10第十章 静电场中的导体与电介质作业答案
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一、选择题
[ B
]1(基础训练2) 一“无限大”均匀带电平面A ,其附近放一与它
平行的有一定厚度的“无限大”平面导体板B ,如图所示.已知A 上的电荷
面密度为+σ ,则在导体板B 的两个表面
1和2上的感生电荷面密度为: (A) σ 1 = - σ, σ 2 = + σ. (B) σ 1 = σ21-
, σ 2 =σ2
1
+. (C) σ 1 = σ21-
, σ 1 = σ2
1
-. (D) σ 1 = - σ, σ 2 = 0. 【提示】“无限大”平面导体板B 是电中性的:σ 1S+σ 2S=0,
静电平衡时平面导体板B 内部的场强为零,由场强叠加原理得:
02220
2010=-+εσεσεσ
联立解得: 122
2
σ
σ
σσ=-
=
[ C ]2(基础训练6)半径为R 的金属球与地连接。在与球心O 相距d =2R 处有一电荷为q 的点电荷。如图所示,设地的电势为零,则球上的感生电荷q '
为:
(A) 0. (B)
2q . (C) -2
q
. (D) -q . 【提示】静电平衡时金属球是等势体。金属球接地,球心电势为零。球心电
势可用电势叠加法求得:
000'044q dq q R
d πεπε'
+=⎰, 00'
01'44q q dq R d πεπε=-⎰, 'q q R d =-,其中d = 2R ,'2q
q ∴=-
[ C ]3(基础训练8)两只电容器,C 1 = 8 μF ,C 2 = 2 μF ,分别把
它们充电到 1000 V ,然后将它们反接(如图所示),此时两极板间的电势差
为:
(A) 0 V . (B) 200 V . (C) 600 V . (D) 1000 V
【提示】反接,正负电荷抵消后的净电量为
661212(82)101000610Q Q Q C U C U C --=-=-=-⨯⨯=⨯
这些电荷重新分布,最后两个电容器的电压相等,相当于并联。并联的等效电容为
512C'10C C F -=+=,电势差为'600()'
Q
U V C =
=。 [ D ]4(基础训练10)两个完全相同的电容器C 1和C 2,串联后与电源连接。现将一各向同性均匀电介质板插入C 1中,如图所示,则(A) 电容器组总电容减小. (B) C 1上的电荷大于C 2上的电荷.
(C) C 1上的电压高于C 2上的电压 .(D) 电容器组贮存的总能量增大. 【提示】(A) C 1↑,1/C=(1/C 1)+(1/C 2),∴C ↑ (B) 串联,Q 1=Q 2
(C) U 1=Q/C 1,U 2=Q/C 2 ,∴U 1
A
+σ
2
[ B ]5(自测提高4)一导体球外充满相对介电常量为r ε的均匀电介质,若测得导体
表面附近场强为E ,则导体球面上的自由电荷面密度0σ为
(A) E 0ε. (B) E r εε0 . (C) E r ε. (D) E r )(00εεε- 【提示】导体外表面附近场强00
0r
E σσεεε=
=,∴00r E σεε=.
[ C ]6(自测提高9)如图所示,位于"无限大"接地的金属平面正上方距离d 处,有
一电荷为q (q >0)的点电荷,则平面外附近一点P 处的电场强度大小是 (A)
2
04r q επ . (B)
2
02r q επ .(C)
3
02r
qd επ . (D) 302r qx
επ .
【提示】镜像法。设想位于金属平面正下方距离d 处,有一个 – q 的点电荷(“镜像电荷”),则q 和 – q 可以使得导体表面电势为零,因此,导体表面上的感应电荷可以用镜像电荷代替。导体板上部空间的电场可以看作原电荷q 与镜像电荷 – q 共同激发的电场。
所以,P 处q 23
002sin 22q
d qd E E r r r θεε=⨯=⨯⨯=4ππ
二、填空题
1(基础训练12)半径为R 的不带电的金属球,在球外离球
心O 距离为l 处有一点电荷,电荷为q .如图所示,若取无穷远处为电势零点,则静电平衡后金属球的电势U =0
4q l
πε.
【提示】静电平衡后,金属球等电势,金属球的电势即为球心O 点的电势。根据电势叠加原理,球心O 的电势为点电荷+q 在该点的电势和金属球表面产生的感应电荷'q ±(右表面为'q -,左表面为'q +)在该点的电势叠加。
O 0000''4444q q q q
U l
R
R l
πεπεπεπε-=
+
+
=故:
2(基础训练14)一空气平行板电容器,电容为C ,两极板间距离为d .充电后,两极板间相互作用力为F
【提示】一极板所受到的力是另一极板产生的电场('E )施加的,设平行板电容器极板间的总场强为E ,则'/2E E =
2//'()2222E U d U d CU F E q q q CU d
=====,
得:U =
Q CU ==
3(自测提高11)一平行板电容器,极板面积为S ,相距为d ,若 B 板接地,且保持 A 板的电势 U A = U 0 不变,如图,把一块面积相同的带电量为 Q 的导体薄板 C 平行的插入两板中间,则导体薄板的电势00
24C U Qd U S ε=
+. 【提示】导体各表面的电荷分布面密度如图所示。AC 之间和CB 之间的场强分别为110E σε=,220
E σε= A 板与B 板之间的电势差为
1201
2002222
d d d d
U E E σσεε=+=+ (1) 又 12S S Q σσ-+= (2) 联立(1)和(2),可求得 00
12U Q d
S εσ=-
, 0022U Q
d S
εσ=+ 则导体薄板的电势为 02200
=2224C U d d Qd U E S σεε==+
4(自测提高15)半径为R 的金属球A ,接电源充电后断开电源,这时它储存的电场能量为5×10-5 J 。今将该球与远处一个半径也是R 的导体球B 用细导线连接,则A 球储存的电场能量变为
1.25×10-5J 。
【提示】设A 球原来所带电量为Q ,储能为W ; 与B 球连接后,A 、B 球等电势:
0044A B Q Q R
R
πεπε=
,又A B Q Q Q +=
得:2
A B Q
Q Q ==,2
22A A Q W W C ===1.25×10-5J 5(自测提高16)在相对介电常量εr = 4的各向同性均匀电介质中,求:与电能密度w e =2×106 J/cm 3
相应的电场强度的大小E = 3.36×1011
V/m [真空介电常量
ε
0 = 8.85×
10-
12 C 2/(N ·m 2)]
【提示】2021
21E DE w r e εε==
,r
e w E εε02=
=3.36×1011 V/m (注意各个物理量的单位)
6、(自测提高20)A 、B 两个电容值都等于C 的电容器,已知A 带电量为Q ,B 带电
量为2Q ,现将A 、B 并联后,系统电场能量的增量W ∆=2
4Q C -。 【提示】电容器的电场能量为:C
Q 2W 2
=