浅析集成电路反向分析

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集成电路的正向设计集成电路的逆向设计集成电路设计方法学

集成电路的正向设计集成电路的逆向设计集成电路设计方法学
本次课主要内容
• 集成电路的正向设计 • 集成电路的逆向设计 • 集成电路设计方法学概述
第18章 集成电路的正向设计
• 74HC139芯片介绍 • 74HC139电路设计
电路的设计:Cs支路电路图
CMOS反相器传输特性
版图的设计和验证
Vdd 输入A0a
输入Y0b
输入A1a


输出Y0a
输入Y1b 输出Y0b
门海示意图
门阵列生产步骤: (1)母片制造 (2)用户连接和金属布线层制造
Foundry
设计中心
寄存器传输 级行为描述
单元库
布局布线
向 Foundry 提供 网表
行为仿真 综合
逻辑网表 逻辑模拟
掩膜版图
生成 延迟 版图检查 / 网表和参数提取 文 件
/ 网表一致性检查
制版 / 流片 /测试/封装
在发展中,通道不规则,连线端口在单元四周,位置不规 则。
20.4 可编程逻辑器件设计方法 (PLD:Programmable Logic Device )
可编程逻辑器件:
这种器件实际上也是没有经过布线的门阵列电路,其完 成的逻辑功能可以由用户通过对其可编程的逻辑结构单元 (CLB)进行编程来实现。可编程逻辑器件主要有PAL、 CPLD、FPGA等几种类型,在集成度相等的情况下,其 价格昂贵,只适用于产品试制阶段或小批量专用产品。
(3) 门阵列设计时只需要定制部分掩膜版,而标准单元设计后需要 定制所有的各层掩膜版。
标准单元法与门阵列法相比的优点:
(1) 芯片面积的利用率比门阵列法要高。 芯片中没有无用的单元,也没有无用的 晶体管。
(2) 可以保证100%的连续布通率。 (3) 单元能根据设计要求临时加以特殊

集成电路反向设计解析

集成电路反向设计解析

集成电路反向设计解析作者:姚森宝滕谋艳陈璐来源:《科技视界》 2014年第12期姚森宝滕谋艳陈璐(深圳创维半导体设计中心有限公司,广东深圳 518108)【摘要】反向设计是IC设计方法的一个专有名词,是通过拍摄和放大已有芯片照片得到版图的几何图形。

反向设计和直接复制不同。

直接复制是对原芯片的集成电路布图设计进行直接复制和简单修改,反向设计充分了解原芯片关键技术原理的基础上,重新设计出功能相同或相似的芯片。

【关键词】版图;集成电路;反向设计1反向设计流程反向设计流程见图1所示,主要就是把待分析芯片转换成电路图和版图的过程。

1.1芯片解剖拍照我们所看到的照片图形是氧化层刻蚀形成的轨迹。

每个物理层看到的图形就是芯片通过解剖、染色、去层后得到逆向设计所需的图形信息,然后用光学显微镜摄取芯片图形信息再进行拼接对准。

国内外有多家能够提供完整解剖和电路提取的反向设计服务的公司。

图2所示就是某反向设计服务公司将芯片解剖拍照后的数据。

1.2芯片网表提取因为反向设计是一种自底向上的设计方法,所以芯片网表数据的提取质量显得尤其重要,初始数据的正确率直接影响电路整理、分析、物理验证。

为了得到高准确率的网表,一般会安排两组工程师分别独立对网表数据进行提取。

在两组工程师完成网表提取后分别进行电学规则检查以提高正确率,最后再进行网表对比验证(SVS)。

图3为已经提取完成的部分芯片网表1.3芯片电路分析整理将通过验证的网表通过EDIF、VERILOG、SPICE等格式导入EDA设计工具进行电路图的分析整理。

图3左边为网表通过EDIF格式导入,我们得到的是一个平层的网表数据,电路整理是把平层的电路进行层次化整理,形成一个电路的层次化结构,以便理解设计者的思路与技巧。

图3右边所示为经过整理的电路图。

1.4芯片电路仿真根据新的工艺调整电路器件参数,将已经层次化的电路图,通过仿真工具例如Hspice、Spectre、Hsim等EDA工具对电路模块功能进行仿真验证。

集成电路反向分析的争议

集成电路反向分析的争议

集成电路反向分析的争议反向分析是集成电路产业颇具争议的一项技术,其争议性主要源于反向分析技术的不当使用可能会对知识产权产生侵害。

然而,事实上反向分析技术在国外恰恰是作为一种保护集成电路知识产权的技术而被广泛应用。

集成电路知识产权集成电路知识产权主要包括布图设计权、专利权、著作权和商业秘密权等,其中最重要的是布图设计权和专利权。

集成电路布图设计权(1)布图设计权是布图设计权一种特殊知识产权。

布图设计作为知识产权家族中的新成员,是一种新的保护客体。

它与著作权、专利权保护的客体既有相同之处,又有不同之处。

与著作权相比,它具备著作权可复制性特点,又同时也具备著作权不涉及的工业实用性的特点。

与专利权相比,布图设计虽然具备专利权中的许多特征,但是布图设计并不要求也难以达到专利的新颖性和创造性的要求。

因此布图设计权是不同于著作权和专利权的一种特殊知识产权,需要制定专门的法律进行保护,中国2001年颁布实施的《集成电路布图保护条例》就是针对集成电路布图设计而设立的一项法律。

