌健.半导体硅片的p2n结和铜沉积行为的电化学研究.半导体学报,2000,21(5):509][5]　Perterson C A,Bermeire B,Sarid D,et al.Reduction of surfaceroughening due to copper contamination prior to ultra2t hingate oxidation.Appl Surf Sci,2001,181:28[6]　Lin P S D,Marcus R B,Sheng T T,et al.Leakage and break2down in t hin oxide capacitors2correlation wit h decorated stac2king fault s.J Electrochem Soc,1983,130:1878[7]　Zhong L,Shimura F.Dependence of lifetime on surface con2centration of copper and iron in silicon wafers.Appl PhysLett,1992,61:1078[8]　Takizawa R,Nakanishi T,Ohsawa A.Degradeation of metal2oxide2semiconductor devices caused by iron impurities on t hesilicon wafer surface.J Appl 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comparison of surface contamination of p2type silicon wafer by trace amounts of copper and iron when they are present in solutions separately or simultaneously,a preliminary study is conducted to investigate the non2contaminated or contaminated silicon wafer by employing electrochemical DC polarization and AC impedance techniques,as well as modern sur2 face analysis technologies including SEM,EDX,and A ES.It is revealed that in hydrofluoric acid solutions containing both ppb2 level of copper and iron,not only would copper deposition take place,but also could carbon contamination occur at the wafer surface.G eneral analysis and discussion in copper and carbon contamination are provided based on the polarization resistance,el2 emental depth distribution,and space charge effect.K ey w ords:wafer cleaning;metallic contamination;copper deposition;carbon contaminationPACC:7340M;8245 EEACC:2550EArticle ID:025324177(2005)05209702073Project supported by National Natural Science Foundation of China(No.200273036)　Zheng Xuan　male,was born in1980,master candidate.He is engaged in t he research on metallic micro2cantamination on silicon wafer.Email:xcheng@　Received16May2004,revised manuscript received28J uly2004ν2005Chinese Institute of Electronics。

2015年国家自然科学基金优秀青年科学基金获批项目

181 无机纳米材料化工合成及其光（热）电转换功能施伟东江苏大学
182 钢结构施刚清华大学
183 建筑结构抗爆分析师燕超天津大学
184 有机功能分子设计合成及组装邵向锋兰州大学
185 纳米结构的压印成形机理与控制邵金友西安交通大学
186 服务运营优化荣鹰上海交通大学
187 纳米尺度下离子束与固体相互作用任峰武汉大学
2015年国家自然科学基金优秀青年科学基金获批项目
序号项目名称项目负责人依托单位
1 数学地质左仁广中国地质大学（武汉）
2 认知与协作无线网络邹玉龙南京邮电大学
3 非线性水波及其与海洋结构物的相互作用邹丽大连理工大学
4 函数空间与非光滑分析周渊北京航空航天大学
5 昆虫病毒学周溪武汉大学
80 肝癌血管转移相关肿瘤微环境杨鹏远中国科学院生物物理研究所
81 代数组合学杨立波南开大学
82 神经退变的分子机制杨竞北京大学
83 动态投融资与资产定价杨金强上海财经大学
84 发育生物学杨辉中国科学院上海生命科学研究院
85 环境地球化学晏宏中国科学院地球环境研究所
86 染色质重塑子影响转录调节的机制研究颜光玗南方医科大学
87 计算机图像与视频处理颜波复旦大学
88 生物分子组装闫学海中国科学院过程工程研究所
89 人类胚胎早期发育机制闫丽盈北京大学
90 海工钢筋混凝土结构闫东明浙江大学
91 金属催化材料鄢俊敏吉林大学
92 RNA结合蛋白的转录和表观遗传调控功能机制薛愿超中国科学院生物物理研究所
93 具有尖峰孤立子的可积浅水波方程薛波郑州大学

固体表面物理化学国家重点实验室(厦门大学)

潘金山教授
新型表面增强拉曼散射(SERS)基底的制备与表征: 黄陟峰
4.
形貌结构可控的一维纳米银阵列
助理教授
具微－纳结构特征的锂离子电池电极材料的合成张友祥
5.
及结构与性能研究
副教授
用于胰腺癌新型标记物——胰蛋白酶（Trypsin 1）翁少煌
6. 检测的电化学免疫传感器的基础研究
讲师
铂/铑及其氧化物小团簇离子 7.
4
氧原子团簇结构和性质的理论研究
张聪杰教授
12. 基于低自旋 Mn(III)配合物的合成与磁性研究
寇会忠教授
13. 水溶性铜配合物的制备及其催化水相 Ullmann 偶联反应的研究
周向葛教授
14. 新型光催化剂的可控合成及其降解有机污染物的研究
李华明教授
具有磁相互作用协同的 15. 高核数自旋交叉簇合物研究
吴大雨副教授
单位
华东理工大学
联系人
孙世刚
是否资助
6
北京理工大学杨勇
4大学任斌
4
武汉大学
杨勇
4
福建医科大学周剑章
4
湖北大学
曹泽星
4
浙江工商大学周朝晖
4
福州大学
吕鑫
4
四川大学
吴德印
4
陕西师范大学曹泽星
6
清华大学
陶军
6
四川大学
龙腊生
6
江苏大学
万惠霖
6
黄传敬
安庆师范学院陶军
固体表面物理化学国家重点实验室（厦门大学） 2010 年度开放课题批准资助项目
序号
课题名称
申请人
纳米碳纤维的微结构及表面性质 1.

