黄光生产简介
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目前大部分光罩都屬於Binary Mask ， 除了1F (51) 、BS（83）、1B（90）、2B（75）、1C（55） 這五枚光罩為Half Tone Mask
相偏移光罩（Phase Shift Mask，PSM）主要是在光罩上某些地方加 上一層相移轉層（Phase-Shift Layer），以提高曝光的明暗對比。 利用相偏移光罩不需改變其曝光光源、光阻技術、即能達到增強曝光 機台之解像能力或增加其曝光成像之焦深。
顯影後檢查 SEM ADI 現像檢查(SEM) CD Measurement
(After Photo)
5
ADI
OK
SEM CD
OK
Rework
NG
NG
NG
MFG
光罩及光阻簡介
光罩及光阻簡介
6
MFG
光罩簡介
Mask = Reticle
光罩用途:
光罩上面有線路圖形，將光罩上之線路圖形轉移
到晶片的光阻上。
曝光後被光照到光阻會產生化學變化, 再來就是顯影, 藉由顯影的過 程, 將不要的光阻去除, 只留下所需的圖形
在Stepper對準/曝光, 將光罩上 之電路圖形轉移至晶片的光阻上.
未曝光之光阻 為光阻圖形區
光源 光罩
圖案鉻膜(不透光) 光阻受曝光部位, 產生光化學作用
光阻
晶片 平台
正光阻
已曝光之光阻會被顯影液顯影, 未曝光區域留下所需之電路圖形.
➢
Product name : max 14 characters
➢
Reduction ratio :
Y : 6” 5X , P : 6” 4X , T : 6” 2X
byte 3 ~ 18
➢
Fixed character
➢
No. of process layer : byte 19 ~ 20
01 ~ 99, no alphabet
➢
Aligner -combination code : byte 1
F: 6” Stepper S : 6” Scanner
➢
Major-reversion code : byte 2
A ~ Z (I,Q,O can’t be used ) , alphabet only
A : with TEG, B : without TEG
積體電路(Integrated Circuit, IC)製程中所強調的次微米, 如 0.5μm 微米(Micrometer),0.25微米, 0.18微米代表的是積體電路的設計規則中 最小的線路距離(通常指兩條相鄰線路中心點距離的一半(1/2pitch). 距 離越小, 表示線路越密集, 也就是所謂的積集度越高.
※以上每項簡介課目將以:機台簡介、run貨方式、產能狀況、生產注意事項 作串聯
2
MFG
黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產流程
.半導體四大製程技術分別為擴散、薄膜沈積、微影製程及蝕刻. 所以當 晶片在完成薄膜沈積後,在進行蝕刻或離子植入前都必須經過微影製程這 道步驟.
微影製程的主要功用是依照積體電路設計者的需求, 將各層次的線路圖, 一層一層的完整忠實的以光阻成像在晶片(Wafer/Chip)上, 以作為後續製 程的圖版.
1B2
78
3I
73
BL
91
4I
64
2B
75
1D
63
1S
76
2I
72
3S
96
1G1
64
CP
53
1G
54
1C
55
1N
93
1M
56
1P
67
1T
61
2N
79
2M
62
2P
67
PI
98
ADI check時也會用到
10
MFG
光罩簡介
Mask Naming Rule S A 2V56S30A P - 51 B S L - MH 01 EB - RE
3
MFG
黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產流程
黃光原理
Light Source
Fly eyes Condenser Lens
Reticle Mask Projection Reduction Lens
黃光的技術很複雜, 但基本的原理很簡單,與照相的原理很類似:
首先先在晶片上塗上一層光阻(感光材料, 作用如同底片)來自光源的 平行光, 經過光罩後, 便投射在光阻上. 因為光罩上有圖案(由鉻膜 形成的不透光區域),而沒有鉻膜的地方，光線就會穿透玻璃到達晶片 上的光阻，這就是曝光(Exposure)
ex: 51=1F, 54=TG…..
11
MFG
光罩簡介
Mask Naming Rule
S A 2V56S30A P - 51 B S L - MH 01 EB - RE
➢
Minor reversion code : byte 21
A ~ Z (I,Q,O can’t be used ), alphabet only
黃光區生產簡介
1
MFG
簡介大綱
一. 黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產 流程
二. 光罩及光阻簡介 三. 下線刻號作業簡介 四. 黃光主機台生產簡介 五. 黃光Overlay生產簡介 六. 黃光PQC生產簡介(含ADI/SEM) 七. 黃光Polymide生產簡介 八. 黃光生產特色及注意事項 九. Q&A
minor pattern or layout change
➢
Wafer process reversion code : byte 22
光罩外觀
Substrates：Quartz 石英(QZ)
Size：
6
“
Glass Surface
0.25 “
0.25 “
Pellicle Surface
Pattern Surface
7
MFG
光罩簡介
光罩種類： Binary Mask
Half Tone Mask 又稱PSM （Phase Shift Mask）
4
負光阻
未曝光之光阻會被顯影液顯影, 已曝光區域留下所需之電路圖形.