布图设计的主体是指依法取得布图设计的专有权人或权利持有人,其客体是集成电路的三维布图设计。

(2)布图设计权是一种经登记产生的权利集成电路布图设计权的产生方式不同于著作权,著作权的产生是自作品创作完成之日期便自动生效,无需申请;也不像专利权那样严格,必须经过申请、初步和实质审查、并由主管机关批准后方能生效。

布图设计权通常采用注册登记方式产生。

我国《集成电路布图保护条例》第八条明确规定:“布图设计专有权经国务院知识产权行政部门登记产生。

未经登记的布图设计不受本条例保护”。

同时第十七条规定“布图设计自其在世界上任何地方首次商业利用之日起两年内,未向国务院知识产权行政部门提出登记申请的,国务院知识产权部门不再予以登记。

”(3)布图设计专有权内容如何界定布图设计专有权的内容,是布图设计保护立法的核心问题,各个国家在此问题上的做法并不相同。

我国从保护布图设计的实际出发,根据华盛顿条约和TRIPS协议规定,确定了两项布图设计专有权,复制权和商业利用权。

实验33 模拟集成电路版图的反向提取

实验33  模拟集成电路版图的反向提取

实验33 模拟集成电路版图的反向提取模拟集成电路具有设计难度大、应用范围宽等优点,早已成为了集成电路设计领域的重要研究热点,引起了研究者的广泛关注。

模拟集成电路版图的反向提取关乎电路设计的成败,是设计过程中的重要关键环节之一。

本实验要求学生能够独立对标准CMOS模拟集成电路版图单元,完成电路的反向提取、绘制整理和功能分析等工作。

通过对CMOS模拟集成电路版图单元的反向提取实践,锻炼和提高学生对集成半导体器件和模拟集成电路版图的认知能力和对电路整理与结构优化技能,培养学生对模拟集成电路反向设计思想的理解,加强学生灵活运用所学《半导体物理》、《场效应器件物理》、《模拟集成电路设计》和《集成电路制造技术》等理论知识的能力。

一、实验原理1. 模拟集成电路中的集成器件在标准CMOS工艺下,模拟集成半导体器件主要有:MOS晶体管、扩散电阻、多晶硅电阻、多晶硅电容和MOS电容等。

在P型衬底N阱CMOS工艺条件下,NMOS器件直接制作在衬底材料上,PMOS器件制作在N阱中。

在模拟集成电路中,MOS晶体管常常工作在线性区或饱和区,需要承受较大的功耗,这些晶体管具有较大的宽长比。

模拟集成电路版图常常不规则,这就要求在电路提取时要充分注意电路连接关系。

为了解决较大宽长比器件与版图布局资源之间的矛盾,实际版图照片中常常可以看到,以多只较小宽长比晶体管并联形式等效一只较大宽长比晶体管的情形。

这种版图尺寸的转换技术可以实现对芯片总体布局资源的充分合理利用,同时又有利于系统的整体性能提升,有着非常重要的应用。

图33.1给出了大宽长比器件转换示意图,(a)图为多只具有较小宽长比的晶体管,(b)图为这些晶体管通过共用源、漏和栅极,采用并联连接方式实现向大宽长比的转换。

(a) (b)图33.1 大宽长比器件转换示意图图33.2给出了具有较大宽长比的NMOS和PMOS晶体管的等效版图。

从图155中可以看出,NMOS和PMOS晶体管都是由四只晶体管并联组成的,由于源极、漏极和栅极分别接在一起,所以晶体管从漏极流向源极的电流具有四条路径,那么,作用结果相当于四倍宽长比的单只晶体管。

集成电路版图设计(反向提取与正向设计)

集成电路版图设计(反向提取与正向设计)

集成电路设计综合实验报告班级:微电子学1201班姓名:学号:日期:2016年元月13日一.实验目的1、培养从版图提取电路的能力2、学习版图设计的方法和技巧3、复习和巩固基本的数字单元电路设计4、学习并掌握集成电路设计流程二.实验内容1. 反向提取给定电路模块(如下图所示),要求画出电路原理图,分析出其所完成的逻辑功能,并进行仿真验证;再画出该电路的版图,完成DRC验证。

2. 设计一个CMOS结构的二选一选择器。

(1)根据二选一选择器功能,分析其逻辑关系。

(2)根据其逻辑关系,构建CMOS结构的电路图。

(3)利用EDA工具画出其相应版图。

(4)利用几何设计规则文件进行在线DRC验证并修改版图。

三.实验原理1. 反向提取给定电路模块方法一:直接将版图整体提取(如下图)。

其缺点:过程繁杂,所提取的电路不够直观,不易很快分析出其电路原理及实现功能。

直接提取的整体电路结构图方法二:将版图作模块化提取,所提取的各个模块再生成symbol,最后将symbol按版图连接方式组合成完整电路结构(如下图)。

其优点:使电路结构更简洁直观、结构严谨、层次清晰,更易于分析其原理及所实现的功能。

CMOS反相器模块CMOS反相器的symbolCMOS传输门模块 CMOS传输门的symbolCMOS三态门模块 CMOS三态门的symbolCMOS与非门模块 CMOS与非门的symbol各模块symbol按版图连接方式组合而成的整体电路经分析可知,其为一个带使能端的D锁存器,逻辑功能如下:①当A=1,CP=0时,Q=D,Q—=D—;②当A=1,CP=1时,Q、Q—保持;③当A=0,Q=0,Q—=1。

2.CMOS结构的二选一选择器二选一选择器(mux2)的电路如图所示,它的逻辑功能是:①当sel=1时,选择输入A通过,Y=A;②当sel=0时,选择输入B通过,Y=B。