截止2010年四川省高校重点实验室名单(190个)

截止2010年四川省高校重点实验室名单（190个）
序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44
186 石油与天然气加工实验室 187 油气田材料 188 结构工程 189 计算物理实验室 190 发酵资源与应用
西南石油大学西南石油大学电子科技大学电子科技大学乐山师范学院泸州医学院泸州医学院泸州医学院绵阳师范学院内江师范学院内江师范学院内江师范学院攀枝花学院攀枝花学院四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学四川大学
45 生物医学信息技术实验室 46 数字视频技术实验室 47 电磁生物学/生物电子技术实验室 48 电子商务实验室 49 生物有机化学与表面科学实验室 50 医学电生理实验室 51 感染与免疫实验室 52 医学分子生物学实验室 53 四川省生态与环境技术实验室 54 数值仿真实验室 55 特色农业资源研究与利用 56 果类废弃物资源化 57 钒钛材料与复合技术实验室 58 细鳞片石墨深加工实验室 59 磷化学与工程实验室 60 医学生物分子学实验室 61 肿瘤学实验室 62 靶向药物与新型给药系统实验室 63 病理实验室 64 电能质量与电磁环境学实验室 65 分子毒理学实验室 66 干细胞应用研究中心 67 感染性疾病分子生物学实验室 68 核医学实验室 69 环境工程实验室 70 疾病基因组学与法医学实验室 71 降解与阻染高分子材料实验室 72 口腔医学技术实验室 73 绿色化学与技术实验室 74 人机系统与仿生工程实验室 75 生物精神病学实验室 76 食品科学与技术实验室 77 水文学及水资源实验室 78 天然药物学实验室 79 微电子技术实验室 80 围产与生殖医学实验室 81 先进材料成型及其模具技术实验室 82 新型聚合物加工技术及其装备实验室 83 信息安全实验室 84 信息数学技术实验室 85 信息与自动化技术实验室 86 移植工程与移植免疫实验室 87 知识工程及网络智能实验室 88 制药工程与技术实验室 89 资源微生物学及微生物生物技术实验室 90 多相流传质与化学反应工程实验室 91 功能材料物理化学与工程实验室

纳米材料与纳米团簇

1990年美国国际商业机器公司（IBM）的艾格勒在镍金属（110）表面用35个氙原子排出 “IBM”字样。
1993年中国科学院北京真空物理实验室操纵原子写出“中国”二字。
1991年，日本科学家饭岛澄男发现碳纳米管，它的质量只有同体积钢的1／6，强度却是钢的 100倍。用碳纳米管做绳索，是唯一可以从月球上挂到地球表面，而不被自身重量所拉断的绳索。
界面效应
纳米材料具有非常大的界面。界面的原子排列是相当混乱的，原子在外力变形的条件下很容易迁移，因此表现出很好的韧性与一定的延展性，使材料具有新奇的界面效应。
界面效应
纳米铁材料，可以制成高强度、高韧性的特殊钢材，强度提高12倍，硬度提高2～3 个数量级。屈服强度和抗拉强度分别超过 1200 MPa和1400 MPa。
5、用于制造微型武器。利用纳米技术可以
把传感器、电动机和数字智能装备集中在一块芯片上，制造出几厘米甚至更小的微型装置。在未来战场上，将出现能像士兵那样执行军事任务的超微型智能武器装备。据报道，美国研制的小型智能机器人，大的像鞋盒子那么大，小的如硬币，它们会爬行、跳跃甚至可飞过雷区、穿过沙漠或海滩，为部队或数千公里外的总部收集信息。微型机电武器还可用于敌我识别、探测核污染和化学毒剂、无人侦察机等。
5、纳米技术如果应用在陶瓷上，可使陶瓷具有超塑性，大大增强了陶瓷的韧性，不怕摔，不怕碎，陶瓷坚固无比。另外，还能用纳米技术识别化学和生物传感器材料。令科学家高兴的是，纳米钛与树脂化合后生成的多种全新涂料，具有多种同类产品无法相比的优越性，在海水中浸泡10年不损，并具有神奇的自我修复能力和自洁性，纳米钛还作为唯一对人植物神经、味觉没有任何影响的金属，其用途广泛。