MFG
黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產流程
黃光工程 製版處理
生產流程
Photo Process
Photo Process
對準檢查 重合檢查
Overlay check
OK Overlay Check
OK
顯影後檢查 ADI 現像檢查(目視) (After Develop Inspection)
8
MFG
光罩簡介
光罩名稱 FA2S28D20AY 79AQG DP02 光罩名稱：FA2S28D20AY 工程代碼：79(Layer編號) 副 番：AQG 製造番號：DP02
9
MFG
光罩簡介
PHOTO Mask 代碼 Table
layer 代碼
layer
代碼
1F
51
BSBaidu Nhomakorabea
83
2F
58
1B
90
1I
85
相偏移光罩（Phase Shift Mask，PSM）主要是在光罩上某些地方加 上一層相移轉層（Phase-Shift Layer），以提高曝光的明暗對比。 利用相偏移光罩不需改變其曝光光源、光阻技術、即能達到增強曝光 機台之解像能力或增加其曝光成像之焦深。
顯影後檢查 SEM ADI 現像檢查(SEM) CD Measurement
(After Photo)
5
ADI
OK
SEM CD
OK
Rework
NG
NG
NG
MFG
光罩及光阻簡介
光罩及光阻簡介
6
MFG
光罩簡介
Mask = Reticle
光罩用途:
光罩上面有線路圖形，將光罩上之線路圖形轉移
到晶片的光阻上。
曝光後被光照到光阻會產生化學變化, 再來就是顯影, 藉由顯影的過 程, 將不要的光阻去除, 只留下所需的圖形
在Stepper對準/曝光, 將光罩上 之電路圖形轉移至晶片的光阻上.
未曝光之光阻 為光阻圖形區
光源 光罩
圖案鉻膜(不透光) 光阻受曝光部位, 產生光化學作用
光阻
晶片 平台
正光阻
已曝光之光阻會被顯影液顯影, 未曝光區域留下所需之電路圖形.
➢
Product name : max 14 characters
➢
Reduction ratio :
Y : 6” 5X , P : 6” 4X , T : 6” 2X
byte 3 ~ 18
➢
Fixed character
➢
No. of process layer : byte 19 ~ 20
01 ~ 99, no alphabet
➢
Aligner -combination code : byte 1
F: 6” Stepper S : 6” Scanner
➢
Major-reversion code : byte 2
A ~ Z (I,Q,O can’t be used ) , alphabet only
A : with TEG, B : without TEG
積體電路(Integrated Circuit, IC)製程中所強調的次微米, 如 0.5μm 微米(Micrometer),0.25微米, 0.18微米代表的是積體電路的設計規則中 最小的線路距離(通常指兩條相鄰線路中心點距離的一半(1/2pitch). 距 離越小, 表示線路越密集, 也就是所謂的積集度越高.
※以上每項簡介課目將以:機台簡介、run貨方式、產能狀況、生產注意事項 作串聯
2
MFG
黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產流程
.半導體四大製程技術分別為擴散、薄膜沈積、微影製程及蝕刻. 所以當 晶片在完成薄膜沈積後,在進行蝕刻或離子植入前都必須經過微影製程這 道步驟.
微影製程的主要功用是依照積體電路設計者的需求, 將各層次的線路圖, 一層一層的完整忠實的以光阻成像在晶片(Wafer/Chip)上, 以作為後續製 程的圖版.
1B2
78
3I
73
BL
91
4I
64
2B
75
1D
63
1S
76
2I
72
3S
96
1G1
64
CP
53
1G
54
1C
55
1N
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1M
56
1P
67
1T
61
2N
79
2M
62
2P
67
PI
98
ADI check時也會用到
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MFG
光罩簡介
Mask Naming Rule S A 2V56S30A P - 51 B S L - MH 01 EB - RE
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MFG
黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產流程
黃光原理
Light Source
Fly eyes Condenser Lens
Reticle Mask Projection Reduction Lens
黃光的技術很複雜, 但基本的原理很簡單,與照相的原理很類似:
首先先在晶片上塗上一層光阻(感光材料, 作用如同底片)來自光源的 平行光, 經過光罩後, 便投射在光阻上. 因為光罩上有圖案(由鉻膜 形成的不透光區域),而沒有鉻膜的地方，光線就會穿透玻璃到達晶片 上的光阻，這就是曝光(Exposure)
ex: 51=1F, 54=TG…..
11
MFG
光罩簡介
Mask Naming Rule
S A 2V56S30A P - 51 B S L - MH 01 EB - RE
➢
Minor reversion code : byte 21
A ~ Z (I,Q,O can’t be used ), alphabet only
黃光區生產簡介
1
MFG
簡介大綱
一. 黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產 流程
二. 光罩及光阻簡介 三. 下線刻號作業簡介 四. 黃光主機台生產簡介 五. 黃光Overlay生產簡介 六. 黃光PQC生產簡介(含ADI/SEM) 七. 黃光Polymide生產簡介 八. 黃光生產特色及注意事項 九. Q&A
minor pattern or layout change
➢
Wafer process reversion code : byte 22
光罩外觀
Substrates：Quartz 石英(QZ)
Size：
6
“
Glass Surface
0.25 “
0.25 “
Pellicle Surface
Pattern Surface
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MFG
光罩簡介
光罩種類： Binary Mask
Half Tone Mask 又稱PSM （Phase Shift Mask）
4
負光阻
未曝光之光阻會被顯影液顯影, 已曝光區域留下所需之電路圖形.
MFG
黃光在晶圓生產所扮演的角色及生產流程
黃光工程 製版處理
生產流程
Photo Process
Photo Process
對準檢查 重合檢查
Overlay check
OK Overlay Check
OK
顯影後檢查 ADI 現像檢查(目視) (After Develop Inspection)
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MFG
光罩簡介
光罩名稱 FA2S28D20AY 79AQG DP02 光罩名稱：FA2S28D20AY 工程代碼：79(Layer編號) 副 番：AQG 製造番號：DP02
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光罩簡介
PHOTO Mask 代碼 Table
layer 代碼
layer
代碼
1F
51
BSBaidu Nhomakorabea
83
2F
58
1B
90
1I
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