可控硅MCR100-6参数 (2)
声光控制小灯设计报告
声光控制小灯设计报告一、绪论本次课程设计主要是配合《模拟电子技术》和《数字电子技术》理论课程而设置的一门实践性课程，起到巩固所学知识，加强综合能力，培养电路设计能力，提高实验技术，启发创新思想的效果。
用声光控延时开关代替住宅小区的楼道上的开关，只有在天黑以后，当有人走过楼梯通道，发出脚步声或其它声音时，楼道灯会自动点亮，提供照明，当人们进入家门或走出公寓，楼道灯延时几分钟后会自动熄灭。
在白天，即使有声音，楼道灯也不会亮，可以达到节能的目的。
声光控延时开关不仅适用于住宅区的楼道，而且也适用于工厂、办公楼、教学楼等公共场所，它具有体积小、外形美观、制作容易、工作可靠等优点。
1．根据具体情况计算电路参数2．选取元件、识别和测试。
包括各类电阻、电容、电感、（稳压）二极管、三极管和可控硅的数值、质量、电器性能的准确判断3．根据实际外壳大小设计1：1印刷板布线图4．设计制作印刷线路板5．焊接、调试电路这里介绍的节电开关，在白天或光线较亮时，节电开关呈关闭状态，灯不亮，夜间或光线较暗时，节电开关呈预备工作状态。
当有人经过该开关附近时，脚步声等把节电开关启动，灯亮，延时5-10秒后节电开关自动关闭、灯灭。
二、系统总体方案设计及方案认证1.1方案主要包含四部分电路，分别为：电源电路、光控电路、声控延时电路、晶闸管开关电路，下面对其功能进行逐一分析并确定电路结构。
电源电路主要为控制电路提供工作电压，本设计采用传统的电源电路设计方法，即降压、整流、滤波、稳压，使电路输出12V直流电压供给控制电路。
光控电路是根据光线的强弱来优先决定电灯的亮灭。
该电路可以对声控延时电路进行控制，在白天光线较强时，光控电路输出低电平将声控电路封锁；在晚上光线较弱时，光控电路输出高电平，则声控功能打开。
本设计采用光敏电阻和其他电阻组成的分压电路来控制555定时器的触发输入端2脚，并且将555定时器的2脚和6脚连接在一起，通过一电容接地，555定时器的输出去控制声控电路中的555定时器的复位端。
可控硅MCR100-8规格书
Average gate power
TA=25℃,t<=8.3ms℃
-
Tstg
Storage temperature
-40
50
A/μs
1
A
5
V
5.0
V
1
W
0.1
W
150
°C
Tj
Operating junction
temperature
7、Characteristics
TJ = 25℃ unless otherwise stated SYMBOL PARAMETER
Tc=80°C ,180°conduction angles;
-100-6 -100-8
400
600
-
MAX -0.8
UNIT V A
ITSM
Non-repetitive peak
1/2 Cycle,Sine Wave ,
on-state current
60HZ,Tj=25℃
I²t
I²t for fusing
-40
MIN
-
-
-
-
-
125
TYP MAX
-
10
-
100
40 200
0.6
10
-
15
0.5 5.0
-
10
-
1.7
0.62 0.8
-
1.2
20
35
°C
UNIT
μA μA μA mA mA
mA mA V
V V
V/μs
di/dt
Critical Rate-of-Rise of Ipk=20A;Pw=10μsec;
mcc可控硅模块参数表
MCC可控硅模块参数表1. 简介MCC可控硅模块是一种用于电力控制的半导体器件。
它能够控制交流电的导通和截止，可以用于调节电流和电压。
本文将详细介绍MCC可控硅模块的参数表，包括主要参数及其定义、典型值以及应用注意事项等。
2. 主要参数及其定义2.1 最大正向电压（VDRM）最大正向电压是指MCC可控硅模块能够承受的最大正向电压值。
超过这个电压值，可控硅模块可能会损坏。
2.2 最大反向电压（VR）最大反向电压是指MCC可控硅模块能够承受的最大反向电压值。
超过这个电压值，可控硅模块可能会损坏。
2.3 最大正向电流（ITRM）最大正向电流是指MCC可控硅模块能够承受的最大正向电流值。
超过这个电流值，可控硅模块可能会过载而损坏。
2.4 最大反向电流（IRRM）最大反向电流是指MCC可控硅模块能够承受的最大反向电流值。
超过这个电流值，可控硅模块可能会过载而损坏。
2.5 保持电流（IH）保持电流是指MCC可控硅模块在正向电流降低到一定程度时，仍能保持导通状态所需的最小电流值。
2.6 门极触发电流（IGT）门极触发电流是指MCC可控硅模块在门极电压达到一定程度时，开始导通所需的最小电流值。
2.7 关断电流（IH）关断电流是指MCC可控硅模块在正向电流降低到一定程度时，能够完全关断导通状态所需的最大电流值。
3. 典型值下表列出了MCC可控硅模块的典型参数值：参数典型值最大正向电压（VDRM）600V最大反向电压（VR）600V最大正向电流（ITRM）50A最大反向电流（IRRM）10mA保持电流（IH）30mA门极触发电流（IGT）50mA关断电流（IH）5mA4. 应用注意事项•在使用MCC可控硅模块时，应确保电压和电流不超过其最大额定值，以避免损坏模块。