全国本科高校教学基本状态数据库

全国本科高校教学基本状态数据库填报表格（2011）版全国高校教学基本状态数据库系统课题组二○一一年二月目录表Ⅰ学校基本情况 (1)表Ⅱ校训、办学思想 (2)表Ⅲ院系情况 (3)表Ⅳ学科专业情况 (3)表Ⅴ学校面积 (3)表Ⅵ学校发展规划 (4)表Ⅶ校友会与社会合作 (4)表1-1 校领导基本信息 (5)表1-2 教师队伍概况 (6)表1-3 学校聘请校外教师概况 (7)表1-4-1 高层次人才 (8)表1-4-2 高层次研究群体（团队） (8)表1-5 院（系）和其他教学单位专任教师情况 (9)表1-6 院（系）教师培训进修、交流情况 (10)表1-7 学校实验技术人员职称、学位、年龄 (11)表1-8 院（系）实验技术人员职称、学位、年龄 (12)表2-1 院（系）下属各专业情况 (13)表2-2 院（系）教学安排 (14)V10.8.2 2010年09月09日表2-3 体育项目 (14)表2-4 人才培养模式创新实验区 (14)表2-5 国家级教学基地 (15)表2-6 实验教学示范中心 (15)表2-7 本科实验教学实验室（中心） (15)表2-8 校外实习、实训基地 (15)表2-9-1 教材情况——编写教材概况 (16)表2-9-2 教材情况——使用教材概况 (16)表2-10-1 教学管理制度 (17)表2-10-2 教学管理文件目录 (17)表2-11 本科教学信息化 (18)表2-12 教学质量监控体系 (18)表2-13 教学管理组织机构（科室） (19)表2-14 校级教学管理人员 (19)表2-15 院（系）教学管理人员 (19)表2-16 教学管理人员培训及成果 (19)表2-17 教学质量监控人员 (20)表2-18 评教统计表 (20)表2-19 本科课程情况表 (20)表2-20 各专业专任教师职称、学位、年龄、学缘情况 (21)表2-21 教学事故 (22)表2-22-1 教师所获荣誉概况 (22)表2-22-2 院（系）教师个人所获荣誉 (23)V10.8.2 2010年09月09日表2-22-3 院（系）教学团队 (23)表2-23-1 课程建设 (24)表2-23-2 课程情况 (24)表2-23-3 精品课程 (24)表2-24 分专业实验、毕业综合训练情况 (25)表2-25 院系毕业综合训练指导教师情况 (25)表2-26-1 教学改革概况 (25)表2-26-2 教育教学研究与改革项目 (25)表2-26-3 教学成果奖 (26)表2-27 本科生教学效果 (27)表2-28-1 院（系）教学效果——本科生竞赛获奖情况 (28)表2-28-2 院（系）教学效果——本科生课外科技、文化获奖情况 (28)表2-28-3 院（系）教学效果——本科生文艺、体育竞赛获奖情况 (28)表2-28-4 院（系）教学效果——本科生社会实践团队获奖情况 (28)表2-28-5 院（系）教学效果——本科生社会实践个人获奖情况 (29)表2-28-6 院（系）教学效果——专利情况 (29)表2-28-7 院（系）教学效果——参加国际会议 (29)表2-29 学生交流情况 (29)表3-1 教学经费概况 (30)表3-2 学校教育经费支出 (30)表3-3 教育事业收入 (30)表3-4 当年捐赠情况 (31)表3-5 院（系）教育经费支出 (31)V10.8.2 2010年09月09日表4-1 固定资产情况 (32)表4-2 分院（系）教学科研仪器值 (32)表5-1 教学行政用房及教学设备 (33)表5-2 校内实习、实训场所 (33)表5-3 图书、期刊 (33)表5-4 校园网建设情况 (34)表5-5 生活用房（学生食堂、澡堂、宿舍） (34)表6-1 教风学风概况 (35)表6-2-1 学生管理组织机构（科室） (36)表6-2-2 校级学生管理人员 (36)表6-2-3 院（系）及相关单位思政教师信息表 (36)表6-3 就业管理人员 (36)表6-4 学生数量基本情况 (37)表6-5 普通本科分专业学生数 (38)表6-6 近一届本科生招生类别情况 (38)表6-7 国外及港澳台学生情况 (38)表6-8 近一届本科生录取标准及人数 (39)表6-9 各专业报到情况 (39)表6-10 本科生奖贷补 (39)表6-11-1 应届本科毕业生就业情况 (40)表6-11-2 院（系）应届本科毕业生就业情况 (40)表7-1 学生社团 (41)表7-2 课外活动、讲座 (41)V10.8.2 2010年09月09日表7-3 素质教育基地、职业资质培训等情况 (41)表8-1-1 科研机构概况 (42)表8-1-2 科研机构列表 (42)表8-2 教师科研情况 (43)表9-1 学科建设概况 (44)表9-2 博士后流动站 (44)表9-3 博士点、硕士点 (44)表9-4 重点学科 (44)特殊情况说明 (45)V10.8.2 2010年09月09日表Ⅰ学校基本情况1.学校名称（章）2.学校英文名称3.学校行政辖区名称代码续4.邮政编码7.校园网域名10.填报负责人11.校长（签章）5.学校办公电话-8.学校主页网址姓名电子信箱6.学校办公传真号码-9. 学校办公电子信箱续12.办学类型13.学校性质类别14.学校举办者普通高等学校民办的其他高等教育机构本科院校：大学学院□□□综合院校理工院校农业院校林业院校医药院校师范院校语言院校财经院校政法院校体育院校艺术院校民族院校□□□□□□□□□□□中央部门地方政府省部共建非地方政府民办15.学校层次16.招生批次设有研究生院的高校“985工程”院校“211工程”院校一般院校新建院校□□□□□第一批次招生第二批次招生A第二批次招生B第三批次招生A第三批次招生B□□□□□V10.8.2 2010年09月09日续17．学校升本情况学校升本时间升本前校名续18.学校地址编号校区名称地址邮政编码表Ⅱ校训、办学思想1.校训2.学校发展定位3.学校人才培养目标定位4.教育教学思想5.多媒体反映链接地址V10.8.2 2010年09月09日表Ⅲ院系所情况编号院系表Ⅳ学科专业情况编号院系专业专业结构与布局文件上传表Ⅴ学校面积单位：（平方米）1.占地面积2.总建筑面积总占地面积其中：绿化用地面积总计学校产权非学校产权其中：a.独立使用-b.