手机充电电路分析.

Байду номын сангаас电电路原理图
充电电路引脚说明
手机中MOS的使用场景分析
3、BJT+NMOS 方式： MTK新推出的平台(MT6252、MT6236、MT6573、MT6276)中，采 用的是BJT+MOS的充电方案，充电管脚耐压值为30V，且充电电流比 PMOS、OVP控制方式大。
MT6251/6252/6236/MT6573
VDRV ISNS BATSNS
0.2欧姆
手机中MOS的使用场景分析
BJT+NMOS的充电方式改变为脉冲充电，GATDRV由电压控制改 变为电流控制。 如右图所示“电池充电电流I1由流进 VDRV管脚的电流I2控制，假设PNP三极 管在放大区的放大倍数为200，需要450 mA的电池充电电流，那么手机平台内部 需要控制的电流为I2= 450mA/200=2.25 mA，并通过检测Rsense上的压降组成反 馈系统来控制充电电流。
充电电路简介
• • • • • • • （一）充电基本部分： 1.充电检测部分 2.充电控制部分 3.电量检测部分 （二）充电保护部分： 1.过压保护部分 2.过流保护部分
手机中MOS的使用场景分析
• 电池充电过程：预充电、恒流充电、恒压充电、 脉冲充电（线性无）
1. 当Vbat<3.4V 属于预充阶段， 当电池电压低于3.3V时，CPU处于关 机状态，在这个模式只要BATDET脚通 过下拉电阻置低，即可进行预充！ 充电电流Ipre=10mV/Rsense 2. 当3.4V<bat<4.1V PMIC的LDO 开始输出电压，从而cpu开始工作，这 是进入恒流充电阶段充电电流 Icc=160mV/Rsense。 3. Vbat>4.1V 进入恒压充电阶段，这个阶段电流逐渐变小，电压维持不变！ 4.当恒压阶段的电流降低到一定值，就进行脉冲充电，当电压为4.2V左右时，充 电完成。
手机中MOS的使用场景分析
4、BJT+PMOS方式 高通的平台充电部分一般采用的方式 为BJT+PMOS。不同的平台区别是PMIC内 部有没有集成BJT.其中QSC6270将BJT集 成在芯片内部。
QSC60X0/60X5/62X0/1100/1110
CHG_CTL ISNS_P ISNS_M BAT_FET_N
MT6573-Baseband
充电电路产品方案:WPT2F30-6/TR和WNM4153-3/TR
1. 充电电流调整三极管 ：WPT2F30替换参考设计中STT818B 2. 高压阻断MOSFET ：WNM4153替换参考设计中SSM3K35MFV
0.1欧姆
手机中MOS的使用场景分析
• 这是高通平台上的充电电路，其中使用到 单路P-MOS。 • MOS作为电池电源开关，工作在可变电阻 区，功耗不大。 • 此电路中使用者最为关心的参数为：PD, ID, RDSON。 • 容易出现的问题：最大功率或电流不够。 • WILL对应的产品：WPM23413/TR,WPM1480-3/TR, WPM2301-3/TR。
0.2欧姆
优点：充电电路非常简单稳定，成本低 缺点：没有过压保护功能，耐压能力低的平台容易被烧坏。
手机中MOS的使用场景分析
• 这是最的常见充电电路，其中MOS为P-MOS + 肖特基形式，常见于MTK，展讯等平台。 • MOS作为充电电流的控制器，工作在饱和区 （恒流区），承受较大功耗。 • 此电路中使用者最为关心的参数为：PD, ID, RthjA。 • 容易出现的问题：温度过高；最大功率不够。 • WILL对应的产品：WPM2005-8/TR,WPM20066/TR, WPM2009D-8/TR。
手机中MOS的使用场景分析
按照充电电路的器件的不同，将充电方式分为四种：PMOS、OVP、 BJT+NMOS、 BJT+PMOS。 1、PMOS控制的充电方式： 目前在MTK的MT6223、MT6235、MT6253和展讯平台所有平台中，都 是采用PMOS控制的充电方式。
MT6225
VDRV ISNS VBAT_SNS