•在进行高频开关控制时，应注意选择合适的触发电流和关断电流，以确保模块的正常工作。
•在进行温度控制时，应注意模块的散热，避免过热导致模块失效。
•在连接模块时，应注意正确连接极性，避免反向连接导致模块损坏。
平板电脑可控硅检验标准
平板电脑可控硅检验标准
1. 目的
制定本公司的检验标准和试验方法，确保本公司所有可控硅材料能满足研发设计、生产装配以及用户的使用要求。
2. 适用范围
本规程适用于本公司所有可控硅材料的检验。
3.抽样标准
依据GB/T2828.1-2003正常检验一次抽样方案II级水平，其它根据抽样标准书执行。
严重缺陷（CR）AQL＝0；主要缺陷（Maj）AQL＝0.65；次要缺陷（Min）AQL＝1.5。
3.1致命缺陷：（Critical）危及人生安全，易招致不安全因素的项目以及导致其基本功
能失效的项目。
3.2严重缺陷：（Major）不会危及人生安全，但可能导致功能失误或降低原有使用功能
的项目。
3.3次要缺陷：（Minor）单位产品的一般性质量特征不符合规定或单位产品的质量特性
轻微不符合规定，对产品的使用性能没有影响或只有轻微影响的项目。
4.检验/测试环境:
室内温度：25±10℃；
相对湿度：60%（+15%，-10%）
距离：人眼与产品表面的距离为300—350mm。
或灯光垂直产品距离1米,使用40W日光灯
时间：检测量面和其它不超过8s；每件检查总时间不超过30s（除首件）。
光照亮度：300～700Lux；
目视条件：正常视力,1.0以上；(每个表面来回观看5秒)
目视位置：产品放置检验者正前面的30cm距离处,检验者于产品成水平垂直±30°
5.检验内容及标准
5.1、外观检验：
5.2单向可控硅电参数检验 :
表2。
可控硅参数说明
可控硅参数说明可控硅是一种常见的半导体器件，也被称为晶闸管。
它具有可控性强、效率高、性能稳定等优点，在电力控制和电子控制领域得到广泛应用。
下面是对可控硅参数的详细说明：1.最大额定电压（VRRM）：可控硅能够承受的最大电压。
超过这个额定电压时，可控硅可能会出现击穿现象，导致失效或损坏。
2.最大平均整流电流（IOAV）：在特定条件下，可控硅能够持续稳定工作的最大平均电流。
该参数与可控硅的热稳定性和功率特性有关。
3.最大重复峰值反向电压（VRSM）：可控硅能够承受的最大峰值电压。
超过这个峰值电压时，可控硅可能会出现击穿现象，导致失效或损坏。
4.最大峰值水平电流（IPP）：可控硅在极端工作条件下能够承受的瞬时峰值电流。
该参数与可控硅的电流承载能力和热稳定性有关。
5.最大正向门极触发电流（IFGT）：为了激活可控硅，需要施加正向的门极触发电流。
该参数表示可控硅的最大门极触发电流。
6.最大正向临界触发电流（IFRM）：当可控硅被正向触发时，电流开始流过器件，达到临界触发电流的值。
该参数表示可控硅的最大正向临界触发电流。
7.最大漏极电流（IRM）：未施加触发电流时，可控硅漏极的泄露电流。
该参数表示可控硅的泄露电流水平。
8.最大导通电压降（VTM）：在可控硅正向导通状态下，器件两端的电压降。
该参数对于功耗和电压稳定性非常重要。
9.最大反向漏电流（IRRM）：在可控硅反向电压下，漏极的最大反向泄露电流。
该参数表示可控硅的漏路电流水平。
10. 最大引出电阻（Rth）：可控硅的热阻值，表示器件在工作过程中产生的热量与温度之间的关系。
较小的热阻值有利于可控硅的散热和长时间稳定工作。
以上是对可控硅参数的详细说明，这些参数在可控硅的选择和应用中非常重要。
在使用可控硅时，需要根据具体的应用需求和工作环境来选择合适的可控硅型号和参数。
可控硅的主要参数
可控硅可控硅是硅可控整流元件的简称，亦称为晶闸管。
具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。
该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
按其工作特性，可控硅（THYRISTOR)可分为普通可控硅（ SCR）即单向可控硅、双向可控硅（ TRIAC)和其它特殊可控硅。
可控硅的主要参数非过零触发 - 无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过可控硅的主要参数1、额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳极 --- 阴极间可以连续通过的50 赫兹正弦半波电流的平均值。
2 、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。
可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