共同使用-V10.8.2 2010年09月09日表Ⅵ学校发展规划学校发展规划发展战略规划文件上传学科建设和队伍建设规划文件上传校园建设规划文件上传表Ⅶ校友会与社会合作1.校友会（个）2.签订合作协议的机构（个）总数其中机构总数其中境内境外学术机构企业地方政府V10.8.2 2010年09月09日表1-1 校领导基本信息校领导基本信息编号姓名职务出生年月性别专业技术职务学历校内分管工作专业学习和工作简历（链接）V10.8.2 2010年09月09日表1-2 教师队伍概况单位：人类别教师数量总计其中：女性双师型具有行业背景具有工程背景职称教授副教授讲师助教无职称学位博士硕士学士无学位年龄35岁及以下36～45岁46～55岁56岁及以上学缘本校外校（境内）外校（境外）学校教师库链接链接地址V10.8.2 2010年09月09日表1-3 学校聘请校外教师概况单位：人类别教师数量总计其中：女性来源企业行业部门高校其他职称正高级副高级中级初级无职称年龄35岁及以下36～45岁46～55岁56岁及以上外聘教师库链接V10.8.2 2010年09月09日表1-4-1 高层次人才高层次人才编号姓名类型研究方向获得年份个人简介链接备注表1-4-2 高层次研究群体（团队）高层次研究群体（团队）编号研究方向负责人类型获得年份简介链接V10.8.2 2010年09月09日表1-5 院（系）和其他教学单位专任教师情况院（系）名称：单位：人数量总计其中：女性双师型具有行业背景具有工程背景职称正高级副高级中级初级无职称学位博士硕士学士无学位年龄35岁及以下36～45岁46～55岁56岁及以上学缘本校外校（境内）外校（境外）V10.8.2 2010年09月09日表1-6 院（系）教师培训进修、交流情况院（系）名称：1.教师培训进修2.交流教师（3个月及以上）（人次）境内（人次）境外（人次）到行业培训（人）攻读学位（人）教师培训情况说明来访出访国际交流教师名单及内容总数其中：3个月以总数其中：境内境外境内境外博士硕士文件上传V10.8.2 2010年09月09日表1-7 学校实验技术人员职称、学位、年龄单位：人教师数量总计职称正高级副高级中级初级无职称学位博士硕士学士无学位年龄35岁及以下36～45岁46～55岁56岁及以上V10.8.2 2010年09月09日表1-8 院（系）实验技术人员职称、学位、年龄单位：人院（系）名称：教师数量总计职称正高级副高级中级初级无职称学位博士硕士学士无学位年龄35岁及以下36～45岁46～55岁56岁及以上V10.8.2 2010年09月09日表2-1 院（系）下属各专业情况院（系）名称：专业名称：1.专业建设发展规划2.支撑学科名称3.优势专业（品牌专业、特色专业、示范专业、重点建设专业）4．专业设置时间 5.是否新办专业级别类型起始时间文件上传是□否□续6. 培养方案上传文件7.培养目标与服务面向文本框续8.专业培养计划学时与学分学时数（学时）学分数（分）总数其中总数其中课内教学实验教学集中性实践教学环节课内教学实验教学课外科技活动续9.各专业带头人姓名出生年月学历学位专业技术职称学缘参加教学工作时间V10.8.2 2010年09月09日表2-2 院（系）教学安排编号院（系）名称教学安排课表链接表2-3 体育项目1.中国大学生体育训练基地编号名称续2.大学生高水平运动项目编号名称续3.国家运动训练专业编号名称表2-4 人才培养模式创新实验区编号人才培养模式创新区名称级别设立年份V10.8.2 2010年09月09日表2-5 国家级教学基地国家级教学基地编号名称级别设立年份表2-6 实验教学示范中心实验教学示范中心编号名称级别设立年份表2-7 本科实验教学实验室（中心）本科实验教学实验室编号名称面向专业年度承担的实验教学人时数（人时）开放情况文件上传表2-8 校外实习、实训基地编号名称地址面向专业每次可接纳学生数（个）V10.8.2 2010年09月09日V10.8.2 2010年09月09日表2-9-1 教材情况——编写教材概况单位（册）编写情况总数其中国家级省部级规划教材获奖教材近三年学校主编出版教材一览表文件上传表2-9-2 教材情况——使用教材概况1.使用规划教材、获奖教材情况（册）2.选用近三年出版的省部级以上（含）规划教材、指定教材、重点推荐、精品教材等优质教材的比例（%）总数其中国家级省部级规划教材获奖教材规划教材获奖教材表2-10-1 教学管理制度教学管理制度教学计划修订制度有□无□文件上传制定（修订）培养方案的原则意见有□无□文件上传教学工作基本规范有□无□文件上传实验教学管理制度有□无□文件上传新教师培训制度有□无□文件上传教学事故认定办法有□无□文件上传学生学籍管理细则有□无□文件上传学生学业指导手册有□无□文件上传学生违纪处理细则有□无□文件上传表2-10-2 教学管理文件目录教学管理文件校级文件上传链接地址院（系）名称院（系）1 文件上传院（系）2 文件上传V10.8.2 2010年09月09日表2-11 本科教学信息化本科教学信息化教学管理信息系统有□无□链接地址网络教学平台有□无□链接地址表2-12 教学质量监控体系教学质量监控体系教学质量保障体系建设基本情况有□无□文件上传教学工作定期检查制度有□无□文件上传教学督导机构和制度有□无□文件上传学生评教制度有□无□文件上传评教结果数据库地址课程教学评价体系有□无□文件上传实验教学评价体系有□无□文件上传实习教学评价体系有□无□文件上传毕业综合训练环节评价体系有□无□文件上传院（系）或专业本科教学工作评价制度有□无□文件上传学校年度教学工作分析报告有□无□文件上传学校开展教学自我评价及质量改进机制有□无□文件上传V10.8.2 2010年09月09日表2-13 教学管理组织机构（科室）机构名称编号部处下设科室表2-14 校级教学管理人员单位：人编号姓名性别出生年月所属部门行政职务专业技术职务专业学历学位表2-15 院（系）教学管理人员编号姓名性别出生年月所属部门行政职务专业技术职务专业学历学位表2-16 教学管理人员培训及成果教学管理人员培训教学管理人员成果培训计划培训实施情况教学成果奖（项）教学论文（篇）教育教学研究及实践成果一览表总数其中总数其中国家级省部级校级教学研究教学管理文件上传V10.8.2 2010年09月09日表2-17 教学质量监控人员编号姓名性别出生年月所属部门行政职务专业技术职务专业学历学位表2-18 评教统计表分类按课堂分数统计评教类型结果分析优（90分以上）良好（90-75分）中（75-60分）差（60分以下）理论课文件上传实践教学表2-19 本科课程情况表1.