二选一选择器(mux2)由三个与非门(nand)和一个反相器(inv)构成(利用实验1 的与非门和反相器symbol即可)。

浅析集成电路反向分析的争议性

浅析集成电路反向分析的争议性

合 理 使 用 :条 例 第 二 十 三 条
规定 ,下列 行 为可 以不 经布 图设 计
的 许 多特 征 ,但 是 布 图设 计 并 不要
权 利 人 许 可 ,不 向 其 支 付 报 酬 : “( 一 )为个 人 目的或者 单 纯 为评
价 、分 析 、研 究 、教 学 等 非 商 业
求也难 以达到专利 的新颖性和创造
应 用 专题
I A P P L I c A T l o N s
浅析集成 电路反 向分析 的争 议性
■ 艾 恩 溪
[ 摘 要】 反 向分析是集成 电路产业颇具争议 的一项技术 ,其争议性 主要源于反向分析技 术的不 当使用 可 能会对 知识产 权产 生侵害。然而 ,事实上反 向分析技术在国外恰恰是 作为一种保 护集成 电路知识 产 权 的技 术 而 被 广 泛 应 用 。
护 , 中国2 0 0 1 年 颁布 实 施 的 《 集成
电路 布 图保 护 条 例 》就 是针 对 集 成 电路 布 图设 计 而 设立 的一项 法 律 。
不 相 同 。我 国从 保 护 布 图设计 的实 际 出发 ,根 据华 盛 顿 条 约 和T R I P S 有 权 ,复制 权 和商 业利 用权 。
( 2)布 图设 计 权 是 一 种 经 登 记产 生 的权 利
设计 的专有权人或权利持有人 ,其 协 议 规定 ,确定 了两项 布 图设 计 专
图设计权 、专利权 、著作权和商业
秘 密权 等 ,其 中最 重要 的是 布 图设
计 权 和 专利 权 。 关于 集成 电路布 图设 计 权 : (1)布 图设 计 权 是 布 图设 计 权 一 种 特殊 知识 产 权 。
集 成 电 路 布 图 设 计 权 的 产 生

芯片反向设计是什么?芯片反向设计解析

芯片反向设计是什么?芯片反向设计解析

芯片反向设计是什么?芯片反向设计解析芯片反向设计时什么?为什么要进行芯片反方设计。

本文主要探讨的就是芯片反向设计解析以及意义芯片反向设计是什么反向设计传统上被称为“自底向上”的设计方法,也称为逆向设计。

它是通过对芯片内部电路的提取与分析、整理,实现对芯片技术原理、设计思路、工艺制造、结构机制等方面的深入洞悉,可用来验证设计框架或者分析信息流在技术上的问题,也可以助力新的芯片设计或者产品设计方案。

芯片反向工程的意义现代IC产业的市场竞争十分激烈,所有产品都是日新月异,使得各IC设计公司必须不断研发新产品,维持自身企业的竞争力。

IC设计公司常常要根据市场需求进入一个全然陌生的应用和技术领域,这是一件高风险的投资行为。

并且及时了解同类竞争对手芯片的成本和技术优势成为必然的工作。

如果让工程师在最短的时间以最有效率的方式设计电路才是最难解决的问题,逆向工程看来是其中一个解决方案。

逆向工程能将整颗IC从封装,制成到线路布局,使用将内部结构,尺寸,材料,制成与步骤一一还原,并能通过电路提取将电路布局还原成电路设计。

目前,国外集成电路设计已经非常成熟,国外最新工艺已经达到10nm,而国内才正处于发展期,最新工艺达到了28nm。

有关于集成电路的发展就不说了,网络上有的是资料。

对于IC设计师而言,理清楚IC设计的整个流程对于IC设计是非常有帮助的。

然而,网络上似乎并没有有关于IC设计整个流程的稍微详细一点的介绍,仅仅只是概略性的说分为设计、制造、测试、封装等四大主要板块,有的资料介绍又显得比较分散,只是单独讲某个细节,有的只是讲某个工具软件的使用却又并不知道该软件用于哪个流程之中,而且每个流程可能使用到的工具软件也不是太清楚(此观点仅为个人经历所得出的结论,并不一定真是这样)。

芯片正向设计与反向设计目前国际上的几个大的设计公司都是以正向设计为主,反向设计只是用于检查别家公司是否抄袭。

当然,芯片反向工程原本的目的也是为了防止芯片被抄袭的,但后来演变为小公司为了更快更省成本的设计出芯片而采取的一种方案。

集成电路设计中的逆向工程技术研究

集成电路设计中的逆向工程技术研究

集成电路设计中的逆向工程技术研究一、引言集成电路设计是现代电子领域中最为重要的领域之一。

随着科技的不断发展,越来越多的设计公司开始将其设计引入到国际市场,并且设计中使用了更为先进的技术实现,使得国内外电子设计领域日益加速发展。

然而,在这一领域中,逆向工程技术也越来越被重视。

逆向工程技术可以帮助设计公司更好的了解竞争对手的产品,更好的了解市场需求,以更好的设计出更具优越性的产品。

本文主要介绍在集成电路设计中逆向工程技术的应用与研究。

二、逆向工程技术的介绍逆向工程技术是一种在设计过程中进行的技术。

这种技术是通过对设计产品进行逆向分析或测试来获取产品信息。

逆向工程技术在现代工作中得到广泛的应用,广泛应用于电子产品、汽车产品、航空产品和生物产品等领域。

在电子产品领域中,逆向工程技术可以用于检测闭源产品中的漏洞或者安全隐患,为设计公司提供更加关键的设计信息。

在集成电路设计领域中,逆向工程技术可以被用来检测竞争产品设计的技术细节,从而进一步完善自己电路设计。

三、集成电路逆向工程技术的发展现状目前,在逆向工程技术中,主要使用了以下两种方法:1.反向编译反向编译的基本思想是将生成的目标代码反汇编到类似于汇编语言的源代码中。