3 、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。
使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
4 、控制极触发电流 Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极--- 阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5 、维持电流 IH 在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。
近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。
可控硅的触发过零触发 - 一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。
非过零触发 - 无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。
声光控路灯课程设计
1、设计内容图1 内容设计方框图a．根据本次课设题目在网上寻找相关资料，并找到相关的原理图，适当改变原理图中元件的相关参数。
b.购买原理图中的相关元件进行识别和测试。
包括各类电阻、电容、电感、二极管（稳压）、三极管和可控硅的数值、质量、电器性能的准确判断，尤其注意三极管的放大倍数的测量（声音拾取放大过程中的三极管要用放大倍数大的），上网了解可控硅，稳压管和光敏电阻的相关资料；c.根据原理图在万用板上布线，焊接电路，完成调试工作（重点是调试声控和光控，注意延时时间的调节。
有可能存在电路不能正常工作的检测）。
d．用protel绘制本次实验用的原理图，设计内容方框图，编写此次的设计实验报告书，相关的心得体会。
2、理论分析2.1声控原理介绍声控开关里有一个声音传感器（话筒），具体的说就是有一个小弹片来感应声音并通过一个继电器把声音信号转换成电信号，在声音足够大的时候电信号也足够大，这时候的电信号就传到开关的触头上，来使电路接通或者断开。
声控灯使用的声控开关,一般设计成在一段音频有效,只要音量达到与设计门限频率相符就可控制开关的通断.灯泡可以是多样的,只要电压相符,功率在开关可乘承受能力内就可用，即是满足功率的要求图2 声控原理图2.2光控原理介绍光控开关原理中的主要器件就是光敏电阻。
光敏电阻在有光照时候电阻值很小，当无光时候电阻变的很大，电路中主要是利用其阻值随光照的不同而改变进而来改变电路的某些元件的电压或电流来实现电路的光控。
光敏电阻的工作原理是基于内光电效应，在半导体光敏材料两端装上电极引线。
为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。
构成光敏电阻的材料有金属的硫化物、硒化物、碲化物等半导体。
半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。
当光敏电阻受到光照时，价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带，成为自由电子，同时产生空穴，电子—空穴对的出现使电阻率变小。
光照愈强，光生电子—空穴对就越多，阻值就愈低。
声光控楼道延时开关的设计与实验
声光控楼道延时开关的设计与制作指导教师：***年级专业：电子信息科学与技术学号：*************名：***声光控楼道延时开关的设计与制作一实验目的通过声光控楼道延时开关的设计、安装和调试，要求学会：（1）桥式整流电路、三级管放大电路、四与非门电路等参数的选择与应用。
（2）掌握声光控楼道延时开关的测量与调试方法。
二设计任务与要求1设计任务（1）设计一个声光控楼道延时开关，要求白天楼道光线正常时不论有、无人行走而楼道灯不亮，天黑时有人走动楼道灯才亮，无人走动时楼道灯不亮。
（2）实现这一要求需要正确选择合适的声光控元件，并要求声光控开关延时1～4分钟。
2 设计要求（1）完成全电路的理论设计、安装和调试。
（2）撰写设计、调试报告和心得体会。
三声光控楼道延时开关的工作原理1光敏电阻器的介绍光敏电阻两端的金属电极之间加上电压，其中便有电流通过，受到适当波长的光线照射时，电流就会随光强的增加而变大，从而实现光电转换。
光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。
图1 光敏电阻的电路及符号光敏电阻是采用半导体材料制作，利用内光电效应工作的光电元件。
它在光线的作用下其阻值往往变小，这种现象称为光导效应，因此，光敏电阻又称光导管。
光敏电阻器的基本特性和主要参数暗电阻、亮电阻光敏电阻在室温和全暗条件下测得的稳定电阻值称为暗电阻，或暗阻。
此时流过的电流称为暗电流。
例如MG41-21型光敏电阻暗阻大于等于0.1M。
光敏电阻在室温和一定光照条件下测得的稳定电阻值称为亮电阻或亮阻。
此时流过的电流称为亮电流。
MG41-21型光敏电阻亮阻小于等于1k。