本科课程总门次（门次）2.主讲本科课程的教师总人数（人）其中由教授授课的课程门次（门次）由副教授授课的课程门次（门次）符合岗位资格（人）教授（人）副教授（人）V10.8.2 2010年09月09日表2-20 各专业专任教师职称、学位、年龄、学缘情况单位：人院（系）名称：专业名称数量总计其中：女性职称正高级副高级中级初级无职称学位博士硕士学士无学位年龄35岁及以下36～45岁46～55岁56岁及以上学缘本校外校（境内）外校（境外）V10.8.2 2010年09月09日表2-21 教学事故单位：次年度教学事故总数其中严重教学事故一般教学事故表2-22-1 教师所获荣誉概况1.教学名师（个）2.教学团队（个）3.全国师德先进个人累计数（个）4.教学成果奖（项）累计数其中累计数其中累计数其中国家级省部级国家级省部级校级国家级省部级续5.学生思政队伍工作成果奖（项）6.研究与创作（校级及以上文化体育创作、演出、比赛活动）获奖（项）7.其他奖励（项）累计数其中累计数其中国家级省部级国家级省部级国家级省部级市级校级文件上传文件上传V10.8.2 2010年09月09日表2-22-2 院（系）教师个人所获荣誉院（系）：______________编号姓名所在单位类别获奖级别授予单位获奖年份个人简介链接备注表2-22-3 院（系）教学团队教学团队编号团队名称负责人主要成员级别获得年份团队简介链接V10.8.2 2010年09月09日表2-23-1 课程建设1.学校促进课程建设的政策、措施文件上传2.学校课程建设规划文件上传3.学校课程考核管理办法文件上传4.学校教材建设规划文件上传5.学校教材选用和评价制度文件上传表2-23-2 课程情况1.课程门数（门）2.课程门次（门次）总数其中总数其中：小班授课网上教学多媒体教学续3. 精品（优秀）课程（群）建设情况（项）4.双语课程（门）国家级省部级校级总数其中：国家双语教学示范双语教学课程名单文件上传表2-23-3 精品课程精品课程编号名称级别负责人获准时间备注V10.8.2 2010年09月09日表2-24 分专业实验、毕业综合训练情况1.实验情况2.毕业综合训练课题（个）有实验的课程（门）独立设置的实验课程（门）实验开出率（%）综合性、设计性实验教学（门）总数在实验、实习、工程实践和社会调查等社会实践中完成数表2-25 院系毕业综合训练指导教师情况院系名称指导毕业综合训练教师数量专任教师外聘教师表2-26-1 教学改革概况1.学校教学改革的总体思路与实施方案（含“质量工程”实施方案）文件上传2.教师发表教学研究论文、论著文件上传3.其他教学改革成果一览表文件上传4.教学改革成果的推广应用情况文本框表2-26-2 教育教学研究与改革项目教育教学研究与改革项目编号项目名称主持人级别立项时间验收时间经费（万元）V10.8.2 2010年09月09日表2-26-3 教学成果奖教学成果奖编号奖励名称主持人级别获奖时间授予单位V10.8.2 2010年09月09日表2-27 本科生教学效果1.学校组织、激励学生参加科技活动和学科竞赛活动的有关规定文件上传2.学生参加课外学术活动情况文本框3.学生参加各级各类学术活动立项一览表文件上传4.学生参加教师科研项目情况一览表文件上传5.学生发表论文、作品情况一览表文件上传续6.学科竞赛获奖（项）7.本科生课外科技、文化获奖（项）8.国家级或国际级文艺、体育竞赛获奖（项）总数其中总数其中总数其中国家级省部级国家级省部级国际级国家级省部级续9.学生发表学术论文（篇）10.学生发表作品数（篇、册）11.学生获准专利数（项）12.获取专业资格证书人数（人）13.英语等级考试14.体质合格率（%）15.参加国际会议（人次）英语四级考试累计通过率（%）英语六级考试累计通过率（%）续16．国家级或省部级社会实践获奖（项）国家级省部级团队个人V10.8.2 2010年09月09日表2-28-1 院（系）教学效果——本科生竞赛获奖情况院（系）名称：学科竞赛获奖情况编获奖项目奖励名称级别等级授予单位获奖者姓名指导教师获得年份号表2-28-2 院（系）教学效果——本科生课外科技、文化获奖情况院（系）名称：课外科技、文化获奖情况编号获奖项目奖励名称级别等级授予单位获奖者姓名指导教师获得年份表2-28-3 院（系）教学效果——本科生文艺、体育竞赛获奖情况院（系）名称：文艺、体育竞赛获奖情况编号获奖项目奖励名称级别等级或名次授予单位获奖者姓名指导教师获得年份表2-28-4 院（系）教学效果——本科生社会实践团队获奖情况院（系）名称：社会实践团队获奖情况编号团队名称奖励名称级别等级授予单位获奖者姓名指导教师获得年份V10.8.2 2010年09月09日表2-28-5 院（系）教学效果——本科生社会实践个人获奖情况院（系）名称：社会实践个人获奖情况编号奖励名称级别等级授予单位获奖者姓名指导教师获得年份表2-28-6 院（系）教学效果——专利情况院（系）名称：专利情况编号专利名称类别专利号姓名指导教师获得年份表2-28-7 院（系）教学效果——参加国际会议院（系）名称：参加国际会议编号参会学生姓名会议名称发表论文题目地点指导教师举办年份表2-29 学生交流情况交流学生数（个）总数其中本校到境外本校到境内境内到本校境外到本校V10.8.2 2010年09月09日表3-1 教学经费概况1.学校教育经费总额（万元）2.教学经费预算总额（万元）3.学校年度教学改革与建设专项经费（万元）4.学校年度教学经费分配办法文件上传5.学校年度财务决算报告文件上传表3-2 学校教育经费支出学校教育经费支出（万元）教学日常运行支出教学改革支出课程建设支出专业建设支出教材建设支出实践教学支出学生活动经费支出总数其中：校外表3-3 教育事业收入1. 经常性预算内教育事业费拨款2.学费收入（万元）3.社会捐赠收入（万元）4.其他教育事业收入（万元）国家（万元）地方（万元）本科生各类研究生高职高专网络与继续教育V10.8.2 2010年09月09日表3-4 当年捐赠情况编号捐赠机构或人员名称类别捐赠金额（万元）捐赠金额总计（万元）自动生成注：填写额度在1万元以上的捐赠；数值保留小数点后一位。