通过分析这些代码,他们将能够了解电路的工作过程,从而获得逆向设计所需的设计信息。

2.芯片显微刻蚀技术芯片显微刻蚀技术通常是指芯片刻蚀技术,简单而言,就是通过刻蚀电路来获取电路设计的技术细节信息。

在逆向工程技术的过程中,最为关键的是提取原始的电路设计图。

目前,已经发展出了多种方法来实现电路图提取。

其中一个最为常用方法是使用红外热成像来捕获芯片上的温度分布。

通过将芯片热快速加热,并通过红外热成像捕获局部热量分布(例如,通过扫描翻转芯片从而捕获详细的珊瑚表面精度信息),来探测芯片的状态,从而可以得到芯片的电路图设计或者其它相关的设计信息。

四、逆向工程技术在集成电路设计中的应用1.市场调研逆向工程技术可以帮助设计公司更好的了解市场需求,了解竞争公司的产品的设计特征及实现原理,并且通过分析引导市场需求来设计更加优秀的产品。

集成电路故障分析技术研究

集成电路故障分析技术研究

集成电路故障分析技术研究集成电路是现代电子产业的关键领域之一。

而集成电路的故障分析技术则是保障集成电路品质与可靠性的重要手段。

本文将从引言、集成电路故障类型分析、故障分析技术研究、应用案例等方面展开,全面探讨集成电路故障分析技术研究。

引言近年来,随着电子设备的普及和应用,集成电路的发展也越来越迅速,成为电子信息产业中发展最为重要的一个领域之一。

然而,由于集成电路元器件的微缩和复杂化,使得集成电路的故障诊断越来越具有挑战性。

对于集成电路的故障,有很多种类型。

它们常常因为不同的原因和不同的造成方式而导致故障的形成。

针对这些故障,相关专家进行了长期的技术研究,研究出了一系列的故障分析技术,用于解决集成电路的故障问题。

下面将对这些故障类型和故障分析技术逐一进行探讨。

集成电路故障类型分析当我们在使用电子产品的过程中遇到了故障,很多时候都是由于集成电路出现了问题而导致的。

在集成电路故障类型方面,它们主要可分为以下几类:1、时序故障时序故障是指由于操作或采样时序的问题导致的电路故障。

这类故障主要出现在时钟信号的设计和接口传输方面,如时钟频率不合适、时钟缺失等。

对于时序故障,应采用静态或动态的时序分析方法进行故障定位。

其中,动态时序分析方法是观察回波或宏单元状态的行为,以较高的分辨率检测故障。

2、温度故障由于电子元器件的自身特性和使用条件(如气温、室内温度等)造成的故障称为温度故障。

这类故障可能在工作过程中产生不良的板载元器件,涉及不合格设备和环境错误。

为了解决温度问题,可以通过温控系统自动控制温度,或借助于热成像设备来发现局部温度差异并采取措施。

3、电源故障电源故障是指由于供电电压或电流异常导致的故障。

这种故障可能是因为电压波动、电源削减、内存使用不正确、电源过载等原因而产生。

处理电源故障的关键是确定干扰源和确定电源质量问题。

要想排除这种故障,必须对电路进行全面的评估,包括它的实施,设备必须有一个可靠的供电电源。

集成电路逆向设计流程的研究

集成电路逆向设计流程的研究

安徽大学本科毕业论文(设计、创作)题目:集成电路逆向设计流程的研究学生姓名:学号:院(系):电子信息工程学院专业:微电子学入学时间:2008年9月导师姓名:职称/学位:导师所在单位:安徽大学电子信息工程学院完成时间:2012年5月集成电路逆向设计流程的研究摘要集成电路(IC)逆向设计(工程)是一种人们从优秀芯片中提取技巧和知识的过程,是获取芯片工艺、版图、电路、设计思想等信息的一种手段。

人们对已有的集成电路芯片进行完全仿制设计,或在原有芯片的基础上进行部分改动设计。

然后依据现有工艺线的设计规则要求重新流片,可以通过对原有芯片进行压缩面积、更改更细线宽,从而达到降低芯片成本的要求。

简单而言,芯片反向设计就是通过对芯片内部电路的提取与分析、整理,实现对芯片技术原理、设计思路、工艺制造、结构机制等方面的深入洞悉,可用来验证设计框架或者分析信息流在技术上的问题,也可以助力新的芯片设计或者产品设计方案。