亮电流与暗电流之差称为光电流。
本实验光敏电阻选用的是625A型，有光照射时电阻为20K以下，无光时电阻值大于100MΩ、2 双输入四与非门CD4011简介双输入四与非门CD4011数字集成电路外形和内部电路如图2和图3所示：他采用双列直插形式封装，共有14个引脚。
单向可控硅参数列表 MCR100-8 1A400V
单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V 单向可控硅参数列表MCR100-8 1A400V参数: 1A 400V可控硅引脚定义可控硅外形象中功率三极管，三个脚定义为阳极A，阴极K，栅极G，使用时在阳极加正电压，必须在栅极加一个4伏左右的触发电压才能导通.单向可控硅的型号参数表常用1A/400V单向可控硅有：MCR100-6MCR100-8BT169TP5GCR3AM常用3A/600V的单向可控硅的型号有：3CR3AM-12TLC336TLC336TTLC336DTLC336STLC336晶闸管的选用与代换及检测1．晶闸管的选用(1)选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。
若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG晶闸管。
若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。
若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管。
2．选择晶闸管的主要参数：晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。
所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流1．5～2倍。
晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门极的控制电路)的各项要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。
2．晶闸管的代换晶闸管损坏后，若无同型号的晶闸管更换，可以选用与其性能参数相近的其他型号晶闸管来代换。
最佳答案
最佳答案MCR100-6单向可控硅特点,先进的玻璃钝化芯片、具有灵敏的控制极触发电流，通态压降低。
用途广泛应用于各种万能开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路功率制。
杰宝莱科技供应定做充电器专用可控硅!产品类别:单向可控硅-SCRs器件型号MCR100-6封装形式:TO-92Package→脚位排列:C-G-A主要参数:电流-IT(RMS):0.8A电压-VDRM:≥400V触发电流:IGT:10~30µAIGT:30~60µA元件品牌, 型号MCR100-6 电流0.8（A）电压400（V）触发电流10-30/30-60m（A）结温110（℃）.产品型号：MCR100-8产品名称：KCD-MCR100-8产品型号：MCR100-8*元件品牌--韩国KCD*主要用途各种万能开关器，继电器与灯控制，小型马达控制器，漏电保护器，电子镇流器，传感与检测电路，摩托车点火器等线路功率控制。
*封装外形--TO-92*管脚排列--K-G-A*极限值--（Ta=25℃）Tstg—贮存温--------------------------------------40~150℃Tj—结温------------------------------------------65-125℃IT（max）—通态电流--------------------------------- 0.8AITSM—峰值正向浪涌电流(60HZ,正弦波, 1/2周期,)------------------------------- 10AVRRM反向重复峰值电压----------------------------------600VIGT触发电流-------------------------------10-30UA，30-60UA（IGT可根据客户要求订做：10-20，30-40，60-90，70-80，90-120）mac97A6是双向可控硅吗？他的参数是什么？浏览次数：52296次悬赏分：0 |解决时间：2007-3-24 04:39 |提问者：hankking最佳答案97A6 双向触发三极闸流晶体管用途：主要用于变频电路及调光、调速电路等。
常用可控硅资料