2013年在研的科研项目(146项)-固体表面物理化学国家重点实验室

28.
陈忠 2011YQ0301240 4 2012BAI07B09
2011.12-2014.6
29. 30.
周勇亮林昌健
2010,10-2015,9 2012.01-2014.12
170 万 93
31. 32. 33. 34.
2010IM040100
田中群郑南峰蔡伟伟
2010.9-2013.08 2013.1-2015.12 2013/01-2015/12 2013.05-2014.05
2013 年在研的科研项目（146 项）
序号 1. 2. 项目（课题）名称团簇化学界面电化学能源领域中的物理化学基础研究和应用厦门大学表面物理化学与生物物理化学创新引智基地面向贵金属催化剂高效利用与替代的关键纳米材料和相关技术基础基于表面等离子体共振的新纳米结构体系和传感器 -- 纳间隙结构的表面增强拉曼效应及表征新技术 “新型二次电池及相关能源材料在基础研究”子课题：快速电极反应过程及相关材料编号 21021061 21021002 负责人郑兰荪孙世刚起止时间 2011.1.1-2013.12.31 2011.1.1-2013.12.31 经费（万元） 600 600 类型国家自然科学基金创新研究群体科学基金国家自然科学基金创新研究群体科学基金国家自然科学基金专项基金 - 优秀国家重点实验室研究项目 “111”引智计划(国际合作：法国巴黎高等师范学院、美国德州农工大学等) 科学技术部 973 项目课题
460
973 计划课题
16.
2011CB808504
曹泽星
2013.01-2016.01
205
973 课题
17.

固体表面物理化学国家重点实验室(厦门大学)26批开放

基于氢键及极性-非极性协同作用自组装构筑聚酯/长链烷基酚纳米晶超
分子相变材料的探索研究纳米片层结构 ZSM-5 分子筛催化甲
醇制丙烯反应性能研究 CO/CO2 加氢制高附加值化学品催化剂设计、性能与二次反应抑制研究
白红存副研究员
罗发亮教授
王政教授赵天生教授
单位宁夏大学宁夏大学宁夏大学宁夏大学
超浓电化学体系界面结构与电荷传输研究
Single Nanoparticle Electrocatalysis by EC-BALM-SERS
碳量子点电化学发光机理研究
单原子合金催化剂
扫描凝胶电化学显微镜用于表面微纳尺度加工的研究
金属纳米材料表面的热电子-分子作用
基于 SERS 的光流控技术对抗原/抗体相互作用的实时动态检测
及其协同催化性能机理研究基于银纳米粒子上表面等离激元催化
偶联反应的实验和理论研究
稀土-钛簇合物的合成及性质研究
单原子光催化固氮材料设计及其机理研究
李欢副教授石川副教授石磊副教授孙进副教授郑秀英副教授庄金亮副教授陈艳丽讲师卢冬飞讲师汪佩讲师
单位
山西大学青岛大学大连理工大学安徽大学安徽大学贵州师范大学常州大学福建工程学院华中农业大学
联系人
袁友珠教授
资助金额 (万)
朱红平教授
100 张庆红教授王野教授
固体表面物理化学国家重点实验室（厦门大学）第 26 批开放课题资助项目
自由申请
课题编号
课题名称
申请人
单位
联系人
201801
201802 201803 201804 201805 201806 201807 201808 201809 201810 201811 201812 201813 201814 201815 201816 201817

新校区开放共享平台的运行管理模式探索

ＩＳＳＮ１００６－７１６７ＣＮ３１－１７０７／ＴＲＥＳＥＡＲＣＨＡＮＤＥＸＰＬＯＲＡＴＩＯＮＩＮＬＡＢＯＲＡＴＯＲＹ第４０卷第３期　Ｖｏｌ．４０Ｎｏ．３２０２１年３月Ｍａｒ．２０２１　ＤＯＩ：１０．１９９２７／ｊ．ｃｎｋｉ．ｓｙｙｔ．２０２１．０３．０６１新校区开放共享平台的运行管理模式探索王雪红，　支东彦，　陈健壮，　杨晓玲，　唐颂超，　庄启昕（华东理工大学材料科学与工程学院，上海２００２３７）摘　要：开放共享平台建设是适应高等教育教学改革的必然趋势，也是培养和激发大学生主动探究问题的自觉性、独立性和创造性的有效手段。

阐述了华东理工大学材料开放共享平台的运行与管理的经验与对策，并以大学生创新创业训练项目为实例进行分析，进一步考察分析开放共享平台在创新实践教学改革中的重要作用，为其他兄弟院校提供一定的参考。