芯片反向设计服务包括网表/电路图反向提取、电路层次化整理、逻辑功能分析、版图提取与设计、设计规则检查调整、逻辑版图验证、单元库替换以及工艺尺寸的缩放等方面。

关键字:逆向设计;逆向软件;网表提取;LVS检查Research of IC reverse design flowAbstractIntegrated circuit ( IC ) design ( Reverse Engineering ) is a kind of process that people design extraction skills and knowledge from excellent chip. It is a means of obtaining the information of the chip, such as technology, layout, circuit and design. People have copied the design completely, or have some design changed which is based on the original integrated circuit chip. Then in order to reduce the chip cost requirements, people can pass on the original chip compression area and change more fine lines on the basis of the existing process line and design rules.In simple terms, reverse design is based on the chip circuit extraction , analysis and collation. It realizes to the in-depth understanding of technology principle, design, manufacturing process, structure and mechanism of the chip. It can be used to verify the design framework and analysis of information flow in the technical problem. It also can help the new chip design or product design scheme.Reverse design services include a netlist / circuit reverse extraction, circuit level arrangement, logical analysis, abstraction and design, design rule check adjustment, logic layout verification, cell library replaced as well as the process dimension scaling etc.Keywords:r everse design; reverse engineering software; netlist extraction ;LVS examination目录1 引言 (1)1.1 集成电路逆向设计背景 (1)1.2 国内外逆向软件研究现状 (1)1.3 本课题研究的内容与结构 (2)2 集成电路逆向设计软件Chipsmith (2)2.1 Chipsmith软件简介 (2)2.2 Chipsmith基本操作 (3)3 芯片逆向设计流程 (4)3.1 划分工作区 (4)3.2 基本元器件电路的提取与分析 (5)3.2.1 电阻的提取 (5)3.2.2 电容的提取 (7)3.2.3 二极管的提取 (9)3.2.4 MOS管的提取 (9)3.3 版图库单元的建立 (10)3.4 线网绘制和元器件端口的连接 (15)3.5 人工交互检错及网表预处理 (15)3.6 SVS检查 (15)3.7 提取逻辑 (15)3.8 仿真 (16)3.9 版图设计与流片封装 (16)4 结束语 (16)主要参考文献 (17)致谢..................................................... 错误!未定义书签。

集成电路反向设计

集成电路反向设计

电子科技大学成都学院实验报告册课程名称:姓名:学号: 1院系:专业:教师:2012 年12 月日实验一:模拟器件提取(电阻)一、实验目的:1. 学习ChipAnalyzer软件使用,学会创建工作区2.识别工程项目各个层次3.学会划分模拟工作区与数字工作区4. 能够识别电阻,掌握电阻提取的方法与步骤5.掌握电阻串联和并联提取二、实验原理和内容:实验原理:1.根据学到的电路知识,从照片图像识别出物理结构,再从物理结构得出电学特性从而识别出器件类型。

2.从染色层(离子注入层)可以判断各区域的掺杂类型(对CMOS工艺一般染色后,“亮”色为N型杂质,“暗”色为P型杂质);在多晶层可以看到接触孔的位置、多晶硅图像;从金属层可以判断出各器件的连接关系。

3.CMOS工艺中常见电阻类型:阱电阻(RNWELL、RPWELL)、注入电阻(RNPLUS 、RPPLUS)、多晶电阻(RPOL Y)、金属电阻(RMETAL)。

实验内容:1.创建工作区2.重命名工作区并更改工作区大小3.在工作区中提取电阻三、实验步骤:1.启动ChipAnalyzer软件;2.打开工程项目;3.创建工作区;4.提取电阻四、实验数据和结果:电阻的提取:单条电阻:RR0(20104,14414) w=3.19u,l=38.1u串联电阻:RR4(19302,14354) w=6.31u l=39.6u s=2并联电阻:RR5(19510,14875) W=4.29u L=30.5u m=3五、实验总结:在这个试验中学会了ChipAnalyzer软件的使用,创建工作区,学会了认识各种电阻,掌握了单个电阻,串联电阻和并联电阻的提取。

实验二模拟器件提取(电容、二极管)一、实验目的:1.进一步学习ChipAnalyzer软件使用2.能够识别电容和二级管,掌握电容和二极管的提取方法与步骤二、实验原理和内容:1.实验原理:1)电容:CMOS工艺常见电容有MOS电容,双多晶电容,金属多晶电容双层或多层金属电容,在集成电路中电容有上下两个导电的极板好和两层之间的绝缘介质构成,在基于ChipAnalyzer软件的构成中可以看到向上下两个极板看不到中间的绝缘介质。