序号产品型号电流电压触发电流封装形式1 BTA02-600 2A 600V TO-922 BTA03-600 2A 600V TO-126/ML3 BTN03-600 2A 600V TO-126/ML4 BTA16600B 16A 600V 35~50mA TO-220AB/FP5 BTF06-800 6A 800V 5~10mA TO-220AB/FP6 MCR100-6 1A 600V 10~30uA TO-927 MCR100-8 1A 800V 10~30uA TO-928 2P4M 2A 400V 10~30uA TO-2029 2P6M 2A 600V 10~30uA TO-20210 JCT05 5A 600V 5~10mA TO-202AB11 BT151 8A 600V 5~10mA TO-220AB12 BT169 1A 600V 10~50uA TO-9213 CT10 10A 600V 8~15mA TO-220AB/FP14 CT12 12A 600V 8~15mA TO-220AB/FP15 CT16 16A 600V 8~15mA TO-220AB/FP16 CT20 20A 600V 10~20mA TO-220AB/FP17 MAC97A6 1A 400V 1~5mA TO-9218 MAC97A8 1A 600V 1~5mA TO-9219 MAC223A6 1A 400V 50mA TO-220AB20 MAC223A8 1A 600V 50mA TO-220AB21 MAC223A8X 1A 600V 50mA SOT186A22 BT131-400D 1A 400V 1~5mA TO-9223 BT131-400E 1A 400V 5~10mA TO-9224 BT131-600D 1A 600V 1~5mA TO-9225 BT131-600E 1A 400V 5~10mA TO-9226 BT132-400D 1A 400V 1~5mA TO-9227 BT132-400E 1A 400V 5~10mA TO-92序号产品型号电流电压触发电流封装形式28 BT132-600D 1A 600V 1~5mA TO-9229 BT132-600E 1A 400V 5~10mA TO-9230 BT134-400D 4A 400V 1~5mA TO-126ML31 BT134-400E 4A 600V 5~10mA TO-126ML32 BT134-600D 4A 600V 1~5mA TO-126ML33 BT134-600E 4A 600V 5~10mA TO-126ML34 BT134-600D 4A 600V 1~5mA SOT8235 BT134-600E 4A 600V 5~10mA SOT8236 BT134-800D 4A 800V 1~5mA SOT8237 BT134-800E 4A 800V 5~10mA SOT8238 BT136-400D 4A 400V 1~5mA TO-220AB39 BT136-400E 4A 400V 5~10mA TO-220AB40 BT136-600D 4A 600V 1~5mA TO-220AB41 BT136-600E 4A 600V 5~10mA TO-220AB42 BT136-800D 4A 800V 1~5mA TO-220AB43 BT136-800E 4A 800V 5~10mA TO-220AB44 BT137-400D 8A 400V 1~5mA TO-220AB45 BT137-400E 8A 400V 5~10mA TO-220AB46 BT137-600D 8A 600V 1~5mA TO-220AB47 BT137-600E 8A 600V 5~10mA TO-220AB48 BT137-800D 8A 800V 1~5mA TO-220AB49 BT137-800E 8A 800V 5~10mA TO-220AB50 BT137X-600 8A 600V 35mA TO-220FP51 BT137X-600D 8A 600V 5mA TO-220FP52 BT137X-600F 8A 600V 25mA TO-220FP53 BT137X-800 8A 800V 35mA TO-220FP54 BT137X-600E 8A 600V 10mA TO-220FP序号产品型号电流电压触发电流封装形式55 BT137X-800E 8A 600V 10mA TO-220FP56 BT137-600F 8A 600V 25mA TO-220AB57 BT137-600D 8A 600V 5mA 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TO-220AB85 BT139-800D 16A 800V 1~5mA TO-220AB86 BT139-800E 16A 800V 5~10mA TO-220AB87 BT139-800F 16A 800V 25mA TO-220AB88 BT139-800G 16A 800V 50m TO-220AB89 BT151-500R 12A 500V 2~15mA TO-220AB90 BT151-650R 12A 650V 2~15mA TO-220AB91 BT151-800R 12A 800V 