关键词：分类管理；双导师制；准入制度；安全规范中图分类号：Ｇ４８２文献标志码：Ａ文章编号：１００６－７１６７（２０２１）０３－０２８２－０５ＥｘｐｌｏｒａｔｉｏｎｏｎＯｐｅｒａｔｉｏｎａｎｄＭａｎａｇｅｍｅｎｔＭｏｄｅｏｆＯｐｅｎＳｈａｒｉｎｇＰｌａｔｆｏｒｍｉｎＮｅｗＣａｍｐｕｓＷＡＮＧＸｕｅｈｏｎｇ，　ＺＨＩＤｏｎｇｙａｎ，　ＣＨＥＮＪｉａｎｚｈｕａｎｇ，　ＹＡＮＧＸｉａｏｌｉｎｇ，　ＴＡＮＧＳｏｎｇｃｈａｏ，　ＺＨＵＡＮＧＱｉｘｉｎ（ＳｃｈｏｏｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＥａｓｔＣｈｉｎａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２００２３７，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎｏｆｏｐｅｎｓｈａｒｉｎｇｐｌａｔｆｏｒｍｉｓａｎｉｎｅｖｉｔａｂｌｅｔｒｅｎｄｔｏａｄａｐｔｔｏｔｈｅｒｅｆｏｒｍｏｆｈｉｇｈｅｒｅｄｕｃａｔｉｏｎ，ｗｈｉｃｈｉｓａｌｓｏｔｈｅｅｆｆｅｃｔｉｖｅｍｅａｎｓｔｏｃｕｌｔｉｖａｔｅａｎｄｓｔｉｍｕｌａｔｅｓｔｕｄｅｎｔｓ’ｃｏｎｓｃｉｏｕｓｎｅｓｓ，ｉｎｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅａｎｄｃｒｅａｔｉｖｉｔｙｏｆａｃｔｉｖｅｉｎｑｕｉｒｙ．Ｔｈｉｓｐａｐｅｒｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｔｈｅｅｘｐｅｒｉｅｎｃｅａｎｄｃｏｕｎｔｅｒｍｅａｓｕｒｅｓｏｆｔｈｅｏｐｅｒａｔｉｏｎａｎｄｍａｎａｇｅｍｅｎｔｏｆｔｈｅｏｐｅｎｓｈａｒｉｎｇｐｌａｔｆｏｒｍｏｆｍａｔｅｒｉａｌｓ，ａｎｄｆｕｒｔｈｅｒｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄｔｈｅｉｍｐｏｒｔａｎｔｒｏｌｅｏｆｔｈｅｏｐｅｎｓｈａｒｉｎｇｐｌａｔｆｏｒｍｉｎｔｈｅｉｎｎｏｖａｔｉｏｎｐｒａｃｔｉｃｅｔｅａｃｈｉｎｇｒｅｆｏｒｍｂｙｔａｋｉｎｇｔｈｅｉｎｎｏｖａｔｉｏｎａｎｄｅｎｔｒｅｐｒｅｎｅｕｒｓｈｉｐｔｒａｉｎｉｎｇｐｒｏｊｅｃｔｏｆｃｏｌｌｅｇｅｓｔｕｄｅｎｔｓａｓａｎｅｘａｍｐｌｅ．Ｔｈｅｓｅｍａｙｐｒｏｖｉｄｅｃｅｒｔａｉｎｒｅｆｅｒｅｎｃｅｖａｌｕｅｆｏｒｏｔｈｅｒｃｏｌｌｅｇｅｓａｎｄｕｎｉｖｅｒｓｉｔｉｅｓ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｃｌａｓｓｉｆｉｃａｔｉｏｎｍａｎａｇｅｍｅｎｔ；ｄｏｕｂｌｅｔｕｔｏｒｉａｌｓｙｓｔｅｍ；ａｃｃｅｓｓｓｙｓｔｅｍ；ｓａｆｅｔｙｎｏｒｍｓ收稿日期：２０２００７２２基金项目：华东理工大学２０２０年度“大学生创新创业训练计划”项目（２０２０１６０）；华东理工大学２０１８年度本科实验实践教学改革与建设项目（２０１８４５）作者简介：王雪红（１９８４－），女，陕西渭南人，博士，实验师，主要从事高分子材料专业的相关教学与科研工作。

【PPT】厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室(精)

State Key Laboratory for Physical Chemistry of Solid Surfaces
厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室
当溶液或固溶体形成时，分子间力由原来的同类分子间相互作用变为同类、异类分子间的交叉相互作用。以A、B二组分体系为例，同时存在A~A、B~B和 A~B三种不同关系的相互作用力，分别以AA、 BB 和AB表示一对分子的相互作用能。同时有交换关系：
N AB ( N ) e AB
M被称为混合物构型配分函数。显然，处理实际液体，
关键在于如何求解混合构型方式数。
State Key Laboratory for Physical Chemistry of Solid Surfaces
厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室
7.1.1 一维固溶体易辛模型
7.1 固熔体的构型分布将不同的物质组分混合，形成理想溶液的热力学条件为：混合后不产生热效应和体积效应，且过程熵变遵循理想混合熵公式。有些溶液，其形成时混合热不为零，混合后体积亦发生改变，但混合熵仍服从理想公式，此类溶液即称正规溶液。如碘等溶于非极性溶剂CCl4中。高聚物溶液，其混合热为零，但混合熵则偏离理想值，该类溶液即称无热溶液。这里采用似晶模型来讨论一般液相溶液和固溶体。
Statistical Thermodynamics and Chemical Kinetics
Lecture 7
State Key Laboratory for Physical Chemistry of Solid Surfaces
厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室
第七章相倚子体系（2）
U mix ( N A AA N B BB ) ( N AA AA N BB BB N AB AB )

建设基础学科“高峰”

【支撑平台】Support Platform应用表面物理国家重点实验室隶属于复旦大学物理系，是由我国著名物理学家谢希德先生亲自倡导建立的实验室，于1989年年底通过国家计委组织的专家论证，1990年开始筹建，1992年12月底通过国家验收并正式对外开放，至今已走过20多年的历程。

在历年来参加的国家重点实验室评估中均被评为良好。

抓住机遇，顺势而为应用表面物理国家重点实验室以表面物理学的概念、理论和方法为基础，在凝聚态物理、材料科学、信息科学的前沿开展基础与应用基础研究。

面向国际学科前沿和国家经济与国防安全的重大需求，实验室围绕新型半导体、磁性、关联体系和人工带隙与超构材料等研究领域的表面与界面科学问题，设立主要研究方向，旨在将实验室建成本领域国际知名的学术基地、人才培养基地、服务全国的基地、应对国家重大需求的基地。

进入21世纪以来，国际上表面物理的发展呈现出了新的趋势，主要是利用表面物理的概念和方法，研究各种新型微小尺度、低维和多层薄膜材料中的新现象及相关应用。

随着人们对材料和结构体系的研究兴趣从三维转向低维（二、一、零维量子体系），从宏观转向微观（微纳材料和微小体系），从均匀成分的单片体材料转向由不同成分组成的多层膜和超薄膜，研究对象的表面积（界面积）和体积之比越来越大，表面（界面）在决定材料性质中的作用越来越重要，许多新型材料的光、电、磁和自旋特性等受表面和界面的影响也更加突出，这些都使得表面物理的研究与微纳电子学、光电子学、磁电子学或自旋电子学的关系更加密切。