数字集成电路学习总结5CMOS反相器

数字集成电路学习总结5CMOS反相器

数字集成电路学习总结5CMOS反相器今天开始总结数字集成电路。

这本书其实算是本科最难的⼀本了,细节过多⽆法卒读,涉及到的知识也⾮常全⾯。

实际上本科课程安排中并为将其作为重点,我们的课⾮常⽔,不知道讲了什么。

今天详细总结⼀下。

当时然由于内容过多,⽆法全部涵盖,只能⼤致总结,并着重记录定性的结论。

涉及到计算之类的问题,就只能略过了。

第五章 COMS反相器5.1 引⾔为什么从第五章开始,原因是这章⽐较基础,详细学习CMOS反相器后,才能继续看组合电路和时序电路等等。

研究的对象有如下⼏个指标:成本(复杂性和⾯积)、完整性和稳定性(静态特性)、性能(动态特性)、能量效率(功耗)。

5.2 静态CMOS反相器——直观综述课本上的描述:晶体管只不过是⼀个具有⽆限关断电阻和有限导通电阻的开关。

以开关来理解,可以推导出其他重要特性:1、输出⾼电平和低电平分别为VDD和GND,换⾔之,电压摆幅等于电源电压。

因此噪声容限很⼤。

2、逻辑电平与器件的相对尺⼨⽆关,所以晶体管可以采⽤最⼩尺⼨。

这⾥有⼀个概念叫⽆⽐逻辑3、稳态时,输出和VDD或GND之间总存在有限电阻的通路。

因此⼀个设计良好的CMOS反相器具有低输出阻抗,这使得它对噪声和⼲扰不敏感。

4、输⼊电阻极⾼。

理论上,单个反相器可以驱动⽆穷个门,或者说有⽆穷⼤的扇出。

但很快我们发现增加扇出也会增加传播延时。

因此扇出不会影响稳态特性,会影响瞬态特性。

5、忽略漏电流的话,意味着⽆静态功耗。

之前常⽤的是NMOS电路,静态功耗不为0,限制了集成度。

后来必须转向CMOS。

电压传输特性(VTC)的性质和形状可以通过图解法迭加两管的图像得到。

结果是观察到VTC具有⾮常窄的过渡区。

我们可以把开关特性简化为RC电路,⼀个快速门的设计是通过减⼩输出电容或者减⼩晶体管的导通电阻(增⼤宽长⽐)实现的。

5.3 CMOS反相器稳定性的评估——静态特性5.3.1 开关阈值开关阈值VM定义是Vin=Vout的点,利⽤图解法可以看出。

集成电路反向设计试验

集成电路反向设计试验

集成电路反向设计实验实验目的:掌握集成电路解剖的原理和方法;掌握集成电路反向分析的方法;了解集成电路反向设计的基本步骤。

实验原理:反向设计是通过对芯片内部电路的提取与分析、整理,实现对芯片技术原理、设计思路、工艺制造、结构机制等方面的深入洞悉,可用来验证设计框架或者分析信息流在技术上的问题,也可以助力新的芯片设计或者产品设计方案。

1.反向设计流程反向设计的流程如下:(1)提取横向尺寸①打开封装,进行照相(把电路产品放大数百倍分块照相,提取集成电路的复合版图);⏹打开外壳:用浓硫酸等方法打开塑料封装,露出管芯;⏹芯片拍照:用光学显微镜进行排照,得到管芯外观图;⏹去掉钝化层,拍照,得到金属连线图;⏹去掉金属层和绝缘介质层,拍照,得到下层金属或多晶硅版图;⏹若为多层布线,重复上一步骤,得到各层版图;⏹去掉所有外部各层,露出硅表面,染色区分p和n区,拍照。

②拼图(把照片拼成整个产品的复合版图);③由产品的复合版图提取电路图、器件尺寸和设计规则;④进行电路模拟,验证所提取的电路是否正确;⑤如果模拟正确,可以着手画版图。

(2)提取纵向尺寸用扫描电镜,扩展电阻仪等提取氧化层厚度、金属膜厚度、多晶硅厚度、结深、基区宽度等纵向尺寸和纵向杂质分布。

(3)测试产品的电学参数电学参数包括阈值电压,又称开启电压(V T)、薄膜电阻,又称方块电阻(R□)、电流放大倍数(β)、特征频率(f T)等。

然后,在(2)和(3)的基础上确定工艺参数,制订工艺条件和工艺流程。

已出现与计算机联网的显微镜,无需照相可直接进行版图分析。

从版图中提取出电路图,进行仿真及功能分析、结构修改后,又转入正向设计。

详见下表。

网表提取标准流程利用网表提取器ChipLogic Analyzer能够提取得到芯片的网表数据,并以标准格式(Verilog、SPICE和EDIF)输出。

软件提供的线网自动提取算法和单元自动搜索算法可以很大程度地减少手工操作的工作量。

论集成电路知识产权之反向工程侵权与保护

论集成电路知识产权之反向工程侵权与保护

论集成电路知识产权之反向工程侵权与保护摘要:反向工程在工程技术科研领域具有重要的地位和作用,同理集成电路反向工程在集成电路行业同样具有极其重要的地位和作用;无论国际、国内对反向工程均持积极态度,反向工程的积极作用和对社会经济发展的积极意义是肯定的,但是不能否认反向工程也有消极的一面,如对其不加法律限制,则会产生危害技术进步、发展的严重后果,会损害社会经济发展步伐、扰乱社会秩序。

因此,我们必须防止反向工程的消极面,以“反向工程”加“法律”的形式,规范反向工程,规范集成电路反向工程,加强对集成电路反向工程法律问题的研究、在合理、合规、合法的前提下运用集成电路反向工程发展集成电路产业;禁止利用“集成电路反向工程”幌子招牌违法实施集成电路布图设计专有权侵权行为,并对其依法惩治;鼓励利用“集成电路反向工程”进行技术创新、技术升级、技术进步,获得技术发展,并对其依法进行必要的保护,以促进科学技术的不断进步、发展,实现经济社会的不断进步、发展。

关键词:集成电路知识产权反向工程侵权保护一、关于“反向工程”及“集成电路反向工程”1.反向工程:“一般指逆向工程(又称逆向技术),是一种产品设计技术再现过程,即对一项目标产品逆向分析及研究,从而演绎并得出该产品的处理流程、组织结构、功能特性及技术规格等设计要素,以制作出功能相近,但又不完全一样的产品。

逆向工程源于商业及军事领域中的硬件分析。

其主要目的是在不能轻易获得必要的生产信息的情况下,直接从成品分析,推导出产品的设计原理。

逆向工程可能会被误认为是对知识产权的严重侵害,但是在实际应用上,反而可能会保护知识产权所有者。

例如:在集成电路领域,如果怀疑某公司侵犯知识产权,可以用逆向工程技术来寻找证据。

”①“在集成电路产业的发展过程中,反向工程行为普遍存在,该行为一方面有利于更快地设计出基本功能相同,但性能更好、尺寸更小、成本更低的集成电路产品,促进集成电路产业技术进步,同时也并不过分违背公平竞争原则……”②1.集成电路反向工程:是指对集成电路产(成)品进行解剖分析,从而弄清该集成电路布图设计的产品的机理,掌握其设计诀窍的一种方法,对集成电路芯片而言,通常是用化学方法使晶片溶解,然后把电路系统拍摄下来,在彻底解剖、了解该电路功能的基础上,重新设计出与原产品不同但功能相当的芯片。