2~15mA TO-220AB92 BT152 20A 800V 32mA TO-220AB93 BTA140-600 25A 600V 35mA TO-220AB94 BTA140-800 25A 800V 35mA TO-220AB95 BTA140B-500 25A 500V 35mA SOT-40496 BTA140B-600 25A 600V 35mA SOT-40497 BTA140B-800 25A 800V 35mA SOT-40498 BT145-800R 25A 800V 35mA TO-220AB99 BT148W-600R 1A 600V 0.2mA SOT223 100 BT148-400R 4A 400V 0.2mA SOT82 101 BT148-500R 4A 500V 0.2mA SOT82 102 BT148-600R 4A 600V 0.2mA SOT82 103 BT150-500R 4A 500V 0.2mA TO-220AB 104 BT150S-600R 4A 600V 0.2mA TO-252/D-PAK 105 BTA151-650R 12A 650V 4mA SOT82 106 BT151-500R 12A 500V 15mA TO-220AB 107 BT151-650R 12A 650V 15mA TO-220AB 108 BT151-800R 9A 800V 15mA TO-220AB序号产品型号电流电压触发电流封装形式109 BT151X-500R 12A 500V 15mA TO-220FP 110 BT151X-650R 12A 650V 15mA TO-220FP 111 BT151X-800R 12A 800V 15mA TO-220FP 112 BT151S-500R 12A 500V 15mA TO-252/D-PAK 113 BT151S-650R 12A 650V 15mA TO-252/D-PAK 114 BT151S-800R 12A 800V 15mA TO-252/D-PAK 115 BT151B-500R 12A 500V 15mA TO-263/D2-PAK 116 BT151B-650R 12A 650V 15mA TO-263/D2-PAK 117 BT151B-800R 12A 800V 15mA TO-263/D2-PAK 118 BT151F-500R 9A 500V 15mA SOT-186 119 BT152-400R 20A 400V 32mA TO-220AB 120 BT152-600R 20A 600V 32mA TO-220AB 121 BT152-800R 20A 800V 32mA TO-220AB 122 BT152X-400R 20A 400V 32mA TO-220FP 123 BT152X-600R 20A 600V 32mA TO-220FP 124 BT152X-800R 20A 800V 32mA TO-220FP 125 BT152B-400R 20A 400V 32mA TO-263/D2-PAK 126 BT152B-600R 20A 600V 32mA TO-263/D2-PAK 127 BT152B-800R 20A 800V 32mA TO-263/D2-PAK 128 BTA204-600D 4A 600V 5mA TO-220AB 129 BTA204-600E 4A 600V 10mA TO-220AB 130 BTA204-600F 4A 600V 25mA TO-220AB 131 BTA204-800E 4A 800V 10mA TO-220AB 132 BTA204-600B 4A 600V 50mA TO-220AB 133 BTA204-600C 4A 600V 35mA TO-220AB 134 BTA204S-600B 4A 600V 50mA TO-252/D-PAK 135 BTA204S-600C 4A 600V 35mA TO-252/D-PAK序号产品型号电流电压触发电流封装形式136 BTA204S-600D 4A 600V 5mA TO-252/D-PAK 137 BTA204S-600E 4A 600V 10mA TO-252/D-PAK 138 BTA204S-600F 4A 600V 25mA TO-252/D-PAK 139 BTA204W-600D 1A 600V 5mA SOT223 140 BTA204W-600E 1A 600V 10mA SOT223 141 BTA204W-600F 1A 600V 25mA SOT223 142 BTA204W-600B 1A 600V 50mA SOT223 143 BTA204W-600C 1A 600V 35mA SOT223 144 BTA204X-600D 4A 600V 5mA TO-220FP 145 BTA204X-600E 4A 600V 10mA