应用表面物理国家重点实验室的定位正是顺应国际上表面物理发展的这一趋势，开展表面物理相关的前沿基础研究，同时也面向国家安全和国家经济重大需求开展表面物理相关的应用研究。

根据这个定位实验室确定了以下4个主要研究方向：1、表面与界面中的新奇物性，主要开展半导体和复杂氧化物的表面/界面的结构与电子态；强关联体系和高温超导的新材料、物性、和电子结构；半导体磁性纳米结构的表面/界面效应、量子尺寸效应、自旋输运及复杂磁性材料的相变行为；同步辐射在表面研究中的应用等方面的研究。

富勒烯吡咯烷衍生物的合成及其在反式钙钛矿太阳能电池中的应用

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厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室-北海道大学催化研究所双边

厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室
-北海道大学催化研究所双边会议
会议纪要
2016年12月9-10日，由固体表面物理化学国家重点实验室(PCOSS)与日本北海道大学催化科学研究所(ICAT)联合举办的可持续发展催化科学国际研讨会在厦门大学顺利举行，来自日本、美国、韩国、新加坡、波兰、沙特阿拉伯等国家的三十多位活跃在催化前沿领域的亚裔学者出席了会议。

14位学者做了邀请报告。

来自ICAT和PCOSS的青年学者和研究生还进行了墙报交流。

本次会议作为PCOSS和ICAT双边会议新形式的尝试，促进了双方与亚洲青年学者之间的交流和合作，也显示了亚洲科学家在催化领域的科研实力。

固体表面物理化学国家重点实验室与北海道大学催化科学研究所于2007年签订了《厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室——北海道大学催化化学研究中心友好学术交流合作协议书》（催化化学研究中心为催化科学研究所前身），并续签两次。

双方在催化化学、表面科学及其他相关领域的教育和科学研究工作进行了密切的交流合作，并通过互派教师、研究员和学生进行相关课题的合作研究；此外，两个单位定期举办双边学术会议，至今我室派成员出席在北海道举办的双边会议3次，北海道催化科学研究所派代表来厦门参加双边会议3次。

参加本次在厦门举行的会议的北海道大学催化科学研究所代表共有13人，其中教授7位、年轻教师和研究生6位。

本次会议的举办进一步加深了固体表面物理化学国家重点实验室与北海道大学催化科学研究所的交流合作。

大分子里解奥秘

72 科学中国人 2022年10月Support Platform支撑平台大分子里解奥秘——记生物大分子国家重点实验室生物大分子国家重点实验室（以下简称“实验室”）1989年经国家计划发展委员会和中国科学院批准，依托中国科学院生物物理研究所建设，1991年1月通过验收并正式开放运行。

实验室针对生命科学前沿和人口健康领域的重大科学问题，开展重要生命活动相关生物大分子结构与功能、相互作用与动态变化的基础研究，致力于从分子、细胞乃至个体水平揭示生命活动的基本规律和重大疾病发生发展规律。

实验室在国家重点实验室历次（6次）评估中均获得“优秀”，两次荣获“国家重点实验室计划先进集体”（金牛奖）；成立以来，以第一完成单位共获得国家自然科学奖二等奖8项。

凝练方向，特色鲜明1989年，实验室刚获批时，将主要研究方向瞄准了三大领域——分子酶学、结构生物学和生物膜，分别由邹承鲁、梁栋材、杨福愉3位院士（学部委员）牵头，颇具前沿优势。

进入新世纪，历经多年发展，实验室紧密围绕生物大分子结构与功能研究这一主线，在延续发展积淀和继承学科特色的基础上努力开拓、培育、凝练新的研究领域，逐渐形成了特色鲜明、优势明显、富有竞争力的研究方向。

近年来实验室的研究工作均围绕如下四大研究方向和内容开展。

1.膜蛋白的结构与功能研究。

生物膜是细胞物质、能量、信息交换和调控的重要介质。

此方向研究细胞膜生成与转运的分子机制，解析光合作用捕光与光能转化、线粒体能量代谢过程中重要膜蛋白的结构与功能。

2.染色质结构、表观遗传调控与细胞命运决定的分子机理。

染色质是遗传信息存储、表达的载体，其动态结构是细胞命运决定的关键因素。

此方向研究染色质的组装与分配、修饰与解读、高级结构形成与调控的分子机理；研究干细胞发育与分化以及疾病发生的表观遗传调控机理。

3.细胞内膜系统形成与稳态维持的调控机制。

细胞内膜系统是蛋白质合成、运输和质量控制的必要环境。

此方向研究内膜系统形态发生的新因子鉴定，揭示其分子机制；阐明内膜系统间膜融合的过程和调控机制。

福建省在厦门建立固体表面涂层技术基地

福建省在厦门建立固体表面涂层技术基地
佚名
【期刊名称】《中国涂料》
【年(卷),期】2009(000)002
【摘要】福建省固体表面涂层材料技术开发基地日前在厦门成立，该基地旨在推动福建省固体表面涂层材料技术的应用与发展、提升材料技术水平、增强市场竞争力。

据了解，该基地以厦门大学材料学院为依托，整合了厦门大学高分子材料、无机非金属材料、金属腐蚀与防护、环境化学等相关学科科技力量，是从事涂料、胶黏剂和防火阻燃材料等固体表面涂层材料的研究开发和推广应用，为企业提供技术创新服务的公共服务平台。

【总页数】1页(PI0011)
【正文语种】中文
【中图分类】TB321
【相关文献】
1.黑龙江省在俄罗斯远东建立蔬菜生产基地的设想 [J], 郭蕴深
2.福建省人民政府办公厅转发教育部关于同意在厦门卫生学校基础上建立厦门医学高等专科学校的通知 [J], ;
3.我省在衡阳市郊东方红渔场建立罗氏沼虾繁殖基地 [J], 龚迪华
4.福建厦门,漳州,泉州倾斜固体潮特征及其动力学解释 [J], 刘序俨;李旭东
5.厦门科研机构中的国家队──厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室 [J], 冯文瑶
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