浅析集成电路反向分析

浅析集成电路反向分析

浅析集成电路反向分析新人第一次发帖,不知道各位专利代理人对集成电路方面的专利是否了解。

楼主来自一个集成电路反向分析公司,目前从事专利方面的工作。

下面是以下关于今后我将为大家带来集成电路专利分析的一些解释和技术。

希望对各位看官有些帮助。

多年来一直有行业内外人士提出反向分析到底是什么?利用反向分析如何为专利分析服务?甚至有反向分析是否合法的疑问。

那么从今天起,将定期推送文章,为您揭开反向分析的神秘面纱。

一.反向分析与正向设计芯片反向分析(reverseengineering, RE)也称反向设计或反向工程,之所以称为“反向分析”是相对于“正向设计”而言的。

正向设计采用自顶向下(top down)的设计方法,即从设计思想出发,通过电路或逻辑设计得到芯片网表,最后设计完成用于生产的版图。

与之相反,反向分析采用自底向上(bottom up)的设计方法,从参考芯片(有时也称为“原芯片”)的图像开始,通过电路提取得到芯片网表或电路图,然后再对电路进行层次整理和分析,进而获取参考芯片的设计思想。

正向设计和反向分析的难点是不同的,正向设计的难点在于设计思想的构思,而反向分析的难点则在于设计思想的获取。

实际上正向设计是一种设计方法,通过正向设计可以把设计思想转变成芯片实物。

而反向分析则是以学习设计技巧、提高设计经验、配合和完善正向设计为目的,因此,严格来讲反向分析并不是一种设计方法,而是促进和完善正向设计的一种工具和手段,是正向设计有益的必要的补充。

二.反向分析流程反向分析主要应用于集成电路技术分析、专利分析、芯片仿制等不同的方面,不同的应用有着不同的设计流程。

芯片仿制是利用反向技术完成一个完整的芯片设计,其流程最为完整,为了让读者更加全面地了解反向分析流程,下面就以芯片仿制为例详细介绍一下反向分析流程。

下图是芯片仿制流程,包括芯片前处理、网表提取、电路整理分析、版图设计和流片生产等环节。

芯片前处理是反向分析的基础性环节,它包括封装去除、管芯解剖、图像采集和图像处理等步骤,通过前处理可以得到包含参考芯片所有版图信息的芯片图像数据库。

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浅析集成电路反向分析
新人第一次发帖,不知道各位专利代理人对集成电路方面的专利是否了解。

楼主来自一个集成电路反向分析公司,目前从事专利方面的工作。

下面是以下关于今后我将为大家带来集成电路专利分析的一些解释和技术。

希望对各位看官有些帮助。

多年来一直有行业内外人士提出反向分析到底是什么?利用反向分析如何为专利分析服务?甚至有反向分析是否合法的疑问。

那么从今天起,将定期推送文章,为您揭开反向分析的神秘面纱。

一.反向分析与正向设计
芯片反向分析(reverseengineering, RE)也称反向设计或反向工程,之所以称为“反向分析”是相对于“正向设计”而言的。

正向设计采用自顶向下(top down)的设计方法,即从设计思想出发,通过电路或逻辑设计得到芯片网表,最后设计完成用于生产的版图。

与之相反,反向分析采用自底向上(bottom up)的设计方法,从参考芯片(有时也称为“原芯片”)的图像开始,通过电路提取得到芯片网表或电路图,然后再对电路进行层次整理和分析,进而获取参考芯片的设计思想。

正向设计和反向分析的难点是不同的,正向设计的难点在于设计思想的构思,而反向分析的难点则在于设计思想的获取。

实际上正向设计是一种设计方法,通过正向设计可以把设计思想转变成芯片实物。

而反向分析则是以学习设计技巧、提高设计经验、配合和完善正向设计为目的,因此,严格来讲反向分析并不是一种设计方法,而是促进和完善正向设计的一种工具和手段,是正向设计有益的必要的补充。

二.反向分析流程
反向分析主要应用于集成电路技术分析、专利分析、芯片仿制等不同的方面,不同的应用有着不同的设计流程。

芯片仿制是利用反向技术完成一个完整的芯片设计,其流程最为完整,为了让读者更加全面地了解反向分析流程,下面就以芯片仿制为例详细介绍一下反向分析流程。

下图是芯片仿制流程,包括芯片前处理、网表提取、电路整理分析、版图设计和流片生产等环节。

芯片前处理是反向分析的基础性环节,它包括封装去除、管芯解剖、图像采集和图像处理等步骤,通过前处理可以得到包含参考芯片所有版图信息的芯片图像数据库。

网表提取是基于芯片图像进行单元、互连线等各种版图元素的识别,并得到芯片网表的过程。

提取得到的芯片网表通常包含一系列模拟器件和基本数字单元,以及这些器件和单元端口的连接关系信息。

网表通常是以文本文件的形式描述,也可以转换为图形化的平面电路图形式。

对于提取得到的网表(或平面电路图),还需要进行电路整理分析,在保证电路连接关系不变的前提下将其转化为层次化电路图,还原其原始的设计架构和功能模块,这样就可以了解参考芯片的设计思想、设计技巧和设计特点。