TO-220FP 146 BTA204X-600F 4A 600V 25mA TO-220FP 147 BTA208X-600D 8A 600V 5mA TO-220FP 148 BTA208X-600E 8A 600V 10mA TO-220FP 149 BTA208X-600F 8A 600V 25mA TO-220FP 150 BTA208X-800E 8A 800V 10mA TO-220FP 151 BTA208-600D 8A 600V 5mA TO-220AB 152 BTA208-600E 8A 600V 10mA TO-220AB 153 BTA208-600F 8A 600V 25mA TO-220AB 154 BTA208-600B 8A 600V 50mA TO-220AB 155 BTA208-800B 8A 800V 50mA TO-220AB 156 BTA208S-600B 8A 600V 50mA TO-252/D-PAK 157 BTA208S-800B 8A 800V 50mA TO-252/D-PAK 158 BTA208S-600D 8A 600V 5mA TO-252/D-PAK 159 BTA208S-600E 8A 600V 10mA TO-252/D-PAK 160 BTA208S-600F 8A 600V 25mA TO-252/D-PAK 161 BTA208B-500B 8A 500V 50mA SOT-404 162 BTA208B-600B 8A 600V 50mA SOT-404序号产品型号电流电压触发电流封装形式163 BTA208B-800B 8A 800V 50mA SOT-404 164 BTA212X-600B 12A 600V 50mA TO-220FP 165 BTA212X-800B 12A 800V 50mA TO-220FP 166 BTA212X-600D 12A 600V 5mA TO-220FP 167 BTA212X-600E 12A 600V 10mA TO-220FP 168 BTA212X-600F 12A 600V 25mA TO-220FP 169 BTA212X-800E 12A 800V 10mA TO-220FP 170 BTA212X-600B 12A 600V 50mA TO-220FP 171 BTA212X-800B 12A 800V 50mA TO-220FP 172 BTA216X-600B 16A 600V 50mA TO-220FP 173 BTA216X-800B 16A 800V 50mA TO-220FP 174 BTA216X-600D 16A 600V 5mA TO-220FP 175 BTA216X-600E 16A 600V 10mA TO-220FP 176 BTA216X-600F 16A 600V 25mA TO-220FP 177 BTA216-600B 16A 600V 50mA TO-220AB 178 BTA216-800B 16A 800V 50mA TO-220AB 179 BTA216-600D 16A 600V 5mA TO-220AB 180 BTA216-600E 16A 600V 10mA TO-220AB 181 BTA216-600F 16A 600V 25mA TO-220AB 182 BTA225-600B 25A 600V 50mA TO-220AB 183 BTA225-800B 25A 800V 50mA TO-220AB 184 BTA225B-600B 25A 600V 50mA TO-263/D2-PAK 185 BTA225B-800B 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可控硅参数要求范文
可控硅参数要求范文
一、可控硅类型及参数要求：
1.类型：可控硅(SCR)是一种三极场效应可控半导体器件，是由可控硅，门极阻值和热保护组成的一种电力电子器件，可以被用来控制电流，功率或压力。
2.参数要求：
（1）最高温度：150℃~175℃；
（2）最大反向电压：200V~600V；
（3）最大正向功率：5W~200W；
（4）门极电流：0.1mA~20mA；
（5）正向电流：0.1A~100A；
（6）可控硅释放时间：0.5s~10s；
（7）可控硅延迟时间：0.02s~2s；
（8）可控硅的散热：采用铝合金材料对可控硅的散热器进行散热，确保可控硅的正常运行。
二、可控硅的功能要求：
1.安全性和可靠性：可控硅的安全性要求高，有效抗静电放电，有效防止在电气火灾中可能出现的意外短路；同时，可控硅的可靠性要高，要有较高的反复开关次数，能够精确控制功率，提高了电气系统的整体可靠性。
2.节能性：可控硅具有良好的节能性，可以有效的控制电源的传输率，从而节省能源；同时，可控硅还可以利用可控硅的门极电流进行节能操作，从而更好的控制电源。
3.快速响应：可控硅具有快速响应的特点。