电路整理后还需要进行电路或逻辑仿真,通过仿真可以验证网表提取的正确性,也可以修正由于工艺移植带来的器件参数值的偏差。

版图设计是参照图像背景,按照目标工艺的设计规则进行版图绘制的过程。

它是芯片仿制中重要而独特的一个环节。

版图绘制完成后,还需要同网表进行LVS验证,以发现网表提取或版图绘制中的错误,从而提高芯片仿制的成功率。

版图设计结束后,还需要对版图进行后仿真,以验证和优化版图移植后的时序和功耗等性能。

以上工作都完成后,就进入到芯片制造环节。

这个环节包括掩膜版制作、流片生产、芯片封装和芯片测试等。

三.正反向相结合的设计方法
正向设计和反向分析并不是相互对立的,在实际设计中,这两种方法经常结合使用,只不过使用时会有所偏重。

当设计思路明确、设计技巧积累充分时,会以正向设计为主,反向分析为辅。

此时,反向分析起到纠正设计思路误差、弥补设计缺陷的作用。

在产品规划阶段,反向分析对确定设计目标、选择设计工艺、合理估算成本等方面起到参考作用;在设计初期,反向分析可以验证设计思路的合理性和完善性;而在设计过程中遇到难点时,反向分析可帮助寻求解决问题的线索。

当技术不够成熟、整体设计思路不完善时,只能采取以反向分析为主的方式,此时正向设计可以优化产品性能和规避侵权风险。

在电路设计方面,可以对反向提取得到的电路加以修改和优化(例如添加部分电路模块或替换部分电路模块),用以规避专利侵权和提升产品某些性能,进而形成自主知识产权的产品。

在版图设计方面,可以在反向提取得到的电路的基础上,采用手工绘制或者自动布局布线的方法重新设计版图,从而形成与原芯片版图不同的新产品。

采用这种方式可有效地屏蔽布图设计侵权问题,适合难以理解的协议类或算法类芯片的设计。

正反向相结合的设计方法,在国内集成电路设计能力普遍落后的情况下,具有重要的现实意义。

首先,在设计技术上,国内设计水平远远落后于发达国家。

因此,要完全依靠自己的力量,独立地开发出全新的并在国际市场上有竞争力的产品,是非常困难的。

其次,国内高水平的集成电路设计人才奇缺,难以设计出一流的芯片产品。

再次,国内集成电路设计企业在进行芯片设计时面临的普遍问题是资金不足,而集成电路行业是一个高投入、高风险、高收益的行业,没有足够的资金投入,很难保证设计的质量和成功率。

最后,在开发风险上,
由于缺乏技术积累和设计经验,国内集成电路设计企业在进行芯片产品的设计时,往往要承担很高的设计风险。

通过以上分析可以看出,由于国内集成电路设计行业自身的局限性和行业本身的特点,要独立自主、借鉴吸收、跳跃式地开发集成电路产品就必须走“学习、吸收、再创新”的路子。

这就要求通过反向分析技术,学习和参考国外先进的设计经验和技巧,来快速、高效地赶上国外的集成电路设计水平;同时通过正向设计,创造有竞争力的产品,来赢得市场和利润。

依照国内外的相关法律,企业完全可以通过反向分析合法地获取设计经验和技巧。

事实证明,通过正反向相结合的设计方法来发展国内的集成电路行业是可行的,也是必须的。

国内很多集成电路设计公司都是通过这种方式起步并发展壮大的。

所谓芯片反向设计,简单而言,就是通过对芯片内部电路的提取与分析、整理,实现对芯片技术原理、设计思路、工艺制造、结构机制等方面的深入洞悉,可用来验证设计框架或者分析信息流在技术上的问题,也可以助力新的芯片设计或者产品设计方案。

我们通过与知名芯片设计企业的合作,长期致力于为设计公司完成产品定位、竞争性研究分析、版权保护、学习参考先进设计思路和设计技巧提供技术支持与服务。

我们对芯片反向设计有自己独特的技术手法和实战技巧,快速准确的电路反向提取和高效的电路整理与分析,能够为客户提供自主创新平台,从而缩短学习曲线,加快自有技术水平的提高。

我们的芯片反向设计服务包括网表/电路图反向提取、电路层次化整理、逻辑功能分析、版图提取与设计、设计规则检查调整、逻辑版图验证、单元库替换以及工艺尺寸的缩放等方面。

通过这些逆向分析手段,我们可以帮助客户了解其他产品的设计,用于项目可行性研究、打开思路、寻找问题、成本核算等,比如:在进入新领域之前,评估、验证自己技术方案和设计思路的可行性;通过对市场上成熟产品的研究,协助解决关键性的技术问题;利用已有产品的市场资源,降低进入壁垒,实现更好的产品兼容性等等。

网表/电路图反向提取
在芯片反向设计中,网表/电路图的提取是个很大的课题,网表提取的质量和速度直接影响后续整理、仿真、LVS等方方面面的工作。

我们在总结众多成功案例的基础上,依托自主研发的软件应用,可准确、快速、高质量地进行网表/电路图的提取。

逻辑功能分析
网表提取结束后,往往需要进行电路的整理工作,把一个打平(flatten)的电路进行层次化(hiberarchy)整理,形成一个电路的层次化结构,以便理解设计者的设计思路和技巧,同时还能达到查找网表错误的目的。

版图设计
版图设计是电路逻辑的物理实现,是集成电路产品实现(ChipLogic Layeditor)。

我们在反向设计的基础上提供版图的提取、工艺库替换、目标工艺修改、DRC检查和LVS校验等各种设计服务。

逻辑版图验证
网表和版图设计结束后,往往需要对其正确性进行各种验证,为了保证设计流程的完整性,盛世提供芯片网表数据和版图数据的各种验证服务。

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